621.317 Г 714 Горюнов, Н. Н. Определение объемного времени жизни неосновных носителей заряда на непассивированных поверхностях монокристаллического кремния [Текст] / Н. Н. Горюнов, С. П. Кобелева [и др.] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2004. - Т. 70, N 6. - Библиогр.: с. 27 (4 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Энергетика--Электрические и магнитные измерения--Электротехнические материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): аппаратура -- измерительная аппаратура -- кремний -- монокристаллический кремний -- непассивированные поверхности -- носители заряда -- объемное время -- поверхности -- СВЧ-метод Аннотация: Показано, что использование аппаратуры с компьютерной записью релаксационной кривой и численных методов расчета позволяет определять миллисекундные времена жизни неосновных носителей заряда на образцах толщиной 2 мм с необработанными поверхностями. Доп.точки доступа: Кобелева, С. П.; Калинин, В. В.; Юрчук, С. Ю.; Слесарев, А. Н.; Чиякин, А. Н. |
53 Ф 899 Фрицлер, К. Б. In situ контроль структуры кристаллов бестигельного Si (111) на основе поведения реберных выступов [Текст] / К. Б. Фрицлер, Е. М. Труханов [и др.] // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 12. - С. 55-60 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): кремний -- монокристаллический кремний -- кристаллы -- структура кристаллов -- бестигельная зонная плавка -- боковая поверхность слитка -- реберные выступы кристаллов Аннотация: Представлены результаты исследования морфологии боковой поверхноcти слитков монокристаллического кремния диаметром до 125 mm, выращенных в направлении [111] методом бестигельной зонной плавки на установках FZ-20 (фирма Haldor Topse) в ИФП СО РАН. Впервые описаны геометрические характеристики и морфологические особенности наиболее часто встречающихся на боковой поверхности слитка реберных выступов. Это позволило из множества наблюдающихся выступов выделить относящиеся к гранным формам роста октаэдра и ромбододекаэдра. Для симметричного и асимметричного индукторов установлены диаметры слитков, при превышении которых в бездислокационных кристаллах возникают выступы ромбододекаэдра. Их присутствие предлагается использовать для in situ контроля структурного состояния кристалла. Доп.точки доступа: Труханов, Е. М.; Калинин, В. В.; Смирнов, П. Л.; Колесников, А. В.; Василенко, А. П. |
621.3 Я 972 Ященок, А. М. Коэффициент переноса пленок Ленгмюра-Блоджетт как индикатор поверхности монокристаллического кремния, модифицированной полиионными слоями [Текст] / А. М. Ященок, Д. А. Горин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 6. - С. 706-710 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): пленки Ленгмюра-Блоджетт -- Ленгмюра-Блоджетт пленки -- наноразмерные пленки -- монокристаллический кремний -- кремний -- циклодекстрины -- полиионные слои Аннотация: Получены мультислойные наноразмерные пленки Ленгмюра-Блоджетт на основе дифильных бета-циклодекстринов с различным количеством алкильных цепей на подложках монокристаллического кремния, как не модифицированных, так и модифицированных слоями катионных и анионных полиэлектролитов методом полиионной сборки. Проведен расчет и анализ коэффициента переноса монослоев бета-циклодекстринов на подложки и показано, что на величину коэффициента влияет знак заряда адгезионного слоя полиэлектролита, а также количество алкильных цепей в молекуле циклодекстрина и количество нанесенных монослоев. Дана интерпретация наблюдаемых явлений, характеризующих индикаторные свойства монослоев циклодекстринов. Доп.точки доступа: Горин, Д. А.; Панкин, К. Е.; Ломова, М. В.; Штыков, С. Н.; Климов, Б. Н.; Курочкина, Г. И.; Грачев, М. К. |
