Коншина, Е. А. Осаждение пленок a-C:H в тлеющем разряде на постоянном токе с областью магнетронной плазмы, локализованной вблизи анода [Текст] / Е. А. Коншина // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N6. - Библиогр.: с. 39-40 (27 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): аморфный гидрогенизированный углерод -- осаждение пленок -- пленки -- тлеющий разряд Аннотация: Многоэлектродная система для химического осаждения паров в плазме тлеющего разряда на постоянном токе с областью скрещенных магнитного и электрического полей была использована для получения пленок a-C:H. Исследованы вольт-амперные характеристики разряда в интервале дпвлений в вакуумной камере от 0.004 до 0.1 Pa и влияние на них магнитного поля. Изучено влияние мощности тлеющего разряда, давления паров углеводорода, проводимости материала подложки и ее потенциала, а также добавления инертного газа на скорость осаждения пленок a-C:H. Полученные результаты обсуждены в рамках представлений об адсорбционном механизме конденсации пленок в плазме. Дан краткий анализ влияния скорости осаждения на свойства пленок |
539.2 Р 698 Ромашин, С. Н. Самоорганизация при осаждении пленок полупроводников в среде атомарного водорода [Текст] / С. Н. Ромашин, А. В. Седов, Э. В. Касаткин, В. Ф. Харламов // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 8 . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- осаждение пленок -- самоорганизация Аннотация: С помощью сканирующего туннельного микроскопа установлено, что осажденные в среде атомарного водорода на медные подложки пленки германия содержат наноструктуры с характерным размером 30-40 nm. Исследованы локальная проводимость, фотопроводимость и неравновесная хемопроводимость пленок. Наблюдалось травление германиевых и кремниевых пленок, а также фуллереновой черни атомарным водородом. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2004/08/page-133.html.ru Доп.точки доступа: Седов, А. В.; Касаткин, Э. В.; Харламов, В. Ф. |
53 П 635 Постников, А. В. Автоматизированный лазерный термометр для исследования плазменных процессов микротехнологии [Текст] / А. В. Постников, И. Н. Косолапов [и др.] // Приборы и техника эксперимента. - 2008. - N 2. - С. 173-176. - Библиогр.: с. 176 (7 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): термометры -- лазерные термометры -- автоматизированные термометры -- микротехнологии -- микроструктуры -- полупроводниковые подложки -- плазменные процессы -- осаждение пленок Аннотация: Обсуждаются устройство и характеристики автоматизированного измерителя температуры диэлектрических и полупроводниковых подложек в установках осаждения пленок и травления микроструктур. Доп.точки доступа: Косолапов, И. Н.; Куприянов, А. Н.; Амиров, И. И.; Магунов, А. Н. |
Епанешникова, Д. С. Гидрохимическое осаждение пленок SnS и Sn[x]Pb[1-x]S [Текст] / Д. С. Епанешникова, Л. Н. Маскаева, В. Ф. Марков // Химическая технология. - 2008. - N 9. - С. 417-421. - Библиогр.: с. 421 (9 назв. ) . - ISSN 1684-5811
Рубрики: Химическая технология Технология неорганических веществ Кл.слова (ненормированные): тиомочевина -- гидрохимическое осаждение пленок -- осаждение пленок -- пленки сульфида олова -- сульфид олова -- пленки сульфида свинца -- сульфид свинца -- твердые растворы -- тиоацетамиды -- поликристаллические пленки Аннотация: Целью настоящей работы являлось исследование кинетики гидрохимического осаждения тиомочевиной SnS и определение условий синтеза пленок сульфида олова, твердых растворов замещения в системе PbS-SnS, изучение их состава, структуры и морфологии. Доп.точки доступа: Маскаева, Л. Н.; Марков, В. Ф. |
