+ Г 952 Гурин, Н. Т. Кинетика электролюминесценции тонкопленочных излучателей на основе сульфида цинка на ультранизких частотах [Текст] / Н. Т. Гурин, А. В. Шляпин, О. Ю. Сабитов // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N2. - Библиогр.: с.82-83 (10 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): сульфид цинка -- тонкопленочные излучатели -- электролюминесценция -- яркость свечения Аннотация: Представлены результаты исследования кинетики мгновенной яркости свечения тонкопленочных электролюминесцентных структур, возбуждаемых знакопеременным напряжением треугольной формы частотой 0.1-2 Hz. Обнаружены два участка нарастания во времени мгновенной яркости и тока, "быстрый" и "медленный", которым соответствуют разные области на полевых, зарядовых зависимостях мгновенной яркости и на других электрофизических характеристиках. На основании решения кинетического уравнения получены зависимости мгновенной яркости и внутреннего квантового выхода от времени. Результаты объясняются образованием объемных зарядов в слое люминофора, сопровождающем уменьшением эффективной толщины этого слоя, и изменением механизма возбуждения центров свечения Доп.точки доступа: Шляпин, А.В.; Сабитов, О.Ю. |
Хомченко, В. С. Структура, свойства и механизм электролюминесценции пленок ZnS : Cu, полученных химическим методом [Текст] / В. С. Хомченко, Л. В. Завьялова [и др.] // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N8. - Библиогр.: с.48 (13 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): MOCVD-метод -- сульфид цинка -- электролюминесценция Аннотация: Пленки ZnS : Cu изготовлены химическим безвакуумным методом путем совместного пиролиза дитиокарбаматов цинка и меди при температуре подложки в диапазоне 260-300oC. Исследование структуры пленок показало, что они являются поликристаллическими, гексагонального типа, с преобладающей ориентацией в направлении < 0001>. Исследованы вольт-яркостные, вольт-зарядовые характеристики пленок, волны яркости, спектры электролюминесценции и деградационные характеристики светоизлучающих структур. Обсужден механизм возбуждения электролюминесценции и характер деградации. Сделан вывод о перспективности применения MOCVD-метода для изготовления электролюминесцентных пленок ZnS : Cu Доп.точки доступа: Завьялова, Л.В.; Рощина, Н.Н.; Свечников, Г.С.; Прокопенко, И.В.; Родионов, В.Е.; Литвин, П.М.; Литвин, О.С.; Цыркунов, Ю.А. |
22.37 Б 907 Буланый, М. Ф. Электролюминесцентные источники света на основе монокристаллов ZnSe:Mn с оптимальными яркостными характеристиками [Текст] / М. Ф. Буланый, А. В. Коваленко, Б. А. Полежаев // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N2. - Библиогр.: с.135 (5 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): марганец -- селенид цинка -- электролюминесцентные источники света -- электролюминесценция Аннотация: Представлены результаты исследования электролюминесцентных источников света на основе пластически деформированных монокристаллов ZnSe:Mn. Показано, что эффективность излучения электролюминесцентного источника света зависит от концентрации примеси марганца и места в монокристаллической буле ZnSe:Mn, из которого вырезают плоскопараллельную пластину Доп.точки доступа: Коваленко, А.В.; Полежаев, Б.А. |
535 Г 952 Гурин, Н. Т. Влияние фотовозбуждения на электрические характеристики тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе ZnS : Mn [Текст] / Н. Т. Гурин, А. В. Шляпин, О. Ю. Сабитов, Д. В. Рябов // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N4. - Библиогр.: 15 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Оптика Кл.слова (ненормированные): глубокие центры -- сульфид цинка -- тонкопленочные структуры -- фотовозбуждение -- электролюминесцентные структуры -- электролюминесценция Аннотация: Обнаружены существенные отличия кинетики тока и заряда, протекающих через тонкопленочный электролюминесцентный излучатель, и вида вольт-амперных характеристик излучателей при импульсной засветке в синей, красной и инфракрасной областях спектра с энергиями фотонов ~ 2.6, ~ 1.9 и ~ 1.3 eV и плотностью потока фотонов (4ъ*10{14}-3*10{15}) mm{-2}*s{-1}. Полученные результаты свидетельствуют о перезарядке в процессе работы излучателей глубоких центров, обусловленных, по-видимому, вакансиями цинка V{2-}[Zn] и серы V{+}[S], V{2+}[S], расположенных выше валентной зоны соответственно на ~ 1.1, =
