62 С 558 События и факты из мира науки и техники [Текст] // Физика в школе. - 2002. - N 1 . - ISSN 0130-5522
Рубрики: Техника--Общие вопросы техники Наука. Науковедение--Общие вопросы науки Кл.слова (ненормированные): скорость света -- коротковолновые лазеры -- чипы -- изготовление чипов -- рентгеновские линзы -- кремниевые светодиоды -- селективная импульсная фототерапия -- рентгенография -- портативные спектрофотометры -- приборы -- волоконно-оптические линии -- дактилоскопия -- теплоизолирующие окна -- анализ крови -- искусственные хрусталики -- очки для близоруких -- воздух -- очищение воздуха -- светильники -- фотоионизационные датчики -- чувствительные газоанализаторы -- сенсорные устройства -- оптоволокна Аннотация: Различные события и факты из области науки и техники. |
621.3 С 544 Соболев, Н. А. Кремниевые светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре, изготовленные имплантацией ионов эрбия и газофазного осаждения поликристаллических слоев кремния, сильно легированных бором и фосфором [Текст] / Н. А. Соболев, А. М. Емельянов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 5. - С. 635-638 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): светодиоды -- кремниевые светодиоды -- дислокационная люминесценция -- люминесценция -- имплантация ионов -- эрбий -- газофазное осаждение -- поликристаллические слои -- легирование Аннотация: Изготовлены светодиоды, в которых оптически активные центры образуются при имплантации в кремний ионов эрбия и последующем высокотемпературном отжиге в окисляющей атмосфере, а p-n-переход и омический контакт формируются путем газофазного осаждения поликристаллических слоев кремния, легированных бором и фосфором соответственно. Исследованы люминесцентные свойства светодиодов. Применение поликристаллических слоев позволяет избежать потерь в толще светоизлучающего слоя Si : Er, которые неизбежны при использовании традиционых методов ионной имплантации и диффузии. При 80 K трансформация спектров электролюминесценции в области дислокационной люминесценции в зависимости от тока хорошо описывается при разложении спектра на три гауссовы кривые, положения максимумов которых и их ширины не зависят от тока, а амплитуды линейно возрастают с током. При 300 K в области дислокационной люминесценции наблюдается один максимум с длиной волны ~1. 6 мкм. Доп.точки доступа: Емельянов, А. М.; Забродский, В. В.; Забродская, Н. В.; Суханов, В. Л.; Шек, Е. И. |
621.315.592 Е 601 Емельянов, А. М. Кремниевые светодиоды с большой мощностью излучения краевой люминесценции [Текст] / А. М. Емельянов, авт. Н. А. Соболев // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 3. - С. 331-335 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кремниевые светодиоды -- краевая люминесценция -- люминесценция -- межзонные переходы Аннотация: При комнатной температуре исследована электролюминесценция в области межзонных переходов кремниевых светодиодов, полученных путем резки солнечного элемента площадью 21 см\{2\} и имевшего внешнюю квантовую эффективность электролюминесценции эта[ext] до 0. 85%. Несмотря на значительное уменьшение эта[ext] вследствие резки и оже-рекомбинации, при импульсных токах до 10 А и площадях структур из диапазона S=0. 1-0. 9 см2 достигнуты рекордные значения общей излучаемой диодом мощности до W=8 мВт, а также мощности, излучаемой с единицы площади, до P[0]=65 мВт/см[2]. Для светодиодов различной площади измерена кинетика спада электролюминесценции. Определены диаграмма направленности излучения в Si-светодиоде с текстурированной поверхностью и распределение интенсивности по различным направлениям излучающей площади светодиода. Доп.точки доступа: Соболев, Н. А. |
Емельянов, А. М. Мощные кремниевые светодиоды с краевой люминесценцией [Текст] / А. М. Емельянов, Н. А. Соболев // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 4. - С. 64-70
Рубрики: Физика Физические приборы и методы физического эксперимента Кл.слова (ненормированные): кремниевые светодиоды -- солнечные элементы -- краевая электролюминесценция Аннотация: Из кремниевого солнечного элемента с текстурированной поверхностью площадью 21 cm\{2\} путем резки изготовлены светодиоды с максимальной внешней квантовой эффективностью краевой электролюминесценции при комнатной температуре ~ 0. 8%, в которых при импульсном токе 18 A и площади излучающей поверхности около 3 cm\{2\} достигнута рекордная мощноcть краевой электролюминесценции ~ 46 mW при внешней квантовой эффективности ~ 0. 18%. Исследованы зависимости параметров светодиодов от величины тока и распределение излучения по площади структуры. Доп.точки доступа: Соболев, Н. А. |