Магнетронное распыление Y-Ba-Cu-O мишени: эффекты изменения напряжения разряда и скорости осаждения пленок [Текст] / Ю. Н. Дроздов [и др. ] // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 1. - С. 125-128. - Библиогр.: c. 128 (17 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): магнетронное распыление -- осаждение пленок -- эпитаксиальные пленки -- керамические мишени -- высокотемпературные сверхпроводники Аннотация: Исследованы временные зависимости напряжения разряда и скорости роста эпитаксиальных пленок Y-Ba-Cu-O в магнетронной напылительной системе on-axis конфигурации. Установлено, что при распылении керамической мишени Y-Ba-Cu-O напряжение разряда и скорость осаждения сверхпроводящей фазы уменьшаются со временем и выходят на "квазистационарный" режим по экспоненциальной зависимости. При давлении 100 Pa уменьшение значения индукции магнитного поля вблизи поверхности мишени с 1200 G до 600 G приводит к увеличению напряжения разряда на 25-30%, а скорость осаждения пленок возрастает более чем в два раза. Полученные пленки имеют высокие электрофизические параметры, что продемонстрировано на примере высокочастотного контура: собственная добротность контура на частоте 64. 5 MHa составила 2. 7 105. Доп.точки доступа: Дроздов, Ю. Н.; Мастеров, Д. В.; Павлов, С. А.; Парафин, А. Е. |
Модифицирование методом MOCVD поверхности многостенных углеродных нанотрубок с целью придания им необходимых физико-химических свойств [Текст] / А. М. Объедков [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 7. - С. 67-72
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): пиролиз -- многостенные железосодержащие углеродные нанотрубки -- углеродные нанотрубки -- осаждение пленок -- пиролитический хром -- композиционные материалы -- неустойчивость Плато-Рэлея -- Плато-Рэлея неустойчивость Аннотация: Методом MOCVD при пиролизе смесей ферроцена и толуола в токе аргона при атмосферном давлении были синтезированы многостенные железосодержащие углеродные нанотрубки. Методом MOCVD при пиролизе в вакууме бис-аренхромовых соединений на поверхность многостенных углеродных нанотрубок проведено осаждение пленок пиролитического хрома и получены новые композиционные материалы МУНТ/пиролитический хром. Морфология композита зависит от условий осаждения пиролитического хрома. Обнаружены регулярные структуры в виде “бус”. Обсуждается механизм их возникновения за счет образования в процессе пиролиза бис-ареновых соединений хрома промежуточной вязкопластичной полимерной фазы и появления неустойчивости Плато-Рэлея. Доп.точки доступа: Объедков, А. М.; Каверин, Б. С.; Гусев, С. А.; Езерский, А. Б.; Семенов, Н. М.; Зайцев, А. А.; Егоров, В. А.; Домрачев, Г. А. |
Получение алмазоподобных пленок в процессе магнетронного распыления графитовой мишени [Текст] / А. В. Костановский [и др. ] // Теплофизика высоких температур. - 2009. - Т. 47, N 1. - С. 141-144 . - ISSN 0040-3644
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): осаждение пленок -- алмазоподобные пленки -- полупроводниковые пленки -- магнетронное распыление -- графитовые мишени Аннотация: Целью данной работы является экспериментальная реализация метода осаждения алмазоподобных полупроводниковых пленок в процессе магнетронного распыления графитовой мишени и фотоактивации адатомов углерода на поверхности подложки. По сравнению с ионными и электронными методами распыления магнетрон позволяет значительно уменьшить влияние отраженных от мишени высокоэнергетических ионов (электронов) и вторичных электронов. Доп.точки доступа: Костановский, А. В.; Жиляков, Л. А.; Пронкин, А. А.; Кириллин, А. В. |
Глебова, Н. В. Физико-химические превращения при термическом воздействии на наноструктурированный углеродный материал, полученный магнетронным распылением графита [Текст] / Н. В. Глебова, А. А. Нечитайлов // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2010. - Т. 53, вып: вып. 10. - С. 44-48 : 5 рис. - Библиогр.: с. 48 (6 назв. ) . - ISSN 0579-2991
