535.33 В 650 Воинкова, И. В. Распределение концентрации фтора по глубине при радиационной карбонизации ПВДФ [Текст] / И. В. Воинкова, Л. А. Песин [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 8. - С. 20-24 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): фтор -- распределение концентрации фтора -- поливинилиденфторид -- радиационная карбонизация -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия Аннотация: Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии измерена интегральная интенсивность F1s-спектра и его сателлита в процессе долговременной радиационной карбонизации поливинилиденфторида (ПВДФ). Предложена модель, описывающая влияние распределения фтора по глубине на форму и интенсивность Fls-спектров. На основе сопоставления экспериментальных данных и модельных расчетов проведена оценка концентрационной неоднородности при радиационной карбонизации ПВДФ, а также глубины выхода фотоэлектронов и вероятности однократной потери энергии фотоэлектроном при транспортировке к поверхности. Описан способ определения концентрации фтора, основанный на существовании химических сдвигов C1s-линии в сторону большей энергии связи для тех атомов углерода, которые химически связаны с одним или двумя атомами фтора. Доп.точки доступа: Песин, Л. А.; Волегов, А. А.; Евсюков, С. Е.; Грибов, И. В.; Кузнецов, В. Л.; Москвина, Н. А. |
539.2 Р 598 Рогозин, И. В. Исследование особенностей роста пленок GaN в системе GaN-GaAs методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии [Текст] / И. В. Рогозин // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 8. - С. 78-81 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): пленки GaN -- рост пленок -- система GaN-GaAs -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия Аннотация: Пленки GaN получены на подложках GaAs (111) методом радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии. Химический состав поверхности подложки и стехиометрия пленок исследовались методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Обнаружено, что при низких температурах на начальных стадиях роста на поверхности GaAs образуются связи Ga-N и As-N. Установлено, что длительный отжиг пленок GaN в присутствии радикалов азота приводит к сдвигу стехиометрии в сторону избытка азота. |
539.2 А 514 Алов, Н. В. Ионно-лучевое восстановление поверхности высших оксидов молибдена и вольфрама [Текст] / Н. В. Алов, Д. М. Куцко, К. В. Бордо // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 3. - С. 17-22 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): ионно-лучевое восстановление поверхности -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия -- оксид молибдена -- оксид вольфрама -- вакуум Аннотация: Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии исследован процесс восстановления поверхности оксидов МоО[3] и WO[3] при облучении ионами Ar\{+\} и О[2]\{+\} с энергией 3 кэВ в условиях высокого вакуума. Доп.точки доступа: Куцко, Д. М.; Бордо, К. В. |
621.3 С 899 Супрун, С. П. Низкотемпературная перекристаллизация нанометровых слоев Ge на ZnSe [Текст] / С. П. Супрун, авт. Е. В. Федосенко // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 5. - С. 609-614 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): ZnSe -- Ge -- нанометровые слои -- перекристаллизация -- низкотемпературная перекристаллизация -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия Аннотация: Приведены результаты наблюдения в динамике методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии процесса низкотемпературной перекристаллизации аморфного слоя Ge, осажденного при комнатной температуре на пленку ZnSe. Показано, что экспериментально измеренные сдвиги остовного уровня германия 3d согласуются с изменениями кристаллической структуры слоя, наблюдаемыми методом дифракции быстрых электронов на отражение, и могут быть объяснены последовательными изменениями Ge на наноуровне с ростом температуры. Доп.точки доступа: Федосенко, Е. В. |
