539.2 С 54 Соболев, Н. А. Светоизлучающие структуры Si: Er, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии: влияние условий эпитаксиального роста на концентрацию примесей и фотолюминесценцию [] / Н. А. Соболев, Д. В. Денисов [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 108-111. - Библиогр.: с. 111 (9 назв. ). - Влияние условий эпитаксиального роста на концентрацию примесей и фотолюминесценцию . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): имплантация; ионная имплантация; концетрации; кремний; легирование; молекулярно-лучевая эпитаксия; нанофотоника; примеси; светоизлучающие структуры; структуры; фотолюминесценция; эпитаксиальный рост; эпитаксия; эрбий Аннотация: Исследована технология и свойства светоизлучающих структур на основе легированных эрбием в процессе молекулярно-лучевого эпитаксиального роста слоев кремния. Доп.точки доступа: Денисов, Д. В.; Емельянов, А. М.; Шек, Е. И.; Бер, Б. Я.; Коварский, А. П.; Сахаров, В. И.; Серенков, И. Т.; Устинов, В. М.; Цырлин, Г. Э.; Котерева, Т. В. |
539.2 С 54 Соболев, Н. А. Светоизлучающие структуры Si: Er, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии: влияние имплантации и отжига на люминесцентные свойства [] / Н. А. Соболев, Д. В. Денисов [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 112-115. - Библиогр.: с. 114-115 (8 назв. ). - Влияние имплантации и отжига на люминесцентные свойства . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): имплантация; кремний; люминесцентные свойства; молекулярно-лучевая эпитаксия; монокристаллические слои; нанофотоника; отжиг; светоизлучающие структуры; слои; структуры; фотолюминесценция; электролюминесценция; эпитаксия; эрбий Аннотация: Исследованы некоторые особенности, возникающие в спектрах фото- и электролюминесценции светоизлучающих структур на основе выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии слоев Si: Er. Доп.точки доступа: Денисов, Д. В.; Емельянов, А. М.; Шек, Е. И.; Паршин, Е. О. |
539.2 В 25 Вдовин, В. И. Светоизлучающие структуры Si: Er, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии: структурные дефекты [] / В. И. Вдовин, П. Вернер [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 10. - С. 1754-1757. - Библиогр.: с. 1757 (8 назв. ). - Структурные дефекты . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): высокоразрешающая микроскопия; дефекты; кремний; легирование; метод молекулярно-лучевой эпитаксии; микроскопия; молекулярно-лучевая эпитаксия; просвечивающая микроскопия; структурные дефекты; электронная микроскопия; эпитаксия; эрбий Аннотация: С помощью обычной и высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии исследованы структурные дефекты в слоях кремния, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии и легированных эрбием. Доп.точки доступа: Вернер, П.; Денисов, Д. В.; Соболев, Н. А.; Устинов, В. М. |
539.2 Б 24 Баранов, Е. Е. Корреляция люминесцентных свойств с изменением характера структурной организации в сверхрешетках AlGaN/GaN после имплантации ионов эрбия и отжига [Текст] / Е. Е. Баранов, А. М. Емельянов [и др.] // Журнал технической физики. - 2006. - Т. 76, N 12. - С. 61-64. - Библиогр.: c. 64 (11 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): атомно-силовая микроскопия; ионная имплантация; нитрид галлия; отжиг; сверхрешетки; структурная организация; фотолюминесценция; эрбий Аннотация: Проведены сравнительные исследования эволюции характера структурной организации (ХСО) сверхрешеток (СР) AlGaN/GaN, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений, и их фотолюминесцентных (ФЛ) свойств после имплантации ионов эрбия с энергией 1 MeV, дозой 3ъ10{15} cm{-2} и отжига. Характер структурной организации оценивался количественно с помощью параметра Delta (степень нарушения локальной симметрии) , который определялся путем обработки с помощью мультифрактального анализа данных исследования морфологии поверхности структур методами атомно-силовой микроскопии. Показано, что имплантация сопровождается не только выделением Ga на поверхности, но и изменением ХСО, проявляющимся в появлении более мелкой по сравнению с исходной зернистой структуры и в разупорядочении, а также в росте Delta. С ростом температуры отжига от 700 до 800{o}C наблюдаются снижение Delta, свидетельствующее об улучшении ХСО, и увеличение интенсивности доминирующего пика (1. 