Рубрики: Химия Термохимия Физическая химия в целом Кл.слова (ненормированные): наноструктурированные углероды -- углероды -- термическое воздействие -- магнетронное распыление графита -- аморфные углероды -- графиты -- алмазы -- нанокомпозиты -- осаждение пленок Аннотация: Обсуждаются причины различного поведения системы а-С при термическом воздействии на воздухе и в атмосфере азота. Метод спектрофотометрического анализа использован для определения степени превращения материала, переходящего в графит, при отжиге в вакууме. Доп.точки доступа: Нечитайлов, А. А. |
Осаждение YBa[2]Cu[3]O[7-delta] пленок на обе стороны подложки методом магнетронного напыления [Текст] / Н. В. Востоков [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 18. - С. 60-66 : ил. - Библиогр.: с. 65-66 (7 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Физические приборы и методы физического эксперимента Кл.слова (ненормированные): подложки (физика) -- пленки (физика) -- осаждение пленок -- магнетронное напыление -- метод магнетронного напыления -- тонкие пленки -- формирование пленок -- процессы напыления -- технологические параметры -- процессы роста Аннотация: Исследованы особенности формирования пленок YBa[2]Cu[3]O[7-delta] на обеих сторонах подложки при их поочередном нанесении методом магнетронного напыления в геометрии on- axis. При напылении пленки на первую сторону подложки, на ее второй стороне формируется тонкая пленка, которая может служить качественным подслоем при получении пленки заданной толщины на второй стороне подложки. Показано, что контроль свойств пленки, сформировавшейся на обратной стороне подложки в процессе напыления на лицевую сторону, может служить тестом на оптимизацию технологических параметров роста. Доп.точки доступа: Востоков, Н. В.; Дроздов, Ю. Н.; Мастеров, Д. В.; Павлов, С. А.; Парафин, А. Е. |
Влияние термообработки на структуру пленок диоксида титана [Текст] / А. Е. Комлев [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 20. - С. 29-34 : ил. - Библиогр.: с. 34 (9 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): результаты исследований -- диоксид титана -- пленки (физика) -- термообработка -- термическая обработка -- изотермический отжиг -- нанокристаллические фазы -- кристаллические структуры -- воздух -- вакуум -- температуры -- интервалы температур -- осаждение пленок -- развитие нанокристаллических фаз Аннотация: Приведены результаты исследования развития при изотермическом отжиге нанокристаллических фаз в пленках диоксида титана. В пленках, имеющих после осаждения разную кристаллическую структуру, термообработка на воздухе и в вакууме в интервале температур 500-700{o}C приводит к существенно отличающимся результатам. Доп.точки доступа: Комлев, А. Е.; Лапшин, А. Е.; Магдысюк, О. В.; Плотников, В. В.; Шаповалов, В. И.; Шутова, Н. С. |
539.2 К 633 Комлев, А. Е. Магнетронный разряд в среде аргона и кислорода при осаждении пленки оксида титана [Текст] / А. Е. Комлев, В. И. Шаповалов, Н. С. Шутова // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 7. - С. 134-136. - Библиогр.: c. 136 (8 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): оксид титана -- магнетронные разряды -- магнетроны -- аргон -- кислород -- титановые мишени -- осаждение пленок -- магнетронное распыление -- вольт-амперные характеристики магнетронов Аннотация: Приведены результаты изучения разряда в плоском магнетроне с титановой мишенью. Установлено, что в среде аргона при постоянном токе увеличение давления от 2 до 6 mTorr приводит к увеличению возбуждения ионов аргона примерно на 20%. Возбуждение нейтральных атомов титана не зависит от давления аргона и определяется только током разряда. Вольт-амперная характеристика магнетрона в среде аргона и кислорода полностью отражает процессы, происходящие на мишени магнетрона. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/07/p134-136.pdf Доп.точки доступа: Шаповалов, В. И.; Шутова, Н. С. |