Исследование особенностей структуры и химического состава границ зерен магнитных материалов на основе гексаферрита стронция [Текст] / М. И. Ивановская [и др. ] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2008. - Т. 74, N 8. - С. 32-36. - Библиогр.: с. 36 (10 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Химия Физическая химия в целом Физика Магнетизм Кл.слова (ненормированные): магнитные материалы -- зерна магнитных материалов -- гексаферриты стронция -- микроструктура гексаферрита стронция -- микродобавки -- распределение микродобавок -- кристаллиты -- спеченные магниты -- структурные методы -- спектральные методы -- рентгеновский микроанализ -- ИК-спектроскопия -- Оже-спектроскопия -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия Аннотация: Рассматриваются методологические подходы к изучению микроструктуры гексаферрита стронция, характера распределения микродобавок и особенностей их химического и электронного состояния на поверхности и в объеме кристаллитов спеченных образцов. Доп.точки доступа: Ивановская, М. И.; Паньков, В. В.; Котиков, Д. А.; Чернякова, К. В.; Ломоносов, В. А.; Шамбалев, В. Н.; ОП РУП "Феррит"; "Феррит", ОП РУП; Феррит, ОП РУП |
Лазерная абляция политетрафторэтилена [Текст] / П. Н. Гракович [и др. ] // Российский Химический Журнал (ЖРХО им. Д.И.Менделеева). - 2008. - Т. 52, N 3. - С. 97-105. - Библиогр.: с. 104-105 (40 назв. ) . - ISSN 0373-0247
Рубрики: Химическая технология Полимеры и пластмассы на основе элементоорганических соединений Кл.слова (ненормированные): вязкость расплава -- кластеры -- лазерная абляция -- лазерное излучение -- механизм трансформации энергии -- поверхностное натяжение -- политетрафторэтилен -- расплавы -- режимы облучения -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия -- термопласты -- термохимические процессы Аннотация: Исследована абляция политетрафторэтилена с использованием CO[2]-лазера. Доп.точки доступа: Гракович, П. Н.; Иванов, Л. Ф.; Калинин, Л. А.; Рябченко, И. Л.; Толстопятов, Е. М.; Красовский, А. М. |
Гриценко, К. П. Пленки политетрафторэтилена, нанесенные испарением в вакууме: механизм роста, свойства, применение [Текст] / К. П. Гриценко // Российский Химический Журнал (ЖРХО им. Д.И.Менделеева). - 2008. - Т. 52, N 3. - С. 112-123. - Библиогр.: с. 122-123 (85 назв. ) . - ISSN 0373-0247
Рубрики: Химическая технология Полимеры и пластмассы на основе элементоорганических соединений Кл.слова (ненормированные): высокотехнологичные устройства -- дифрактограммы -- диэлектрическая проницаемость -- метод испарения в вакууме -- механизм роста -- микрочипы -- параметры осаждения -- пленки политетрафторэтилена -- политетрафторэтилен -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия -- скорость роста пленок -- степень конформности Аннотация: Обобщаются достижения в области нанесения пленок политетрафторэтилена в вакууме и их применение в высокотехнологичных устройствах. |
Строшков, В. П. Изучение методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии изменения химического состава поверхностных слоев титанового сплава до и после электрохимической размерной обработки [Текст] / В. П. Строшков, М. В. Кузнецов // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 6. - С. 57-61 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Машиностроение Обработка металлов резанием Технология металлов Общая технология металлов Кл.слова (ненормированные): электрохимическая размерная обработка -- титановые сплавы -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия -- поверхностные слои -- поверхностные слои титановых сплавов Аннотация: Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии изучено изменение элементного состава поверхностных слоев титанового сплава ВТ18у после механической и электрохимической обработки. Доп.точки доступа: Кузнецов, М. В. |
Химические и электрохимические процессы в низкотемпературных суперионных H2S-сенсорах [Текст] / А. В. Левченко [и др. ] // Электрохимия. - 2007. - Т. 43, N 5. - С. 584-592 : 9 рис. - Библиогр. в конце ст.: с. 591-592 (21 назв. ) . - ISSN 0424-8570