Соболев, Н. А. Инженерия дефектов в имплантационной технологии кремниевых светоизлучающих структур с дислокационной люминесценцией [Текст] : обзор / Н. А. Соболев // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 3-25 : ил. - Библиогр.: с. 23-25 (94 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): имплантация -- ионная имплантация -- светоизлучающие структуры -- СИС -- кремниевые светоизлучающие структуры -- люминесценция -- электролюминесценция -- ЭЛ -- фотолюминесценция -- ФЛ -- дислокационная люминесценция -- ДЛ -- длина волны -- инженерия дефектов -- образование дефектов -- спектры -- полупроводниковые приборы -- имплантация ионов -- Er -- эрбий -- Dy -- диспрозий -- Ho -- гольмий -- O -- кислород -- Si -- кремний -- светодиды -- СД -- кремниевые светодиоды -- собственные точечные дефекты -- СТД -- протяженные структурные дефекты -- петли Франка -- Франка петли -- отжиг -- люминесцентные центры -- температура -- хлорсодержащая атмосфера -- ХСА -- твердофазная эпитаксия -- ТФЭ -- жидкофазная эпитаксия -- ЖФЭ -- обзоры Аннотация: Обобщаются результаты по развитию физических основ технологии, основанной на ионной имплантации, для разработки кремниевых светоизлучающих структур с дислокационной люминесценцией на область длин волн вблизи ~1. 6 мкм. Развитие концепции инженерии дефектов в технологии полупроводниковых приборов позволило установить закономерности процесса образования дефектов и выявить особенности, возникающие в спектрах излучения при изменении условий имплантации ионов Er, Dy, Ho, O, Si и последующего отжига, и создавать светоизлучающие структуры с желательным спектром люминесцентных центров и протяженных структурных дефектов. Найдены технологические условия, при которых в светоизлучающем слое вводится только один тип протяженных структурных дефектов (петли Франка, совершенные призматические петли или чисто краевые дислокации), что позволило исследовать корреляцию между концентрацией протяженных дефектов определенного типа и интенсивностью линий дислокационной люминесценции. Выявлена определяющая роль собственных точечных решеточных дефектов в зарождении и трансформации протяженных структурных дефектов и люминесцентных центров, ответственных за дислокационную люминесценцию. Установлено, что эффективность возбуждения люминесценции представляющих наибольший интерес для практического применения так называемых центров D1 изменяется более чем на 2 порядка в структурах, приготовленных разными технологическими методами. Изготовлены высокоэффективные кремниевые светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре. |
Емельянов, А. М. Краевая электролюминесценция монокристаллического кремния при температуре 80 K: структуры на основе высокоэффективного солнечного элемента [Текст] / А. М. Емельянов // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 2. - С. 231-236. - Библиогр.: с. 236 (20 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): краевая электролюминесценция -- электролюминесценция -- монокристаллический кремний -- кремниевые светодиоды -- высокоэффективные солнечные элементы -- внешняя квантовая эффективность -- свободные экситоны -- люминесценция электронно-дырочная плазма Аннотация: В широком диапазоне импульсных токов при температуре 80 K исследованы спектральные, кинетические и мощностные характеристики краевой электролюминесценции кремниевых светодиодов с излучающей площадью 0. 055 cm{2}, полученных путем резки высокоэффективного солнечного элемента. В отличие от ряда исследованных ранее и менее эффективных кремниевых светодиодов внешняя квантовая эффективность при фиксированном токе была выше при 80 K, чем при 300 K, и достигала максимальной величины около 0. 4%. Несмотря на проявление механизма Оже-рекомбинации при импульсном токе 12 A достигнута рекордная мощность излучения с единицы площади P = 0. 2 W/cm{2}. Показано, что достижение этой рекордной величины в значительной мере связано с изменением механизма излучательной рекомбинации при больших токах. Анализируются условия перехода от люминесценции свободных экситонов к люминесценции электронно-дырочной плазмы. |