621.315.592 Л 847 Лундин, В. В. Влияние водорода на анизотропию скорости роста p-GaN при газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на стенках мезаполосков [Текст] / В. В. Лундин, А. Е. Николаев, А. В. Сахаров, А. Ф. Цацульников // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 2. - С. 233-238 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): анизотропия скорости роста -- газофазная эпитаксия -- металлорганические соединения -- мезаполоски -- GaN -- сапфировые подложки Аннотация: Исследовано влияние состава газа-носителя на анизотропию скоростей роста p-GaN при селективной газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Слои p-GaN номинальной толщиной ~400 нм выращивались на гранях GaN мезаполосков, предварительно сформированных локальной эпитаксией в полосковых окнах в Si[3]N[4]. Доп.точки доступа: Николаев, А. Е.; Сахаров, А. В.; Цацульников, А. Ф. |
Неразрушающие методы контроля нанорельефа поверхности на примере сапфировых подложек [Текст] / В. Е. Асадчиков [и др. ] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2008. - Т. 74, N 10. - С. 21-25. - Библиогр.: с. 25 (11 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Механика Измерение механических и геометрических величин Кл.слова (ненормированные): неразрушающие методы контроля -- нанорельеф поверхности -- контроль нанорельефа поверхности -- сапфировые подложки -- шероховатость подложек -- атомно-силовая микроскопия -- рентгеновское рассеяние -- стохастические шероховатые поверхности Аннотация: Исследованы параметры сапфировых подложек методами атомно-силовой микроскопии и рентгеновского рассеяния. Доп.точки доступа: Асадчиков, В. Е.; Буташин, А. В.; Волков, Ю. О.; Грищенко, Ю. В.; Дерябин, А. Н.; Занавескин, М. Л.; Каневский, В. М.; Кожевников, И. В.; Рощин, Б. С.; Тихонов, Е. О.; Толстихина, А. Л.; Федоров, В. А. |
Oптический мониторинг параметров технологических процессов в условиях металлоорганической газофазной эпитаксии [Текст] / П. В. Волков [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 8. - С. 5-10
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура оптики Кл.слова (ненормированные): низкокогерентная тандемная интерферометрия -- полупроводниковые подложки -- газофазная эпитаксия -- оптический коррелометр -- арсенид галлия -- кремний -- сапфировые подложки Аннотация: Впервые продемонстрированы возможности низкокогерентной тандемной интерферометрии для оптического мониторинга температуры полупроводниковой подложки и толщины наращиваемого слоя в условиях металлоорганической газофазной эпитаксии. Абсолютная точность измерений температуры подложек Si, GaAs и сапфира в условиях металлоорганической газофазной эпитаксии ограничена точностью калибровки и составляет плюс минус 1градусов С. Погрешность измерения толщины наращиваемого слоя - 2 нм. Доп.точки доступа: Волков, П. В.; Горюнов, А. В.; Данильцев, В. М.; Лукьянов, А. Ю.; Пряхин, Д. А.; Тертышник, А. Д.; Хрыкин, О. И.; Шашкин, В. И. |
InGaAlN гетероструктуры для светодиодов, выращенные на профилированных сапфировых подложках [Текст] / В. В. Лундин [и др. ] // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 21. - С. 39-45 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- светодиоды -- профилированные сапфировые подложки -- сапфировые подложки Аннотация: Одной из основных причин, лимитирующих предельно достижимую эффективность InGaAlN светодиодов, выращенных на стандартных сапфировых подложках, является низкая эффективность вывода света из прибора. Перспективным методом решения данной проблемы является использование профилированных сапфировых подложек. В работе описан метод формирования микрорельефа на поверхности сапфировых подложек и свойства выращенных на них эпитаксиальных слоев GaN и светодиодных гетероструктур InGaAlN. Доп.точки доступа: Лундин, В. В.; Заварин, Е. Е.; Синицын, М. А.; Николаев, А. Е.; Лундина, Е. Ю.; Сахаров, А. В.; Трошков, С. И.; Цацульников, А. Ф. |
