539.2 Т 37 Тетельбаум, Д. И. (докт. физ.-мат. наук). Эффект дальнодействия [] / Д. И. Тетельбаум, В. Я. Баянкин // Природа. - 2005. - N 4. - С. 9-17. - Библиогр.: с. 17 (12 назв. ) . - ISSN 0032-874X
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): полупроводники; физика полупроводников; радиационная физика; дальнобойные ионы; каскад атомных смещений; генерация акустических волн; эффект дальнодействия; ионно-лучевое легирование; физика металлов; металловедение; электронная микроскопия; рентгеновская дифракция; эффект Мессбауэра; Мессбауэра эффект Аннотация: На какой глубине изменяются свойства вещества при внедрении ионов? Казалось бы, размеры области воздействия ионов должны ограничиваться их пробегом. Но эксперимент показывает, что это не всегда так. Доп.точки доступа: Баянкин, В. Я. (докт. технич. наук) |
539.2 Т 37 Тетельбаум, Д. И. О влиянии процесса коалесценции и характера исходного оксида на фотолюминесценцию ионно-синтезированных нанокристаллов Si в SiO (2 [] / Д. И. Тетельбаум, О. Н. Горшков [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 17-21. - Библиогр.: с. 21 (15 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): атмосфера; влажная атмосфера; воздух; высокотемпературный отжиг; ионно-синтезированные нанокристаллы; коалесценция; кремний; нанафотоника; нанокристаллы; окисляющая атмосфера; оксид кремния; отжиг; фотолюминесценция Аннотация: Обнаружено, что при использовании оксида кремния, выращенного во влажной атмосфере, в спектре фотолюминесценции присутствует дополнительная полоса, наличие которой связывается с оболочкой, окружающей нанокристаллы. Данная полоса резко ослабляется при высокотемпературном отжиге в окисляющей атмосфере (на воздухе) . Доп.точки доступа: Горшков, О. Н.; Касаткин, А. П.; Михайлов, А. Н.; Белов, А. И.; Гапонова, Д. М.; Морозов, С. В. |
539.2 Т 37 Тетельбаум, Д. И. Дальнодействующее влияние облучения светом на микротвердость фольг молибдена, подвергнутых термическому отжигу [Текст] / Д. И. Тетельбаум, Е. В. Курильчик, Ю. А. Менделеева // Журнал технической физики. - 2005. - Т. 75, N 11. - С. 133-135. - Библиогр.: c. 135 (7 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): микротвердость; молибден; облучение светом; отжиг; фольга Аннотация: Приведены результаты экспериментального исследования изменения микротвердости фольг молибдена под действием облучения светом (на необлученной стороне) как для исходных образцов, так и для образцов, предварительно отожженных в интервале 75-900{o}C. Показано, что относительные изменения микротвердости под действием однократного и многократных облучений существенно модифицируются при отжиге и зависят от его температуры. Рекристаллизационный отжиг приводит к возрастанию относительного изменения микротвердости и регуляризации характера изменений при повторении циклов облучение-релаксация, тогда как отжиги при более низких температурах - к нарушению регулярности. Результаты свидетельствуют о роли состояния системы дефектов металла в исходном состоянии. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2005/11/page-133.html.ru Доп.точки доступа: Курильчик, Е. В.; Менделеева, Ю. А. |
539.2 Т 35 Терехов, В. А. Синхротронные исследования электронного строения нанокристаллов кремния в матрице SiO[2] [Текст] / В. А. Терехов, С. Ю. Турищев [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 1. - С. 61-65 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- нанокристаллы -- кремний -- оксид кремния -- ионы кремния -- имплантация -- XANES-спектры -- электронное строение -- синхротронные исследования Аннотация: Ионы кремния имплантировали в тонкие пленки оксида кремния, полученные термическим окислением кремниевых пластин во влажном кислороде. Набор дозы имплантации проводился либо однократно, либо циклически, и всякий раз после проведения имплантации образцы подвергались отжигу в сухом азоте. Вторая серия образцов отличалась технологией получения оксида, которая включала дополнительный отжиг на воздухе при 1100шС в течение трех часов. Ближняя тонкая структура рентгеновских спектров вблизи краев поглощения (XANES) была получена с помощью синхротронного излучения. Во всех SiL[2, 3]-спектрах наблюдались два края поглощения, первый из которых связан с элементарным кремнием, а второй - с матрицей SiO[2]. Тонкая структура первого указывает на возможность формирования нанокристаллического кремния nc-Si в матрице SiO[2], атомное и электронное строение которой зависит от технологии ее формирования. Для обеих серий образцов циклическое накопление общей дозы (Ф = 10{17} см{-2}) и времени отжига (2 ч) приводит к появлению наиболее выраженной структуры в области края поглощения элементарного кремния. При этом в более плотном оксиде образцов второй серии вероятность образования нанокристаллов кремния уменьшается. Доп.точки доступа: Турищев, С. Ю.; Кашкаров, В. М.; Домашевская, Э. П.; Михайлов, А. Н.; Тетельбаум, Д. И. |