539.26 В 226 Вахтель, В. М. Применение метода резерфордовского обратного рассеяния к анализу тонкопленочной системы Sn - Nb на кремнии [Текст] / В. М. Вахтель, Н. Н. Афонин [и др.] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2008. - Т. 74, N 7. - С. 33-36. - Библиогр.: с. 36 (9 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики Электростатика Кл.слова (ненормированные): Sn - Nb -- метод резерфордовского обратного рассеяния -- резерфордовское обратное рассеяние -- обратное рассеяние -- тонкопленочные системы -- кремний -- цинк -- ниобий -- монокристаллический кремний -- магнетронное осаждение -- фотонный отжиг -- рентгенофазовый анализ -- растровая электронная микроскопия -- металлические пленки -- неразрушающий анализ Аннотация: Экспериментально с помощью метода резерфордовского обратного рассеяния изучены процессы фазообразования и взаимной диффузии в послойно осажденной на подложки монокристаллического кремния тонкопленочной системе Sn - Nb. Доп.точки доступа: Афонин, Н. Н.; Логачева, В. А.; Прибытков, Д. М.; Шрамченко, Ю. С.; Ховив, А. М. |
539.1/.18 В 182 Варлачев, В. А. Детектор быстрых нейтронов на основе монокристаллического кремния [Текст] / В. А. Варлачев, авт. Е. С. Солодовников // Приборы и техника эксперимента. - 2008. - N 2. - С. 17-20. - Библиогр.: с. 20 (10 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Физика Ядерная физика Кл.слова (ненормированные): нейтроны -- быстрые нейтроны -- детекторы -- кремний -- монокристаллический кремний Аннотация: Показано, что изменение удельной электрической проводимости в монокристаллах кремния в процессе их облучения прямо пропорциально флюенсу быстрых нейтронов. Доп.точки доступа: Солодовников, Е. С. |
621.3 С 544 Соболев, Н. А. Дислокационная люминесценция, возникающая в монокристаллическом кремнии после имплантации ионов кремния и последующего отжига [Текст] / Н. А. Соболев, А. М. Емельянов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 5. - С. 555-557 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): монокристаллический кремний -- кремний -- люминесценция -- дислокационная люминесценция -- имплантация ионов Аннотация: Установлено, что имплантация ионов кремния с энергией 100 кэВ и дозой 1 10\{17\} см\{-2\} в выращенный методом бестигельной зонной плавки Si n-типа проводимости не приводит к формированию аморфного слоя. Последующий отжиг в хлорсодержащей атмосфере при температуре 1100 C сопровождается появлением дислокационной люминесценции. Интенсивность доминирующей линии D1 с максимумом на длине волны ~ 1. 54 мкм возрастает с увеличением времени отжига от 15 до 60 мин. Доп.точки доступа: Емельянов, А. М.; Сахаров, В. И.; Серенков, И. Т.; Шек, Е. И.; Тетельбаум, Д. И. |
621.3 З-126 Заботнов, С. В. Формирование наночастиц на поверхности кремния под действием фемтосекундных лазерных импульсов [Текст] / С. В. Заботнов, А. А. Ежов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 8. - С. 1017-1020 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): наночастицы -- кремний -- монокристаллический кремний -- поверхность кремния -- лазерные импульсы -- фемтосекундные лазерные импульсы Аннотация: При облучении поверхности монокристаллического кремния фемтосекундными лазерными импульсами на ней были сформированы наночастицы. Их высота по данным атомно-силовой микроскопии составляет от 2 до 30 нм, поперечный размер - от 70 до 200 нм. Доп.точки доступа: Ежов, А. А.; Головань, Л. А.; Ластовкина, М. А.; Панов, В. И.; Тимошенко, В. Ю.; Кашкаров, П. К. |
Юзова, В. А. Введение ультрадисперсного порошка алмаза детонационного синтеза в каналы пористого кремния [Текст] / В. А. Юзова, А. П. Пузырь // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 10. - С. 34-38
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): наноалмазы -- монокристаллический кремний -- кремний -- поры сложной морфологии Аннотация: Описывается технология электрофоретического осаждения наноалмазов в каналы сложной морфологии, сформированные анодированием пластин монокристаллического кремния. Показана возможность полного заполнения длинных каналов при использовании органозолей наноалмазов детонационного синтеза с модифицированной поверхностью. Доп.точки доступа: Пузырь, А. П. |
Банишев, А. Ф. Формирование структур дислокаций в приповерхностном слое кремния под воздействием лазерного излучения с микроструктурированным распределением интенсивности [Текст] / А. Ф. Банишев, А. М. Павлов // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 6. - С. 11-17 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): приповерхностные слои -- кремний -- алюминий -- приповерхностные слои кремния -- лазерные излучения -- полупроводники -- дислокации -- лазерно-стимулированные диффузии -- лазерно-стимулированные диффузии алюминия -- монокристаллический кремний Аннотация: Исследованы процессы генерации и накопления дефектов в приповерхностном слое монокристаллического кремния при различных условиях и режимах лазерного воздействия. Доп.точки доступа: Павлов, А. М. |
