Стадниченко, А. И. Окисление поверхности массивного золота и исследование методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии состояний кислорода в составе оксидных слоев [Текст] / А. И. Стадниченко, С. В. Кощеев, А. И. Боронин // Вестник Московского университета. Сер. 2, Химия. - 2007. - Т. 48, N 6. - С. 418-426. - Библиогр.: c. 425-426 (26 назв. ) . - ISSN 0201-7385
Рубрики: Химия Органические реакции Физико-химические методы анализа Кл.слова (ненормированные): высокочастотная активация О[2] -- золото -- метод рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии -- окисление -- окисление массивного золота -- оксидные пленки Аннотация: Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии исследованы оксидные пленки, полученные на поверхности массивного золота с помощью высокочастотной активации О[2]. Установлено, что можно эффективно формировать пленки оксида толщиной свыше 3-5 нм. Анализ спектров Au4f показал, что при окислении поверхности атомы золота находятся в состоянии 3{+}. Фотоэлектронные спектры кислорода имеют сложную структуру, которая состоит из четырех индивидуальных компонент, характеризующих различные неэквивалентные состояния кислорода в полученных оксидных пленках. Доп.точки доступа: Кощеев, С. В.; Боронин, А. И. |
Формирование и "белая" фотолюминесценция нанокластеров в пленках SiO[x], имплантированных ионами углерода [Текст] / А. И. Белов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1498-1503 : ил. - Библиогр.: с. 1503 (31 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- нанокластеры -- ионы углерода -- кластеры -- нанокристаллы -- высокотемпературный отжиг -- отжиг -- оксид кремния -- SiOx -- имплантация ионов -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия -- РФЭС -- метод рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии Аннотация: Приведены экспериментальные данные по ионному синтезу нанокомпозитных слоев с углеродсодержащими кластерами и нанокристаллами Si при облучении пленок нестехиометрического оксида кремния SiO[x] ионами углерода с последующим высокотемпературным отжигом. Показано, что при достаточно больших дозах C{+} пленки обладают фотолюминесценцией в области спектра, охватывающей весь видимый диапазон и ближнюю инфракрасную область. Формирование указанных кластеров и нанокристаллов подтверждается методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, причем распределение углерода практически воспроизводит расчетный профиль пробегов ионов, т. е. отсутствует заметное диффузионное перераспределение этого элемента. Предложена качественная модель слоистого строения ионно-синтезированных структур. Доп.точки доступа: Белов, А. И.; Михайлов, А. Н.; Николичев, Д. Е.; Боряков, А. В.; Сидорин, А. П.; Грачев, А. П.; Ершов, А. В.; Тетельбаум, Д. И. |
547 К 891 Кузнецов, М. В. РФЭ-спектры поверхности нанопорошков магнетита после сорбции хрома (VI) из водных растворов [Текст] / М. В. Кузнецов, О. Д. Линников, И. В. Родина // Неорганические материалы. - 2012. - Т. 48, № 2. - С. 213-219 : 9 рис. - Библиогр.: с. 219 (17 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
Рубрики: Химия Органические соединения Общая и неорганическая химия в целом Физическая химия в целом Кл.слова (ненормированные): метод рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии -- нанопорошки -- магнетит -- Fe[3]O[4] -- водные растворы -- сорбционный метод Аннотация: Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии исследованы нанопорошки Fe[3]O[4], полученные тремя способами (газофазным синтезом, химическим осаждением из водных растворов, лазерным распылением), до и после экспериментов по сорбции хрома (VI) из водного раствора. Показано, что в процессе сорбции хром концентрируется в составе магнетита на уровне нескольких ат. % и находится в степени окисления +3. Обсужден механизм сорбции хрома на частицах магнетита. Доп.точки доступа: Линников, О. Д.; Родина, И. В. |