Рубрики: Химия Электрохимия Кл.слова (ненормированные): твердотельный потенциометрический сенсор сероводорода -- чувствительные электроды -- PbS -- электродные процессы -- квантовохимическое моделирование -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия Аннотация: Исследовано влияние морфологии поверхности рабочего электрода (PbS) на чувствительность низкотемпературного потенциометрического сенсора сероводорода на основе электрохимической ячейки. Доп.точки доступа: Левченко, А. В.; Добровольский, Юрий Анатольевич; Букун, Н. Г.; Леонова, Людмила Сергеевна; Зюбина, Т. С.; Неудачина, В. С.; Яшина, Л. В.; Тарасов, А. Б.; Шаталова, Т. Б.; Штанов, В. И. |
Таусон, В. Л. Принцип непрерывности фазообразования на минеральных поверхностях [Текст] / В. Л. Таусон // Доклады Академии наук. - 2009. - Т. 425, N 5, апрель. - С. 668-673 : 1 рис., 3 табл. - Библиогр.: с. 673 . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Геология Геохимия Кл.слова (ненормированные): принцип непрерывности фазообразования -- минеральные поверхности -- фазообразование -- неавтономные фазы -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия Аннотация: Исследовано распространение принципа непрерывности на неавтономные фазы и минералогические последствия его распространения на них. |
Investigation of KyF[4]: Yb, ER // KyF[4] nanocrystals – mechanism of the KyF[4] formation [Text] = Исследование KyF[4]: Yb, ER // KyF[4] нанокристаллы – механизм образования KyF[4] / Helmut Schafer [и др. ] // Журнал неорганической химии. - 2009. - Т. 54, N 12. - С. 1997-2002 : рис. - Библиогр.: с. 2002 (24 назв. )
Рубрики: Химия Анализ неорганических веществ Химические элементы и их соединения Кл.слова (ненормированные): наночастицы -- нанотехнологии -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия -- лантаниды -- кубические фазы Доп.точки доступа: Helmut Schafer; Pavel Ptacek; Katharina Hickmann; Manuel Prinz; Manfred Neumann; Markus Haase |
Исследование стабильности структуры пористого кремния, полученного травлением Si (100) в водном растворе фторида аммония, спектроскопическими методами [Текст] / Е. О. Филатова [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 3. - С. 53-59 : ил. - Библиогр.: с. 59 (7 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): Si -- кремний -- пористый кремний -- электрохимическое фторирование -- водные растворы -- травление -- фторид аммония -- спектроскопические методы -- монокристаллический кремний -- изопропиловый спирт -- рентгеновская спектроскопия -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия -- рентгеновские фотоэффекты -- квантовые выходы -- аморфизация Аннотация: Исследовался пористый кремний (por-Si), полученный электрохимическим травлением монокристаллического Si (100) в водном растворе фторида аммония с добавлением изопропилового спирта. Исследование проводилось методами рентгеновской спектроскопии отражения, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и квантового выхода внешнего рентгеновского фотоэффекта. Установлено, что por-Si, полученный по нетрадиционной методике (без использования плавиковой кислоты), является частично аморфизированным и имеет на поверхности стабильный во времени окисел, не превышающий по толщине 5 nm. Доп.точки доступа: Филатова, Е. О.; Лысенков, К. М.; Соколов, А. А.; Овчинников, А. А.; Марченко, Д. Е.; Кашкаров, В. М.; Назариков, А. В. |
Супрун, С. П. Формирование гетерограницы GaAs-Ge в присутствии окисла [Текст] / С. П. Супрун, Е. В. Федосенко // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып: вып. 2. - С. 94-97
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): GaAs-Ge -- Ge -- Ga[2]O -- гетерограница -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия -- дифракция быстрых электронов Аннотация: Приведены результаты исследования методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и дифракции быстрых электронов на отражение процесса формирования гетерограницы GaAs-Ge при условии неполного удаления всех окисных фаз с поверхности подложки GaAs. Показано, что совмещение процессов окончательной десорбции окисла Ga[2]O и осаждения Ge позволяет предотвратить испарение мышьяка и нарушение стехиометрии в области границы раздела. Доп.точки доступа: Федосенко, Е. В. |
Применение методов РОР и РФА для исследования полиимидных пленок с орбитальной станции "МИР" [Текст] / В. В. Затекин [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 4. - С. 23-26
