Формирование буферного слоя субоксидов кремния SiOx в низкоразмерной гетеросистеме Si/SiO[2] после имплантации ионами Si{+}: рентгеновские Si L[2, 3]-эмиссионные спектры [Текст] / Д. А. Зацепин [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 11. - С. 2113-2117. - Библиогр.: с. 2117 (25 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): рентгеновская эмиссионная спектроскопия -- кремний -- субоксиды кремния -- ионно-лучевые модификации интерфейсных границ -- интерфейсные границы -- имплантация ионами -- полупроводники -- решетки нанокристаллов Аннотация: Представлены результаты исследования методом рентгеновской L[2, 3]-эмиссионной (электронный переход Si 3d3s стремящейся кSi 2p1/2, 3/2) спектроскопии низкоразмерных гетеронаноструктур n-Si/SiO[2] с различной толщиной оксидной пленки (20 и 500 nm) после имплантации ионами Si+ с энергиями 12 и 150 keV. Для гетероструктуры с толщиной диоксида кремния 20 nm выявлена и изучена ионно-лучевая модификация интерфейсной границы. Анализ рентгеновских Si L[2, 3]-эмиссионных спектров показал, что имплантация ионами Si+ приводит к самоупорядочению структуры изначально аморфной 20 nm пленки SiO[2] вследствие эффекта больших доз. Предложен механизм ионно-лучевой модификации границы раздела фаз диэлектрик-полупроводник. В случае гетероструктуры с толщиной диоксида кремния 500 nm существенной перестройки атомной и электронной структуры после ионной имплантации обнаружено не было. Доп.точки доступа: Зацепин, Д. А.; Панин, Е. А.; Kaschieva, S.; Fitting, H. -J.; Шамин, С. Н. |
Формирование и "белая" фотолюминесценция нанокластеров в пленках SiO[x], имплантированных ионами углерода [Текст] / А. И. Белов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1498-1503 : ил. - Библиогр.: с. 1503 (31 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- нанокластеры -- ионы углерода -- кластеры -- нанокристаллы -- высокотемпературный отжиг -- отжиг -- оксид кремния -- SiOx -- имплантация ионов -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия -- РФЭС -- метод рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии Аннотация: Приведены экспериментальные данные по ионному синтезу нанокомпозитных слоев с углеродсодержащими кластерами и нанокристаллами Si при облучении пленок нестехиометрического оксида кремния SiO[x] ионами углерода с последующим высокотемпературным отжигом. Показано, что при достаточно больших дозах C{+} пленки обладают фотолюминесценцией в области спектра, охватывающей весь видимый диапазон и ближнюю инфракрасную область. Формирование указанных кластеров и нанокристаллов подтверждается методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, причем распределение углерода практически воспроизводит расчетный профиль пробегов ионов, т. е. отсутствует заметное диффузионное перераспределение этого элемента. Предложена качественная модель слоистого строения ионно-синтезированных структур. Доп.точки доступа: Белов, А. И.; Михайлов, А. Н.; Николичев, Д. Е.; Боряков, А. В.; Сидорин, А. П.; Грачев, А. П.; Ершов, А. В.; Тетельбаум, Д. И. |