621.38 К 884 Кувандиков, О. К. Исследование электронной структуры кремния, имплантированного фосфором, и квантовых точек диоксида кремния с добавками кремния методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и спектроскопии характеристических потерь энергии электронов высокого разрешения [Текст] / О. К. Кувандиков, Э. У. Арзикулов, А. И. Ковалев, Д. И. Тетельбаум // Радиотехника и электроника. - 2007. - Т. 52, N 9. - С. 1140-1144. - Библиогр.: с. 1144 (9 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): имплантированные фосфоры; нанокристаллы кремния; спектроскопия; монокристаллы Аннотация: Исследовано влияние примесей фосфора на электронную структуру монокристаллов кремния и нанокомпозитов SiO[2] : Si. Структуры SiO[2] : Si с примесью фосфора, отожженные при 1000{о}С в течение 2 ч., показывают усиление пика фотолюминисценции, связанного с нанокристаллами Si. Экспериментально определенные плотности состояний в валентной зоне и зоне проводимости SiO[2] : Si композитов хорошо согласуются с расчетами локальной электронной структуры в окрестности включений кремния в приближении линейных muffin-tin-орбитателей. Доп.точки доступа: Арзикулов, Э. У.; Ковалев, А. И.; Тетельбаум, Д. И. |