Исследования оптических и структурных свойств короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN для активной области светоизлучающих диодов [Текст] / Н. В. Крыжановская [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 6. - С. 857-863 : ил. - Библиогр.: с. 862-863 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): сверхрешетки -- короткопериодные сверхрешетки -- InGaN/GaN -- светоуизлучающие диоды -- оптические свойства -- подложки -- сапфировые подложки -- МОС-гидридная эпитаксия -- метод МОС-гидридной эпитаксии -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- метод просвечивающей электронной микроскопии Аннотация: Представлены результаты исследований структурных и оптических свойств короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN, синтезированных методом МОС-гидридной эпитаксии на сапфировых подложках. Для формирования сверхрешеток использовался метод периодического прерывания роста слоя InGaN с подачей водорода в реактор. Показано, что при использовании предложенного метода происходит формирование периодической структуры InGaN/GaN с развитыми интерфейсами и областями смыкания соседних слоев InGaN, не коррелированными в вертикальном направлении. Формирование таких областей приводит к сильной зависимости формы спектров излучения сверхрешеток от числа периодов в диапазоне 400-470 нм. Доп.точки доступа: Крыжановская, Н. В.; Лундин, В. В.; Николаев, А. Е.; Цацульников, А. Ф.; Сахаров, А. В.; Павлов, М. М.; Черкашин, Н. А.; Hytch, M. J.; Вальковский, Г. А.; Яговкина, М. А.; Усов, С. О. |
Структурные и оптические свойства InAlN/GaN распределенных брегговских отражателей [Текст] / С. О. Усов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 7. - С. 981-985 : ил. - Библиогр.: с. 985 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): распределение брегговских отражателей -- РБО -- брегговские отражатели -- структурные свойства -- оптические свойства -- InAlN/GaN -- газофазная эпитаксия -- ГФЭ -- метод газофазной эпитаксии -- металлоорганические соединения -- МО -- сапфировые подложки -- подложки -- эпитаксиальные слои Аннотация: Проведено исследование структурных и оптических свойств InAlN/GaN распределенных брегговских отражателей, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на сапфировых подложках. Исследовано влияние режимов роста и толщин слоев InAlN на структурные свойства распределенных брегговских отражателей. Показано, что оптимизация режимов эпитаксиального роста позволяет создавать InAlN/GaN распределенные брегговские отражатели с коэффициентом отражения более 99% и максимумом отражения в диапазоне длин волн 460-610 нм. Доп.точки доступа: Усов, С. О.; Заварин, Е. Е.; Цацульников, А. Ф.; Лундин, В. В.; Сахаров, А. В.; Николаев, А. Е.; Синицын, М. А.; Крыжановская, Н. В.; Трошков, С. И.; Леденцов, Н. Н. |
Рентгеновская дифрактометрия и сканирующая микро-рамановская спектроскопия неоднородностей структуры и деформаций по глубине многослойной гетероструктуры InGaN/GaN [Текст] / В. В. Стрельчук [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 9. - С. 1236-1247 : ил. - Библиогр.: с. 1246-1247 (50 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): рентгеновская дифрактометрия -- сканирующая микро-рамановская спектроскопия -- гетероструктуры -- многослойные гетероструктуры -- InGaN/GaN -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- неоднородности структуры -- деформация -- МОС-гидридная эпитаксия -- буферные слои -- сапфировые подложки -- подложки -- сверхрешетки -- твердые растворы -- квантовые ямы -- КЯ -- рентгеновские исследования -- оптические исследования Аннотация: Методом высокоразрешающей рентгеновской дифракции и сканирующей конфокальной спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС) исследованы пространственное распределение деформаций в слоях In[x]Ga[1-x]N/GaN и кристаллическое качество слоев многослойной светодиодной структуры, полученной методом МОС-гидридной эпитаксии (MOCVD) на сапфировой подложке ориентации (0001). Показано, что упругие деформации практически полностью релаксируют на гетерогранице между толстым буферным слоем GaN и буферной сверхрешеткой In[x]Ga[1-x]N/GaN. Установлено, что слои GaN в сверхрешетке находятся в состоянии растяжения, а слои твердого раствора - в состоянии сжатия. В абсолютных значениях деформации растяжения слоев GaN меньше, чем деформации сжатия слоев InGaN. Показано, что слои сверхрешетки являются менее дислокационными по сравнению с буферными слоями, с более хаотичным распределением дислокаций. Исследования спектров микро-КРС при сканировании по глубине многослойной структуры позволили получить прямое доказательство наличия градиентного асимметричного профиля распределения деформаций и кристаллического качества эпитаксиальных нитридных слоев вдоль направления роста. Показано, что интенсивность излучения квантовых ям IIn[x]Ga[1-x]N значительно превышает (более чем в 30 раз) излучение барьерных слоев GaN, и это свидетельствует о высокой эффективности захвата носителей квантовой ямой. Доп.точки доступа: Стрельчук, В. В.; Кладько, В. П.; Авраменко, Е. А.; Коломыс, А. Ф.; Сафрюк, Н. В.; Конакова, Р. В.; Явич, Б. С.; Валах, М. Я.; Мачулин, В. Ф.; Беляев, А. Е. |
