Гребенщикова, Е. А. InAs/InAsSbP светоизлучающие структуры, выращенные методом газофазной эпитаксии [Текст] / Е. А. Гребенщикова, Н. В. Зотова [и др.] // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N9. - Библиогр.: с.60 (16 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): газофазная эпитаксия -- светодиоды -- гетероструктура Аннотация: Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений изготовлены светодиоды на основе двойной гетероструктуры InAs/InAsSbP, работающие в диапазоне длин волн 3.3 мкм. Внешний квантовый выход диодов составил 0.7%. В лазерных диодах получено стимулированное излучение на длине волны 3.04 мкм при Т=77К Доп.точки доступа: Зотова, Н.В.; Кижаев, С.С.; Молчанов, С.С.; Яковлев, Ю.П. |
548.522:539.216.22:621.315.592 И 257 Ивонин, И. В. Взаимодействие ступеней роста на поверхности эпитаксиальных слоев InAs при газофазной эпитаксии [Текст] / И. В. Ивонин, Л. Л. Девятьярова, Л. Г. Лаврентьева, Г. А. Александрова // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N6. - Библиогр.: с.93 (7 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): арсенид индия -- газофазная эпитаксия -- ростовые поверхности -- эпитаксиальные пленки Аннотация: С применением электронной микроскопии исследовано влияние концентрации ростовых компонентов в газовой фазе на структуру сингулярных, вицинальных и несингулярных ростовых поверхностей эпитаксиальных слоев InAs, выращенных в системе In-AsCl[3]-H[2]. Установлено, что среднее растояние lambda между ступенями в эшелоне увеличивается при возрастании входного давления P[AsCl[3]] в диапазоне 70-700 Па с последующим выходом на постоянное значение lambda при P[AsCl[3]]>700 Па. Наблюдаемые зависимости lambda (P[AsCl[3]]) объяснены в рамках модели, предполагающей диффузионное взаимодействие ступеней Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics Доп.точки доступа: Девятьярова, Л.Л.; Лаврентьева, Л.Г.; Александрова, Г.А. |
539.2 M88 Moshkalenko, E. S. Effect of the electric field on the carrier collection efficiency of InAs quantum dots [Текст] / E. S. Moshkalenko, K. F. Karlsson [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 11. - С. 2066-2073. - Библиогр.: с. 2072-2073 (30 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): carrier collection efficiency; collection efficiency; dots; electric fields; microfotoluminescence; quantum dots; semiconductor quantum dots Доп.точки доступа: Karlsson, K. F.; Donchev, V.; Holtz, P. O.; Schoenfeld, W. V.; Petroff, P. M. |
539.2 D68 Dochev, V. Enhancement of the photoluminescence intensity of a single InAs/GaAs quantum dot separate generation of electrons and holes [Текст] / V. Dochev, E. S. Moskalenko [и др.] // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 10. - С. 1877-1882. - Библиогр.: с. 1882 (20 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): infrared laser; micro-photoluminescence spectrum; photoluminescence; quantum dot Аннотация: It is demonstrated that the micro-photoluminescence spectrum of a single InAs/GaAs self-assembled quantum dot undergoes considerable changes when the primary laser excitation is complemented with an additional infrared laser. Доп.точки доступа: Moskalenko, E. S.; Karlsson, K. F.; Holtz, P. O.; Monemar, B.; Schoenfeld, W. V.; Garcia, J. M. |
53 М 748 Моисеев, К. Д. Квантовые точки InSb/InAs, полученные методом жидкофазной эпитаксии [Текст] / К. Д. Моисеев, Я. А. Пархоменко [и др.] // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 7. - С. 50-57 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- полупроводниковые квантовые точки -- жидкофазная эпитаксия -- структурные исследования Аннотация: Сообщается о первых результатах по выращиванию InSb/InAs квантовых точек методом жидкофазной эпитаксии и структурных исследований их характеристик методами сканирующей зондовой микроскопии и атомно-cиловой микроскопии. Показано, что плотность, форма и размеры нанообъектов зависят от температуры выращивания, скорости охлаждения и времени контакта раствор-расплав-подложка. Получены однородные массивы квантовых точек InSb на подложках InAs (100) в интервале температур T=420-445 C, со средними размерами: высотой H=3. 4+ 1 nm, радиусом R=27. 2+ 7. 5 nm и плотностью до 1. 9 10\{10\} cm\{-2\}. Доп.точки доступа: Пархоменко, Я. А.; Анкудинов, А. В.; Гущина, Е. В.; Михайлова, М. П.; Титков, А. Н.; Яковлев, Ю. П. |
