539.2 А 91 Астахов, В. П. Исследование планарных фотодиодных структур на кристаллах InSb методом наведенного тока [Текст] / В. П. Астахов, М. В. Астахов, В. В. Карпов, Е. Б. Якимов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 1. - С. 50-54 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): планарные фотодиодные структуры -- фотодиодные структуры -- кристаллы InSb -- метод наведенного тока -- имплантация ионов -- анодное окисление -- защита поверхности Аннотация: Методом наведенного тока исследованы многоэлементные планарные фотодиодные структуры на кристаллах InSb, полученные с применением имплантации ионов Ве{+} при формировании p{+}-n{-}-перехода и анодного окисления для защиты поверхности. Обнаружено влияние степени легирования исходных кристаллов на распределение наведенного тока по поверхности кристаллов за пределами планарных границ p{+}-n{-}-переходов. Показано, что наиболее совершенные p{+}-n{-}-переходы формируются на наиболее высокоомных кристаллах при применении наименьших из использованных энергий и доз имплантации, а также постимплантационного импульсного фотонного отжига. Произведены оценки величин диффузионной длины во всех типах изучавшихся структур. Обнаружена зависимость степени зарядки анодного оксида электронным пучком от состава электролита при анодировании. Доп.точки доступа: Астахов, М. В.; Карпов, В. В.; Якимов, Е. Б. |
539.2 А 910 Астахов, В. П. Исследование планарных фотодиодных структур на кристаллах InSb методом наведенного тока [Текст] / В. П. Астахов, М. В. Астахов, В. В. Карпов, Е. Б. Якимов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 1. - С. 50-54 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): планарные фотодиодные структуры -- фотодиодные структуры -- кристаллы InSb -- метод наведенного тока -- имплантация ионов -- анодное окисление -- защита поверхности Аннотация: Методом наведенного тока исследованы многоэлементные планарные фотодиодные структуры на кристаллах InSb, полученные с применением имплантации ионов Ве{+} при формировании p{+}-n{-}-перехода и анодного окисления для защиты поверхности. Обнаружено влияние степени легирования исходных кристаллов на распределение наведенного тока по поверхности кристаллов за пределами планарных границ p{+}-n{-}-переходов. Показано, что наиболее совершенные p{+}-n{-}-переходы формируются на наиболее высокоомных кристаллах при применении наименьших из использованных энергий и доз имплантации, а также постимплантационного импульсного фотонного отжига. Произведены оценки величин диффузионной длины во всех типах изучавшихся структур. Обнаружена зависимость степени зарядки анодного оксида электронным пучком от состава электролита при анодировании. Доп.точки доступа: Астахов, М. В.; Карпов, В. В.; Якимов, Е. Б. |
539.2 А 910 Астахов, В. П. Особенности адгезионных свойств пленок на ионно-легированных приборных структурах [Текст] / В. П. Астахов, В. В. Карпов [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 6. - С. 87-92 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): адгезионные свойства -- пленки (физика) -- ионно-легированные приборные структуры -- InSb -- SiO[x] Аннотация: Исследованы особенности адгезии диэлектрических и металлических пленок в приборных структурах на основе InSb, изготовленных в условиях промышленного производства. Выявлены основные факторы, влияющие на качество адгезии диэлектрика SiO[x] на антимониде индия и приводящие к сезонному эффекту снижения процента выхода годных приборов. Установлено, что дополнительное имплантационное легирование рабочих и периферийных областей приборных структур значительно улучшают адгезию покрытий. Эффект от имплантационного легирования сильно зависит от степени структурного совершенства исходного монокристалла, подготовки его поверхности и особенностей технологического цикла изготовления приборов. Доп.точки доступа: Карпов, В. В.; Крапухин, В. В.; Максимов, А. Д.; Туловчиков, В. С.; Тетельбаум, Д. И. |
Астахов, В. П. Подготовка современных специалистов по бухгалтерскому учету [Текст] / В. П. Астахов // Бухгалтерский учет. - 2010. - N 11. - С. 116-117 . - ISSN 0321-0154
Рубрики: Образование. Педагогика Высшее профессиональное образование Кл.слова (ненормированные): бухгалтеры -- профессиональная подготовка -- учебные программы -- качество профессиональной подготовки -- специалисты по бухгалтерскому учету Аннотация: Обобщена сложившаяся тенденция по обучению специалистов в области бухгалтерского учета. Сделан акцент на повышение качества их профессиональной подготовки. |