Бойков, Ю. А. Изменение электрофизических свойств эпитаксиальных пленок La[0.67]Ca[0.33]MnO[3] в процессе вторичной рекристаллизации [Текст] / Ю. А. Бойков, Т. Клаесон, А. Ю. Бойков // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N10. - Библиогр.: с.58 (16 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): эпитаксиальные пленки -- лазерное испарение -- рекристаллизация -- манганитные пленки -- термообработка -- магнетосопротивление -- температурный коэффициент сопротивлениия Аннотация: Метод лазерного испарения был использован для выращивания эпитаксиальных пленок La[0.67]Ca[0.33]MnO[3] на подложке (LaAlO[3])[0.3]+(Sr[2]AlTaO[6])[0.7]. Выращенные пленки La[0.67]Ca[0.33]MnO[3] состояли из монокристаллических блоков, которые были четко ориентированы как азимутально, так и в плоскости подложки. В процессе термообработки манганитных пленок в атмосфере кислорода происходило совершенствование микроструктуры пленок как в объеме монокристаллических блоков, так и в области межблочных прослоек. Максимальные значения температурного коэффициента сопротивления для пленок La[0.67]Ca[0.33]MnO[3] после термообработки возрастали почти в два раза, в то время как увеличениемагнетосопротивления не превышало 10% Доп.точки доступа: Клаесон, Т.; Бойков, А.Ю. |
539.2 Б 77 Бойков, Ю. А. Реакция электро- и магнетосопротивления пленок La (0. 67) Ca (0. 33) MnO (3) на двухосные растягивающие механические напряжения [] / Ю. А. Бойков, Т. Клаесон // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 2. - С. 274-280. - Библиогр.: с. 279-280 (23 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): магнетизм; магнетосопротивления; механические напряжения; напряжения; пленки; растягивающие напряжения; сегнетоэлектричество; электросопротивления; эпитаксиальные пленки Аннотация: Исследованы структура, электро- и магнетосопротивление эпитаксиальных пленок (50nm) La (0. 67) Ca (0. 33) MnO (3) , выращенных на подложке [ (80nm) Ba (0. 25) Sr (0. 75) TiO (3) /La (03) Sr (0. 7) Al (0. 65) Ta (0. 35) O (3) ] со значительным положительным рассогласованием в параметрах кристаллических решеток. Доп.точки доступа: Клаесон, Т. |
539.2 Б 77 Бойков, Ю. А. Магнетосопротивление эпитаксиальных пленок La[0. 67]Sr[0. 33]MnO[3], выращенных на подложке с малым рассогласованием в параметрах кристаллических решеток [Текст] / Ю. А. Бойков, Т. Клаесон, В. А. Данилов // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 12. - С. 2189-2194. - Библиогр.: с. 2194 (24 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гетероэпитаксиальные пленки; кристаллические решетки; магнетосопротивление; манганиты; перовскитоподобные манганиты; пленки; подложки; электросопротивление; эпитаксиальные пленки Аннотация: Исследованы структура, электро- и магнетосопротивление гетероэпитаксиальных пленок (120 nm) La[0. 67]Sr[0. 33]MnO[3], практически недеформированных подложкой. Резкий максимум отрицательного магнетосопротивления MR=27% наблюдался при Т=360 К. MR монотонно уменьшалось с температурой, но и при 150 К превышало 2%. Доп.точки доступа: Клаесон, Т.; Данилов, В. А. |
539.2 Б 77 Бойков, Ю. А. Электро- и магнетосопротивление неодродно механически напряженных пленок (30 nm) La[0. 67]Ca[0. 33]MnO[3] [Текст] / Ю. А. Бойков, авт. В. А. Данилов // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 8. - С. 1447-1452. - Библиогр.: с. 1451-1452 (21 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): магнетосопротивление; механически напряженные пленки; монокристаллические подложки; напряженные пленки; пленки; релаксация двухосных механических напряжений; электросопротивление Аннотация: Исследованы структура, электро- и магнетосопротивление преимущественно ориентированных пленок (30 nm) La[0. 67]Ca[0. 33]MnO[3]/LaAlO[3], в которых произошла частичная релаксация двухосных механических напряжений. Доп.точки доступа: Данилов, В. А. |