539.2 Т 350 Терехов, В. А. Синхротронные исследования электронного строения нанокристаллов кремния в матрице SiO[2] [Текст] / В. А. Терехов, С. Ю. Турищев [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 1. - С. 61-65 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- нанокристаллы -- кремний -- оксид кремния -- ионы кремния -- имплантация -- XANES-спектры -- электронное строение -- синхротронные исследования Аннотация: Ионы кремния имплантировали в тонкие пленки оксида кремния, полученные термическим окислением кремниевых пластин во влажном кислороде. Набор дозы имплантации проводился либо однократно, либо циклически, и всякий раз после проведения имплантации образцы подвергались отжигу в сухом азоте. Вторая серия образцов отличалась технологией получения оксида, которая включала дополнительный отжиг на воздухе при 1100шС в течение трех часов. Ближняя тонкая структура рентгеновских спектров вблизи краев поглощения (XANES) была получена с помощью синхротронного излучения. Во всех SiL[2, 3]-спектрах наблюдались два края поглощения, первый из которых связан с элементарным кремнием, а второй - с матрицей SiO[2]. Тонкая структура первого указывает на возможность формирования нанокристаллического кремния nc-Si в матрице SiO[2], атомное и электронное строение которой зависит от технологии ее формирования. Для обеих серий образцов циклическое накопление общей дозы (Ф = 10{17} см{-2}) и времени отжига (2 ч) приводит к появлению наиболее выраженной структуры в области края поглощения элементарного кремния. При этом в более плотном оксиде образцов второй серии вероятность образования нанокристаллов кремния уменьшается. Доп.точки доступа: Турищев, С. Ю.; Кашкаров, В. М.; Домашевская, Э. П.; Михайлов, А. Н.; Тетельбаум, Д. И. |
621.38 К 884 Кувандиков, О. К. Исследование электронной структуры кремния, имплантированного фосфором, и квантовых точек диоксида кремния с добавками кремния методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и спектроскопии характеристических потерь энергии электронов высокого разрешения [Текст] / О. К. Кувандиков, Э. У. Арзикулов, А. И. Ковалев, Д. И. Тетельбаум // Радиотехника и электроника. - 2007. - Т. 52, N 9. - С. 1140-1144. - Библиогр.: с. 1144 (9 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): имплантированные фосфоры; нанокристаллы кремния; спектроскопия; монокристаллы Аннотация: Исследовано влияние примесей фосфора на электронную структуру монокристаллов кремния и нанокомпозитов SiO[2] : Si. Структуры SiO[2] : Si с примесью фосфора, отожженные при 1000{о}С в течение 2 ч., показывают усиление пика фотолюминисценции, связанного с нанокристаллами Si. Экспериментально определенные плотности состояний в валентной зоне и зоне проводимости SiO[2] : Si композитов хорошо согласуются с расчетами локальной электронной структуры в окрестности включений кремния в приближении линейных muffin-tin-орбитателей. Доп.точки доступа: Арзикулов, Э. У.; Ковалев, А. И.; Тетельбаум, Д. И. |
53 Г 708 Горшков, О. Н. Дефектные центры в тонких пленках диоксида германия, облученных ионами кремния [Текст] / О. Н. Горшков, Д. И. Тетельбаум [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 3. - С. 10-12 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): диоксид германия -- тонкие пленки -- облучение ионами кремния -- нанокристаллы кремния -- точечные дефекты в пленках Аннотация: Проведен анализ оптических спектров пропускания пленок GeO[2], облученных ионами кремния и прошедших постимплантационный отжиг в режиме образования в пленках нанокристаллов кремния. Показано, что при облучении с дозами D ~ 10\{20\} м\{-2\} в пленках формируются точечные дефекты: германиевые электронные центры, нейтральные кислородные вакансии и Gе\{2+\}-центры, которые отжигались при температуре 1000шС в течение часа. При D ? 1 х 10\{21\} м\{-2\} в пленках возникают более сложные дефекты, которые при тех же условиях отжигаются лишь частично. Доп.точки доступа: Тетельбаум, Д. И.; Антонов, И. Н.; Михайлов, А. Н.; Камин, В. А.; Касаткин, А. П. |