53 М 227 Мамутин, В. В. Исследование оптических свойств сверхрешеток InAs/InGaAsN/GaAsN с компенсацией напряжений [Текст] / В. В. Мамутин, О. В. Бондаренко [и др.] // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 9. - С. 53-60 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): сверхрешетки -- оптические свойства сверхрешеток -- гетероструктуры -- квантовые ямы -- лазеры -- излучательные характеристики -- телекоммуникационная область длин волн Аннотация: Проведены исследования оптических свойств гетероструктур, состоящих из квантовых ям (КЯ) InAs/InGaAsN, помещенных в сверхрешетки GaAsN/ InGaAsN c компенсаций напряжений (strain-compensated). Показано, что использование таких сверхрешеток с различным дизайном и толщинами слоев, а также дополнительных монослойных вставок InAs позволяет изменять длину волны излучения квантовых ям InGaAsN в диапазоне 1. 3-1. 6 мюm при комнатной температуре без ухудшения излучательных характеристик, что открывает дополнительные перспективы создания лазеров в телекоммуникационной области длин волн на подложках арсенида галлия. Доп.точки доступа: Бондаренко, О. В.; Васильев, А. П.; Гладышев, А. Г.; Егоров, А. Ю.; Крыжановская, Н. В.; Михрин, В. С.; Устинов, В. М. |
53 С 217 Сафонов, К. Л. Компьютерное моделирование роста когерентных островков в полупроводниковых системах Ge/Si и InAs/GaAs [Текст] / К. Л. Сафонов, В. Г. Дубровский, Н. В. Сибирев, Ю. В. Трушин // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 11. - С. 87-94 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые системы -- когерентные островки нанометровых размеров -- нанообъекты -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- компьютерное моделирование Аннотация: Проведено компьютерное моделирование зарождения и роста ансамблей когерентных островков нанометровых размеров в полупроводниковых системах Ge/Si и InAs/GaAs при молекулярно-пучковой эпитаксии. Получены зависимости структурных параметров ансамблей островков от условий эпитаксиального роста: температуры подложки и скорости осаждения. Проведено сравнение теоретических результатов с экспериментальными данными. Доп.точки доступа: Дубровский, В. Г.; Сибирев, Н. В.; Трушин, Ю. В. |
53 С 544 Соболев, М. М. Эффект Штарка в многослойной системе связанных квантовых точек InAs/GaAs [Текст] / М. М. Соболев, А. Е. Жуков [и др.] // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 12. - С. 68-75 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): нестационарная спектроскопия глубоких уровней -- спектроскопия -- вертикально коррелированные квантовые точки -- полупроводниковые квантовые точки -- квантовые точки -- эмиссия электронов -- эффект Штарка -- Штарка эффект -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- гетероструктуры InAs/GaAs Аннотация: Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) исследована эмиссия электронов из состояний в системе вертикально коррелированных квантовых точек (ВККТ) InAs в p-n-гетероструктурах InAs/GaAs, полученных методами молекулярно-пучковой эпитаксии, в зависимости от числа рядов квантовых точек (КТ) и от величины обратного смещения. Установлено, что при толщине прослойки d[GaAS]=40 Angstrem между двумя рядами КТ система находится в фазе молекулы независимо от числа рядов КТ в этой системе. Увеличение числа рядов КТ приводит к уменьшению величины смещения Штарка, что обусловлено, по-видимому, уменьшением деформационного потенциала в окрестностях с ВККТ. Доп.точки доступа: Жуков, А. Е.; Васильев, А. П.; Семенова, Е. С.; Михрин, В. С. |
539.2 С 506 Смирнов, М. Б. Численное моделирование температурной зависимости спектров фотолюминесценции квантовых точек InAs/GaAs [Текст] / М. Б. Смирнов, В. Г. Талалаев [и др.] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 6. - С. 1126-1131. - Библиогр.: с. 1131 (13 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): квантовые точки; массивы квантовых точек; самоорганизованные массивы квантовых точек; спектры фотолюминесценции; фотолюминесценция Аннотация: Разработана математическая модель, описывающая температурную зависимость спектров фотолюминесценции самоупорядоченных массивов квантовых точек и учитывающая электрон-фотонное взаимодействие и различные процессы переноса в системе квантовые точки-смачивающий слой-барьер. Применение модели к анализу экспериментальных спектров квантовых точек InAs, выращенных на вицинальных подложках GaAs, позволило выделить проявления в спектрах фотолюминесценции различных механизмов переноса возбуждения и связать наблюдаемые температурные зависимости спектров с особенностями строения массива квантовых точек. Доп.точки доступа: Талалаев, В. Г.; Новиков, Б. В.; Сарангов, С. В.; Цырлин, Г. Э.; Захаров, Н. Д. |