539.2 Б 77 Бойков, Ю. А. Емкость межфазной границы La[0. 67]Sr[0. 33]MnO[3]/ (Ba, Sr) TiO[3], индуцированная проникновением электрического поля в манганитный электрод [Текст] / Ю. А. Бойков, авт. В. А. Данилов // Журнал технической физики. - 2005. - Т. 75, N 7. - С. 75-79. - Библиогр.: c. 79 (17 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры; емкость межфазных границ; манганитные электроды; межфазные границы; многослойные структуры; перовскитоподобные манганиты Аннотация: Методом лазерного испарения выращены трехслойные гетероструктуры (001) La[0. 67]Sr[0. 33]MnO[3]|| (001) Ba[x]Sr[1-x]TiO[3] || (001) La[0. 67]Sr[0. 33]MnO[3] (x=0, 0. 25) на монокристаллических подложках (001) La[0. 3]Sr[0. 7]Al[0. 65]Ta[0. 35]O[3]. В широком (~ 150 K) интервале температур эффективная диэлектрическая проницаемость epsilon выращенных пленок (1000 nm) Ba[0. 25]Sr[0. 75]TiO[3] и (1000 nm) SrTiO[3] следовала соотношению epsilon~ (T-TCW) -1, где T[CW] - температура Кюри-Вейса для соответствующих объемных кристаллов. Используя экспериментальные зависимости epsilon (T) , оценена величина емкости (C[Int]~ 4 muF/cm{2}) межфазных границ (001) La[0. 67]Sr[0. 33]MnO[3]/ (001) Ba[x]Sr[1-x]TiO[3] и (001) La[0. 67]Sr[0. 33]MnO[3]/ (001) SrTiO[3], обусловленной проникновением электрического поля в манганитный электрод. При использовании напряжения смещения + 2. 5 V перенастраиваемость диэлектрической проницаемости слоев STO и BSTO в исследованных гетероструктурах достигала 25 и 45% соответственно. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2005/07/page-75.html.ru Доп.точки доступа: Данилов, В. А. |
537 Б 77 Бойков, Ю. А. Реактивное сопротивление пленочного контакта n-Au/p-La[0. 67]Ca[0. 33]MnO[3] [Текст] / Ю. А. Бойков, В. А. Данилов, Т. Клаесон // Журнал технической физики. - 2006. - Т. 76, N 8. - С. 136-139. - Библиогр.: c. 139 (12 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): активное сопротивление; гетероструктуры; емкость контакта; манганитные пленки; пленочные гетероструктуры; пленочные контакты; пленочные электроды; реактивное сопротивление Аннотация: Исследованы отклики активного и реактивного сопротивлений пленочных гетероструктур Au/ (20 nm) La[0. 67]Ca[0. 33]MnO[3] на изменение температуры и магнитное поле (f=100 kHz) . При T=300 K удельная емкость границы, разделяющей золотой электрод и эпитаксиальную пленку (20 nm) La[0. 67]Ca[0. 33]MnO[3], составляла порядка 1 muF/cm{2]. Максимальные значения отрицательного реактивного магнетосопротивления (~60% при mu[0]H=0. 4 T) выращенных гетероструктур примерно вдвое превосходили наблюдавшиеся при T~235 K экстремальные значения активного магнетосопротивления. Эффективная глубина проникновения электрического поля в манганитную пленку со стороны сформированного на ее поверхности золотого контакта при комнатной температуре составляла порядка 3 nm. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2006/08/p136-139.pdf Доп.точки доступа: Данилов, В. А.; Клаесон, Т. |
537.311.33 Б 772 Бойков, Ю. А. Электрофизические параметры c-ориентированных пленок Bi[2]Te[3] с низкой концентрацией антиструктурных дефектов [Текст] / Ю. А. Бойков, авт. В. А. Данилов // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 3. - С. 63-67. - Библиогр.: c. 67 (9 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): c-ориентированные пленки -- эпитаксиальные пленки -- теллурид висмута -- электропроводность -- метод горячей стенки -- тонкие пленки Аннотация: Эпитаксиальные c-ориентированные пленки Bi[2]Te[3] толщиной 1. 2 mum выращены методом горячей стенки при низком пересыщении паровой фазы над поверхностью слюдяных подложек. Параметры a=4. 