539.2 А 910 Астахов, В. П. Особенности адгезионных свойств пленок на ионно-легированных приборных структурах [Текст] / В. П. Астахов, В. В. Карпов [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 6. - С. 87-92 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): адгезионные свойства -- пленки (физика) -- ионно-легированные приборные структуры -- InSb -- SiO[x] Аннотация: Исследованы особенности адгезии диэлектрических и металлических пленок в приборных структурах на основе InSb, изготовленных в условиях промышленного производства. Выявлены основные факторы, влияющие на качество адгезии диэлектрика SiO[x] на антимониде индия и приводящие к сезонному эффекту снижения процента выхода годных приборов. Установлено, что дополнительное имплантационное легирование рабочих и периферийных областей приборных структур значительно улучшают адгезию покрытий. Эффект от имплантационного легирования сильно зависит от степени структурного совершенства исходного монокристалла, подготовки его поверхности и особенностей технологического цикла изготовления приборов. Доп.точки доступа: Карпов, В. В.; Крапухин, В. В.; Максимов, А. Д.; Туловчиков, В. С.; Тетельбаум, Д. И. |
621.3 С 544 Соболев, Н. А. Дислокационная люминесценция, возникающая в монокристаллическом кремнии после имплантации ионов кремния и последующего отжига [Текст] / Н. А. Соболев, А. М. Емельянов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 5. - С. 555-557 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): монокристаллический кремний -- кремний -- люминесценция -- дислокационная люминесценция -- имплантация ионов Аннотация: Установлено, что имплантация ионов кремния с энергией 100 кэВ и дозой 1 10\{17\} см\{-2\} в выращенный методом бестигельной зонной плавки Si n-типа проводимости не приводит к формированию аморфного слоя. Последующий отжиг в хлорсодержащей атмосфере при температуре 1100 C сопровождается появлением дислокационной люминесценции. Интенсивность доминирующей линии D1 с максимумом на длине волны ~ 1. 54 мкм возрастает с увеличением времени отжига от 15 до 60 мин. Доп.точки доступа: Емельянов, А. М.; Сахаров, В. И.; Серенков, И. Т.; Шек, Е. И.; Тетельбаум, Д. И. |
Легирование фосфором как эффективный способ воздействия на излучательную межзонную рекомбинацию в кремниевых нанокристаллах [Текст] / А. И. Белов [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 7. - С. 39-45
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кремниевые нанокристаллы -- нанокристаллы -- фотолюминесценция -- легирование фосфором -- излучательная межзонная рекомбинация Аннотация: Систематизированы экспериментальные результаты по спектрам и кинетике фотолюминесценции, полученные при исследовании оксидных слоев SiO[2], наноструктурированных путем ионной имплантации кремния с последующими легированием и термообработкой. Показано, что ионное легирование фосфором приводит к многократному увеличению интенсивности и времени спада нестационарной фотолюминесценции при лямбда = 750 нм вследствие увеличения вероятности излучательной рекомбинации в легированных квантовых точках Si и пассивации оборванных связей на их границах раздела с матрицей. Доп.точки доступа: Белов, А. И.; Беляков, В. А.; Бурдов, В. А.; Михайлов, А. Н.; Тетельбаум, Д. И. |
Тетельбаум, Д. И. Эффект дальнодействия при малоинтенсивном облучении твердых тел [Текст] / Д. И. Тетельбаум, Е. В. Курильчик, Ю. А. Менделева // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 3. - С. 94-103. - Доклад на 18 Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): эффект дальнодействия -- малоинтенсивное облучение -- микротвердости -- микродефекты -- малодозный эффект дальнодействия -- воздействие акустических волн Аннотация: Приведены экспериментальные результаты исследования дальнодействующего влияния малоинтенсивного облучения светом на микротвердость пластин кремния и фольг алюминия, в том числе при облучении стопок алюминий/кремний. Эти результаты для кремния согласуются с данными по влиянию облучения на систему микродефектов. Приведены также некоторые результаты по малодозному эффекту дальнодействия в указанных материалах. Обсуждение результатов проводится в рамках модели воздействия на дефекты твердого тела акустических волн, возбуждаемых при облучении. Доп.точки доступа: Курильчик, Е. В.; Менделева, Ю. А. |