|
+ Г 952 Гурин, Н. Т. Влияние объемного заряда на характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка [Текст] / Н. Т. Гурин, О. Ю. Сабитов, А. В. Шляпин // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N8. - Библиогр.: с. 58 (14 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Радиоэлектроника--Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): тонкопленочные излучатели -- электролюминесценция -- сульфид цинка -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- глубокие центры Аннотация: Используя экспериментальные зависимости от времени мгновенной яркости и полного тока, протекающего через тонкопленочный электролюминесцентный излучатель (ТП ЭЛИ) МДПДМ структуры на основе ZnS:Mn, рассчитаны вольт-фарадные, вольт-зарядовые и вольт-амперные характеристики ТП ЭЛИ и определены условия возникновения отрицательного дифференциального сопротивления S- и N-типов. Предложен механизм образования отрицательного сопротивления, основанный на ионизации и перезарядке глубоких донорных и акцепторных центров, обусловленных вакансиями цинка и серы, с образованием объемных зарядов вблизи катодной и анодной границ слоя люминофора Доп.точки доступа: Сабитов, О.Ю.; Шляпин, А.В. |
535.376 Д 761 Дружинин, А. П. Электролюминесценция щелочно-галоидных кристаллов при температуре выше комнатной [Текст] / А. П. Дружинин, С. Г. Еханин, Н. С. Несмелов // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 2. - Библиогр.: с. 100 (6 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Оптика Кл.слова (ненормированные): электролюминесценция -- щелочно-галоидные кристаллы -- электролитовые электроды Аннотация: В сообщении рассматривается вопрос о влиянии повышения температуры на интенсивность электролюминесценции щелочно-галоидных кристаллов. Доп.точки доступа: Еханин, С. Г.; Несмелов, Н. С. |
541.1 Э 455 Электролюминисценция на углеродных нанотрубках [Текст] // Химия в школе. - 2004. - N 6 . - ISSN 0368-5632
Рубрики: Химия--Физическая химия. Химическая физика Кл.слова (ненормированные): углеродные нанотрубки -- электролюминесценция -- люминисценция Аннотация: На углеродных нанотрубках впервые получена электролюминесценция. |
539.2 Г 95 Гурин, Н. Т. Инфракрасное тушение электролюминесценции тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе ZnS: Mn [] / Н. Т. Гурин, Д. В. Рябов // Журнал технической физики. - 2005. - Т. 75, N 1. - С. 45-54. - Библиогр.: c. 54 (25 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): инфракрасное тушение люминесценции; сульфид цинка; тонкопленочные структуры; тушение электролюминесценции; электролюминесценция Аннотация: Обнаружено инфракрасное (ИК) тушение электролюминесценции тонкопленочных электролюминесцентных излучателей после ИК подсветки излучателей в паузе между импульсами напряжения возбуждения, а также уменьшение интенсивности излучения в области ~ 530-540 nm и увеличения интенсивности излучения в полосе 640-690 nm, что объясняется перезарядкой глубоких центров, образованных вакансиями серы V{2+}[S] и V{+}[S], с увеличением концентрации центров V{+}[S] и перераспределением каналов ударного возбуждения центров Mn{2+} и V{+}[S] после ИК подсветки в пользу центров V+S. Оценены значения сечения и скорости ударного возбуждения центров V{+}[S], сечения фотовозбуждения центров V{2+}[S], коэффициента поглощения ИК излучения, внутреннего квантового выхода электролюминесценции, вероятности излучательной релаксации центров Mn{2+} и коэффициента умножения электронов в слое люминофора. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2005/01/page-45.html.ru Доп.точки доступа: Рябов, Д. В. |