536.42 С 253 Свойства низкорефрактивных пленок, полученных по методу близкого переноса при сублимации графита в квазизамкнутом объеме [Текст] / Н. В. Сопинский [и др.] // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 11. - С. 125-129. - Библиогр.: c. 129 (16 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): низкорефрактивные пленки -- графит -- близкий перенос -- сублимация графита -- углеродные пленки -- эллипсометрия -- атомно-силовая микроскопия -- многоугловая эллипсометрия -- пленки углерода -- морфология поверхности -- осаждение пленок -- электронная полевая эмиссия -- кремниевые острия -- нанопористые пленки Аннотация: Представлены результаты исследований свойств низкорефрактивных углеродных пленок, нанесенных технологией близкого переноса при сублимации графита в закрытом объеме. При помощи метода монохроматической многоугловой эллипсометрии исследованы оптические свойства пленок, а по методу атомно-силовой микроскопии - морфология их поверхности. Установлено, что пленки имеют столбчатую структуру с базовой шероховатостью поверхности ~1 nm, кроме того, на поверхности пленки присутствуют отдельные островки сечением основы ~200 nm и высотой до 50 nm. Показано, что осаждение низкорефрактивной углеродной пленки по методу близкого переноса на поверхность кремниевых острий приводит к снижению порога электронной полевой эмиссии и резкому росту величины тока. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/11/p125-129.pdf Доп.точки доступа: Сопинский, Н. В.; Хомченко, В. С.; Литвин, О. С.; Савин, А. К.; Семененко, Н. А.; Евтух, А. А.; Соболевский, В. П.; Ольховик, Г. П. |
544 Г 464 Гидрохимическое осаждение пленок твердых растворов PbS[y]Se[1-y]: состав, структура, морфология [Текст] / А. С. Катышева [и др.] // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2012. - Т. 55, вып. 4. - С. 87-91 : 4 рис. - Библиогр.: с. 91 (10 назв.) . - ISSN 0579-2991
Рубрики: Химия Физическая химия в целом Кл.слова (ненормированные): гидрохимическое осаждение -- осаждение пленок -- твердые растворы замещения -- тонкие пленки -- сульфиды свинца -- селениды свинца Аннотация: Работа посвящена проблемам развития инфракрасной техники, созданию новых высокочувствительных доступных материалов - пленок твердых растворов в системе сульфид свинца-селенид свинца при совместном осаждении PbS и PbSe смесью тио- и селеномочевины. Исследованы кинетические закономерности процесса, кристаллическая структура, фазовый состав и морфология полученных пленок. Доп.точки доступа: Катышева, А. С.; Маскаева, Л. Н.; Чукин, А. В.; Марков, В. Ф. |
533.9 Л 594 Линник, С. А. Синтез алмазных пленок в сильноточном тлеющем разряде переменного тока [Текст] / С. А. Линник, авт. А. В. Гайдайчук // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 6. - С. 9-14 : ил. - Библиогр.: с. 14 (3 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Физические приборы и методы физического эксперимента Кл.слова (ненормированные): алмазные пленки -- поликристаллические пленки -- поликристаллические алмазные пленки -- синтез пленок -- осаждение пленок -- подложки (физика) -- кремний -- Si -- титан -- Ti -- молибден -- Mo -- тлеющие разряды -- сильноточные разряды -- сильноточные тлеющие разряды -- переменные токи -- эксперименты -- результаты экспериментов -- разрядные системы -- атомно-силовая микроскопия -- рентгеновский анализ -- фазовый состав пленок -- морфология пленок Аннотация: Приведены результаты экспериментов по осаждению поликристаллических алмазных пленок на подложки из Si, Ti, Mo с использованием специально разработанной разрядной системы на тлеющем разряде переменного тока. С помощью атомно-силовой микроскопии и рентгеновского анализа определены фазовый состав и морфология полученных пленок. Установлено, что полученные алмазные пленки имеют высокую чистоту и кристалличность. Отсутствуют включения неалмазной фазы углерода. Скорость роста алмазной пленки 6-7 mum/h. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/06/p9-14.pdf Доп.точки доступа: Гайдайчук, А. В. |