Исследование методом резерфордовского обратного рассеяния c каналированием ионов эффекта дальнодействия при облучении светом [Текст] / В. Л. Левшунова [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 3. - С. 84-86. - Доклад на 18 Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): метод резерфордовского обратного рассеяния -- каналирование ионов -- эффект дальнодействия -- облучение кристалла светом Аннотация: Представлены результаты первых экспериментов по наблюдению эффекта дальнодействия методом резерфордовского обратного рассеяния с каналированием ионов при освещении кристалла кремния видимым светом. Доп.точки доступа: Левшунова, В. Л.; Менделева, Ю. А.; Похил, Г. П.; Тетельбаум, Д. И.; Черных, П. Н. |
Люминесценция и структура наноразмерных включений, формирующихся в слоях SiO[2] при двойной имплантации ионов кремния и углерода [Текст] / Д. И. Тетельбаум [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 9. - С. 50-57
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): люминесценция -- структурные параметры -- наноразмерные включения -- двойная имплантация ионами -- нанокристаллы -- дефекты Аннотация: Методами фотолюминесценции, электронного парамагнитного резонанса, просвечивающей электронной микроскопии и электронной спектроскопии исследованы люминесцентные свойства и структурные параметры слоев SiO[2], подвергнутых двойной имплантации ионами Si\{+\} и С\{+\} с целью синтеза наноразмерных включений карбида кремния. Показано, что облучение ионами углерода слоев SiO[2] с предварительно сформированными нанокристаллами кремния сопровождается гашением фотолюминесценции от нанокристаллов при 700-750 нм и усилением излучения в области 350-700 нм от обедненных кислородом центров в оксиде. Последующий отжиг при 1000 или 1100 градусов С приводит к залечиванию дефектов и, соответственно, к ослаблению связанных с ними пиков фотолюминесценции, а также частично восстанавливает люминесценцию кремниевых нанокристаллов в случае, когда доза углерода меньше дозы кремния, и приводит к интенсивной “белой” люминесценции в случае, когда дозы углерода и кремния одинаковы. Доп.точки доступа: Тетельбаум, Д. И.; Михайлов, А. Н.; Белов, А. И.; Васильев, В. К.; Ковалев, А. И.; Вайнштейн, Д. Л.; Golan, Y.; Osherov, A. |
Свойства наноструктур Al[2]O[3]: nc-Si, сформированных путем ионной имплантации кремния в сапфир и аморфные пленки оксида алюминия [Текст] / Д. И. Тительбаум [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 2. - С. 385-392. - Библиогр.: с. 391-392 (29 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- ионная имплантация -- ионная имплантация кремния в сапфир -- аморфные пленки -- аморфные пленки оксида алюминия -- фотолюминесценция -- инфракрасная Фурье-спектроскопия -- Фурье-спектрскопия инфоракрасная -- рамановское рассеяние -- оксид алюминия Аннотация: Методами фотолюминесценции, инфракрасной Фурье-спектроскопии, рамановского рассеяния, просвечивающей электронной микроскопии и дифракции электронов исследованы люминесцентные, оптические и структурные свойства слоев оксида алюминия (сапфира и нанесенных на кремний пленок Al[2]O[3]), подвергнутых ионной имплантации Si{+} с целью создания нанокристаллов кремния. Установлено, что при высокотемпературном отжиге имплантированных большими дозами образцов в обоих случаях формируются нанористаллы кремния, однако их люминесцентные свойства существенным образом зависят от типа исходной матрицы - в пленках Al[2]O[3] нанокристаллы излучают в типичной для квантовых точек Si области (700-850 nm), а в сапфире такая люминесценция отсутствует. Выявленное различие интерпретируется как следствие локальных механических напряжений, возникающих в системе нанокристалл/сапфир и приводящих к разрыву химических связей на границе этих фаз, тогда как в пленках Al[2]O[3]механические напряжения релаксируют. Доп.точки доступа: Тетельбаум, Д. И.; Михайлов, А. Н.; Белов, А. И.; Ершов, А. В.; Питиримова, Е. А.; Планкина, С. М.; Смирнов, В. Н.; Ковалев, А. И.; Turan, R.; Yerci, S.; Finstad, T. G.; Foss, S. |
