Альмяшева, О. В. Зародышеобразование в средах с распределенными в них наночастицами другой фазы [Текст] / О. В. Альмяшева, В. В. Гусаров // Доклады Академии наук. - 2009. - Т. 424, N 5, февраль. - С. 641-643 : 4 рис. - Библиогр.: с. 643 . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Химия Химическая термодинамика Кл.слова (ненормированные): образование критического зародыша -- зародышеобразование -- гетерофазные включения -- наноразмерные включения -- изотропные среды -- формирование гетерогенного зародыша -- наночастицы -- кристаллизация кристобалита -- кристобалит Аннотация: Рассмотрены термодинамические ограничения, накладываемые на образование критических зародышей в изотропных средах с распределенными в них гетерофазными наноразмерными включениями. Доп.точки доступа: Гусаров, В. В. |
Драпак, С. И. Токовая неустойчивость с Z- и N-образной вольт-амперной характеристикой в неоднородных кристаллах In[2]Se[3] [Текст] / С. И. Драпак, С. В. Гаврилюк, З. Д. Ковалюк // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 12. - С. 66-73 : ил. - Библиогр.: с. 72-73 (17 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): токовая неустойчивость -- кристаллы -- слоистые кристаллы -- неоднородные кристаллы -- In[2]Se[3] -- вольт-амперные характеристики -- метод Бриджмена -- Бриджмена метод -- стехиометрические расплавы -- расплавы -- сверхрешетки -- потенциальные ямы -- структуры -- ток -- напряжение -- наноразмерные включения -- матрицы -- широкозонные матрицы -- модификации -- alpha-модификации -- Z-образные вольт-амперные характеристики -- N-образные вольт-амперные характеристики Аннотация: Показано, что слоистые кристаллы дефектного In[2]Se[3], выращенные методом Бриджмена из стехиометрического расплава, характеризуются типичной для сверхрешеток и структур с многочисленными потенциальными ямами токовой неустойчивостью с Z- и N-образной вольт-амперной характеристикой. Обнаружено, что причиной реализации такой зависимости тока от напряжения является наличие наноразмерных включений In[6]Se[7] в более широкозонной матрице In[2]Se[3] alpha-модификации. Доп.точки доступа: Гаврилюк, С. В.; Ковалюк, З. Д. |
Люминесценция и структура наноразмерных включений, формирующихся в слоях SiO[2] при двойной имплантации ионов кремния и углерода [Текст] / Д. И. Тетельбаум [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 9. - С. 50-57
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): люминесценция -- структурные параметры -- наноразмерные включения -- двойная имплантация ионами -- нанокристаллы -- дефекты Аннотация: Методами фотолюминесценции, электронного парамагнитного резонанса, просвечивающей электронной микроскопии и электронной спектроскопии исследованы люминесцентные свойства и структурные параметры слоев SiO[2], подвергнутых двойной имплантации ионами Si\{+\} и С\{+\} с целью синтеза наноразмерных включений карбида кремния. Показано, что облучение ионами углерода слоев SiO[2] с предварительно сформированными нанокристаллами кремния сопровождается гашением фотолюминесценции от нанокристаллов при 700-750 нм и усилением излучения в области 350-700 нм от обедненных кислородом центров в оксиде. Последующий отжиг при 1000 или 1100 градусов С приводит к залечиванию дефектов и, соответственно, к ослаблению связанных с ними пиков фотолюминесценции, а также частично восстанавливает люминесценцию кремниевых нанокристаллов в случае, когда доза углерода меньше дозы кремния, и приводит к интенсивной “белой” люминесценции в случае, когда дозы углерода и кремния одинаковы. Доп.точки доступа: Тетельбаум, Д. И.; Михайлов, А. Н.; Белов, А. И.; Васильев, В. К.; Ковалев, А. И.; Вайнштейн, Д. Л.; Golan, Y.; Osherov, A. |
Электрические свойства гибридных структур (ферромагнитный металл) - (слоистый полупроводник) Ni/p-GaSe [Текст] / А. П. Бахтинов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 180-193 : ил. - Библиогр.: с. 192 (59 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гибридные структуры -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- БШ -- ферромагнитный металл-слоистый полупроводник -- ФМ-ПП -- Ni/n-Ga[2]Se[3]/p-GaSe -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- импедансные спектры -- спиновая инжекция -- экстракция -- спиновая диффузия -- релаксация (физика) -- полупроводниковые подложки -- спин-селективные барьеры -- кулоновская блокада -- отрицательные дифференциальные емкости -- наноразмерные включения Аннотация: После выращивания слоев Ni на поверхности (0001) p-GaSe сформированы двухбарьерные структуры Ni/n-Ga[2]Se[3]/p-GaSe с наноразмерными включениями сплавов Ni, которые образовались в результате протекания реакций на границе раздела "металл-слоистый полупроводник". В температурном диапазоне 220-350 K изучены вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики гибридных структур. Исследована зависимость импедансных спектров от напряжения смещения структур при различных температурах. Частотные зависимости импеданса при высоких частотах (f>10{6} Гц) обсуждаются с точки зрения явлений спиновой инжекции и экстракции в структурах с ультратонким спин-селективным барьером Ni/n-Ga[2]Se[3] и эффектов спиновой диффузии и релаксации в полупроводниковой подложке. При комнатной температуре обнаружены явления кулоновской блокады и отрицательной дифференциальной емкости. Эти явления объясняются на основе анализа транспортных процессов в узкой области вблизи границы раздела "ферромагнитный металл-полупроводник", где расположены наноразмерные включения. Доп.точки доступа: Бахтинов, А. П.; Водопьянов, В. Н.; Ковалюк, З. Д.; Нетяга, В. В.; Литвин, О. С. |