542 mum) ФЛ ионов Er{3+}. Дальнейшее увеличение температуры отжига до 1050{o}C сопровождается ухудшением ХСО, укрупнением доменов, формированием пустот глубиной до 100-200 nm и падением интенсивности ФЛ. На образование пустот в процессе высокотемпературного отжига также указывают данные метода рассеяния протонов с энергией 230 keV. Таким образом, установлено, что улучшение характера структурной организации СР способствует активации эрбия и росту интенсивности люминесценции ионов эрбия. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2006/12/p61-64.pdf Доп.точки доступа: Емельянов, А. М.; Лундин, В. В.; Петров, В. Н.; Сахаров, В. И.; Серенков, И. Т.; Соболев, Н. А.; Титков, А. Н.; Шек, Е. И.; Шмидт, Н. М. |
530.1 С 79 Степина, Н. П. Фотопроводимость по массиву туннельно-связанных квантовых точек Ge/Si [Текст] / Н. П. Степина, А. И. Якимов [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2006. - Т. 130, N 2. - С. 309-318. - Библиогр.: с. 318 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика--Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): фотопроводимость; туннельно-связанные квантовые точки; германий; кремний; квантовые точки Аннотация: Исследование фотопроводимости по массиву туннельно-связанных квантовых точек германия в кремнии. Доп.точки доступа: Якимов, А. И.; Ненашев, А. В.; Двуреченский, А. В.; Соболев, Н. А.; Лейтао, Д. П.; Кириенко, В. В.; Никифоров, А. И.; Коптев, Е. С.; Перейра, Л.; Кармо, М. С. |
621.3 С 544 Соболев, Н. А. Дислокационная люминесценция в кремнии, обусловленная имплантацией ионов кислорода и последующим отжигом [Текст] / Н. А. Соболев, Б. Я. Бер [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 3. - С. 295-297 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): кремний -- люминесценция -- дислокационная люминесценция -- имплантация ионов кислорода -- отжиг Аннотация: Обнаружено, что множественная имплантация ионов кислорода с энергиями 0. 1-1. 5 МэВ и дозами 7 10\{13\} - 2 10\{14\} см\{-2\} и последующий отжиг в хлорсодержащей атмосфере при температуре 900 C в течение 4 ч приводят к появлению дислокационной люминесценции в Si p-типа проводимости. При этом в приповерхностном слое Si также наблюдается p- > n-конверсия типа проводимости, свидетельствующая об образовании электрически активных донорных центров. Предварительная термообработка покрытых легированной эрбием пленкой тетраэтоксисилана пластин при температуре 1250 C в течение 1 ч в аргоне не предотвращает появление дислокационной люминесценции, но влияет на параметры дислокационных линий (положение их максимумов и интенсивность). Доп.точки доступа: Бер, Б. Я.; Емельянов, А. М.; Коварский, А. П.; Шек, Е. И. |
621.3 С 544 Соболев, Н. А. Дислокационная люминесценция, возникающая в монокристаллическом кремнии после имплантации ионов кремния и последующего отжига [Текст] / Н. А. Соболев, А. М. Емельянов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 5. - С. 555-557 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): монокристаллический кремний -- кремний -- люминесценция -- дислокационная люминесценция -- имплантация ионов Аннотация: Установлено, что имплантация ионов кремния с энергией 100 кэВ и дозой 1 10\{17\} см\{-2\} в выращенный методом бестигельной зонной плавки Si n-типа проводимости не приводит к формированию аморфного слоя. Последующий отжиг в хлорсодержащей атмосфере при температуре 1100 C сопровождается появлением дислокационной люминесценции. Интенсивность доминирующей линии D1 с максимумом на длине волны ~ 1. 54 мкм возрастает с увеличением времени отжига от 15 до 60 мин. Доп.точки доступа: Емельянов, А. М.; Сахаров, В. И.; Серенков, И. Т.; Шек, Е. И.; Тетельбаум, Д. И. |