Рекристаллизация с границы раздела кремний-сапфир как новый метод получения структурно совершенных пленок кремния на сапфировой подложке [Текст] / П. А. Александров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 10. - С. 1433-1435 : ил. - Библиогр.: с. 1435 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): границы раздела -- сапфир -- пленки кремния -- сапфировые подложки -- кремниевые слои -- рекристаллизация -- твердофазная рекристаллизация -- дефекты -- рентгеновская дифракция -- КНС -- кремний на сапфире -- аморфные слои -- имплантация ионов -- отжиг Аннотация: Использование процесса твердофазной рекристаллизации в значительной степени уменьшает количество дефектов в кремниевом слое. Аморфный слой создавался имплантацией ионов кремния. Кристаллическое качество КНС-структур оценивалось методом высокоразрешающей двухкристальной рентгеновской дифракции. Высококачественные кремниевые слои с толщиной d=1000-2500 Angstrem получались после имплантации ионов кремния (с энергией 150 кэВ) и последующего высокотемпературного отжига. Доп.точки доступа: Александров, П. А.; Демаков, К. Д.; Шемардов, С. Г.; Кузнецов, Ю. Ю. |
539.2 Б 799 Большаков, А. Д. Расчет функции распределения GaAs полупроводниковых наноигл по размерам [Текст] / А. Д. Большаков, авт. В. Г. Дубровский // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 8. - С. 10-16 : ил. - Библиогр.: с. 15-16 (19 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Математическая физика Кл.слова (ненормированные): наноиглы -- полупроводниковые наноиглы -- функции распределения -- теоретический анализ -- ансамбли наноигл -- эволюция наноигл -- сапфировые подложки -- кремниевые подложки -- результаты расчетов -- размеры наноигл -- рост наноигл -- закон Гаусса -- Гаусса закон Аннотация: Проведен теоретический анализ эволюции во времени ансамбля GaAs полупроводниковых наноигл, выращиваемых на рассогласованных подложках (Si или сапфир). Расчет выполнен в предположении гауссового закона нуклеации наноиглы и постоянства ее формы в ходе дальнейшего роста. Определена функция распределения наноигл по размерам в различные моменты времени. Полученные результаты могут использоваться при оптимизации ростовых методик для получения ансамблей наноигл с заданной морфологией. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/08/p10-16.pdf Доп.точки доступа: Дубровский, В. Г. |
621.315.592 В 758 Воротынцев, В. М. Применение имплантации ионов кремния для формирования структурно-совершенных слоев кремния на сапфире [Текст] / В. М. Воротынцев, Е. Л. Шолобов, В. А. Герасимов // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 12. - С. 1662-1666 : ил. - Библиогр.: с. 1665 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): имплантация ионов -- ионы кремния -- кремний на сапфире -- КНС -- сапфировые подложки -- кристаллические структуры -- эпитаксиальные слои -- твердофазная рекристаллизация -- кремний на изоляторе -- КНИ -- электрофизические параметры -- структурные параметры -- сравнительный анализ Аннотация: Приведены результаты исследований метода улучшения кристаллической структуры эпитаксиального слоя кремния на сапфировой подложке путем его предварительной аморфизации высокоэнергетическими ионами кремния и последующего восстановления (твердофазной рекристаллизации) до структурно-совершенного монокристаллического состояния. Проведен сравнительный анализ структурных и электрофизических параметров композиций "кремний на сапфире" до и после твердофазной рекристаллизации. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/12/p1662-1666.pdf Доп.точки доступа: Шолобов, Е. Л.; Герасимов, В. А. |
538.958 О-658 Ориентированные наностержни ZnO и их ИК-спектры отражения [Текст] / В. Е. Кайдашев [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 11. - С. 1628-1631 : Рис. - Библиогр.: c. 1631 (4 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): выращивание нанокристаллов -- ИК-спектроскопия -- импульсное лазерное распыление -- катализаторы роста -- кремниевые подложки -- кристаллическая структура -- монокристаллы ZnO -- наностержни ZnO -- сапфировые подложки -- электропроводность Аннотация: Импульсным лазерным напылением изготовлены наностержни ZnO, образующие ориентированные структуры на подложках из сапфира и кремния. Доп.точки доступа: Кайдашев, В. Е.; Кайдашев, Е. М.; Мисочко, О. В.; Максимук, М. Ю.; Фурсова, Т. Н.; Баженов, А. В. |