539.2 Б 32 Бачериков, Ю. Ю. Люминофоры на основе легированного сульфида цинка с одинаковой спектральной плотностью излучения в диапазоне от 500 до 750 nm [] / Ю. Ю. Бачериков, Н. В. Кицюк // Журнал технической физики. - 2005. - Т. 75, N 5. - С. 129-130. - Библиогр.: c. 130 (7 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): люминофоры; сульфид цинка; фотолюминесценция; фотолюминофоры; электролюминесценция; электролюминофоры Аннотация: Созданы электролюминофор на основе ZnS: In, Cu, Cl, излучающий с практически одинаковой спектральной плотностью излучения в диапазоне от 550 до 750 nm, и фотолюминофор на основе ZnS: In, аналогично излучающий в диапазоне 500 Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2005/05/page-129.html.ru Доп.точки доступа: Кицюк, Н. В. |
621.38 Э 45 Электролюминесценция на углеродных нанотрубках [] // Природа. - 2004. - N 1. - С. 85 . - ISSN 0032-874Х
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Химия--Физическая химия. Химическая физика Кл.слова (ненормированные): фирмы; электролюминесценция; углеродные нанотрубки Аннотация: Исследователями из фирмы IBM впервые получена электролюминесценция на углеродных нанотрубках. Доп.точки доступа: IBM (фирма) |
539.2 К 82 Кривелевич, С. А. Сечения возбуждения и девозбуждения излучающих нанокластеров в кремнии, легированном редкоземельными элементами [] / С. А. Кривелевич, М. И. Маковийчук, Р. В. Селюков // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 13-16. - Библиогр.: с. 16 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): возбуждения; девозбуждения; концентрация; кремний; легирование; легирование; нанокластеры; нанофотоника; редкоземельные центры; редкоземельные элементы; фотоны; центры; электролюминесценция; электроны; элементы; энергии Аннотация: Рассмотрено два вида девозбуждения: процесс с излучением центром фотона и процесс с передачей энергии кластеров рассеянному электрону. Показано, что сечения этих двух процессов значительны, поэтому девозбуждение играет важную роль в динамике концентрации возбужденных редкоземельных центров в кремнии. Доп.точки доступа: Маковийчук, М. И.; Селюков, Р. В. |
539.2 М 17 Максимов, Г. А. Фотоэлектрические свойства и электролюминесценция p-i-n-диодов на основе гетероструктур с самоорганизованными нанокластерами GeSi/Si [] / Г. А. Максимов, З. Ф. Красильник [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 26-28. - Библиогр.: с. 28 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры; излучательные переходы; межзонные переходы; нанокластеры; нанофотоника; оптоэлектронные устройства; переходы; полупроводники; самоорганизованные нанокластеры; устройства; фоточувствительность; электролюминесценция Аннотация: Разработан подход к анализу спектров фоточувствительности в структурах, содержащих тонкие слои GeSi, и определена энергия края полос фоточувствительности, связанных с этими слоями. Наблюдалась электролюминесценция при 77 К, обусловленная излучательными межзонными переходами в кластерах GeSi. Доп.точки доступа: Красильник, З. Ф.; Филатов, Д. О.; Круглова, М. В.; Морозов, С. В.; Ремизов, Д. Ю.; Николичев, Д. Е.; Шенгуров, В. Г. |
539.2 К 89 Кузнецов, В. П. Дефекты кристаллической структуры и холловская подвижность электронов в слоях Si: Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии [] / В. П. Кузнецов, Р. А. Рубцова [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 99-101. - Библиогр.: с. 101 (17 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): дефекты; имплантация; ионная имплантация; кристаллическая структура; металлографический метод; молекулярно-лучевая эпитаксия; плотность; подвижность; сублимационная молекулярно-лучевая эпитаксия; сублимационная эпитаксия; фотолюминесценция; холловская подвижность; электролюминесценция; электроны; эпитаксия; эрбий Аннотация: Определена холловская подвижность электронов и металлографическим методом исследована плотность дефектов кристаллической структуры в слоях Si: Er, выращенных с помощью сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. Доп.точки доступа: Рубцова, Р. А.; Шабанов, В. Н.; Касаткин, А. П.; Седова, С. В.; Максимов, Г. А.; Красильник, З. Ф.; Демидов, Е. В. |