536.42 М 744 Модификация монослойной прослойки нижележащим подслоем и ее влияние на механизм роста пленки [Текст] / Н. И. Плюснин [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 7. - С. 48-55 : ил. - Библиогр.: с. 55 (5 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): кремний -- железо -- медь -- пленки (физика) -- островки (физика) -- рост пленок -- механизм роста -- монослойные прослойки -- монослои -- подслои -- осаждение пленок -- молекулярно-лучевые источники -- электроны -- потери энергии -- спектроскопия -- оже-спектроскопия -- электронная оже-спектроскопия -- микроскопия -- атомно-силовая микроскопия -- химическое состояние -- исследования -- результаты исследований Аннотация: Приведены результаты работы по исследованию влияния верхнего монослоя Si в прослойках Fe-Si на механизм роста пленок Cu толщиной 7 ML при их осаждении из молекулярно-лучевого источника. Исследование проводили в условиях сверхвысокого вакуума методами спектроскопии характеристических потерь энергии электронов и электронной оже-спектроскопии. Кроме того, в атмосфере была исследована морфология полученных образцов методом атомно-силовой микроскопии. Показано, что на прослойке Si (1ML) /Fe[2]Si[3] (5ML) /Si (001) пленка Cu растет псевдопослойно (с растворением монослоя Si), а на прослойке Si (1ML) /Fe (1ML) /Si (1ML) /Fe (1ML) /Si (001) - в виде островков. Данный эффект объясняется различным химическим состоянием поверхности верхнего монослоя Si, обусловленным влиянием на это состояние нижележащих подслоев Fe-Si с различной структурой. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/07/p48-55.pdf Доп.точки доступа: Плюснин, Н. И.; Тарима, Н. А.; Ильященко, В. М.; Китань, С. А. |
537.311.33 П 764 Применение алмазоподобных углеродных пленок для просветления кристаллов полуизолирующего GaAs в ИК-области спектра [Текст] / Н. И. Клюй [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 13. - С. 27-34 : ил. - Библиогр.: с. 34 (15 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): углеродные пленки -- алмазоподобные пленки -- алмазоподобные углеродные пленки -- АУП -- применение пленок -- осаждение пленок -- кристаллы -- пропускание кристаллов -- просветление кристаллов -- арсенид галлия -- полуизолирующий арсенид галлия -- спектры -- ИК-области спектра -- плазма -- исследования -- предварительная обработка -- плазменная обработка -- оптическое пропускание -- различные газы Аннотация: Проведено исследование влияния обработок в плазме различных газов и последующего осаждения алмазоподобных углеродных пленок (АУП) на пропускание кристаллов полуизолирующего GaAs в ИК-области спектра. Показано, что осаждение АУП толщиной 1-1. 5 mum позволяет увеличить пропускание GaAs в диапазоне 4-15 mum, причем предварительная обработка в плазме H{+} или Ar{+} увеличивает оптическое пропускание структуры АУП-GaAs. Предложен механизм, объясняющий влияние плазменной обработки на оптическое пропускание полуизолирующего GaAs в ИК-области спектра. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/13/p27-34.pdf Доп.точки доступа: Клюй, Н. И.; Липтуга, А. И.; Лозинский, В. Б.; Лукьянов, А. Н.; Оксанич, А. П.; Тербан, В. А. |