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): полиимидные пленки -- резерфордовское обратное рассеяние ионов -- рентгенофлуоресцентный анализ -- орбитальные станции -- МИР -- ускоритель ван-де-Граафа -- ван-де-Граафа ускоритель -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия -- кремний Аннотация: Методами РОР и РФА исследован элементный состав загрязнений на полиимидных пленках после их экспонирования на внешней поверхности орбитальной станции “МИР” при проведении материаловедческого натурного эксперимента “КОМПЛАСТ”. Показано, что доминирующим элементом в слое осадка является кремний, что согласуется с измерениями выполненными на других космических аппаратах. Доп.точки доступа: Затекин, В. В.; Куликаускас, В. С.; Новиков, Л. С.; Петухов, В. П.; Черник, В. Н.; Черных, П. Н.; Бахвалов, Ю. О.; Александров, Н. Г.; Смирнова, Т. Н. |
Формирование WO[3] из разных предшественников [Текст] / Л. М. Плясова [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 11. - С. 27-34
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): оксид вольфрама -- структура пленок -- рентгеновская дифракция -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия -- инфракрасная спектроскопия -- металлы подложки -- дифференциально-термический анализ Аннотация: При использовании комплекса физико-химических методов проведено сравнительное исследование процессов формирования оксида вольфрама из разных предшественников. Показано, что во всех случаях кристаллизация WO[3] проходит через метастабильные состояния. Для электроосажденных оксовольфраматных пленок структура оксидов вольфрама зависит от режима электроосаждения, адсорбционных свойств металла подложки по отношению к водороду и в области температур до 600`С не достигает стехиометрического состава WO[3]. Доп.точки доступа: Плясова, Л. М.; Молина, И. Ю.; Кустова, Г. Н.; Литвак, Г. С.; Низовский, А. И.; Гаврилов, А. Н. |
Рентгеноспектроскопическое исследование тонких пленок HfO[2], синтезированных на Si (100) методами ALD и MOCVD [Текст] / А. А. Соколов [и др. ] // Журнал технической физики. - 2010. - Т. 80, N 7. - С. 131-136. - Библиогр.: c. 136 (44 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- кремний -- ALD -- MOCVD -- гидридная эпитаксия -- молекулярное наслаивание -- метод ALD -- ALD метод -- метод MOCVD -- MOCVD метод -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия -- ионное травление -- рентгеновская рефлектометрия -- микроструктура пленок -- оксид гафния Аннотация: Пленки HfO[2] толщиной 5 nm, выращенные методами гидридной эпитаксии (МОCVD) и молекулярного наслаивания (ALD) на подложках Si (100), изучены методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии в сочетании с Ar+ ионным травлением и рентгеновской рефлектометрией. Установлено, что пленки, синтезированные разными методами, имеют разную микроструктуру (пленка HfO[2] (ALD) является аморфной, а пленка HfO[2] (MOCVD) имеет признаки кристаллизации) ; поверхность пленки, синтезированной методом ALD, является менее устойчивой к загрязнению и/или более химически активной; на интерфейсе пленки, синтезированной методом MOCVD, присутствует больше диоксида кремния по сравнению с пленкой, синтезированной методом ALD. Также показано, что травление поверхности пленки HfO[2] ионами аргона приводит к образованию вблизи интерфейса слоя металлического гафния. Последнее обстоятельство указывает на возможность использования HfO[2] не только в качестве подзатворного диэлектрика, но и материала, пригодного для создания наноразмерных проводников путем прямого разложения окисла. Доп.точки доступа: Соколов, А. А.; Овчинников, А. А.; Лысенков, К. М.; Марченко, Д. Е.; Филатова, Е. О. |
