Бойков, Ю. А. Изменение электрофизических свойств эпитаксиальных пленок La[0.67]Ca[0.33]MnO[3] в процессе вторичной рекристаллизации [Текст] / Ю. А. Бойков, Т. Клаесон, А. Ю. Бойков // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N10. - Библиогр.: с.58 (16 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): эпитаксиальные пленки -- лазерное испарение -- рекристаллизация -- манганитные пленки -- термообработка -- магнетосопротивление -- температурный коэффициент сопротивлениия Аннотация: Метод лазерного испарения был использован для выращивания эпитаксиальных пленок La[0.67]Ca[0.33]MnO[3] на подложке (LaAlO[3])[0.3]+(Sr[2]AlTaO[6])[0.7]. Выращенные пленки La[0.67]Ca[0.33]MnO[3] состояли из монокристаллических блоков, которые были четко ориентированы как азимутально, так и в плоскости подложки. В процессе термообработки манганитных пленок в атмосфере кислорода происходило совершенствование микроструктуры пленок как в объеме монокристаллических блоков, так и в области межблочных прослоек. Максимальные значения температурного коэффициента сопротивления для пленок La[0.67]Ca[0.33]MnO[3] после термообработки возрастали почти в два раза, в то время как увеличениемагнетосопротивления не превышало 10% Доп.точки доступа: Клаесон, Т.; Бойков, А.Ю. |
539.2 С 60 Солин, Н. И. Фазовое расслоение и анизотропия электрических свойств слаболегированных манганитов лантана [] / Н. И. Солин, В. А. Казанцев, Л. Д. Фальковская, С. В. Наумов // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 10. - С. 1826-1833. - Библиогр.: с. 1833 (30 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): анизотропия; коэффициент теплового расширения; магнетосопротивление; манганиты лантана; расслоение; слаболегированные манганиты лантана; термоэдс; фазовое расслоение; электросопротивление Аннотация: В монокристаллах слаболегированных манганитов лантана с орторомбической структурой обнаружены изменения термоэдс, электро- и магнетосопротивления, коэффициентов теплового расширения и их анизотропии в области комнатных температур. Доп.точки доступа: Казанцев, В. А.; Фальковская, Л. Д.; Наумов, С. В. |
539.2 Б 77 Бойков, Ю. А. Магнетосопротивление эпитаксиальных пленок La[0. 67]Sr[0. 33]MnO[3], выращенных на подложке с малым рассогласованием в параметрах кристаллических решеток [Текст] / Ю. А. Бойков, Т. Клаесон, В. А. Данилов // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 12. - С. 2189-2194. - Библиогр.: с. 2194 (24 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гетероэпитаксиальные пленки; кристаллические решетки; магнетосопротивление; манганиты; перовскитоподобные манганиты; пленки; подложки; электросопротивление; эпитаксиальные пленки Аннотация: Исследованы структура, электро- и магнетосопротивление гетероэпитаксиальных пленок (120 nm) La[0. 67]Sr[0. 33]MnO[3], практически недеформированных подложкой. Резкий максимум отрицательного магнетосопротивления MR=27% наблюдался при Т=360 К. MR монотонно уменьшалось с температурой, но и при 150 К превышало 2%. Доп.точки доступа: Клаесон, Т.; Данилов, В. А. |
539.2 Б 77 Бойков, Ю. А. Электро- и магнетосопротивление неодродно механически напряженных пленок (30 nm) La[0. 67]Ca[0. 33]MnO[3] [Текст] / Ю. А. Бойков, авт. В. А. Данилов // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 8. - С. 1447-1452. - Библиогр.: с. 1451-1452 (21 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): магнетосопротивление; механически напряженные пленки; монокристаллические подложки; напряженные пленки; пленки; релаксация двухосных механических напряжений; электросопротивление Аннотация: Исследованы структура, электро- и магнетосопротивление преимущественно ориентированных пленок (30 nm) La[0. 67]Ca[0. 33]MnO[3]/LaAlO[3], в которых произошла частичная релаксация двухосных механических напряжений. Доп.точки доступа: Данилов, В. А. |