621.315.592 Л 175 Лазерно-стимулированная десорбция атомных и молекулярных фрагментов с поверхности диоксида олова, модифицированной тонким органическим покрытием фталоцианина меди [Текст] / А. С. Комолов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 1. - С. 48-52 : ил. - Библиогр.: с. 51 (19 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): лазерная десорбция -- поверхность диоксида олова -- диоксид олова -- пленки диоксида олова -- наносекудные лазерные импульсы -- лазерные импульсы -- лазеры -- энергия кванта -- плотность энергии -- масс-спектры -- молекулярный кислород -- пленки фталоцианина меди -- фталоцианин меди -- CuPc -- десорбция -- подложки -- энергетические пороги -- органические пленки -- осаждение пленок Аннотация: Исследованы закономерности лазерно-стимулированной десорбции с поверхности SnO[2] при воздействии 10-нс импульсного излучения неодимового лазера при энергии кванта 2. 34 эВ в диапазоне плотности энергий в импульсе от 1 до 50 мДж/см{2}. По достижении порогового значения энергии в импульсе 28 мДж/см{2} в масс-спектрах десорбции с поверхности SnO[2] обнаружено присутствие молекулярного кислорода O[2], а по достижении порогового значения энергии в импульсе 42 мДж/см{2} наблюдается десорбция олова Sn и частиц SnO и (SnO) [2]. Измерены масс-спектры лазерной десорбции с поверхности SnO[2], покрытой органической пленкой фталоцианина меди (CuPc) толщиной 50 нм. Показано, что лазерное воздействие вызывает фрагментацию молекул CuPc и десорбцию молекулярных фрагментов в диапазоне плотности энергий лазерного импульса от 6 до 10 мДж/см{2}. Наряду с десорбцией молекулярных фрагментов, в этом же энергетическом диапазоне наблюдается слабый десорбционный сигнал компонент подложки O[2], Sn, SnO и (SnO) [2]. Энергетические пороги десорбции атомных компонент подложки с поверхности органической пленки примерно в 5 раз ниже порогов их десорбции с атомно-чистой поверхности SnO[2], что свидетельствует о диффузии атомных компонент SnO[2] подложки в объем осаждаемой органической пленки. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/01/p48-52.pdf Доп.точки доступа: Комолов, А. С.; Комолов, С. А.; Лазнева, Э. Ф.; Туриев, А. М. |
539.2 Э 454 Электрические, оптические и механические свойства аморфного гидрогенизированного углерода, полученного при различных условиях осаждения [Текст] / А. А. Бабаев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 1. - С. 120-122 : ил. - Библиогр.: с. 122 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): энергия активации -- микротвердость -- углеродные пленки -- пленки -- аморфный углерод -- проводимость -- подложки -- кварцевые подложки -- кремниевые подложки -- температура подложки -- электрические свойства -- оптические свойства -- механические свойства -- осаждение пленок -- преломление пленок -- напряженность электрического поля -- электрическое поле Аннотация: Исследованы энергия активации проводимости на постоянном токе, показатель преломления, микротвердость аморфных гидрогенизированных углеродных пленок a-C: H. Пленки были получены из метан-аргоновой смеси при различных условиях осаждения на кварцевые и кремниевые подложки: E/p=40-180 В/мПа (E - напряженность электрического поля между электродами, p - давление газовой смеси в камере), температура подложки T[s]=50-300{o}C. Эти условия осаждения позволяют получать алмазоподобные, полимероподобные, графитоподобные пленки a-C: H, в которых энергия активации проводимости, микротвердость и показатель преломления меняются в значительных пределах. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/01/p120-122.pdf Доп.точки доступа: Бабаев, А. А.; Султанов, С. Б.; Абдулвагабов, М. Ш.; Теруков, Е. И. |