539.2 И 889 Исследование рекристаллизации KHC-структур при разных энергиях аморфизирующего пучка ионов / П. А. Александров [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 2. - С. 264-266 : ил. - Библиогр.: с. 266 (7 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кремниевые пленки -- сапфировые подложки -- границы раздела -- аморфные слои -- ионная имплантация -- кремний на изоляторе -- КНИ -- кремний на сапфире -- КНС -- рекристаллизация структур -- твердофазная рекристаллизация -- ТФР -- пучки ионов -- ионы Аннотация: Кремниевые пленки на сапфировой подложке были получены с помощью рекристаллизации с границы раздела кремний-сапфир. Аморфный слой формировался при помощи ионной имплантации с энергией ионов кремния 90-150 кэВ. Рентгеновская кривая качания использовалась для оценки кристаллического совершенства кремниевых пленок. После рекристаллизации кремниевый слой состоял из двух частей с разным структурным качеством. Рекристаллизованные структуры кремний на сапфире имеют высокосовершенный верхний слой (для производства приборов микроэлектроники) и нижний слой с большим количеством дефектов, прилегающий к сапфировой подложке. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/02/p264-266.pdf Доп.точки доступа: Александров, П. А.; Демаков, К. Д.; Шемардов, С. Г.; Кузнецов, Ю. Ю. |
621.315.592 С 750 Сравнение свойств светодиодных кристаллов AlGaInN вертикальной и флип-чип конструкции с использованием кремния в качестве платы-носителя / Л. К. Марков [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 3. - С. 386-391 : ил. - Библиогр.: с. 391 (11 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): светодиодные кристаллы -- кристаллы -- свойства кристаллов -- AlGaInN -- кремний -- Si -- вертикальные светодиодные кристаллы -- флип-чип светодиодные кристаллы -- сапфировые подложки -- подкристальное плато -- поверхность кристаллов -- сравнение кристаллов Аннотация: Проведено сравнение вертикальных и флип-чип светодиодных кристаллов AlGaInN с точки зрения характера растекания тока в активной области, распределения локальных температур и тепловых сопротивлений кристаллов. Были изготовлены светодиодные кристаллы AlGaInN вертикальной конструкции с использованием кремния в качестве подложки-носителя и флип-чип светодиодные кристаллы с удаленной сапфировой подложкой, также размещенные на кремниевой подкристальной плате. Активные области обоих кристаллов совпадали и составили порядка 1 мм{2}. Было показано, что как светимость поверхности кристалла в видимом диапазоне, так и распределение локальных температур, оцененное по излучению в инфракрасном диапазоне, более однородны в кристаллах вертикальной конструкции. Теплоотвод кристаллов флип-чип конструкции недостаточен в областях n-контакта, которые не имеют хорошего теплового контакта с подкристальной платой. В итоге суммарные тепловые сопротивления между p-n-переходом и кремниевой платой как кристаллов вертикальной конструкции, так и флип-чип кристаллов составили приблизительно 1 К/Вт. При этом общая площадь кристалла флип-чип конструкции превышает площадь кристалла вертикальной конструкции в 1. 4 раза. In this paper, AlGaInN vertical and flip-chip LED chips are compared in the view of a current spreading behavior in the active region, local temperature distributions, and chip thermal resistance. AlGaInN LED chips of vertical design with a use of silicon as a submount and flip chip LED chips with the removed sapphire substrate also placed on the silicon submount have been fabricated. The active regions of both chips were equal and made about 1mm2. It is shown that the chip surface emittance in the visible range as well as the local temperature distribution evaluted by radiation in the infrared range are more uniform for the vertical chips. Heat sink of the flip-chip LED chips is insufficient in the vicinity of n-contact, where a good thermal contact with the submount is absent. As a result, the total thermal resistances between p-n-junction and silicon submount of the LED chips of vertical design as well as of flip-chip design were approximately1K/W. In this case, the total area of the flip-chip LED chip was1. 4 times higher than that of the vertical chip. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/03/p386-391.pdf Доп.точки доступа: Марков, Л. К.; Смирнова, И. П.; Павлюченко, А. С.; Кукушкин, М. В.; Васильева, Е. Д.; Черняков, А. Е.; Усиков, А. С. |