539.2 А 65 Андреев, В. Н. Эффекты локализации электронов в V[2-y]O[3] [Текст] / В. Н. Андреев, авт. В. А. Климов // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 12. - С. 2200-2203. - Библиогр.: с. 2203 (19 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): ванадий; магнетосопротивление; магнитные поля; монокристаллы; температурная зависимость теплопроводности; теплопроводность; фазовые переходы; фазовый переход металл-изолятор Аннотация: Исследовано влияние отклонения от стехиометрии на фазовый переход металл-изолятор в V[2]O[3]. Установлено, что при увеличении дефицита ванадия в V[2-y]O[3] температура фазового перехода смещается в сторону низких температур, а ширина температурного гистерезиса электропроводности увеличивается. При увеличении дефицита ванадия до значений, соответствующих составу около V[1. 974]O[3], фазовый переход полностью исчезает, и образец остается металлом вплоть до T=1. 6 K. на образцах такого состава было измерено магнетосопротивление в продольном и поперечном магнитном поле при T=4. 2 K. Доп.точки доступа: Климов, В. А. |
539.2 А 19 Аверкиев, Н. С. Квантовые поправки к сопротивлению нового нанообъекта - 2 D слоя на внутреннем интерфейсе: кластеры Te - матрица (опал [Текст] / Н. С. Аверкиев, В. Н. Богомолов [и др.] // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 12. - С. 2204-2207. - Библиогр.: с. 2207 (7 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): квантовые поправки к сопротивлению; магнетосопротивление; нанокластерные кристаллы; нелегированный теллур; проводящий дырочный слой; синтетический опал; теллур; электронные спектры Аннотация: Экспериментально и теоретически исследовано низкотемпературное аномальное магнетосопротивление нового нанообъекта - 2 D слоя на внутреннем интерфейсе: нанокластеры нелегированного теллура - диэлектрическая матрица (опал) . 2 D слой в структуре Te-опал представляет собой регулярную решетку сферических поверхностей, покрытых 2 D проводящим дырочным слоем - "interface bubble lattice". Обнаруженные особенности магнетосопротивления качественно соответствуют теории квантовых поправок к сопротивлению, но проявляются в необычных для этого эффекта сильных магнитных полях (вплоть до 120 kOe) . Развит метод расчета квантовых поправок к сопротивлению в рамках теории эффекта слабой локализации невзаимодействующих между собой частиц, учитывающий сложность геометрической структуры объекта и особенности электронного спектра Te. Доп.точки доступа: Богомолов, В. Н.; Березовец, В. А.; Нижанковский, В. И.; Романов, К. С.; Фарбштейн, И. И. |
539.2 М 42 Медведь, А. В. Измерения магнитных параметров электропроводящих магнитных пленок наноразмерной толщины с использованием анизотропного магниторезистивного эффекта [Текст] / А. В. Медведь, Р. Г. Крышталь, А. И. Крикунов // Журнал технической физики. - 2006. - Т. 76, N 11. - С. 72-78. - Библиогр.: c. 77-78 (13 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): анизотропное магнетосопротивление; гигантское магнетосопротивление; коэрцитивная сила; магнетосопротивление; магнитные пленки; магниторезистивный эффект; наноразмерные пленки; обменное смещение поля перемагничивания; оси анизотропии; оси легкого намагничивания; поле перемагничивания; слоистые структуры; спин-туннельные магнитные переходы; ферромагнитные пленки; электропроводящие пленки Аннотация: Исследованы угловые зависимости анизотропного магнетосопротивления (АМС) в электропроводящих ферромагнитных пленках наноразмерной толщины и слоистых структурах, содержащих такие пленки и имеющих форму узких прямоугольных полосок, применяемую при изготовлении спин-туннельных магнитных переходов, обладающих гигантским магнетосопротивлением. Экспериментально показана возможность определения с помощью угловых измерений АМС основных магнитных параметров, важных при создании магнитных переходов. Определены ось магнитной анизотропии, величина магнитного поля насыщения и коэрцитивная сила в пленках пермаллоя (Py) толщиной 25 nm, в структурах пленка FeMn (15 nm) -пленка Py (10 nm) , выращенных магнетронным методом на подложке из окисленного кремния и в структуре FeMn (15 nm) -Py (10 nm) -SiC (1. 5 nm) -Py (10 nm) , выращенной на ситалловой подложке. Обнаружено, что при одинаковых условиях нанесения слоев Py в структурах пленка FeMn-пленка Py ось магнитной анизотропии Py оказывается повернутой на 90{o} по отношению к оси анизотропии Py в структурах, не имеющих слоя FeMn. В структуре FeMn (15 nm) -Py (10 nm) -SiC (1. 5 nm) -Py (10 nm) с использованием АМС измерена величина обменного смещения поля перемагничивания, которая хорошо согласуется с результатом измерения, выполненного индукционным методом. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2006/11/p72-78.pdf Доп.точки доступа: Крышталь, Р. Г.; Крикунов, А. И. |
