Легирование фосфором как эффективный способ воздействия на излучательную межзонную рекомбинацию в кремниевых нанокристаллах [Текст] / А. И. Белов [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 7. - С. 39-45
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кремниевые нанокристаллы -- нанокристаллы -- фотолюминесценция -- легирование фосфором -- излучательная межзонная рекомбинация Аннотация: Систематизированы экспериментальные результаты по спектрам и кинетике фотолюминесценции, полученные при исследовании оксидных слоев SiO[2], наноструктурированных путем ионной имплантации кремния с последующими легированием и термообработкой. Показано, что ионное легирование фосфором приводит к многократному увеличению интенсивности и времени спада нестационарной фотолюминесценции при лямбда = 750 нм вследствие увеличения вероятности излучательной рекомбинации в легированных квантовых точках Si и пассивации оборванных связей на их границах раздела с матрицей. Доп.точки доступа: Белов, А. И.; Беляков, В. А.; Бурдов, В. А.; Михайлов, А. Н.; Тетельбаум, Д. И. |
Беляков, В. А. Миграция возбужденных носителей в ансамблях нанокристаллов кремния, легированных фосфором [Текст] / В. А. Беляков, А. А. Конаков, В. А. Бурдов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1466-1469 : ил. - Библиогр.: с. 1469 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): излучательная рекомбинация -- нанокристаллы кремния -- кремниевые нанокристаллы -- нанокристаллы -- возбужденные носители -- электроны -- дырки (физика) -- легирование фосфором -- миграция возбужденных носителей -- фосфор -- туннелирование электронов Аннотация: Выполнен расчет скороcти туннельной миграции возбужденных носителей (электронов и дырок) в ансамбле нанокристаллов кремния, легированных фосфором. Показано, что, начиная с некоторых значений концентрации фосфора, зависящих от соотношения между размерами эмиттирующего и принимающего нанокристаллов, скорость туннелирования электронов резко падает (на несколько порядков) и становится меньше скорости излучательной межзонной рекомбинации. Доп.точки доступа: Конаков, А. А.; Бурдов, В. А. |
621.315.592 М 300 Марченко, И. Г. Технологические особенности электронного облучения Si p{+}-n-n{+}-диодов при повышенных температурах [Текст] / И. Г. Марченко, авт. Н. Е. Жданович // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 11. - С. 1549-1552 : ил. - Библиогр.: с. 1552 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электронное облучение -- облучение электронами -- электроны -- неравновесные носители заряда -- ННЗ -- время жизни заряда -- температура облучения -- диоды -- силовые полупроводниковые приборы -- СПП -- радиационные центры -- легирование фосфором -- выращивание кристаллов -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- ядерные реакции -- технологическое облучение -- электрические характеристики -- вольт-амперные характеристики -- КЭФ -- КОФ -- кремниевые пластины Аннотация: Изучено поведение времени жизни неравновесных носителей заряда tau[p], обратного тока IR и прямого падения напряжения UF в электронно-облученных (E[irr]=6 МэВ) промышленных p{+}-n-n{+}-диодах при температурах облучения в интервале T[irr]=20-400°C. Исследования проводились на образцах, изготовленных на монокристаллическом Si, легированном фосфором в процессе выращивания по Чохральскому (КЭФ) и с помощью ядерных реакций (КОФ). Показано, что путем выбора температурного режима технологического облучения, можно решить проблему достижения малых значений tau[p] при минимальном росте UF и IR в быстродействующих диодах. Установлено, что при сопоставимых изменениях величины tau[p] в базовом слое диодов, наилучшее соотношение UF и IR в образцах на КЭФ наблюдается при T[irr]=300°C, а в образцах на КОФ - при T[irr]=350°C. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/11/p1549-1552.pdf Доп.точки доступа: Жданович, Н. Е. |
621.77.016 А 541 Алхасов, С. С. Особенности кинетики гальваностатического анодирования кремния в фосфатных и боратных электролитах на основе этиленгликоля [Текст] / С. С. Алхасов, авт. Л. П. Милешко // Физика и химия обработки материалов. - 2012. - № 6. - С. 51-53 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Машиностроение Обработка металлов Кл.слова (ненормированные): анодирование -- кремний -- гальваностатический режим -- оксидные пленки -- анодные пленки -- легирование бором -- легирование фосфором -- легирование -- монооксид кремния -- этиленгликоль Аннотация: Экспериментально исследована кинетика гальваностатического процесса роста анодных оксидных пленок кремния в различных электролитах на основе этиленгликоля. На основании полученных данных сделан вывод, что лимитирующей стадией процесса является реакция образования промежуточного монооксида кремния. Доп.точки доступа: Милешко, Л. П. |