Установка для измерения времени жизни неравновесных носителей заряда монокристаллического кремния [Текст] / Н. Н. Горюнов [и др. ] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2004. - Т. 70, N 5. - С. 27-30. - Библиогр.: с. 30 (3 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Энергетика Электрические и магнитные измерения Кл.слова (ненормированные): АПК-Тауметр (аппаратно-программные комплексы) -- аппаратно-программные комплексы -- время жизни заряда -- измерение времени жизни -- кремний -- монокристаллический кремний -- неравновесные носители заряда -- носители заряда -- установки Аннотация: Описаны конструкции и принцип работы автоматизированной установки для измерения времени жизни неравновесных носителей заряда в кремнии по спаду фотопроводимости, регистрируемому по поглощению СВЧ. Доп.точки доступа: Горюнов, Н. Н.; Кобелева, С. П.; Чарыков, Н. А.; Лукашов, Н. В.; Слесарев, В. Н. |
Начальные стадии роста поли-n-ксилиленовых покрытий. Исследование методом атомно-силовой микроскопии [Текст] / Д. Р. Стрельцов [и др. ] // Высокомолекулярные соединения. Серия А и Серия Б. - 2009. - Т. 51, N 8. - С. 1444-1453. - Библиогр.: с. 1453 (26 назв. ) . - ISSN 0507-5475
Рубрики: Химия Химия высокомолекулярных соединений Кл.слова (ненормированные): атомно-силовая микроскопия -- ультратонкие пленки -- газофазная полимеризация -- монокристаллический кремний -- слюда Аннотация: Методом атомно-силовой микроскопии исследована морфология ультратонких пленок поли-n-ксилилена, полученных методом газофазной полимеризации на поверхности монокристаллического кремния (100) и поверхности скола слюды при температуре подложки 20°С. Доп.точки доступа: Стрельцов, Д. Р.; Григорьев, Е. И.; Дмитряков, П. В.; Ерина, Н. А.; Маилян, К. А.; Пебалк, А. В.; Чвалун, С. Н. |
Варлачев, В. А. Влияние быстрых нейтронов на проводимость монокристаллического кремния [Текст] / В. А. Варлачев, Е. С. Солодовников // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 6. - С. 33-37. - Библиогр.: c. 37 (3 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Электричество и магнетизм в целом Физика Кл.слова (ненормированные): быстрые нейтроны -- монокристаллический кремний -- монокристаллы -- полупроводниковые монокристаллы -- структурные дефекты -- удельная электрическая проводимость -- удельное электрическое сопротивление -- ядерный реактор Аннотация: Проведены расчеты зависимости изменения удельной электрической проводимости монокристаллов кремния от флюенса быстрых нейтронов, который контролировали с помощью активационных пороговых серных детекторов. Измерение удельного электрического сопротивления проводили 4-зондовым методом. Изменение удельной электрической проводимости за счет облучения быстрыми нейтронами прямо пропорционально флюенсу этих нейтронов и коэффициент пропорциональности зависит от спектра нейтронов, но не зависит от исходной удельной электрической проводимости. При этом не имеет значения, был ли кремний ранее облучен или нет. Доп.точки доступа: Солодовников, Е. С. |
Емельянов, А. М. Модуляция мощности краевой фотолюминесценции монокристаллического кремния изменением напряжения на p-n-переходе [Текст] / А. М. Емельянов // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 18. - С. 80-86 : ил. - Библиогр.: с. 86 (12 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Люминесценция Кл.