519.63 Б 953 Быков, А. А. (???? 1). Об устойчивых контрастных структурах в плавно-неоднородной среде [Текст] / А. А. Быков, Д. О. Зубо, В. Ю. Попов // Журнал вычислительной математики и математической физики. - 2003. - Т.43,N5. - Библиогр.: 5 назв. - Дан реферат . - ISSN 0044-4669
Рубрики: Математика--Вычислительная математика Кл.слова (ненормированные): процессы диффузии -- сингулярные возмущения -- стационарные контрастные структуры Аннотация: Рассматриваются контрастные структуры типа ступеньки для уравнения диффузии с переносом и размножением в нелинейной среде с плавной неоднородностью. Получено уравнение для определения положения внутреннего переходного слоя и условие устойчивости стационарной контрастной структуры. Доп.точки доступа: Зубо, Д.О. (???? 1); Попов, В.Ю. (???? 1) |
Сандраков, Г. В. Многофазные модели диффузии в осреднении [Текст] / Г. В. Сандраков // Доклады Академии наук. - 2004. - Т. 394, N 2. - С. 171-174 . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Математика Дифференциальные и интегральные уравнения Кл.слова (ненормированные): диффузии -- многофазные модели -- модели диффузии -- нестационарные процессы -- осреднения процессов -- осредненные уравнения -- проводимость материалов -- процессы диффузии Аннотация: Рассматриваются вопросы осреднения нестационарных процессов диффузии в среде, составленной периодическим образом из нескольких материалов с сильно различающимися свойствами. |
Сандраков, Г. В. Многофазные осредненные модели диффузии в сильно неоднородной среде [Текст] / Г. В. Сандраков // Доклады Академии наук. - 2004. - Т. 397, N 1. - С. 27-31 . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Математика Дифференциальные и интегральные уравнения Кл.слова (ненормированные): диффузия -- модели диффузии -- процессы диффузии -- нестационарные процессы -- осреднение процессов -- осредненные уравнения -- задачи усреднения -- параболические уравнения Аннотация: Рассматривается осреднение нестационарных процессов диффузии в среде, составленной периодическим образом из нескольких материалов с сильно различающимися свойствами. |
Панютин, Е. А. Легирование структурно-неоднородных эпитаксиальных слоев фосфида галлия. Диффузионное перераспределение цинка [Текст] / Е. А. Панютин // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 13. - С. 33-40 : ил. - Библиогр.: с. 40 (10 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): легирование слоев -- эпитаксиальные слои -- структурно-неоднородные эпитаксиальные слои -- структурно-неоднородные слои -- фосфид галлия -- GaP -- цинк -- Zn -- распределение цинка -- диффузионное перераспределение цинка -- компьютерное моделирование -- результаты компьютерного моделирования -- процессы диффузии -- диффузия -- эпитаксиальное осаждение -- структурные макродефекты -- винтовая дислокация -- диссоциативные модели -- межузельно-узловая диффузия -- ионы цинка -- вакансии галлия -- результаты анализа решений -- нелинейные задачи -- граничные задачи -- неоднородное распределение концентраций -- экспериментально наблюдаемые аномалии -- обратный ток -- p-n-переходы -- электронно-дырочные переходы Аннотация: Приведены результаты компьютерного моделирования распределений цинка, которые устанавливаются в процессе его диффузии, сопутствующей легированию в ходе эпитаксиального осаждения фосфида галлия. Внутреннее перераспределение вводимого цинка, обусловленное присутствием структурного макродефекта, в частности винтовой дислокации, трактуется в рамках диссоциативной модели межузельно-узловой диффузии, предполагающей существование ионов цинка в двух состояниях с различной подвижностью, активно взаимодействующих с вакансиями галлия. Результаты анализа решений нелинейной граничной задачи, демонстрирующие существование резко неоднородных распределений концентраций ионов цинка, позволяют объяснить ряд экспериментально наблюдаемых аномалий обратного тока GaP-p-n-переходов. |
Солоненко, О. П. Нестационарное конвективное перемешивание в капле расплава, обтекаемой потоком плазмы [Текст] / О. П. Солоненко, И. П. Гуляев // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 16. - С. 79-87 : ил. - Библиогр.: с. 87 (4 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): феноменологические модели -- расплавы -- конвективное перемешивание -- газы -- нестационарное конвективное перемешивание -- наночастицы -- тугоплавкие твердые наночастицы -- капли расплава -- приповерхностные слои -- плазма -- потоки плазмы -- обтекание (физика) -- сдвиговое течение -- массоперенос -- диффузия -- интенсификация (физика) -- процессы диффузии Аннотация: Предложена простая феноменологическая модель, позволяющая учитывать нестационарное конвективное замешивание газа или тугоплавких твердых наночастиц из приповерхностного слоя капли расплава в ее объем, вследствие сдвигового течения, возникающего при ее обтекании потоком плазмы. Показано, что данное явление может значительно интенсифицировать массоперенос по сравнению с процессом диффузии. Доп.точки доступа: Гуляев, И. П. |