Исследование эволюции электронных свойств нанокластеров переходных металлов на поверхности графита [Текст] / В. Д. Борман [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 137, вып: вып. 6. - С. 1151-1174. - Библиогр.: с. 1173-1174 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): нанокластеры переходных металлов -- переходные металлы -- металлы -- поверхность графита -- графит -- благородные металлы -- электронные свойства -- пиролитический графит -- высокоориентированный пиролитический графит -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования электронных свойств нанокластеров переходных (Cr, Co, Ni) и благородных (Cu, Au) металлов на поверхности высокоориентированного пиролитического графита методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Доп.точки доступа: Борман, В. Д.; Пушкин, М. А.; Тронин, В. Н.; Троян, В. И. |
Формирование и "белая" фотолюминесценция нанокластеров в пленках SiO[x], имплантированных ионами углерода [Текст] / А. И. Белов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1498-1503 : ил. - Библиогр.: с. 1503 (31 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- нанокластеры -- ионы углерода -- кластеры -- нанокристаллы -- высокотемпературный отжиг -- отжиг -- оксид кремния -- SiOx -- имплантация ионов -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия -- РФЭС -- метод рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии Аннотация: Приведены экспериментальные данные по ионному синтезу нанокомпозитных слоев с углеродсодержащими кластерами и нанокристаллами Si при облучении пленок нестехиометрического оксида кремния SiO[x] ионами углерода с последующим высокотемпературным отжигом. Показано, что при достаточно больших дозах C{+} пленки обладают фотолюминесценцией в области спектра, охватывающей весь видимый диапазон и ближнюю инфракрасную область. Формирование указанных кластеров и нанокристаллов подтверждается методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, причем распределение углерода практически воспроизводит расчетный профиль пробегов ионов, т. е. отсутствует заметное диффузионное перераспределение этого элемента. Предложена качественная модель слоистого строения ионно-синтезированных структур. Доп.точки доступа: Белов, А. И.; Михайлов, А. Н.; Николичев, Д. Е.; Боряков, А. В.; Сидорин, А. П.; Грачев, А. П.; Ершов, А. В.; Тетельбаум, Д. И. |
537.8 Н 254 Наноразмерные эталонные образцы на базе трековых полимерных мембран [Текст] / И. Г. Григоров [и др.] // Доклады Академии наук. - 2011. - Т. 441, № 1, ноябрь. - С. 68-71. - Библиогр.: с. 70-71 . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): растровые электронные микроскопы -- сканирующие зондовые микроскопы -- наноструктуры кремния -- островковое золото -- нитрид титана -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия -- измерение нанообъектов Аннотация: Продемонстрирована возможность использования для поверки и калибровки РЭМ, а также СЗМ, работающих в режимах сканирующего туннельного микроскопа (СТМ) и атомно-силового микроскопа (АСМ), трековых полимерных мембран с проводящим покрытием из нитрида титана. Доп.точки доступа: Григоров, И. Г.; Логинов, Б. А.; Борисов, С. В.; Поляков, Е. В.; Хлебников, Н. А.; Ромашев, Л. Н.; Зайнулин, Ю. Г.; Швейкин, Г. П. |
543.067 Ш 177 Шаков, А. А. Исследование состава поверхности механоактивированного глюконата кальция методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии с применением селективных химических реакций [Текст] / А. А. Шаков, С. С. Михайлова, Г. Н. Коныгин // Журнал аналитической химии. - 2011. - Т. 66, N 8. - С. 848-853 : 4 табл., 3 рис. - Библиогр.: с. 853 (15 назв. ) . - ISSN 0044-4502
Рубрики: Химия Аналитическая химия в целом Кл.слова (ненормированные): механоактивированный глюконат кальция -- глюконат кальция -- кальций -- Ca -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия -- рентгеновская спектроскопия -- метод рентгеновской спектроскопии -- фотоэлектронная спектроскопия -- спектроскопия -- селективные химические реакции -- химические реакции -- гидразин -- трифторуксусный ангидрид -- уксусный ангидрид -- ангидриды -- медицинские препараты -- чистые химические вещества -- химические вещества Аннотация: Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии в сочетании с селективными химическими реакциями исследовано химическое строение поверхности порошков исходного и механоактивированного глюконата кальция в форме медицинского препарата и чистого химического вещества. Доп.точки доступа: Михайлова, С. С.; Коныгин, Г. Н. |