621.3 С 544 Соболев, Н. А. Кремниевые светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре, изготовленные имплантацией ионов эрбия и газофазного осаждения поликристаллических слоев кремния, сильно легированных бором и фосфором [Текст] / Н. А. Соболев, А. М. Емельянов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 5. - С. 635-638 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): светодиоды -- кремниевые светодиоды -- дислокационная люминесценция -- люминесценция -- имплантация ионов -- эрбий -- газофазное осаждение -- поликристаллические слои -- легирование Аннотация: Изготовлены светодиоды, в которых оптически активные центры образуются при имплантации в кремний ионов эрбия и последующем высокотемпературном отжиге в окисляющей атмосфере, а p-n-переход и омический контакт формируются путем газофазного осаждения поликристаллических слоев кремния, легированных бором и фосфором соответственно. Исследованы люминесцентные свойства светодиодов. Применение поликристаллических слоев позволяет избежать потерь в толще светоизлучающего слоя Si : Er, которые неизбежны при использовании традиционых методов ионной имплантации и диффузии. При 80 K трансформация спектров электролюминесценции в области дислокационной люминесценции в зависимости от тока хорошо описывается при разложении спектра на три гауссовы кривые, положения максимумов которых и их ширины не зависят от тока, а амплитуды линейно возрастают с током. При 300 K в области дислокационной люминесценции наблюдается один максимум с длиной волны ~1. 6 мкм. Доп.точки доступа: Емельянов, А. М.; Забродский, В. В.; Забродская, Н. В.; Суханов, В. Л.; Шек, Е. И. |
621.315.592 Е 601 Емельянов, А. М. Кремниевые светодиоды с большой мощностью излучения краевой люминесценции [Текст] / А. М. Емельянов, авт. Н. А. Соболев // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 3. - С. 331-335 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кремниевые светодиоды -- краевая люминесценция -- люминесценция -- межзонные переходы Аннотация: При комнатной температуре исследована электролюминесценция в области межзонных переходов кремниевых светодиодов, полученных путем резки солнечного элемента площадью 21 см\{2\} и имевшего внешнюю квантовую эффективность электролюминесценции эта[ext] до 0. 85%. Несмотря на значительное уменьшение эта[ext] вследствие резки и оже-рекомбинации, при импульсных токах до 10 А и площадях структур из диапазона S=0. 1-0. 9 см2 достигнуты рекордные значения общей излучаемой диодом мощности до W=8 мВт, а также мощности, излучаемой с единицы площади, до P[0]=65 мВт/см[2]. Для светодиодов различной площади измерена кинетика спада электролюминесценции. Определены диаграмма направленности излучения в Si-светодиоде с текстурированной поверхностью и распределение интенсивности по различным направлениям излучающей площади светодиода. Доп.точки доступа: Соболев, Н. А. |
Емельянов, А. М. Мощные кремниевые светодиоды с краевой люминесценцией [Текст] / А. М. Емельянов, Н. А. Соболев // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 4. - С. 64-70
Рубрики: Физика Физические приборы и методы физического эксперимента Кл.слова (ненормированные): кремниевые светодиоды -- солнечные элементы -- краевая электролюминесценция Аннотация: Из кремниевого солнечного элемента с текстурированной поверхностью площадью 21 cm\{2\} путем резки изготовлены светодиоды с максимальной внешней квантовой эффективностью краевой электролюминесценции при комнатной температуре ~ 0. 8%, в которых при импульсном токе 18 A и площади излучающей поверхности около 3 cm\{2\} достигнута рекордная мощноcть краевой электролюминесценции ~ 46 mW при внешней квантовой эффективности ~ 0. 18%. Исследованы зависимости параметров светодиодов от величины тока и распределение излучения по площади структуры. Доп.точки доступа: Соболев, Н. А. |
Соболев, Н. А. Инженерия дефектов в имплантационной технологии кремниевых светоизлучающих структур с дислокационной люминесценцией [Текст] : обзор / Н. А. Соболев // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 3-25 : ил. - Библиогр.: с. 23-25 (94 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): имплантация -- ионная имплантация -- светоизлучающие структуры -- СИС -- кремниевые светоизлучающие структуры -- люминесценция -- электролюминесценция -- ЭЛ -- фотолюминесценция -- ФЛ -- дислокационная люминесценция -- ДЛ -- длина волны -- инженерия дефектов -- образование дефектов -- спектры -- полупроводниковые приборы -- имплантация ионов -- Er -- эрбий -- Dy -- диспрозий -- Ho -- гольмий -- O -- кислород -- Si -- кремний -- светодиды -- СД -- кремниевые светодиоды -- собственные точечные дефекты -- СТД -- протяженные структурные дефекты -- петли Франка -- Франка петли -- отжиг -- люминесцентные центры -- температура -- хлорсодержащая атмосфера -- ХСА -- твердофазная эпитаксия -- ТФЭ -- жидкофазная эпитаксия -- ЖФЭ -- обзоры Аннотация: Обобщаются результаты по развитию физических основ технологии, основанной на ионной имплантации, для разработки кремниевых светоизлучающих структур с дислокационной люминесценцией на область длин волн вблизи ~1. 