386 и c=30. 452 Angstrem гексагональной элементарной ячейки выращенных пленок практически совпадали с соответствующими параметрами стехиометрических объемных кристаллов теллурида висмута. При T=100 K холловская концентрация электронов в пленках имела значения порядка 8*10{18} cm{-3}, а максимальные значения коэффициента термоэдс (alpha~280 muV*K{-1}) наблюдались при температурах порядка 260 K. В условиях примесной проводимости электропроводимость sigma пленок возрастала с уменьшением температуры обратно пропорционально ее квадрату. В интервале температуры 100-200 K параметр термоэлектрической мощности alpha{2}xsigma пленок Bi[2]Te[3] имел значения 80-90 muW*cm{-1}K{-2}. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2008/03/p63-67.pdf Доп.точки доступа: Данилов, В. А. |
539.2 Б 772 Бойков, Ю. А. Электро- и магнетотранспорт в пленках La[0. 67]Ba[0. 33]MnO[3], несимметрично двухосно сжатых подложкой (001) NdGaO[3] [Текст] / Ю. А. Бойков, авт. В. А. Данилов // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 1. - С. 92-97. - Библиогр.: с. 96-97 (20 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): пленки LBMO -- подложки -- орторомбическое искажение элементарной ячейки -- магнетосопротивление -- перовскитоподобные манганиты -- электросопротивление Аннотация: Пленки (40 nm) La[0. 67]Ba[0. 33]MnO[3] выращены квазикогерентно на поверхности подложки (001) NdGaO[3], орторомбическое искажение элементарной ячейки которой составляет около 1. 4%. Сжимающие двухосные механические напряжения в процессе зародышеобразования и роста обусловили уменьшение объема элементарной ячейки выращенных слоев, что в свою очередь явилось причиной понижения (около 35 K) температуры максимума на зависимости их электросопротивления ро от температуры. При T < 150 K ро пленок возросло пропорционально ро[2]T{4. 5}, а коэффициент ро[2] приблизительно линейно убывал с ростом напряженности магнитного поля H. Максимальные значения отрицательного магнетосопротивления (приблизительно -0. 17, мюH = 1 H) наблюдались при температурах, близких к комнатной. Реакция ро пленок (40 nm) La[0. 67]Ba[0. 33]MnO[3] на магнитное поле зависела от кристаллографического направления в пленке, вдоль которого оно направлено, и от угла между H и I (I - электрический ток в пленке). Доп.точки доступа: Данилов, В. А. |
539.2 Б 772 Бойков, Ю. А. Реакция электросопротивления пленок (40 nm) La[0. 67]Ca[0. 33]MnO[3], механически сжатых подложкой в процессе своего формирования, на магнитное и электрическое поля [Текст] / Ю. А. Бойков, авт. В. А. Данилов // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 3. - С. 436-439. - Библиогр.: с. 439 (19 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): электросопротивление пленок -- эпитаксиальные пленки -- температура Кюри -- Кюри температура -- вольт-амперные характеристики пленок Аннотация: Исследованы структура и электросопротивление эпитаксиальных пленок (40 nm) La[0. 67]Ca[0. 33]MnO[3], выращенных квазикогентно на поверхности подложек (001) LaAlO[3]. Сжимающие в плоскости подложки механические напряжения, действовавшие в процессе зародыше образования и роста, способствовали уменьшению эффективного объема элементарной ячейки и увеличению относительной концентрации четырехвалентных ионов марганца в манганитных слоях. Это обусловило понижение температуры максимума на температурной зависимости электросопротивления пленок примерно на 90 K по сравнению с температурой Кюри для соответствующих стехиометрических объемных кристаллов. При T < 120 K и мю[0]H = 0 (H - напряженность магнитного поля) наблюдалась нелинейная зависимость измерительного тока от приложенного к контактам напряжения V[b]. Увеличение V[b] и H способствовало лианеризации вольт-амперных характеристик пленок. Доп.точки доступа: Данилов, В. А. |