621.315.592 П 641 Потенциальный барьер и фотопотенциал на интерфейсах пленок фторозамещенного и незамещенного фталоцианина меди на поверхности диоксида олова [Текст] / А. С. Комолов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 8. - С. 1012-1016 : ил. - Библиогр.: с. 1015-1016 (20 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Химия Физическая химия в целом Кл.слова (ненормированные): потенциальные барьеры -- ультратонкие покрытия -- фталоцианин меди -- CuPc -- диоксид меди -- поверхность диоксида меди -- интерфейсы пленок -- длина волны -- фотопотенциал поверхности -- органические пленки -- осаждение пленок -- подложки -- спектральные зависимости -- спектры поглощения -- органические материалы -- пучки электронов -- электроны -- спектроскопия полного тока -- СПТ -- электронная плотность -- носители заряда -- фотовольтаические свойства Аннотация: Исследовано формирование потенциального барьера при осаждении ультратонких покрытий фталоцианина меди (CuPc) и 16-фторозамещенного гексадекафлюро-фталоцианина меди (F[16]CuPc) на поверхность поликристаллического диоксида олова, а также при осаждении F[16]CuPc-покрытия поверх пленки CuPc. При освещении приготовленных структур в видимом диапазоне длин волн обнаружено фотоиндуцированное изменение потенциала поверхности. Фотопотенциал поверхности исследованных органических пленок имеет положительный знак относительно подложки, его спектральные зависимости соответствуют спектрам поглощения органических материалов CuPc и F[16]CuPc. Измерения потенциала поверхности проводили с помощью тестирующего пучка медленных электронов на основе методики спектроскопии полного тока. В процессе осаждения пленки CuPc толщиной до 8 нм на подложку SnO[2] обнаружено суммарное уменьшение работы выхода на 0. 2 эВ, а в случае F[16]CuPc/SnO[2] интерфейса обнаружено увеличение работы выхода на 0. 55 эВ. При этом на начальной стадии осаждения при толщине органических пленок на 1. 5 нм пограничный потенциальный барьер соответствовал переносу электронной плотности от органической пленки в подложку как в случае CuPc/SnO[2], так и в случае F[16]CuPc/SnO[2]. Предположено, что фотоиндуцированное изменение потенциала поверхности вызвано разделением носителей заряда в пограничной области толщиной до 1. 5 нм. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/08/p1012-1016.pdf Доп.точки доступа: Комолов, А. С.; Лазнева, Э. Ф.; Комолов, С. А.; Репин, П. С.; Гавриков, А. А. |
621.315.592 В 586 Влияние концентрации олова на состав, оптические и электрические свойства пленок ITO, осажденных методом ультразвукового спрей-пиролиза на кремний и стекло [Текст] / Г. Г. Унтила [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 7. - С. 984-990 : ил. - Библиогр.: с. 989-990 (42 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): оксид индия -- легирование оловом -- олово -- кремниевые солнечные элементы -- солнечные элементы -- СЭ -- метод ультразвукового спрей-пиролиза -- ультразвуковой спрей-пиролиз -- спрей-пиролиз -- подложки -- осаждение пленок -- пленки оксида индия -- ITO -- оптические свойства -- электрические свойства -- кремний -- слоевое сопротивление -- фотонапряжение структур -- пленкообразующие растворы -- поглощение пленок Аннотация: С целью оптимизации свойств легированного оловом оксида индия (ITO) применительно к кремниевым солнечным элементам осаждали пленки толщиной ~100 нм методом ультразвукового спрей-пиролиза при температуре 380oC в аргоне на подложки (nn{+}) -Cz-Si и стекла, варьируя относительное содержание Sn и In в пленкообразующем растворе в диапазоне Sn/In=0-12 ат%. Оптимальные параметры показали пленки, полученные при Sn/In=2-3 ат% в растворе (в пленке Sn/ (In+Sn) =5. 2-5. 3 ат%) : эффективное поглощение пленок на стекле, взвешенное по солнечному спектру в диапазоне длин волн 300-1100 нм, составило 1. 6-2. 1%, слоевое сопротивление пленок на кремнии R[s]=45-55 Ом, пленок на стекле R[s]=165-175 Ом. Через 8 месяцев хранения на воздухе R[s] оптимальных пленок не изменилось, R[s] остальных пленок выросло: для пленок на кремнии до 2 раз, на стекле до 14 раз. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/07/p984-990.pdf Доп.точки доступа: Унтила, Г. Г.; Кост, Т. Н.; Чеботарева, А. Б.; Тимофеев, М. А. |