539.2 С 54 Соболев, Н. А. Светоизлучающие структуры Si: Er, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии: влияние имплантации и отжига на люминесцентные свойства [] / Н. А. Соболев, Д. В. Денисов [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 112-115. - Библиогр.: с. 114-115 (8 назв. ). - Влияние имплантации и отжига на люминесцентные свойства . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): имплантация; кремний; люминесцентные свойства; молекулярно-лучевая эпитаксия; монокристаллические слои; нанофотоника; отжиг; светоизлучающие структуры; слои; структуры; фотолюминесценция; электролюминесценция; эпитаксия; эрбий Аннотация: Исследованы некоторые особенности, возникающие в спектрах фото- и электролюминесценции светоизлучающих структур на основе выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии слоев Si: Er. Доп.точки доступа: Денисов, Д. В.; Емельянов, А. М.; Шек, Е. И.; Паршин, Е. О. |
539.2 Ш 71 Шмагин, В. Б. Электролюминесценция ионов Er (3+) в режиме пробоя диодной структуры p (+) -Si/n-Si: Er/n (+) -Si [] / В. Б. Шмагин, Д. Ю. Ремизов [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 120-123. - Библиогр.: с. 123 (8 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): возбуждения; высоколегированные слои; диодные структуры; ионы; кремний; легирование; нанофотоника; пробой; светоизлучающие структуры; слаболегированные слои; слои; структуры; электролюминесценция; эрбий Аннотация: Исследованы электролюминесцентные свойства диодных светоизлучающих структур типа p (+) -Si/n-Si: Er/n (+) -Si, в которых тонкий слаболегированный слой n-Si: Er заключен между высоколегированными слоями кремния. Доп.точки доступа: Ремизов, Д. Ю.; Оболенский, С. В.; Крыжков, Д. И.; Дроздов, М. Н.; Красильник, З. Ф. |
539.2 Ж 91 Журавлев, К. П. Свойства тонкопленочного электролюминесцентного диода на основе поли- (N-винилкарбазола) , легированного Eu (DBM) (3) phen [Текст] / К. П. Журавлев, авт. Ю. О. Яковлев // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 8. - С. 1518-1521. - Библиогр.: с. 1521 (5 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): диоды; европий; излучающие слои; органические диоды; поли- (N-винилкарбазол); пропандион; тонкопленочные электролюминесцентные диоды; трис-комплекс европия; фенантролин; электролюминесцентные диоды; электролюминесценция Аннотация: Исследованы спектры излучения электролюминесценции тонкопленочных органических диодов с излучающим слоем, состоящим из поли- (N-винилкарбазола) , легированного трис-комплексом европия с 1, 3-дифинил-1, 3-пропандионом и 1, 10-фенантролином (Eu (DBM) (3) phen) . Доп.точки доступа: Яковлев, Ю. О. |
539.2 Б 24 Барабан, А. П. Электролюминесценция структур Si-SiO[2], последовательно имплантированных кремнием и углеродом [Текст] / А. П. Барабан, авт. Ю. В. Петров // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 5. - С. 909-911. - Библиогр.: с. 911 (8 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): ионная имплантация; кремний; окисные слои; постимплантационный отжиг; углерод; электролюминесценция Аннотация: Изучена электролюминесценция структур Si-SiO[2], подвергнутых ионной имплантации кремния с энергиями 130 и 60 keV и углерода с энергией 60 keV в окисный слой. Результатом ионной имплантации явилось возникновение полос электролюминесценции с максимумами около 2. 7 и 4. 3 eV, которые связывались с образованием силиленовых центров. Постимплантационный отжиг приводил к уменьшению интенсивности данных полос электролюминесценции, а также к появлению плеча с коротковолновой стороны полосы 2. 7 eV. Доп.точки доступа: Петров, Ю. В. |