слова (ненормированные): кремниевые структуры -- фотолюминесценция -- краевая фотолюминесценция -- квазистационарная фотолюминесценция -- краевая квазистационарная фотолюминесценция -- модуляция мощности -- кремний -- Si -- монокристаллический кремний -- изменение напряжения -- p-n-переходы -- электронно-дырочные переходы -- солнечные элементы -- комнатная температура -- мощность -- квантовая эффективность -- лазеры -- импульсные излучения -- длины волн -- постоянный прямой ток -- пороговая мощность -- возбуждение фотолюминесценции -- обратное напряжение Аннотация: Для кремниевой структуры, полученной из высокоэффективного солнечного элемента, при комнатной температуре исследованы зависимости мощности и квантовой эффективности краевой квазистационарной фотолюминесценции (ФЛ) от мощности импульсного излучения лазера на длине волны 658 nm. Варьировались величины постоянного прямого тока или обратного напряжения на p-n-переходе. При пропускании постоянного прямого тока обнаружено значительное увеличение мощности и квантовой эффективности квазистационарной ФЛ, а также уменьшение пороговой мощности возбуждения ФЛ. Приложение обратного напряжения вызывало противоположные эффекты. Рассмотрены возможные физические причины наблюдаемых явлений. |
Выращивание монокристаллов твердого раствора Si[1-x]Ge[x] (0X0. 35) и исследование их свойств [Текст] / И. Г. Атабаев [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 3. - С. 45-52 : ил. - Библиогр.: с. 52 (12 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Механические и акустические свойства монокристаллов Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- монокристаллический кремний -- монокристаллические сплавы -- бестигельная зонная плавка -- структурные свойства -- электрофизические свойства -- твердые растворы -- Si -- Ge -- удельное сопротивление -- носители заряда Аннотация: Методом бестигельной зонной плавки выращены монокристаллы Si[1-x]Ge[x] диаметром 10 mm и длиной до 10 cm с содержанием германия до 35 at. %, характеризующиеся однородным распределением Ge и низкой плотностью дислокаций. Исследованы структурные и электрофизические свойства полученного материала. Определены значения удельного объемного сопротивления, времени жизни, подвижности и концентрации носителей заряда в монокристаллах Si[1-x]Ge[x] в зависимости от содержания Ge. Доп.точки доступа: Атабаев, И. Г.; Матчанов, Н. А.; Хажиев, М. У.; Юсупова, Ш. А. |
Исследование стабильности структуры пористого кремния, полученного травлением Si (100) в водном растворе фторида аммония, спектроскопическими методами [Текст] / Е. О. Филатова [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 3. - С. 53-59 : ил. - Библиогр.: с. 59 (7 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): Si -- кремний -- пористый кремний -- электрохимическое фторирование -- водные растворы -- травление -- фторид аммония -- спектроскопические методы -- монокристаллический кремний -- изопропиловый спирт -- рентгеновская спектроскопия -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия -- рентгеновские фотоэффекты -- квантовые выходы -- аморфизация Аннотация: Исследовался пористый кремний (por-Si), полученный электрохимическим травлением монокристаллического Si (100) в водном растворе фторида аммония с добавлением изопропилового спирта. Исследование проводилось методами рентгеновской спектроскопии отражения, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и квантового выхода внешнего рентгеновского фотоэффекта. Установлено, что por-Si, полученный по нетрадиционной методике (без использования плавиковой кислоты), является частично аморфизированным и имеет на поверхности стабильный во времени окисел, не превышающий по толщине 5 nm. Доп.точки доступа: Филатова, Е. О.; Лысенков, К. М.; Соколов, А. А.; Овчинников, А. А.; Марченко, Д. Е.; Кашкаров, В. М.; Назариков, А. В. |
Формирование протяженных дефектов в кремнии при высокодозной имплантации ионов водорода [Текст] / Ф. Ф. Комаров [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 4. - С. 27-30
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): монокристаллический кремний -- оптическая электронная микроскопия -- блистеринг -- флекинг -- режим каналирования ионов -- прецизионные сколы тонких слоев Аннотация: Образцы монокристаллического кремния Si (001), выращенного по Чохральскому, после облучения протонами и термообработок были исследованы методами оптической и просвечивающей электронной микроскопии, интерферометрии и резерфордовского обратного рассеяния в сочетании с каналированием. Рассмотрены основные стадии образования областей блистеринга и флекинга при различных значениях энергии и дозах имплантации, температурах и временах термообработки. Вводится понятие пороговой дозы имплантации ионов водорода, при которой эффект блистеринга регистрируется оптическими методами после отжига при температуре 450°C. Доп.точки доступа: Комаров, Ф. Ф.; Мильчанин, О. В.; Пилько, В. В.; Фоков, Ю. Г. |
