Особенности структурного состояния и механических свойств покрытий ZrN и Zr (Ti) -Si-N, полученных ионно-плазменными методами [Текст] / А. Д. Погребняк [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 19. - С. 103-110 : ил. - Библиогр.: с. 109-110 (11 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Механические и акустические свойства монокристаллов Кл.слова (ненормированные): структурные состояния -- особенности структурных состояний -- покрытия -- нанокристаллические высокотвердые покрытия -- механические свойства -- возможности формирования покрытий -- формирование покрытий -- ZrN -- Zr (Ti) -Si-N -- ионно-плазменные методы -- метод вакуумно-дугового осаждения -- конденсаты систем -- кристаллы -- кристаллиты -- пленки (физика) -- сжимающие напряжения -- подложки (физика) -- система пленка-подложка -- результаты наноиндентирования -- исследуемые объекты -- двухфазные состояния -- конденсированные материалы -- пленка-подложка система Аннотация: Рассмотрены возможности формирования нанокристаллических высокотвердых покрытий методом вакуумно-дугового осаждения с ВЧ (HF-high-frequency discharge) стимуляцией. Конденсаты систем Zr (Ti) -Si-N содержат кристаллиты двух фаз ZrN и TiN. Кристаллиты в конденсате находятся под действием деформации сжатия в плоскости роста пленки, величиной порядка -1. 1%, что соответствует действию сжимающих напряжений в системе "пленка-подложка" величиной 3. 5 GPa. Результаты наноиндентирования свидетельствуют, что в исследуемых объектах наблюдается сильная неоднородность - участки с твердостью 29-30 GPa чередуются с участками, твердость которых превышает 45-47 GPa, что отвечает, полученным из структурных данных, модели двухфазного состояния конденсированного материала, состоящего из менее твердых ZrN кристаллов и более твердых TiN кристаллитов. Доп.точки доступа: Погребняк, А. Д.; Соболь, О. В.; Береснев, В. М.; Турбин, П. В.; Дуб, С. Н.; Кирик, Г. В.; Дмитренко, А. Е. |
Израилева, Л. К. Влияние деформаций на поведение системы дефектов в кристалле при облучении и отжиге [Текст] / Л. К. Израилева, Э. Н. Руманов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 4. - С. 27-28
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): отжиг дефектов -- сжимающие напряжения -- имплантированные атомы -- ионная имплантация Аннотация: Теоретически исследован отжиг дефектов в условиях сжимающих напряжений - ? [0] \<\ 0, созданных имплантированными атомами с плотностью N. Показано, что отжиг ускоряется при N, превышающих критическое значение N[c]. Доп.точки доступа: Руманов, Э. Н. |
620.1/.2 С 895 Сукнев, С. В. Хрупкое разрушение в условиях концентрации напряжений и двухосного нагружения [Текст] / С. В. Сукнев // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2011. - Т. 77, N 8. - С. 48-53. - Библиогр.: с. 53 (15 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Техника Материаловедение Сопротивление материалов Кл.слова (ненормированные): хрупкое разрушение -- концентрация напряжений -- двухосное нагружение -- предел прочности -- разрушающие напряжения -- растягивающие напряжения -- напряженно-деформированное состояние -- конечноэлементное моделирование -- сжимающие напряжения -- нормальные напряжения -- напряжения -- прочностные свойства Аннотация: Приведены методика и результаты экспериментального исследования разрушения образцов с отверстием в условиях двухосного нагружения. |
539.21:534 Ш 952 Шугуров, А. Р. Вязкоупругое гофрирование системы металлическая пленка-полимерный подслой под действием сжимающих напряжений [Текст] / А. Р. Шугуров, А. И. Козельская, А. В. Панин // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 19. - С. 16-22 : ил. - Библиогр.: с. 22 (5 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Механические и акустические свойства монокристаллов Кл.слова (ненормированные): металлические пленки -- полимерные подслои -- система металлическая пленка-полимерный подслой -- вязкоупругое гофрирование -- сжимающие напряжения -- тонкие пленки -- подложки -- алюминий -- Al -- кремний -- Si -- закономерности гофрирования -- исследования -- атомно-силовая микроскопия -- метод атомно-силовой микроскопии -- полистирол -- термические воздействия -- амплитуды -- длины волн -- температуры -- складки гофра -- процессы отжига -- касательные напряжения -- нормальные напряжения -- границы раздела Аннотация: Методом атомно-силовой микроскопии исследованы закономерности гофрирования тонких пленок Al на подложке Si с подслоем полистирола при термическом воздействии. Измерение амплитуды и длины волны складок позволило выявить стадийность процесса гофрирования при различных температурах. Показано, что эволюция складок гофра в процессе отжига регулируется периодическим распределением нормальных и касательных напряжений вдоль границы раздела пленка-подслой. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/19/p16-22.pdf Доп.точки доступа: Козельская, А. И.; Панин, А. В. |