621.315.592 Г 13 Гаджиалиев, М. М. Температурная зависимость продольного магнетосопротивления арсенида индия [Текст] / М. М. Гаджиалиев, авт. З. Ш. Пирмагомедов // Известия вузов. Физика. - 2005. - N 2. - С. 91-92. - Библиогр.: с. 92 (6 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): температурная зависимость; продольное магнетосопротивление; арсенид индия Аннотация: Описана температурная зависимость продольного магнетосопротивления арсенида индия. Доп.точки доступа: Пирмагомедов, З. Ш. |
621.315.592 Г 13 Гаджиалиев, М. М. Температурная зависимость продольного магнетосопротивления арсенида индия [Текст] / М. М. Гаджиалиев, авт. З. Ш. Пирмагомедов // Известия вузов. Физика. - 2005. - Т. 48, N 2. - С. 91-92. - Библиогр.: с. 92 (6 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): температурная зависимость; продольное магнетосопротивление; арсенид индия Аннотация: Описана температурная зависимость продольного магнетосопротивления арсенида индия. Доп.точки доступа: Пирмагомедов, З. Ш. |
621.315.592 А 92 Атаев, А. К. Термоэдс диска Корбино в квантующем магнитном поле [Текст] / А. К. Атаев, авт. М. М. Гаджиалиев // Известия вузов. Физика. - 2005. - Т. 48, N 3. - С. 95-96. - Библигр.: c. 96 (7 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Ядерная физика Кл.слова (ненормированные): термоэдс; магнитное поле; магнетосопротивление; Корбино диск; диск Корбино; квантующее магнитном поле Аннотация: В статье были показаны измерения термоэдс диска Корбино в сильном и квантующем магнитном поле, также был вычислен r-показатель степени в зависимости времени релаксации от энергии. Доп.точки доступа: Гаджиалиев, М. М. |
621.315.592 К 13 Кадушкин, В. И. О "сильности" магнитного поля в режиме квантовых осцилляций магнетосопротивления [Текст] / В. И. Кадушкин // Известия вузов. Физика. - 2006. - Т. 49, N 3. - С. 33-39. - Библиогр.: c. 38-39 (25 назв. ). - О сильности магнитного поля в режиме квантовых осцилляций магнетосопротивления . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): квантовые осцилляции; магнетосопротивление; уровень Ландау; Ландау уровень; физика магнитных явлений; магнитосопротивление Шубникова-де Гааза; Шубникова-де Гааза магнитосопротивление Аннотация: Осцилляции магнитосопротивления Шубникова-де Гааза объемных, квази- и двумерных вырожденных электронов обнаруживают общность свойств. Область квантовых осцилляций огрвничена снизу условием слабого поля, а сверху квантовым пределом. Монотонный компонент осцилляций при заполненных основной E[m]- и возбужденной E[p]-подзонах размерного квантования системы электронов в сильном магнитном поле насыщается. Амплитуда осцилляций описывается экспоненциальной зависимостью от магнитного поля и температуры, анологично объемному случаю. Это обусловлено идентичностью физических условий и топологией резонансного выхода уровней Ландау за поверхность Ферми. |
53 Б 903 Буданцев, М. В. Гигантский гистерезис магнетосопротивления в режиме квантового эффекта Холла [Текст] / М. В. Буданцев, А. Г. Погосов [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, N 4. - С. 294-298 . - ISSN 0370-274X
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): двумерный электронный газ -- гигантский гистерезис магнетосопротивления -- гистерезис -- магнетосопротивление -- квантовый эффект Холла -- Холла квантовый эффект Аннотация: Найдена простая система - двумерный электронный газ (2ДЭГ) с узкой проводящей проволокой, в которой наблюдается гигантский гистерезис как продольного, так и холловского магнетосопротивлений в режиме квантового эффекта Холла (КЭХ) при четных и нечетных факторах заполнения уровней Ландау ню. Причем, при ню=1 и ню=2 он наблюдался на фоне плато нулевого сопротивления, а его размах по магнитному полю сравним с шириной плато. При входе в область гистерезиса магнетосопротивление меняется пороговым образом, то есть имеет место магнитоиндуцированный пробой КЭХ. Продемонстрировано, что указанная система отражает процессы релаксации в примыкающем к проволоке 2ДЭГ и, таким образом, является эффективным инструментом для изучения гистерезисных явлений в самом 2ДЭГ. Установлено, в частности, необычное "антикоэрцитивное" поведение гистерезиса. Сравнительный анализ полученных результатов с экспериментальными данными по изучению длительной релаксации вихревых токов и ферромагнитного состояния квантовой холловской жидкости указывает на общие физические причины возникновения этих эффектов. Доп.точки доступа: Погосов, А. Г.; Плотников, А. Е.; Бакаров, А. К.; Торопов, А. И.; Портал, Ж. К. |