6 мкм. Развитие концепции инженерии дефектов в технологии полупроводниковых приборов позволило установить закономерности процесса образования дефектов и выявить особенности, возникающие в спектрах излучения при изменении условий имплантации ионов Er, Dy, Ho, O, Si и последующего отжига, и создавать светоизлучающие структуры с желательным спектром люминесцентных центров и протяженных структурных дефектов. Найдены технологические условия, при которых в светоизлучающем слое вводится только один тип протяженных структурных дефектов (петли Франка, совершенные призматические петли или чисто краевые дислокации), что позволило исследовать корреляцию между концентрацией протяженных дефектов определенного типа и интенсивностью линий дислокационной люминесценции. Выявлена определяющая роль собственных точечных решеточных дефектов в зарождении и трансформации протяженных структурных дефектов и люминесцентных центров, ответственных за дислокационную люминесценцию. Установлено, что эффективность возбуждения люминесценции представляющих наибольший интерес для практического применения так называемых центров D1 изменяется более чем на 2 порядка в структурах, приготовленных разными технологическими методами. Изготовлены высокоэффективные кремниевые светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре. |
Якимов, Е. Е. Исследование безызлучательной рекомбинации в кремниевых светодиодах с краевой люминесценцией методом наведенного тока (EBIC) [Текст] / Е. Е. Якимов, Н. А. Соболев // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 9. - С. 1280-1283 : ил. - Библиогр.: с. 1282 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кремниевые светодиодные структуры -- люминесценция -- краевая люминесценция -- метод наведенного тока -- IBIC -- ионная имплантация -- постимплантационный отжиг -- температура отжига -- неосновные носители заряда -- светодиоды -- безызлучательная рекомбинация -- p-n переходы Аннотация: Кремниевые светодиодные структуры с краевой люминесценцией исследованы методом наведенного тока. Структуры были изготовлены методом ионной имплантации и отличались температурой заключительной стадии постимплантационного отжига (950 и 1000{o}C). Увеличение температуры отжига сопровождается увеличением диффузионной длины неосновных носителей заряда в области светодиода, где и имеет место краевая люминесценция, от 1-2 до 25-35 мкм и уменьшением неоднородности распределения центров безызлучательной рекомбинации в этой области в латеральном направлении, параллельном плоскости p-n-перехода, что и приводит к наблюдавшемуся существенному росту интенсивности краевой люминесценции. Доп.точки доступа: Соболев, Н. А. |
539.2 Ф 815 Фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами кремния с аморфизующими дозами [Текст] / Н. А. Соболев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 9. - С. 1182-1187 : ил. - Библиогр.: с. 1186 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Люминесценция Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- люминесцентные свойства -- структурные свойства -- дислокационная люминесценция -- ДЛ -- имплантация ионами -- ионы кремния -- обратное резерфордовское рассеяние -- рассеяние протонов -- аморфные слои -- рентгеновская дифракция -- метод рентгеновской дифракции -- Si -- кремний -- дефекты -- отжиг -- спектры фотолюминесценции -- ионная имплантация Аннотация: Исследованы люминесцентные и структурные свойства в n-FZ-Si и n-Cz-Si, имплантированном ионами Si с аморфизующими дозами и отожженном при 1100 °C в хлорсодержащей атмосфере. Анализ спектров обратного резерфордовского рассеяния протонов в имплантированных образцах выявил формирование аморфного слоя, положение и толщина которого зависят от дозы имплантации. Методом рентгеновской дифракции обнаружено образование дефектов межузельного типа в образцах после отжигов. В спектрах фотолюминесценции при 78 K при низких уровнях возбуждения доминировала линия дислокационной люминесценции D1, которая наблюдалась и при 300 K. Положение максимума этой линии, ее полуширина и интенсивность зависели от типа Si и дозы имплантации. С увеличением мощности возбуждения люминесценции в спектре появляется непрерывная полоса. Предложена модель, объясняющая установленные закономерности в поведении спектров фотолюминесценции в зависимости от экспериментальных условий. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/09/p1182-1187.pdf Доп.точки доступа: Соболев, Н. А.; Калядин, А. Е.; Кютт, Р. Н.; Сахаров, В. И.; Серенков, И. Т.; Шек, Е. И.; Афросимов, В. В.; Тетельбаум, Д. И. |