Формирование и "белая" фотолюминесценция нанокластеров в пленках SiO[x], имплантированных ионами углерода [Текст] / А. И. Белов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1498-1503 : ил. - Библиогр.: с. 1503 (31 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- нанокластеры -- ионы углерода -- кластеры -- нанокристаллы -- высокотемпературный отжиг -- отжиг -- оксид кремния -- SiOx -- имплантация ионов -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия -- РФЭС -- метод рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии Аннотация: Приведены экспериментальные данные по ионному синтезу нанокомпозитных слоев с углеродсодержащими кластерами и нанокристаллами Si при облучении пленок нестехиометрического оксида кремния SiO[x] ионами углерода с последующим высокотемпературным отжигом. Показано, что при достаточно больших дозах C{+} пленки обладают фотолюминесценцией в области спектра, охватывающей весь видимый диапазон и ближнюю инфракрасную область. Формирование указанных кластеров и нанокристаллов подтверждается методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, причем распределение углерода практически воспроизводит расчетный профиль пробегов ионов, т. е. отсутствует заметное диффузионное перераспределение этого элемента. Предложена качественная модель слоистого строения ионно-синтезированных структур. Доп.точки доступа: Белов, А. И.; Михайлов, А. Н.; Николичев, Д. Е.; Боряков, А. В.; Сидорин, А. П.; Грачев, А. П.; Ершов, А. В.; Тетельбаум, Д. И. |
539.21:535 М 744 Модель фотолюминесценции ионно-синтезированных массивов нанокристаллов кремния в матрице диоксида кремния [Текст] / С. Н. Нагорных [и др.] // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 12. - С. 63-66. - Библиогр.: c. 66 (8 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): ионно-синтезированные нанокристаллы -- нанокристаллы -- массивы нанокристаллов -- кремний -- диоксид кремния -- фотолюминесценция -- термоактивированные переходы -- экситоны Аннотация: Представлена четырехуровневая модель фотолюминесценции массивов нанокристаллов Si в SiO[2], учитывающая термоактивированные переходы между синглетным и триплетным уровнями обменно-расщепленного энергетического состояния экситона в возбужденном нанокристалле кремния. Получено выражение для температурной зависимости интенсивности монохроматических составляющих фотолюминесценции. Путем сравнения с оригинальными экспериментальными данными для ионно-синтезированных нанокристаллов Si в матрице SiO[2] найдена связь между величиной расщепления и энергией излучаемых фотонов. Модель объясняет конечную интенсивность фотолюминесценции при температурах, близких к 0 K, и немонотонность температурной зависимости интенсивности от температуры. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/12/p63-66.pdf Доп.точки доступа: Нагорных, С. Н.; Павленков, В. И.; Михайлов, А. Н.; Белов, А. И.; Красильникова, Л. В.; Крыжков, Д. И.; Тетельбаум, Д. И. |
621.315.592 Д 156 Дальнодействующее влияние облучения кремния светом на фотоэдс барьера Шоттки [Текст] / Д. И. Тетельбаум [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 5. - С. 641-643 : ил. - Библиогр.: с. 643 (12 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): облучение светом -- кремний -- фотоэдс -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- микротвердость кремния -- точечные дефекты -- генерация дефектов Аннотация: Установлено, что в результате облучения светом (со стороны базы) образца кремния с барьером Шоттки происходит уменьшение фотоэдс барьера. Величина фотоэдс восстанавливается приблизительно через 0. 5 ч после облучения. Изменения фотоэдс при облучении сопоставляются с поведением микротвердости кремния и интерпретируются на основе представления о генерации точечных дефектов в эффекте дальнодействия. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/05/p641-643.pdf Доп.точки доступа: Тетельбаум, Д. И.; Тихов, С. В.; Курильчик, Е. В.; Менделева, Ю. А. |