539.2 Н 632 Николаев, С. Н. Магнетосопротивление и планарный эффект Холла в многослойных структурах CO[0. 45]Fe[0. 45]Zr[0. 1/ (a-Si) ] [Текст] / С. Н. Николаев, М. Е. Докукин, В. В. Рыльков, А. В. Ситников // Радиотехника и электроника. - 2007. - Т. 52, N 5. - С. 605-612. - Библиогр.: с. 612 (18 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): наноструктуры; магнитосопротивление; планарный эффект Холла; эффект Холла; Холла эффект; многослойные структуры Аннотация: Исследованы магнитные и магнитотранспортные свойства многослойных наноструктур CO[0. 45]Fe[0. 45]Zr[0. 1/ (a-Si) ] с толщиной аморфного кремния 0. 7... 3. 5 нм и толщиной металла 2. 5... 3. 5 нм, полученных методом ионно-лучевого распыления. Установлено, что температурная зависимость сопротивления структур подчиняется закону вида R[xx]-- logT, типичному для металл-диэлектрических нанокомпозитов на металлической стороне перколяционного перехода. Доп.точки доступа: Докукин, М. Е.; Рыльков, В. В.; Ситников, А. В. |
539.2 У 341 Уздин, В. М. Мессбауэровская спектроскопия и структура интерфейсов на атомном масштабе в металлических наносистемах [Текст] / В. М. Уздин // Физика металлов и металловедение. - 2007. - Т. 104, N 4. - С. 340-348. - Библиогр.: с. 347-348 (31 назв. ) . - ISSN 0015-3230
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): мессбауэровская спектроскопия; интерфейсы; металлические наносистемы; микроскопические модели; осцилляции; магнетосопротивление Аннотация: Построена микроскопическая модель образования сплава на интерфейсе, учитывающая обмен атомов с атомами подложки и всплывание последних в верхние слои в процессе эпитаксиального роста. |
53 П 317 Печенежский, И. В. Дробные особенности в осцилляциях магнетосопротивления двумерных электронных систем под облучением [Текст] / И. В. Печенежский, С. И. Дорожкин, И. А. Дмитриев // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 85, N 1. - С. 94-99 . - ISSN 0370-274Х
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): магнетосопротивление -- электронные системы -- двумерные электронные системы -- микроволновое облучение -- осцилляционные особенности Аннотация: Вычислено магнетосопротивление двумерных электронных систем под микроволновым облучением, демонстрирующее осцилляционные особенности при дробных значениях отношения круговой частоты микроволнового излучения к циклотронной частоте омега/омега[c]. Расчет позволяет объяснить имеющиеся экспериментальные результаты неравновесным заполнением электронных состояний, возникающим вследствие однофотонных процессов, и предсказывает значения омега/омега[c], вблизи которых ожидаются основные особенности в магнетосопротивлении. В рамках исследуемого механизма дробные особенности могут наблюдаться только в режиме, переходном от сильно перекрывающихся к разделенным уровням Ландау, и только на частотах излучения ниже пороговых частот, зависящих от величины дроби. Доп.точки доступа: Дорожкин, С. И.; Дмитриев, И. А. |
621.315.592 М 748 Моисеев, А. Г. Исследование кинетических явлений в изотропном поликристаллическом кремнии р-типа [Текст] / А. Г. Моисеев // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 2. - С. 76-88. - Библиогр.: c. 87-88 (23 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): изотропный поликристаллический кремний р-типа -- кинетическия явления -- поликристаллы кремния -- поперечное магнетосопротивление -- термоЭДС -- холловский фактор -- эластопроводимость Аннотация: Получена формула для расчета времени релаксации носителей заряда при их рассеянии как на неупорядоченной сетке атомов поликристалла кремния, так и на системе неупорядоченных потенциальных барьеров, возникающих на поверхностях кристаллитов изотропного поликристалла кремния. Дается анализ времени релаксации дырок, проводится расчет температурной зависимости подвижности дырок в поликристаллическом кремнии р-типа. Приведен расчет холловского фактора, дифференциальной термоЭДС, поперечного магнетосопротивления и коэффициентов эластопроводимости. |
001.89 Н 721 Нобелевские премии 2007 года [Текст] / О. Баклицкая, Т. Зимина // Наука и жизнь. - 2007. - N 11. - С. 14-20. - Гигантское магнетосопротивление - триумф фундаментальной науки / О. БаклицкаяПять эффектов физики магнитных явлений / Александр Метталинови ТишинМолекулярно-поверхностный детектив: слежка за молекулой азота / Т. ЗиминаМетодологический стандарт изучения поверхности / Валерий Васильевич Лунин . - ISSN 0028-1263
