539.21:535 М 744 Модель фотолюминесценции ионно-синтезированных массивов нанокристаллов кремния в матрице диоксида кремния [Текст] / С. Н. Нагорных [и др.] // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 12. - С. 63-66. - Библиогр.: c. 66 (8 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): ионно-синтезированные нанокристаллы -- нанокристаллы -- массивы нанокристаллов -- кремний -- диоксид кремния -- фотолюминесценция -- термоактивированные переходы -- экситоны Аннотация: Представлена четырехуровневая модель фотолюминесценции массивов нанокристаллов Si в SiO[2], учитывающая термоактивированные переходы между синглетным и триплетным уровнями обменно-расщепленного энергетического состояния экситона в возбужденном нанокристалле кремния. Получено выражение для температурной зависимости интенсивности монохроматических составляющих фотолюминесценции. Путем сравнения с оригинальными экспериментальными данными для ионно-синтезированных нанокристаллов Si в матрице SiO[2] найдена связь между величиной расщепления и энергией излучаемых фотонов. Модель объясняет конечную интенсивность фотолюминесценции при температурах, близких к 0 K, и немонотонность температурной зависимости интенсивности от температуры. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/12/p63-66.pdf Доп.точки доступа: Нагорных, С. Н.; Павленков, В. И.; Михайлов, А. Н.; Белов, А. И.; Красильникова, Л. В.; Крыжков, Д. И.; Тетельбаум, Д. И. |
539.2 О-754 Особенности формирования и свойства светоизлучающих структур на основе ионно-синтезированных нанокристаллов кремния в матрицах SiO[2] и Al[2]O[3] [Текст] / А. Н. Михайлов [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 2. - С. 347-359. - Библиогр.: с. 358-359 (35 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): светоизлучающие структуры -- ионно-синтезированные нанокристаллы -- нанокристаллы кремния -- кремний -- оксиды Аннотация: Выполнено комплексное сравнительное исследование слоев оксидов SiO[2] и Al[2]O[3] с нанокристаллами Si, сформированными путем имплантации ионов Si{+} и высокотемпературного отжига. Информация о морфологии, фазовом составе, структуре и люминесцентных свойствах массивов ионно-синтезированных нанокристаллов Si получена с использованием методов конфокальной рамановской микроскопии, рентгеновской дифракции, инфракрасной Фурье-спектроскопии, электронного парамагнитного резонанса и фотолюминесценции. Установлено, что особенности образования нанокристаллов, их распределение по глубине, структура и характер химических связей подобны для обеих оксидных матриц, но обусловленная нанокристаллами фотолюминесценция в диапазоне длин волн 600-1000 nm в матрице Al[2]O[3] имеет место только в случае формирования вокруг нанокристаллов Si оболочек SiO[2]. Необходимое для формирования оболочек окисление поверхности нанокристаллов возможно как за счет избыточного кислорода в матрице Al[2]O[3] (случай имплантации Si в осажденную пленку Al[2]O[3]), так и за счет притока кислорода из атмосферы отжига (случай имплантации Si в сапфир). Для проверки квантово-размерного механизма излучения света анализируются данные по температурной зависимости фотолюминесценции. Проанализированы также механизмы токопереноса и возбуждения электролюминесценции в диодных структурах на основе тонких ионно-синтезированных слоев с нанокристаллами кремния. Доп.точки доступа: Михайлов, А. Н.; Белов, А. И.; Костюк, А. Б.; Жаворонков, И. Ю.; Королев, Д. С.; Нежданов, А. В.; Ершов, А. В.; Гусейнов, Д. В.; Грачева, Т. А.; Малыгин, Н. Д.; Демидов, Е. С.; Тетельбаум, Д. И. |