535.37 Ф 815 Фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами эрбия при повышенной температуре [Текст] / Н. А. Соболев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 8. - С. 1038-1040 : ил. - Библиогр.: с. 1040 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- спектры фотолюминесценции -- имплантация ионов -- ионы эрбия -- кремний -- комнатная температура -- отжиг Аннотация: Исследованы спектры фотолюминесценции в кремнии n-типа проводимости после имплантации ионов эрбия при 600 °C и ионов кислорода при комнатной температуре и последующих отжигов при 1100 °C в хлорсодержащей атмосфере. В зависимости от длительности отжигов в спектрах фотолюминесценции при 80 K доминируют линии люминесценции ионов Er{3+} или дислокационной люминесценции. Обнаруженный при этой температуре коротковолновый сдвиг линии дислокационной люминесценции обусловлен проведением имплантации ионов эрбия при повышенной температуре. При комнатной температуре в спектрах наблюдаются линии эрбиевой и дислокационной люминесценции, но доминируют линии краевой люминесценции. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/08/p1038-1040.pdf Доп.точки доступа: Соболев, Н. А.; Калядин, А. Е.; Шек, И. Е.; Сахаров, В. И.; Серенков, И. Т.; Вдовин, В. И.; Паршин, Е. О.; Маковийчук, М. И. |
354 С 544 Соболев, Н. А. Модель эффективности государственной службы в России: проблема рефлексии / Н. А. Соболев // Вопросы государственного и муниципального управления. - 2012. - № 4. - С. 177-193. - Библиогр.: с. 190-191 (18 назв. )
Рубрики: Политика. Политология Государственная власть и управление Кл.слова (ненормированные): рефлексия -- государственная служба -- оценка эффективности -- рефлексивность -- модели эффективности -- гражданское общество -- саморефлексия госслужбы -- институты международных сообществ -- международные организации -- международные методики -- петли в рефлексии -- GRICS -- Governance Research Indicator Country Snapshot -- индикаторы эффективности управления -- государственное управление -- показатели эффективности Аннотация: Новые подходы к пониманию и оценке эффективности государственной службы. Взаимоотношения госслужбы с непосредственным окружением в рамках системы государственного управления. Рефлексивное воздействие институтов, международных организаций и гражданского общества. Оценка эффективности работы госслужбы и повышение саморефлексии. |
533.9 Э 454 Электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами кислорода / А. С. Лошаченко [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 2. - С. 251-254 : ил. - Библиогр.: с. 254 (11 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): нестационарная емкостная спектроскопия -- метод нестационарной емкостной спектроскопии -- емкостная спектроскопия -- дислокационная люминесценция -- ДЛ -- температурные зависимости -- имплантация ионов -- ионы кислорода -- термическая эмиссия -- термоэмиссия -- дырки -- валентные зоны -- дефекты -- протяженные дефекты Аннотация: Методом нестационарной емкостной спектроскопии впервые исследованы электрически активные уровни в p-Cz-Si, имплантированном ионами кислорода и отожженном в хлорсодержащей атмосфере. Измерены температурные зависимости скорости термической эмиссии дырок с уровней в валентную зону, и исследовано влияние условий отжига на концентрацию образовавшихся уровней. Обнаруженные нами глубокие и мелкие уровни в образцах с дислокационной люминесценцией достаточно близки по своим параметрам к уровням, ранее наблюдавшимся в образцах с протяженными дефектами, полученных различными методами (деформация, образование кислородных преципитатов и прямое сращивание пластин). Некоторые отличия в этих параметрах обусловлены изменениями полей напряжений от протяженных дефектов, обусловленными конкретными технологическими условиями их формирования. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/02/p251-254.pdf Доп.точки доступа: Лошаченко, А. С.; Вывенко, О. Ф.; Шек, Е. И.; Соболев, Н. А.; "Кремний-2012", международная конференция (9 ; 2012 ; Санкт-Петербург) |