Быстров, Ю. А. Барьерный слой антиэмиссионного покрытия [Текст] / Ю. А. Быстров, Н. З. Ветров, А. А. Лисенков // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 12. - С. 63-70 : ил. - Библиогр.: с. 70 (4 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): антиэмиссионные покрытия -- барьерные слои -- сроки службы -- платина -- процессы диффузии -- подложки (физика) -- атомы -- материалы (физика) -- технология получения -- многослойные покрытия -- карбиды Аннотация: Установлено, что срок службы антиэмиссионного покрытия Pt[3]Zr определяется процессами встречной диффузии свободной платины в подложку и атомов материала подложки в покрытие. Разработана технология получения многослойного покрытия, содержащего в качестве подслоя карбид материала подложки, являющийся барьерным слоем, который препятствует встречной диффузии материала подложки и платины. Показано, что применение такого барьерного слоя существенно увеличивает срок службы антиэмиссионного покрытия. Доп.точки доступа: Ветров, Н. З.; Лисенков, А. А. |
Бернацкий, Д. П. Эффект инверсии полевой электронной эмиссии с вольфрама, покрытого наноструктурированным углеродом, при адсорбции атомов цезия [Текст] / Д. П. Бернацкий, В. Г. Павлов // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 14. - С. 13-18 : ил. - Библиогр.: с. 17-18 (9 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): электронная эмиссия -- полевая электронная эмиссия -- инверсия эмиссии -- вольфрам -- углерод -- аморфный углерод -- наноструктурированный углерод -- цезий -- атомы цезия -- адсорбция атомов -- графит -- нанокластеры графита -- локальные источники -- поверхностная диффузия атомов -- процессы диффузии -- электрические поля -- неоднородное электрическое поле -- интеркалирование нанокластеров -- дипольные моменты Аннотация: Обнаружена инверсия полевой электронной эмиссии с пленки аморфного углерода, содержащей нанокластеры графита, при адсорбции на ее поверхности атомов цезия. Инверсия состоит в пропадании эмиссии с нанокластеров графита, бывших до нанесения цезия локальными источниками эмиссии, и в появлении однородной эмиссии с прежде не эмитировавшей поверхности аморфного углерода. Дается объяснение обнаруженного эффекта на основе процессов поверхностной диффузии атомов цезия в неоднородном электрическом поле, интеркалирования цезием нанокластеров графита и связанного с этими процессами "переворачивания" дипольного момента при изменении направления электрического поля. Доп.точки доступа: Павлов, В. Г. |
Влияние степени совершенства кристаллов и отклонения от стехиометрического состава на процессы диффузии в сульфиде самария [Текст] / В. В. Каминский [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 10. - С. 1900-1904. - Библиогр.: с. 1904 (6 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): стехиометрические составы -- процессы диффузии -- сульфиды самария -- диффузии европия -- методы разиоактивных изотопов -- области когерентного рассеяния рентгеновских излучений -- коэффициенты диффузии примесей Аннотация: Исследованы процессы диффузии самария и европия в нестехиометрическом SmS в температурном интервале 950-1600 градусах Цельсия как методом радиоактивных изотопов, так и методом потери веса образцов при испарении избыточного самария. Обнаружена связь между величинами коэффициентов диффузии D и размером областей когерентного рассеяния рентгеновского излучения (ОКР) в образцах SmS, а также степенью отклонения состава от стехиометрии: коэффициент диффузии примесей уменьшается при увеличении ОКР и по мере приближения состава к стехиометрическому. Расчет коэффициента диффузии электронов в SmS при T=77-300 K показал, что значение D увеличивается с ростом температуры и областей когерентного рассеяния. Доп.точки доступа: Каминский, В. В.; Голубков, А. В.; Дидик, В. А.; Романова, М. В.; Скорятина, Е. А.; Усачева, В. П.; Шалаев, Б. Н.; Шаренкова, Н. В. |
53 М 520 Мержанов, А. Г. Лазерные сверхрешетки / А. Г. Мержанов, авт. Э. Н. Руманов // Доклады Академии наук. - 2013. - Т. 449, № 2, март. - С. 154-155. - Библиогр. : с. 155 (9 назв.) . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): оптические разряды -- сверхрешетки -- лазеры -- лазерные излучения -- материалообразующие процессы -- процессы диффузии Аннотация: Рассматриваются периодические режимы распространения оптического разряда, которые могут послужить основой эффективного способа изготовления сверхрешеток. Доп.точки доступа: Руманов, Э. Н. |