53 -O70 Oreshkin, A. I. The influence of different impurity atoms on 1/f\{альфа\} tunneling current noise characteristics on InAs (110) surface [Text] / A. I. Oreshkin, V. N. Mantsevich [et al.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 85, N 1. - С. 46-51 . - ISSN 0370-274Х
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): туннельный ток -- примесные атомы -- шумовой спектр Доп.точки доступа: Mantsevich, V. N.; Maslova, N. S.; Muzychenko, D. A.; Oreshkin, S. I.; Panov, V. I.; Savinov, S. V.; Arseev, P. I. |
530.1 В 253 Вдовин, Е. Е. Одноэлектронный спин-зависимый транспорт в структурах с расщепленным затвором, содержащих самоорганизованные квантовые точки InAs [Текст] / Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 132, вып. 1. - С. 166-170. - Библиогр.: с. 170 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика--Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): электронный транспорт; одноэлектронный спин-зависимый транспорт; расщепленные затворы; квантовые точки; самоорганизованные квантовые точки; гетероструктуры Аннотация: Результаты исследования электронного транспорта в структурах с расщепленным затвором, созданных на основе гетероструктур, в которых самоорганизующиеся квантовые точки InAs расположены вблизи двумерного электронного газа. Доп.точки доступа: Ханин, Ю. Н.; Шабельникова, П. Л.; Левин, А.; Ивс, Л.; Дубонос, С. В.; Хенини, М. |
530.1 Х 191 Ханин, Ю. Н. Индуцированная магнитным полем ферми-краевая сингулярность в туннельном токе через самоорганизованную квантовую точку InAs [Текст] / Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 132, вып. 1. - С. 175-177. - Библиогр.: с. 177 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика--Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): магнитное поле; ферми-краевая сингулярность; сингулярность; туннельный ток; ток; квантовые точки; самоорганизованные квантовые точки Аннотация: Рассмотрена индуцированная магнитным полем ферми-краевая сингулярность в туннельном токе через самоорганизованную квантовую точку InAs. Доп.точки доступа: Вдовин, Е. Е.; Ивс, Л.; Ларкин, И. А.; Патанэ, А.; Макаровский, О. Н.; Хенини, М. |
621.315.592 Ш 193 Шамирзаев, Т. С. Спектры фотопроводимости квантовых точек InAs/AIAs [Текст] / Т. С. Шамирзаев, К. С. Журавлев [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 12. - С. 66-68 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотопроводимость квантовых точек -- InAs/AlAs -- спектры фотопроводимости Аннотация: В работе исследовалась фотопроводимость квантовых точек InAs/AlAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке GaAs при Т= 77 и 300 К. Изучаемые структуры содержали пять слоев квантовых точек InAs, разделенных слоями AlAs. Электрическое поле прикладывалось между металлическим контактом, нанесенным на обратную сторону структуры с квантовыми точками, и прозрачным контактом диоксида олова, нанесенным на стеклянную пластину, которая прижималась к поверхности образца. В спектрах фототока в спектральной области 600-850 нм, наблюдалась сложная структура, включающая линии и полосы различной интенсивности и полуширины и соответствующая переходам с участием основных и возбужденных состояний квантовых точек различных размеров, а также линии и полосы, связанные с переходами в спейсерных слоях AlAs, в материале подложки и буферном слое GaAs. Доп.точки доступа: Журавлев, К. С.; Гайсин, В. А.; Кулинкин, Б. С.; Новиков, Б. В.; Батырев, А. С.; Убыйвовк, Е. В.; Алжеев, В. М. |