539.2 Ф 815 Фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами кремния с аморфизующими дозами [Текст] / Н. А. Соболев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 9. - С. 1182-1187 : ил. - Библиогр.: с. 1186 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Люминесценция Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- люминесцентные свойства -- структурные свойства -- дислокационная люминесценция -- ДЛ -- имплантация ионами -- ионы кремния -- обратное резерфордовское рассеяние -- рассеяние протонов -- аморфные слои -- рентгеновская дифракция -- метод рентгеновской дифракции -- Si -- кремний -- дефекты -- отжиг -- спектры фотолюминесценции -- ионная имплантация Аннотация: Исследованы люминесцентные и структурные свойства в n-FZ-Si и n-Cz-Si, имплантированном ионами Si с аморфизующими дозами и отожженном при 1100 °C в хлорсодержащей атмосфере. Анализ спектров обратного резерфордовского рассеяния протонов в имплантированных образцах выявил формирование аморфного слоя, положение и толщина которого зависят от дозы имплантации. Методом рентгеновской дифракции обнаружено образование дефектов межузельного типа в образцах после отжигов. В спектрах фотолюминесценции при 78 K при низких уровнях возбуждения доминировала линия дислокационной люминесценции D1, которая наблюдалась и при 300 K. Положение максимума этой линии, ее полуширина и интенсивность зависели от типа Si и дозы имплантации. С увеличением мощности возбуждения люминесценции в спектре появляется непрерывная полоса. Предложена модель, объясняющая установленные закономерности в поведении спектров фотолюминесценции в зависимости от экспериментальных условий. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/09/p1182-1187.pdf Доп.точки доступа: Соболев, Н. А.; Калядин, А. Е.; Кютт, Р. Н.; Сахаров, В. И.; Серенков, И. Т.; Шек, Е. И.; Афросимов, В. В.; Тетельбаум, Д. И. |
539.2 Э 158 Эволюция оптических свойств при отжиге многослойной нанопериодической системы SiO[x]/ZrO[2], содержащей нанокластеры кремния [Текст] / А. В. Ершов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 6. - С. 747-753 : ил. - Библиогр.: с. 752 (32 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): оптические свойства -- температура отжига -- отжиг -- спектры фотолюминесценции -- инфракрасное поглощение -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- высокотемпературный отжиг -- ВТО -- многослойные нанопериодические структуры -- МНС -- нанокристаллы кремния -- НК -- аморфные кластеры Аннотация: Исследованы спектры фотолюминесценции, инфракрасного поглощения и комбинационного рассеяния света многослойных нанопериодических аморфных структур a-SiO[x]/ZrO[2], полученных испарением в вакууме и затем отожженных при различных температурах 500-1100 °C. Установлено, что эволюция оптических свойств по мере роста температуры отжига определяется трансформацией нанокластеров кремния, содержащихся в слоях SiO[x] в последовательности: нефазовые включения - аморфные кластеры - нанокристаллы, при наличии ограничения размеров последних толщиной исходных слоев SiO[x] и химических реакций с ZrO[2]. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/06/p747-753.pdf Доп.точки доступа: Ершов, А. В.; Тетельбаум, Д. И.; Чугров, И. А.; Машин, А. И.; Михайлов, А. Н.; Нежданов, А. В.; Ершов, А. А.; Карабанова, И. А. |
539.2 Ф 815 Фотолюминесценция пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями редкоземельных металлов [Текст] / Е. С. Демидов [и др.] // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 12. - С. 2294-2298. - Библиогр.: с. 2298 (3 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): наночастицы -- пористый кремний -- фотолюминесценция -- эрбий -- иттербий -- вольфрам-теллуритное стекло Аннотация: Показано, что присутствие наночастиц кремния в пропитанном вольфрам-теллуритным стеклом слое пористого кремния на кремнии позволяет при длинноволновом возбуждении на порядок увеличить квантовый выход фотолюминесценции эрбия (1530 nm), при коротковолновой накачке усилить почти в 50 раз фотолюминесценцию иттербия (980 nm) и в 25 раз эрбия. Это усиление люминесценции связывается с дополнительными каналами передачи внешнего возбуждения через нанокристаллиты кремния в пористом кремнии к примесным в вольфрам-теллуритном стекле ионам иттербия и эрбия. Доп.точки доступа: Демидов, Е. С.; Михайлов, А. Н.; Белов, А. И.; Карзанова, М. В.; Демидова, Н. Е.; Чигиринский, Ю. И.; Шушунов, А. Н.; Тетельбаум, Д. И.; Горшков, О. Н.; Европейцев, Е. А. |