539.2 Б 32 Бачериков, Ю. Ю. Тепловые метаморфозы, происходящие с ZnS в процессе его легирования CuCl [Текст] / Ю. Ю. Бачериков, И. С. Головина, Н. В. Кицюк // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 10. - С. 1766-1770. - Библиогр.: с. 1770 (20 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): легирование; люминофоры; отжиг; температура отжига; фотолюминесценция; электролюминесценция; электронный парамагнитный резонанс Аннотация: Исследованы спектры фотолюминесценции, электролюминесценции и электронного парамагнитного резонанса порошкообразного ZnS, термолегированного CuCl. Обсуждаются процессы, протекающие в материале при совместном отжиге ZnS и CuCl, а также роль режимов отжига в формировании фаз CuS и Cu[2]S в ZnS. Показано, что путем варьирования скорости разогрева материала до температуры, при которой производится отжиг, можно управлять соотношением количества синих и зеленых центров свечения и концентрацией парамагнитных центров Mn{2+} в получаемом люминофоре. Доп.точки доступа: Головина, И. С.; Кицюк, Н. В. |
621.3 Б 86 Бочкарева, Н. И. Квантовая эффективность и формирование линии излучения в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN [Текст] / Н. И. Бочкарева, Д. В. Тархин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 1. - С. 88-94 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): квантовая эффективность -- светодиодные структуры -- электролюминесценция -- фотолюминесценция -- фототок Аннотация: Исследованы спектры электролюминесценции, фотолюминесценции и фототока в структурах с квантовыми ямами In[0. 2]Ga[0. 8]N/GaN с целью выяснения причин падения квантовой эффективности с увеличением прямого тока. Установлено, что квантовая эффективность падает, когда энергия излучаемого фотона приближается к порогу подвижности в слое In[0. 2]Ga[0. 8]N. Порог подвижности, определенный из спектров фототока, составил Е[me] = 2. 89 эВ. При энергиях hv больше 2. 69 эВ носители заряда имеют вероятность туннелировать на безызлучательные центры рекомбинации, поэтому время жизни и квантовая эффективность падают. Туннельная инжекция в глубокие локализованные состояния обеспечивает максимальную эффективность электролюминесценции, что объясняет причину характерного максимума эффективности светодиодов при плотностях тока, значительно меньших, чем рабочие. Заселение глубоких локализованных состояний в "хвостах" плотности состояний InGaN играет также доминирующую роль в формировании линии излучения. Обнаружено, что рост эффективности и "красный" сдвиг спектра ФЛ с напряжением коррелирует с изменением фототока и связаны с уменьшением разделения фотоносителей в поле области объемного заряда и их термализацией в глубокие локализованные состояния. Доп.точки доступа: Тархин, Д. В.; Ребане, Ю. Т.; Горбунов, Р. И.; Леликов, Ю. С.; Мартынов, И. А.; Шретер, Ю. Г. |
539.2 Г 95 Гурин, Н. Т. Определение параметров и характеристик электролюминесценции в тонкопленочных излучателях на основе ZnS: Mn [Текст] / Н. Т. Гурин, авт. О. Ю. Сабитов // Журнал технической физики. - 2006. - Т. 76, N 8. - С. 50-62. - Библиогр.: c. 62 (16 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): сульфид цинка; тонкопленочные излучатели; ударная ионизация; электролюминесцентные излучатели; электролюминесценция Аннотация: Предложен новый метод определения вероятности излучательной релаксации центров свечения Mn{2+} при их ударном возбуждении, а также зависимостей от времени коэффициента умножения электронов, числа ионизаций, приходящихся на один электрон, вышедший из области ионизации, длины области ударной ионизации и коэффициента ударной ионизации из зависимостей от времени мгновенного внутреннего квантового выхода. Указанные зависимости получены на основе экспериментальных зависимостей от времени яркости свечения, тока и заряда, протекающих через слой люминофора, при возбуждении излучателей линейно нарастающим напряжением низкой частоты. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2006/08/p50-62.pdf Доп.точки доступа: Сабитов, О. Ю. |