Легирование фосфором как эффективный способ воздействия на излучательную межзонную рекомбинацию в кремниевых нанокристаллах [Текст] / А. И. Белов [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 7. - С. 39-45
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кремниевые нанокристаллы -- нанокристаллы -- фотолюминесценция -- легирование фосфором -- излучательная межзонная рекомбинация Аннотация: Систематизированы экспериментальные результаты по спектрам и кинетике фотолюминесценции, полученные при исследовании оксидных слоев SiO[2], наноструктурированных путем ионной имплантации кремния с последующими легированием и термообработкой. Показано, что ионное легирование фосфором приводит к многократному увеличению интенсивности и времени спада нестационарной фотолюминесценции при лямбда = 750 нм вследствие увеличения вероятности излучательной рекомбинации в легированных квантовых точках Si и пассивации оборванных связей на их границах раздела с матрицей. Доп.точки доступа: Белов, А. И.; Беляков, В. А.; Бурдов, В. А.; Михайлов, А. Н.; Тетельбаум, Д. И. |
537 Т 572 Тонких, А. А. Псевдоморфные гетероструктуры GeSn/Ge(001) / А. А. Тонких, В. Г. Талалаев, P. Werner // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 11. - С. 1462-1466 : ил. - Библиогр.: с. 1465 (14 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): псевдоморфные гетероструктуры -- гетероструктуры -- GeSn -- подложки -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- метод просвечивающей электронной микроскопии -- спектроскопия фотолюминесценции -- фотолюминесценция -- излучательная межзонная рекомбинация -- межзонная рекомбинация -- тяжелые электроны -- электроны -- дырки -- экспериментальные данные -- зонные структуры -- псевдоморфные соединения -- нелинейность -- запрещенные зоны Аннотация: Сообщается о синтезе псевдоморфных гетероструктур GeSn на подложке Ge (001) методом молекулярно пучковой эпитаксии. Исследования методом просвечивающей электронной микроскопии показывают, что слои GeSn - бездефектные и обладают кубической алмазоподобной структурой. Спектроскопия фотолюминесценции обнаруживает излучательную межзонную рекомбинацию в GeSn-квантовых ямах, идентифицированную как непрямые переходы между подзонами тяжелых электронов и тяжелых дырок. На основании экспериментальных данных и моделирования зонной структуры псевдоморфных соединений GeSn была оценена нижняя граница параметра нелинейности для непрямой запрещенной зоны, b[L] больше или равно 1. 47 эВ. We report on fully strained GeSn heterostructures grown on Ge (001) wafers using molecular beam epitaxy. These GeSn layers have no crystal defects revealing cubic crystallographic structure as confirmed by high-resolution transmission electron microscopy. Photoluminescence spectroscopy has found interband radiative recombination within GeSn quantum wells attributed to indirect in momentum space L-HH transitions. Our experimental data together with a band gap modeling based on the model-solid theory allows estimation of lower limit of the bowing parameter for indirect band gap, b[L] Greater-than or slanted equal to 1. 47 eV. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/11/p1462-1466.pdf Доп.точки доступа: Талалаев, В. Г.; Werner, P.; Max Planck Institute of Microstructure Physics (Germany); Martin Luther University Halle-Wittenberg, ZIK SiLi-nano (Germany)Max Planck Institute of Microstructure Physics (Germany); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Нанофизика и Наноэлектроника, симпозиум (2013 ; Нижний Новгород) |