Рубрики: Наука. Науковедение, 2007 г. Организация науки Физика Электричество и магнетизм в целом Химия Физическая химия в целом Кл.слова (ненормированные): нобелевские лауреаты -- GMR -- Giant Magnetoresistance -- гигантское магнетосопротивление -- магнетосопротивление -- хранение информации -- жесткие диски -- электроны -- электрическое сопротивление -- химия поверхности -- химические реакции -- каталитические реакции Аннотация: Две статьи, посвященные лауреатам Нобелевской премии 2007 года: физикам из Европы Альберу Феру и Петеру Грюнбергу, независимо друг от друга открывшим эффект гигантского магнетосопротивления; немецкому химику Герхарду Эртлу - за исследования химических процессов на поверхности твердого тела. А также комментарии столь выдающихся событий, написанные доктором физико-математических наук Александром Метталиновичем Тишиным и деканом химического факультета МГУ им. М. В. Ломоносова Валерием Васильевичем Луниным. Доп.точки доступа: Баклицкая, О. (канд. физико-мат. наук); Зимина, Т. (канд. хим. наук); Тишин, Александр Метталинович (проф.) \.\; Лунин, Валерий Васильевич (акад.) \.\; Фер, А. (фр. физик); Грюнберг, П. (нем. физик); Эртл, Г. (нем. химик); Нобелевская, премия |
539.2 Б 772 Бойков, Ю. А. Электро- и магнетотранспорт в пленках La[0. 67]Ba[0. 33]MnO[3], несимметрично двухосно сжатых подложкой (001) NdGaO[3] [Текст] / Ю. А. Бойков, авт. В. А. Данилов // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 1. - С. 92-97. - Библиогр.: с. 96-97 (20 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): пленки LBMO -- подложки -- орторомбическое искажение элементарной ячейки -- магнетосопротивление -- перовскитоподобные манганиты -- электросопротивление Аннотация: Пленки (40 nm) La[0. 67]Ba[0. 33]MnO[3] выращены квазикогерентно на поверхности подложки (001) NdGaO[3], орторомбическое искажение элементарной ячейки которой составляет около 1. 4%. Сжимающие двухосные механические напряжения в процессе зародышеобразования и роста обусловили уменьшение объема элементарной ячейки выращенных слоев, что в свою очередь явилось причиной понижения (около 35 K) температуры максимума на зависимости их электросопротивления ро от температуры. При T < 150 K ро пленок возросло пропорционально ро[2]T{4. 5}, а коэффициент ро[2] приблизительно линейно убывал с ростом напряженности магнитного поля H. Максимальные значения отрицательного магнетосопротивления (приблизительно -0. 17, мюH = 1 H) наблюдались при температурах, близких к комнатной. Реакция ро пленок (40 nm) La[0. 67]Ba[0. 33]MnO[3] на магнитное поле зависела от кристаллографического направления в пленке, вдоль которого оно направлено, и от угла между H и I (I - электрический ток в пленке). Доп.точки доступа: Данилов, В. А. |
539.2 Б 772 Бойков, Ю. А. Электро- и магнетотранспорные свойства эпитаксиальных пленок La[0. 67]Ba[0. 33]MnO[3], двухосно механически сжатых подложкой [Текст] / Ю. А. Бойков, авт. В. А. Данилов // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып. 8. - С. 1451-1455. - Библиогр.: с. 1455 (17 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): двухосные сжимающие механические напряжения; магнетосопротивление пленок; перовскитоподобные манганиты; ферромагнитное упорядочение спинов; ферромагнитные фазовые переходы; эпитаксиальные пленки Аннотация: Сформированы и исследованы пленки La[2/3]Ba[1/3]MnO[3] (LBMO), двухосно механически сжатые подложкой в процессе своего формирования. толщина d = 20 mn выращенных манганитных пленок не превышала критической, при которой начинается релаксация механических напряжений. Доп.точки доступа: Данилов, В. А. |
537 К 630 Комаров, С. М. (канд. физико-матем. наук). Магнитное сито для электронов [Текст] / С. М. Комаров // Химия и жизнь - XXI век. - 2007. - N 11. - С. 18-19 . - ISSN 1727-5903
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Кл.слова (ненормированные): магнетосопротивление -- магнитное поле -- магнитное сито -- ферромагнетика -- электрические заряды -- электрическое сопротивление -- электроны Аннотация: Электрическое сопротивление ферромагнетика слегка зависит от того, приложено к нему внешнее магнитное поле или нет. |