Усенко, А. Е. Анизотропное растворение монокристаллического кремния вблизи края химической маски на поверхности (001) [Текст] / А. Е. Усенко, А. В. Юхневич // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 8. - С. 64-70
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): монокристаллический кремний -- нанорельеф поверхности -- химическая маска -- микроплоскости -- травление водными растворами -- кристаллографическая ориентация плоскостей Аннотация: Изучены особенности микро- и нанорельефа поверхности (001) монокристаллов кремния, формирующегося вблизи вершины прямого выпуклого угла химической маски с направлением сторон вдоль (110) и (100) при травлении водными растворами KOH (8-16 моль/л) в диапазоне температур 60-80 градусов C. Исследование рельефа проводили при помощи сканирующего электронного микроскопа LEO-1420 и микроинтерферометра МИИ-4. Установлено, что микроплоскости, формирующиеся непосредственно у вершины выпуклого угла маски, не являются совершенными низкоиндексными микрогранями кристалла. Определена зависимость кристаллографической ориентации плоскостей от условий эксперимента, измерены нормальные скорости травления этих плоскостей. Проведена оценка зависимости эффективной энергии активации процесса растворения изученных поверхностей от концентрации KOH. Доп.точки доступа: Юхневич, А. В. |
Вольт-амперная характеристика p-n-структур на основе непрерывного твердого раствора (Si[2]) [1-x] (CdS) [x] [Текст] / А. С. Саидов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 4. - С. 436-438
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): инжекционное объединение -- эпитексиальные слои -- подложки -- монокристаллический кремний -- зеркальные поверхности Аннотация: Исследованы вольт-амперные характеристики структур p-Si-n- (Si[2]) [1-x] (CdS) [x] (0=? х? ; 0. 01) при различных значениях температуры. Обнаружено, что вольт-амперная характеристика таких структур имеет участок сублинейного роста тока с напряжением V~V[0]exp (JaW). Экспериментальные результаты объясняются на основе теории эффекта инжекционного обеднения. Показано, что подвижность неосновных носителей - дырок - уменьшается с ростом температуры. Доп.точки доступа: Саидов, А. С.; Лейдерман, А. Ю.; Усмонов, Ш. Н.; Холиков, К. Т. |
Влияние примесей на оптические свойства монокристаллического кремния [Текст] / В. Я. Менделеев [ и др. ] // Физика и химия обработки материалов. - 2009. - N 4. - С. 57-59 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): кремний -- показатели преломлений -- коэффициент экстинции -- примеси -- оптические свойства -- монокристаллический кремний Аннотация: По экспериментально измеренным спектральным зависимостям коэффициентов пропускания и отражения монокристаллического Si n- типа, легированного фосфором и сурьмой, определены значения показателя преломления и коэффициента экстинции Si в интервале 750- 1100 нм. Доп.точки доступа: Менделеев, В. Я.; Сковородько, С. Н.; Курилович, А. В.; Лубнин, Е. Н.; Просвириков, В. М. |
Влияние электрического поля на дислокационную структуру кремния при индентировании в воде [Текст] / А. М. Орлов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 1. - С. 48-51. - Библиогр.: с. 51 (12 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): дислокационная структура кремния -- индентирование в воде -- монокристаллический кремний -- пробег дислокаций -- дислокации -- ширина скрайба Аннотация: Отражены основные результаты исследований механических свойств (включая дислокационную структуру) монокристаллического кремния при его индентировании в воде в электрическом поле. Определена ключевая роль области пространственного заряда в изменении ширины царапины (скрайба) и максимального пробега дислокаций в выделенных линиях скольжения. Доп.точки доступа: Орлов, А. М.; Соловьев, А. А.; Явтушенко, И. О; Скворцов, А. А. |