539.2 Б 772 Бойков, Ю. А. Электро- и магнетотранспорные свойства эпитаксиальных пленок La[0. 67]Ba[0. 33]MnO[3], двухосно механически сжатых подложкой [Текст] / Ю. А. Бойков, авт. В. А. Данилов // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып. 8. - С. 1451-1455. - Библиогр.: с. 1455 (17 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): двухосные сжимающие механические напряжения; магнетосопротивление пленок; перовскитоподобные манганиты; ферромагнитное упорядочение спинов; ферромагнитные фазовые переходы; эпитаксиальные пленки Аннотация: Сформированы и исследованы пленки La[2/3]Ba[1/3]MnO[3] (LBMO), двухосно механически сжатые подложкой в процессе своего формирования. толщина d = 20 mn выращенных манганитных пленок не превышала критической, при которой начинается релаксация механических напряжений. Доп.точки доступа: Данилов, В. А. |
Бойков, Ю. А. Электро- и магнетосопротивление пленок (30 nm) La[0. 67]Ca[0. 33]MnO[3], упругомеханически сжатых в плоскости (110) [Текст] / Ю. А. Бойков, М. П. Волков // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 22. - С. 50-56 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Кл.слова (ненормированные): электросопротивление -- магнетосопротивление -- эпитаксиальные пленки Аннотация: Эпитаксиальные пленки (110) La[0. 67]Ca[0. 33]MnO[3] толщиной 30 nm были выращены на подложках (110) LaAlO[3] методом лазерного испарения. Параметры a и b (вдоль [100] и [010]La[0. 67]Ca[0. 33]MnO[3] соответственно) элементарной ячейки сформированных манганитных слоев были существенно (на ~1. 2%) увеличены по сравнению с параметром псевдокубической элементарной ячейки объемных стехиометрических кристаллов La[0. 67]Ca[0. 33]MnO[3]. Доп.точки доступа: Волков, М. П. |
Бойков, Ю. А. Магнитотранспортные параметры двухосно механически напряженных пленок (25 nm) La[0. 67]Ca[0. 33]MnO[3] [Текст] / Ю. А. Бойков, В. А. Данилов // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 1. - С. 88-94 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): напряженные пленки -- магнитотранспортные параметры -- магнитокристаллическая анизотропия Аннотация: Исследованы структура, электро- и магнитотранспортные свойства пленок (25 nm) La[0. 67]Ca[0. 33]MnO[3], механически упругонапряженных подложкой (001) LaAlO3 в процессе их зародышеобразования и роста. Доп.точки доступа: Данилов, В. А. |
Бойков, Ю. А. Низкотемпературное магнетосопротивление двухосно сжатых пленок (24 nm) La[0. 67]Ca[0. 33]MnO[3] [Текст] / Ю. А. Бойков, М. П. Волков, В. А. Данилов // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 11. - С. 104-110 : ил. - Библиогр.: с. 110 (13 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Магнетизм Кл.слова (ненормированные): магнетосопротивление -- наноразмерные пленки -- пленки -- La[0. 67]Ca[0. 33]MnO[3] -- низкотемпературное магнетосопротивление -- температурная зависимость -- электросопротивление -- ферромагнитные домены Аннотация: Латеральный параметр элементарной ячейки наноразмерных пленок La[0. 67]Ca[0. 33]MnO[3], выращенных на (001) LaA1O[3], был существенно (примерно на 4%) меньше соответствующего параметра, измеренного вдоль нормали к плоскости подложки. При T<140 K температурная зависимость электросопротивления rho пленок La[0. 67]Ca[0. 33]MnO[3] следовала соотношению rho-rho (T=4. 2 K) ~rho[2]· T{4. 5}, где коэффициент rho[2] от температуры не зависел, но уменьшался с увеличением напряженности магнитного поля H. Показано, что падение rho[2] с увеличением H обусловлено как затуханием спиновых волн в ферромагнитных доменах, так и трансформацией включений антиферромагнитной фазы в ферромагнитные. Доп.точки доступа: Волков, М. П.; Данилов, В. А. |