539.2 E 27 Effects of high-temperature AlN buffer on the microstructure of AlGaN/GaN HEMTs / S. Corekci [et al.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 6. - С. 810-814 : ил. - Библиогр.: с. 814 (37 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): электроны -- подвижность электронов -- высокотемпературные структуры -- сапфировые подложки -- рентгеновская дифракция -- метод рентгеновской дифракции -- атомно-силовая микроскопия -- метод атомно-силовой микроскопии -- микроструктурные эпитаксиальные слои -- эпитаксиальные слои -- буферные слои -- подложки Аннотация: Effects on AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor structure of a high-temperature AlN buffer on sapphire substrate have been studied by high-resolution x-ray diffraction and atomic force microscopy techniques. The buffer improves the micro structural quality of GaN epilayer and reduces approximately one order of magnitude the edge-type threading dislocation density. As expected, the buffer also leads an atomically flat surface with a low root-mean-square of 0. 25 nm and a step termination density in the range of 10{8} cm{-2}. Due to the high-temperature buffer layer, no change on the strain character of the GaN and AlGaN epitaxial layers has been observed. Both epilayers exhibit compressive strain in parallel to the growth direction and tensile strain in perpendicular to the growth direction. However, a high-temperature AlN buffer layer on sapphire substrate in the HEMT structure reduces the tensile stress in the AlGaN layer. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/06/p810-814.pdf Доп.точки доступа: Corekci, S.; Ozturk, M. K.; Hongbo, Yu.; Cakmak, M.; Ozcelik, S.; Ozbay, E. |
536.42 Б 140 Багамадова, А. М. Влияние состава газа-носителя на электрические и люминесцентные свойства пленок оксида цинка, полученных методом CVD / А. М. Багамадова, Е. М. Зобов, А. К. Омаев // Журнал технической физики. - 2014. - Т. 84, № 5. - С. 78-81. - Библиогр.: c. 81 (8 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): оксид цинка -- тонкие пленки -- фотолюминесценция -- газы-носители -- CVD метод -- эпитаксиальные слои -- дефектно-примесные структуры -- выращивание пленок -- центры излучательной рекомбинации -- излучательная рекомбинация -- зеленая полоса люминесценции -- сапфировые подложки Аннотация: Исследованы электрические и люминесцентные свойства пленок оксида цинка, выращенных методом CVD на сапфировых подложках при использовании различных газов-носителей. Установлено, что использование в качестве газа-носителя водорода, кислорода и аммиака при выращивании пленок не приводит к существенному изменению дефектно-примесной структуры кристаллов. Только водород способен уменьшать концентрацию центров излучательной рекомбинации, ответственных за характерную для оксида цинка "зеленую" полосу люминесценции. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2014/05/p78-81.pdf Доп.точки доступа: Зобов, Е. М.; Омаев, А. К.; Институт физики им. Х. И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН; Институт физики им. Х. И. Амирханова Дагестанского научного центра РАНИнститут физики им. Х. И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН |
539.2 М 744 Моделирование напряженно-деформированного состояния в тонких структурированных пленках нитрида галлия на сапфировых подложках / И. Н. Ивукин [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 12. - С. 2294-2297. - Библиогр.: с. 2297 (11 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): тонкие структурированные пленки -- нитрид галлия -- тонкие структурированные пленки -- сапфировые подложки -- напряженно-деформированные состояния Аннотация: Представлены результаты моделирования напряженно-деформированного состояния в тонких структурированных пленках нитрида галлия на сапфировых подложках, содержащих открытые поры. Результаты получены методом конечных элементов в коммерческом программном комплексе. Вычислен коэффициент интенсивности напряжений K[I] для модели, рассматривающей трещину на границе GaN/сапфир вблизи открытой поры. На основании расчетов упругих полей получена оценка перераспределения напряжений структурой с упорядоченным массивом открытых пор в пленках нитрида галлия. Доп.точки доступа: Ивукин, И. Н.; Артемьев, Д. М.; Бугров, В. Е.; Одноблюдов, М. А.; Романов, А. Е. |