539.2 Н 90 Нусупов, К. Х. Структурные исследования тонких слоев кремния, многократно имплантированных ионами углерода [Текст] / К. Х. Нусупов, Н. Б. Бейсенханов [и др.] // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 7. - С. 1187-1199. - Библиогр.: с. 1199 (26 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): имплантация; кластеры; кремний; нанослои; неактивные углеродные кластеры; прочные углеродные кластеры; тонкие слои кремния; углерод Аннотация: Методами электронной микроскопии, рентгеновской дифракции, Оже-электронной и ИК-спектроскопии исследуется состав и структура однородных слоев SiC[1. 4] и SiC[0. 12], полученных многократной имплантацией в кремний ионов углерода с энергиями 40, 20, 10, 5 и 3 eV. На основе температурных зависимостей (200-1400 градусов Цельсия) параметров пика ИК-пропускания показано, что рост количества атомов углерода, находящихся в связанном состоянии с атомами кремния и участвующих в поглощении, обусловлен процессами формирования и распада гексагональных, близких к тетраэдрической и кратных связей Si-C, а также распада прочных оптически неактивных углеродных кластеров. Высокая температура кристаллизации SiC (1200 градусов Цельсия) в слое SiC[1. 4] объясняется наличием стабильных кратных связей Si-C и прочных кластеров углерода. Показано наличие прочных углеродных кластеров в имплантированном слое SiC[0. 12] и влияние их распада на формирование тетраэдрических связей при температурах 1200-1400 градусов Цельсия. Доп.точки доступа: Бейсенханов, Н. Б.; Валитова, И. В.; Дмитриева, Е. А.; Жумагалиулы, Д.; Шиленко, Е. А. |
539.2 Б 419 Бейсенханов, Н. Б. Кристаллизация beta-SiC в тонких слоях SiC[x] (x=0. 03-1. 4), синтезированных многократной имплантацией ионов углерода в кремний [Текст] / Н. Б. Бейсенханов // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 2. - С. 118-125. - Библиогр.: c. 125 (25 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): имплантация ионов -- ионная имплантация -- карбид кремния -- углеродные кластеры -- углеродно-кремниевые кластеры -- распад кластеров -- тетраэдрические связи -- кристаллизация -- оже-электронная спектроскопия -- инфракрасная спектроскопия Аннотация: Методами оже-электронной спектроскопии, рентгеновской дифракции, инфракрасной спектроскопии и атомно-силовой микроскопии исследуются состав и структура однородных слоев SiC[1. 4], SiC[0. 95], SiC[0. 7], SiC[0. 4], SiC[0. 12] и SiC[0. 03], полученных многократной высокодозовой имплантацией ионов углерода с энергиями 40, 20, 10, 5 и 3 keV в кремний. Рассматривается влияние распада углеродных и углеродно-кремниевых кластеров на формирование тетраэдрических связей Si-C и процессы кристаллизации в слоях кремния с высокой и низкой концентрацией углерода. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/02/p118-125.pdf |
539.2 Б 419 Бейсенханов, Н. Б. Влияние обработки в плазме (O[2], H[2]) на структуру и физические свойства пленок SnO[x] [Текст] / Н. Б. Бейсенханов // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 2. - С. 364-370. - Библиогр.: с. 370 (10 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): плазма -- тлеющие разряды -- магнетронное распыление -- золь-гель-методы Аннотация: Рассмотрено влияние обработки водородной и кислородной плазмой тлеющего разряда на структурные и оптические свойства пленок SnO[x] толщиной 270-350 nm, полученных магнетронным распылением и золь-гель-методом на стеклянной подложке. Показано сегрегирующее и разрушающее воздействие плазмы на структуру кристаллитов и прозрачность пленок, а также на их пористость. Выявлена принципиальная возможность получения посредством обработки в водородной плазме тлеющего разряда кристаллоаморфных наноструктур, в которых качественные нанокристаллы оксидов олова чередуются с кластерами оксидов олова. |