Бойков, Ю. А. Отклик электросопротивления пленок (20 nm) La[0. 67]Ba[0. 33]MnO[3]/ (001) LaAlO[3] на магнитное поле и изменение температуры [Текст] / Ю. А. Бойков, В. А. Данилов // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 2. - С. 297-301. - Библиогр.: с. 300-301 (13 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): отклик электросопротивления пленок -- электросопротивление -- эпитаксиальные пленки -- перовскитоподобные манганиты -- манганитные пленки Аннотация: Исследованы структура, электро- и магнитотранспортные параметры эпитаксиальных пленок La[0. 67]Ba[0. 33]MnO[3] толщиной 20 nm, выращенных методом лазерного испарения на подложках (001) LaAlO[3]. Объем элементарной ячейки V[eff] = 58. 80 A{3} выращенных манганитных пленок был меньше соответствующего объема для массивных кристаллов La[0. 67]Ba[0. 33]MnO[3]. Максимальные значения отрицательного магнетосопротивления MR (мю[0]H = 1 T) = -0. 27 пленок La[0. 67]Ba[0. 33]MnO[3] наблюдались при температуре порядка 225 K. При 5 < T < 100 K магнетосопротивление пленок слабо зависило от температуры и составляло порядка -0. 1. При температурах ниже 100 K и 3 < мю[0]H < 5 T электросопротивление выращенных пленок линейно убывало с ростом напряженности магнитного поля. Доп.точки доступа: Данилов, В. А. |
Бойков, Ю. А. Отклик емкости планарной гетероструктуры La[0. 67]Ca[0. 33]MnO[3]/SrTiO[3]/ La[0. 67]Ca[0. 33]MnO[3] на электрическое поле [Текст] / Ю. А. Бойков, В. А. Данилов // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 7. - С. 1342-1346. - Библиогр.: с. 1345-1346 (21 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- лазерные испарения -- эпитаксиальные гетероструктуры -- пленки перовскитоподобных магнитов -- сегнетоэлектрики -- межфазные границы -- атомные слои -- сопротивление наноразмерных прослоек -- емкость плоскопаралельных пленочных конденсаторов Аннотация: Метод лазерного испарения был использован, чтобы интегрировать манганитные пленочные электроды и промежуточный слой титаната стронция в эпитаксиальной гетероструктуре La[0. 67]Ca[0. 33]MnO[3]/ (1000 nm) SrTiO[3]/ La[0. 67]Ca[0. 33]MnO[3] (LCMO/STO/LCMO). При T=300 K механические напряжения в слое STO в значительной степени релаксировали, а электроды LCMO были двухосно латерально растянуты, причем искажение элементарной ячейки верхнего электрода (a/a normal примерно 1. 026) было существенно больше, чем нижнего (примерно 1. 008) (a // и a normal - параметры элементарной ячейки в плоскости подложки и вдоль нормали к ее поверхности соответственно). Обратная величина емкости C сформированных плоскопараллельных пленочных конденсаторов LCMO/STO/LCMO практически линейно возрастала с увеличением температуры T в интервале 50-250 K. При T меньше 100 K C уменьшалась примерно на 50 процентов в электрическом поле E=40 kV/cm. После изменения E в последовательности 0\rightarrow+100 kV/cm \rightarrow0 емкость C уменьшалась примерно на 3 процента а максимум на зависимости C (E, T больше 200 K) сдвигался примерно на 9 kV/cm относительно точки E=0. Доп.точки доступа: Данилов, В. А. |
Бойков, Ю. А. Воздействие латеральных растягивающих напряжений на низкотемпературное электро- и магнетосопротивление наноразмерных пленок La[0. 67]Ca[0. 33]MnO[3] [Текст] / Ю. А. Бойков, В. А. Данилов // Журнал технической физики. - 2010. - Т. 80, N 8. - С. 109-114. - Библиогр.: c. 114 (18 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): наноразмерные пленки -- буферные прослойки -- манганитные пленки -- титанат стронция -- электросопротивление -- магнетосопротивление -- растягивающие напряжения -- латеральные растягивающие напряжения -- эпитаксиальные прослойки Аннотация: Варьирование толщины (d1=7-70 nm) буферной прослойки из титаната стронция, введенной между манганитной пленкой La[0. 