537.311.33 У 677 Управление шириной запрещенной зоны оксида графита дозированным восстановлением в водороде [Текст] / В. М. Микушкин [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 20. - С. 1-8 : ил. - Библиогр.: с. 8 (15 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): графит -- оксид графита -- запрещенные зоны оксида -- ширина зоны -- водород -- дозированное восстановление -- спектроскопия -- фотоэлектронная спектроскопия -- рентгеновская спектроскопия -- метод рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии -- синхронное излучение -- химический состав -- электронные структуры -- нанопленки -- отжиг -- температура отжига -- диэлектрики -- проводники Аннотация: Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии с использованием синхронного излучения исследована трансформация химического состава и электронной структуры нанопленок оксида графита, вызванная их отжигом в атмосфере водорода. Установлено, что химическим составом и шириной запрещенной зоны оксида графита возможно управлять, регулируя температуру отжига. При этом свойства оксида графита можно плавно изменять от диэлектрика до проводника. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/20/p1-8.pdf Доп.точки доступа: Микушкин, В. М.; Шнитов, В. В.; Никонов, С. Ю.; Дидейкин, А. Т.; Вуль, С. П.; Вуль, А. Я.; Саксеев, Д. А.; Вялых, Д. В.; Вилков, О. Ю. |
621.315.592 Ф 796 Формирование анодных слоев на InAs(111)A. Исследование химического состава [Текст] / Н. А. Валишева [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 4. - С. 569-575 : ил. - Библиогр.: с. 575 (15 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Химия Физическая химия в целом Кл.слова (ненормированные): анодные слои -- метод рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия -- РФЭС -- химический состав -- щелочные электролиты -- кислотные электролиты -- ионы фтора -- фтор -- электролиты -- границы раздела -- окисление -- фторсодержащие анодные слои -- ФАС -- поверхностные состояния -- ПС -- оксифториды индия -- оксифториды мышьяка -- гидроксилы Аннотация: Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии изучен химический состав анодных слоев (толщиной ~ 20 нм), выращенных на InAs (111) A в щелочном и кислотном электролитах, не содержащих и содержащих NH[4]F. Показано, что состав фторсодержащих слоев определяется соотношением концентраций ионов фтора и гидроксилов в электролите, а также процессами диффузии, протекающими в растущем слое. Фтор накапливается на границе раздела анодный слой/InAs. Окисление InAs в кислотном электролите с низкой концентрацией кислорода и высокой концентрацией NH4F приводит к формированию анодных слоев с высоким содержанием фтора, элементного мышьяка и образованию бескислородной границы раздела InF[x]/InAs. Фторсодержащие слои, выращенные в щелочном электролите с высокой концентрацией O{2}- и (или) OH-групп, содержат примерно в 3 раза меньше фтора и состоят из оксифторидов индия и мышьяка. Не выявлено различия в составе слоев, выращенных в обоих электролитах без фтора. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/04/p569-575.pdf Доп.точки доступа: Валишева, Н. А.; Терещенко, О. Е.; Просвирин, И. П.; Калинкин, А. В.; Голяшов, В. А.; Левцова, Т. А.; Бухтияров, В. И. |
539.2 Х 463 Химический и фазовый состав пленок оксида кремния с нанокластерами, полученными путем ионной имплантации углерода [Текст] / А. В. Боряков [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 2. - С. 370-377. - Библиогр.: с. 377 (23 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): метод рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии -- фазовый состав -- пленки оксида кремния -- нанокластеры -- ионная имплантация углерода Аннотация: Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии совместно с профилированием по глубине ионным распылением изучен химический и фазовый состав пленок оксида кремния с самоорганизованными нанокластерами, полученными методом ионной имплантации углерода в пленки субоксида SiO[x] (x < 2) с последующим отжигом в атмосфере азота. Установлено, что относительная концентрация кислорода в максимуме распределения имплантированных атомов углерода понижена, тогда как относительная концентрация кремния остается практически одинаковой по глубине в слое, где содержится имплантированный углерод. Найдены распределения по глубине углерода и кремния в различных химических состояниях. В областях, прилегающих к слою с максимальным содержанием углерода, в результате отжига формируются слои оксида кремния, близкие по составу к SiO[2], с нанокристаллами кремния, а в самом имплантированном слое, кроме фазы SiO[2], присутствуют оксидные формы кремния Si{2+} и Si{3+} со стехиометрическими формулами SiO и Si[2]O[3] соответственно. Углерод присутствует в пленке в виде фаз SiC и элементарного углерода. Оценен нижний предел среднего размера нанокластеров кремния (~2 nm). На основе полученных результатов дана интерпретация спектров фотолюминесценции пленок. Доп.точки доступа: Боряков, А. В.; Николичев, Д. Е.; Тетельбаум, Д. И.; Белов, А. И.; Ершов, А. В.; Михайлов, А. Н. |