621.315.592 Э 454 Электрически активные центры, образующиеся в кремнии в процессе высокотемпературной диффузии бора и алюминия / Н. А. Соболев [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 2. - С. 255-257 : ил. - Библиогр.: с. 257 (8 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): активные центры -- электрически активные центры -- высокотемпературная диффузия -- диффузия -- бор -- алюминий -- кремний -- метод Холла -- Холла метод -- емкостная спектроскопия -- удельное сопротивление -- p-n переходы -- донорные центры Аннотация: Параметры электрически активных центров, образующихся в процессе высокотемпературной диффузии бора и алюминия в кремний в разных средах, исследовались методами Холла и емкостной спектроскопии. Установлено, что изменение удельного сопротивления в n-базе изготовленных структур с p-n-переходами контролируется образованием трех донорных уровней Q1, E4, Q3 с энергиями E[c]-0. 31, E[c]-0. 27 и E[c]-0. 16 эВ. После диффузии в хлорсодержащей атмосфере вводится только один уровень E4, но его концентрация меньше в 2. 5 раза по сравнению с диффузией на воздухе. Значения энергии ионизации уровня Q3, измеренные в равновесных (эффект Холла) и неравновесных (емкостная спектроскопия) условиях, практически совпадают. Наиболее глубокий уровень E1 с энергией Ec-0. 54 эВ, образующийся после диффузии в обеих средах, не оказывает влияния на значение удельного сопротивления в n-базе структур. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/02/p255-257.pdf Доп.точки доступа: Соболев, Н. А.; Лошаченко, А. С.; Полоскин, Д. С.; Шек, Е. И.; "Кремний-2012", международная конференция (9 ; 2012 ; Санкт-Петербург) |
535.37 В 586 Влияние температуры отжига на низкотемпературную фотолюминесценцию в светоизлучающих структурах Si:Er, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / Б. А. Андреев [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 10. - С. 1344-1346 : ил. - Библиогр.: с. 1346 (12 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Люминесценция Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- спектры фотолюминесценции -- светоизлучающие структуры -- кремний -- Si -- эрбий -- Er -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- МЛЭ -- температура отжига -- отжиг Аннотация: Исследованы спектры фотолюминесценции при 4. 2 K в светоизлучающих структурах на основе кремния, легированного эрбием в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии при температуре 500°С, после отжига при 800-900°С. Выявлены три серии линий, принадлежащих излучающим центрам эрбия в кремнии с низкой концентрацией примеси кислорода. Photoluminescence spectra in light-emitting structures based on molecular beam epitaxy erbium-doped silicon layers grown at the temperature 500 °C and annealed at 800-900 °C have been studied at 4. 2K. Three groups of lines were revealed which belong to radiating centers of erbium in silicon with a low oxygen impurity concentration. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/10/p1344-1346.pdf Доп.точки доступа: Андреев, Б. А.; Соболев, Н. А.; Денисов, Д. В.; Шек, Е. И.; Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург) |
539.21:537 И 889 Исследование фотоответа кремниевого мультипиксельного счетчика фотонов в вакуумном ультрафиолете / В. В. Забродский [и др.]. // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 8. - С. 23-29 : ил. - Библиогр.: с. 29 (13 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): фотоответы -- фотоны -- вакуумный ультрафиолет -- мультипиксельные счетчики -- гейгеровский пробой -- длина волны -- излучение -- температурные зависимости Аннотация: Исследован фотоответ кремниевого мультипиксельного счетчика фотонов, работающего в режиме гейгеровского пробоя на длинах волн lambda=115, 121, 128, 160 и 175 nm. Продемонстрирована возможность регистрации излучения в режиме счета фотонов при комнатной температуре на исследованных длинах волн с эффективностью порядка 2%. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/08/p23-29.pdf Доп.точки доступа: Забродский, В. В.; Аруев, П. Н.; Белик, В. П.; Бер, Б. Я.; Бобашев, С. В.; Петренко, М. В.; Соболев, Н. А.; Филимонов, В. В.; Шварц, М. З.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург) |