67]Ca[0. 33]MnO[3] и подложкой (001) La[0. 29]Sr[0. 71]Al[0. 65]Ta[0. 35]O[3], позволило направленно воздействовать на эффективное рассогласование m в параметрах их кристаллических решеток. С увеличением m электросопротивление rho пленок возрастало, а максимум на зависимости rho (T) сдвигался в сторону низких температур. При T<150 K зависимость rho манганитных пленок от температуры следовала соотношению rho=rho[1]+rho[2]T{4. 5}, где параметр rho[1] не реагировал на изменение температуры и магнитного поля. Коэффициент rho[2] уменьшался с ростом напряженности магнитного поля, но возрастал с увеличением рассогласования в параметрах кристаллических решеток пленки и подложки, когда эффективная концентрация дырок в манганитных слоях уменьшалась. Доп.точки доступа: Данилов, В. А. |
539.2 Б 779 Бойков, Ю. А. Магнетосопротивление пленок La[0. 67]Ca[0. 33]MnO[3], когерентный рост которых нарушен частичной релаксацией механических напряжений [Текст] / Ю. А. Бойков, М. П. Волков, В. А. Данилов // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 5. - С. 122-126. - Библиогр.: c. 126 (20 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): магнетосопротивление -- механические напряжения -- релаксация механических напряжений -- рост пленок -- когерентный рост пленок -- манганитные пленки -- перовскитоподобные манганиты -- алюминат лантана -- гистерезис Аннотация: Вследствие значительного положительного рассогласования (m=1. 8%) в параметрах кристаллических решеток La[0. 67]Ca[0. 33]MnO[3] и LaAlO[3], манганитные пленки, сформированные на подложках из алюмината лантана, находятся под действием двухосных сжимающих механических напряжений. Жесткая связь с подложкой обусловливает существенное тетрагональное искажение (gamma~ 1. 04) элементарной ячейки в прослойке манганитной пленки толщиной порядка 20 nm, выращенной когерентно на (001) LaAlO[3], а в остальной части (~ 75%) объема манганитного слоя напряжения частично релаксировали. Релаксация напряжений сопровождается уменьшением gamma, а эффективный объем элементарной ячейки пленки La[0. 67]Ca[0. 33]MnO[3] при этом возрастает. Релаксированный слой в пленке La[0. 67]Ca[0. 33]MnO[3] состоит из кристаллических зерен с латеральными размерами 50-200 nm, относительная азимутальная разориентация которых составляет приблизительно 0. 3 deg. Максимум на температурных зависимостях электросопротивления rho и отрицательного магнетосопротивления MR выращенных манганитных пленок наблюдается при температуре 240 и 215 K соответственно. При температуре ниже 50 K зависимости rho от магнитной индукции, измеренные при сканировании последней в последовательности 0->14 T->0, становились гистерезисными. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/05/p122-126.pdf Доп.точки доступа: Волков, М. П.; Данилов, В. А. |
539.2 Б 779 Бойков, Ю. А. Анизотропное магнетосопротивление частично релаксированных пленок SrRuO[3] [Текст] / Ю. А. Бойков, авт. В. А. Данилов // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 6. - С. 1230-1233. - Библиогр.: с. 1233 (12 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): пленки -- анизотропное магнетосопротивление -- метод лазерного испарения -- подложки -- механические напряжения -- кристаллиты Аннотация: Пленки SrRuO[3] толщиной 50 nm, выращенные методом лазерного испарения на подложках (001) (LaAlO[3]) [0. 3]+ (Sr[2]AlTaO[6]) [0. 7], находились под действием частично релаксированных сжимающих двухосных механических напряжений. Пленки состояли из кристаллитов с латеральными размерами 40-100 nm, относительная азимутальная разориентация которых составляла порядка 0. 9{o}. Ферромагнитное упорядочение спинов в пленках SrRuO[3] сопровождалось резким изменением наклона температурной зависимости их электросопротивления ро при T~155 K. Доп.точки доступа: Данилов, В. А. |