539.2 Э 413 Экспериментальное исследование валентной зоны сплавов Ti(NiCu) с различным составом и кристаллической структурой [Текст] / Б. В. Сеньковский [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 8. - С. 1441-1446. - Библиогр.: с. 1446 (14 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): валентные зоны сплавов -- плотность электронный состояний -- кристаллические структуры -- метод рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии -- элементные составы Аннотация: Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии исследована плотность электронных состояний валентной зоны сплавов Ti (NiCu) с различной кристаллической структурой и элементным составом. Установлено, что изменение кристаллического состояния при мартенситном превращении и при переходе из аморфного состояния в кристаллическое не меняет распределения плотности электронных состояний валентной зоны сплавов Ti[50]Ni[50] и Ti[50]Ni[25]Cu[25]. Показано, что изменение элементного состава приводит к существенному перераспределению электронной плотности в сплавах системы Ti[50]Ni[50-x]Cu[x] (x=0, 10, 15, 25, 38, 30, 50 at. %). С увеличением концентрации меди в сплавах Ti (NiCu) уменьшается вклад никелевых d-состояний в окрестности уровня Ферми, d-зона никеля смещается в сторону больших энергий связи, а d-зона меди - в сторону меньших энергий связи. Доп.точки доступа: Сеньковский, Б. В.; Усачев, Д. Ю.; Федоров, А. В.; Шеляков, А. В.; Адамчук, В. К. |
539.2 И 889 Исследование влияния кислотно-основных свойств поверхности оксидов ZnO, Fe[2]O[3] и ZnFe[2]O[4] на их газочувствительность по отношению к парам этанола / С. С. Карпова [и др.] ; Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет), Tomas Bata University in Zlin (Czech Republic) // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 8. - С. 1022-1026 : ил. - Библиогр.: с. 1026 (30 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): бинарные газочувствительные материалы -- смешанные газочувствительные материалы -- оксидные газочувствительные материалы -- газочувствительные материалы -- чувствительность -- функционально-химический состав -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия -- метод рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии -- кислотно-основные индикаторы -- адсорбция индикаторов -- кислотные центры Бренстеда -- Бренстеда кислотные центры -- кислотность -- поверхность кислорода -- этанол -- молекулы этанола -- гидроксильные группы -- поверхность оксидов Аннотация: Синтезированы бинарные (ZnO, Fe[2]O[3]) и смешанные (ZnFe[2]O[4]) оксидные газочувствительные материалы, и исследована корреляция между их чувствительностью по отношению к парам этанола и функционально-химическим составом поверхности, изученным методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и адсорбции кислотно-основных индикаторов. Установлено, что чувствительность к этанолу возрастает с увеличением содержания кислотных центров Бренстеда с показателем кислотности рK[a]~2. 5 и долей поверхностного кислорода, принадлежащего группам ОН/СО[3]/С-О. Полученная зависимость обусловлена особенностями взаимодействия между молекулами этанола и гидроксильными группами на поверхности оксидов. Binary (ZnO, Fe[2]O3) and ternary (ZnFe[2]O[4]) oxide gas-sensitive materials are synthesized and the correlation between their sensitivity to ethanol vapor and surface functionality (studied by X-ray photoelectron spectroscopy and adsorption of acid–base indicators) is analyzed. The sensitivity to ethanol is found to grow with the content of Brensted acidic sites with acidity index pK[a] ~ 2. 5 and the percentage of surface oxygen in OH/CO3/C-O groups. The observed correlation is accounted for the features of the interaction between ethanol molecules and hydroxyl groups on the surfaces of oxides. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/08/p1022-1026.pdf Доп.точки доступа: Карпова, С. С.; Мошников, В. А.; Максимов, А. И.; Мякин, С. В.; Казанцева, Н. Е.; Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина); Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина); Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина); Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет); Tomas Bata University in Zlin (Czech Republic) |