539.23 Д 183 Данильцев, В. М. Влияние атомов бора на свойства квантовых точек InAs в матрице GaAs [Текст] / В. М. Данильцев, Н. В. Востоков [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 7. - С. 6-9 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): атомы бора -- бор -- квантовые точки -- InAs -- GaAs -- механизм Странского-Крастанова -- Странского-Крастанова механизм Аннотация: Экспериментально исследовано влияние добавки атомов бора на свойства квантовых точек InAs. Показано, что введение атомов бора уменьшает интегральное количество арсенида индия, необходимого для формирования островков по механизму Странского-Крастанова, а также приводит к увеличению плотности точек. Вместе с тем обнаружено увеличение чувствительности точек InAs к отжигу, что ведет к деградации их оптических свойств во время выращивания покрывающих слоев. Доп.точки доступа: Востоков, Н. В.; Дроздов, Ю. Н.; Дроздов, М. Н.; Мурель, А. В.; Пряхин, Д. А.; Хрыкин, О. И.; Шашкин, В. И. |
621.3 М 690 Михайлова, М. П. Переход от разъединенного гетероперехода II типа к ступенчатому в системе GaInAsSb/InAs (GaSb [Текст] / М. П. Михайлова, К. Д. Моисеев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 2. - С. 166-171 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): гетеропереходы -- твердые растворы -- разъединенные гетеропереходы -- ступенчатые гетеропереходы Аннотация: Рассмотрены условия перехода от ступенчатого к разъединенному гетеропереходу II типа для одиночных гетероструктур Ga[1-x]In[x]As[y]Sb[1-y]/InAs (GaSb) в зависимости от состава четверного твердого раствора. Оценены зонные диаграммы таких гетеропереходов и определены величины энергетического разрыва зон Дельта на гетерогранице. Доп.точки доступа: Моисеев, К. Д.; Воронина, Т. И.; Лагунова, Т. С.; Яковлев, Ю. П. |
621.3 Т 160 Талалаев, В. Г. Резонансы в массиве квантовых точек InAs, управляемые внешним электрическим полем [Текст] / В. Г. Талалаев, Б. В. Новиков [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 2. - С. 203-210 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): многослойные структуры -- квантовые точки -- сверхрешетки -- фотолюминесценция -- электрическое поле Аннотация: Исследована фотолюминесценция многослойных структур с квантовыми точками InAs, выращенными в p-n-переходе в GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Образование вертикальных колонок квантовых точек подтвреждено данными просвечивающей электронной микроскопии. Показано, что естественное увеличение от слоя к слою размеров квантовых точек приводит к их вертикальному объединению вверху колонки. Разбалансирование электронных уровней, вызванное укрупнением квантовых точек, было компенсировано внешним электрическим полем, и достигнут резонанс основных электронных состояний в колонке. Наступление резонансов контролировалось методами фотолюминесценции: стационарной и с временным разрешением. Показано, что при резонансе растут интенсивность фотолюминесценции, излучательное время жизни экситонов (до 0. 6-2 нс) и становится малым время туннелирования носителей (менее 150 пс). Вне резонанса туннелирование электронов существенно ускоряется участием продольных оптических фононов. Если участвуют только эти фононы, то время нерезонансного туннелирования между квантовыми точками становится меньше, чем время релаксации носителей из барьера (100 и 140 пс соответственно). Доп.точки доступа: Новиков, Б. В.; Соколов, А. С.; Штром, И. В.; Tomm, J. W.; Захаров, Н. Д.; Werner, P.; Цырлин, Г. Э.; Тонких, А. А. |
621.3 Т 350 Терентьев, Я. В. Сильная спиновая поляризация электронов в диодной структуре на основе InAs [Текст] / Я. В. Терентьев, О. Г. Люблинская [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 11. - С. 1309-1313 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): спиновая поляризация электронов -- диодные структуры -- электроны -- фотолюминесценция -- циркулярно-поляризованная фотолюминесценция -- геометрия Фарадея -- Фарадея геометрия Аннотация: Путем измерения циркулярно-поляризованной фотолюминесценции обнаружена высокая степень ориентации спинов электронов в n-области диодной структуры на основе InAs, помещенной в магнитное поле в геометрии Фарадея. Поляризация излучения достигает 90% в поле 2 Тл. В противоположность этому степень поляризации в обычных, без p-n-перехода, слоях InAs не превышает 20% в диапазоне полей до 4 Тл. Эффект связывается с наличием встроенного электрического поля p-n-перехода, которое препятствует локализации неравновесных электронов на мелких донорных центрах и тем самым позволяет ориентировать спины электронов за счет зеемановского расщепления в зоне проводимости. Доп.точки доступа: Люблинская, О. Г.; Усикова, А. А.; Торопов, А. А.; Соловьев, В. А.; Иванов, С. В. |