539.2 Э 455 Электро- и магнетотранспорт в наноразмерных пленках La[0.67] Ba[0.33] MnO[3], когерентно выращенных на вицинально полированной подложке (LaAlO[3])[0.29] + ( SrAl[0.5]Ta[0.5] O[3])[0.71] [Текст] / Ю. А. Бойков [и др.] // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 10. - С. 1945-1949. - Библиогр.: с. 1949 (17 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): электрототранспорт -- магнетотранспорт -- наноразмерные пленки -- электросопротивление -- магнитные поля Аннотация: Исследованы структура, ориентация и отклик электросопротивления пленок (30 nm) La[0. 67] Ba[0. 33] MnO[3] (LBMO) на магнитное поле H и изменение температуры T. Отклонение направления [001] в манганитных слоях от нормали к плоскости подложки (LaAlO[3]) [0. 29]+ (SrAl[0. 5]Ta[0. 5]O[3]) [0. 71] четко соответствует вицинальному углу последней. Минимальный выход, определенный из полученых спектров рассеяния протонов с энергией 227 keV, составляет 0. 025, что свидетельствует о высокой упорядоченности катионной подрешетки сформированных пленок. Двухосное сжатие стабильных зародышей манганитной фазы сказывается на их стехиометрии, что способствует обеднению пленок LBMO щелочно-земельным элементом. Максимальные значения электросопротивления выращенных пленок наблюдаются при температуре T[max]~320 K, которая примерно на 20 K ниже температуры Кюри для соответствующих объемных монокристаллов, а пик отрицательного магнетосопротивления (MR~-0. 42, [мю0]H=2 T) находится при T~300 K. При низких температурах и [мю0]H<0. 45 T отклик электросопротивления пленок LBMO на магнитное поле существенно зависит от анизотропного магнетосопротивления и интенсивности рассеяния дырок на доменных стенках, а при [мюO]H>0. 5 T основным механизмом релаксации носителей заряда является взаимодействие с магнонами. Доп.точки доступа: Бойков, Ю. А.; Серенков, И. Т.; Сахаров, В. И.; Данилов, В. А.; Афросимов, В. В. |
539.2 И 373 Изменения электросопротивления пленок La[0.67]Ca[0.33]MnO[3], индуцированные взаимопревращениями включений ферро- и неферромагнитных фаз в их объеме [Текст] / Ю. А. Бойков [и др.] // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 10. - С. 2058-2063. - Библиогр.: с. 2062-2063 (18 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): электросопротивление -- пленки -- включения -- ферромагнитные фазы -- неферромагнитные фазы Аннотация: Значительное (~1. 8%) положительное рассогласование в параметрах кристаллических решеток является причиной тетрагонального искажения и уменьшения объема элементарной ячейки пленок (15 nm) La[0. 67]Ca[0. 33]MnO[3], выращенных квазикогерентно на поверхности подложки (001) LaAlO[3]. Пленки состоят из монокристаллических блоков с латеральным размером 30-50 nm. На атомно-гладкой межфазной границе LaAlO[3]-La[0. 67]Ca[0. 33]MnO[3] отсутствуют дислокации несоответствия. При T=4. 2 K трансформация включений неферромагнитной фазы в ферромагнитные в постоянном магнитном поле H сопровождается устойчивым снижением электросопротивления po манганитных пленок во времени t, причем кривая po (t) хорошо аппроксимируется соотношением po (t) ~po1 (t-t[0]) {1/2}, (где t[0] - время установления заданной величины (мюH=5 T) магнитного поля, рo[1] - коэффициент, не зависящий от H). Магнетокристаллическая анизотропия, возникшая вследствие упругой деформации пленок подложкой, и расслоение электронных фаз являются причинами четко выраженного гистерезиса на зависимостях po, полученных в процессе сканирования мюH в последовательности 5 T->0->-5 T->0->5 T. Доп.точки доступа: Бойков, Ю. А.; Лильенфорс, Т.; Олссон, Е.; Клаесон, Т.; Данилов, В. А. |