621.3 Г 970 Гуткин, А. А. Емкостные исследования многослойных ансамблей InAs-квантовых точек в GaAs-матрице [Текст] / А. А. Гуткин, П. Н. Брунков, С. Г. Конников // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 11. - С. 1353-1356 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- полупроводниковая матрица -- многослойные ансамбли квантовых точек Аннотация: Проведен анализ квазистатических емкостных характеристик многослойных массивов вертикально связанных InAs-квантовых точек в матрице n-GaAs в предположении о гауссовом распределении энергии основного состояния квантовых точек. Массив InAs квантовых точек с характерным размером основания около 20 нм и высотой ~3 нм был упорядочен в направлении роста и состоял из 3, 6 или 10 слоев, находящихся друг от друга на расстоянии ~5 нм. Установлено, что с увеличением числа слоев от 3 до 10 средняя энергия связи основного состояния электронов увеличивается от ~ 80 до ~120 мэВ, а среднее квадратичное отклонение, характеризующее распределение уровней этого состояния по энергиям, уменьшается от ~ 30 до ~15 мэВ. Доп.точки доступа: Брунков, П. Н.; Конников, С. Г. |
621.3 К 137 Кадушкин, В. И. Резонансная модуляция магнитным полем межподзонного электрон-электронного взаимодействия в квантовой яме AlSb (дельта-Te) /InAs/AlSb (дельта-Te [Текст] / В. И. Кадушкин, Ю. Г. Садофьев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 3. - С. 338-345 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): осцилляции магнитосопротивления -- квантовые ямы -- электрон-электронное взаимодействие -- амплитудно-частотная модуляция -- магнитное поле -- резонансные поля -- уровни Ландау -- Ландау уровни Аннотация: Изучена амплитудно-частотная модуляция осцилляций магнитосопротивления 2D электронов в квантовой яме AlSb (дельта-Te) /InAs/AlSb (дельта-Te). На магнитополевой зависимости амплитуды осцилляций дельта (1/B) [T=const] обнаружены участки отрицательной температуры Дингла. Аномалии на дельта (1/B) [T=const] вызваны резонансным включением квантующим магнитным полем межподзонного электрон-электронного взаимодействия 2D электронов основной и возбужденной подзон размерного квантования. Выполнены оценки величин резонансных полей B и времени столкновительного уширения уровней Ландау. Установлен концентрационный порог заполнения возбужденной подзоны размерного квантования n[s] ? 8 10\{11\} см\{-2\}. Доп.точки доступа: Садофьев, Ю. Г.; Bird, J. P.; Johnson, S. R.; Zhang, Y.-H. |
621.3 Т 350 Терентьев, Я. В. Аномальное спиновое расщепление электронов в InAs в условиях инжекционной накачки [Текст] / Я. В. Терентьев, О. Г. Люблинская [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 5. - С. 590-594 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): InAs -- спиновое расщепление электронов -- электроны -- инжекционная накачка -- люминесценция -- магнитное поле -- геометрия Фарадея -- Фарадея геометрия Аннотация: Экспериментально исследована электро- и фотолюминесценция объемного InAs n-типа с высокой концентрацией доноров (N[d]? 5 10\{16\} см\{-3\}) в магнитном поле в геометрии Фарадея. В условиях электрической инжекции энергия пика электролюминесценции превышает ширину запрещенной зоны E[g]. При приложении магнитного поля энергия пика становится меньше E[g], и он расщепляется на две циркулярно-поляризованные компоненты. Расщепление зависит от тока инжекции и в средних магнитных полях (около 2 T) может значительно превышать расчетное значение, соответствующее известной величине g-фактора электронов в InAs. Эффект объясняется разной степенью магнитного вымораживания для электронов с разной ориентацией спина. Существование максимума в зависимости степени поляризации фотолюминесценции от магнитного поля, а также поведение ширины линии фотолюминесценции подтверждают предложенную модель. Доп.точки доступа: Люблинская, О. Г.; Торопов, А. А.; Соловьев, В. А.; Сорокин, С. В.; Усикова, А. А.; Иванов, С. В. |