Курилюк, В. В. Управление процессами фотоэлектрического преобразования в гетероструктурах GaAs/AlGaAs с помощью пьезоэлектрических полей акустических колебаний [Текст] / В. В. Курилюк, О. А. Коротченков // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 8. - С. 146-149. - Библиогр.: c. 148-149 (13 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- фотоэлектрическое преобразование -- акустические колебания -- пьезоэлектрические поля -- квантовые ямы -- арсенид галлия -- фотоэдс Аннотация: Контроль и управление транспортными и рекомбинационными процессами с участием носителей заряда в низкоразмерных гетероструктурах является важной задачей прикладной физики, актуальность которой связана как с необходимостью повышения эффективности работы существующих приборов опто- и наноэлектроники на их основе, так и с возможностью создания новых устройств. Изучается возможность управления процессами фотоэлектрического преобразования в гетероструктурах с квантовыми ямами GaAs при помощи пьезоэлектрических полей, генерированных акустическими колебаниями. Исследования спектральных зависимостей конденсаторной фотоЭДС гетероструктур свидетельствуют, что при изменении пространственной конфигурации пьезоэлектрических полей, которая определяется частотой колебаний в структуре, возможна реализация управления процессами разделения носителей заряда как в плоскости квантовых ям, так и в перпендикулярном направлении. Доп.точки доступа: Коротченков, О. А. |
Курилюк, В. В. Влияние пьезоэлектрических полей ультразвуковых колебаний на комбинационное рассеяние света в гетероструктурах GaAs/AlGaAs [Текст] / В. В. Курилюк, О. А. Коротченков // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 4. - С. 449-455
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые гетероструктуры -- квантовые ямы -- инфракрасное излучение -- солнечные элементы -- фотодетекторы -- электрические поля Аннотация: Представлен теоретический анализ резонансных электроупругих колебаний гибридной структуры GaAs/AlGaAs-LiNbO[3] с границей раздела скользящего типа, а также эффекта перераспределения концентрации двумерного электронного газа в гетероструктуре генерируемыми пьезоэлектрическими полями. Расчеты проведены методом конечных элементов. Экспериментально зарегистрированные спектры комбинационного рассеяния света с временным разрешением обнаруживают особенности поведения LO-фонон-плазмонной моды, соответствующие теоретически рассчитанному перераспределению концентрации. Доп.точки доступа: Коротченков, О. А. |
539.2 М 744 Модель переноса заряда в формировании свечения нанокристаллического люминофора ZnS:Mn / М. Б. Веретельник [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 16. - С. 72-79 : ил. - Библиогр.: с. 79 (13 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нанокристаллические материалы -- люминофоры -- модели переноса зарядов -- фотолюминесценция -- порошковые люминофоры -- наночастицы -- перенос электронов -- электроны -- заряды Аннотация: Экспериментально зарегистрированы временные зависимости затухания фотолюминесенции для порошкового люминофора, состоящего из наночастиц ZnS, легированных Mn, в микро- и миллисекундном диапазоне. Показано, что экспериментальные кривые затухания не могут быть корректно описаны в рамках существующих моделей. Предложена простая модель для описания кинетики затухания фотолюминесценции с участием Mn-центров, которая включает возможность переноса электронов между наночастицами ZnS. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/16/p72-79.pdf Доп.точки доступа: Веретельник, М. Б.; Коротченков, О. А.; Курилюк, В. В.; Надточий, А. Б. |
539.2 К 931 Курилюк, В. В. Особенности напряженно-деформированного состояния гетероструктур Si/SiO[2]/Ge с наноостровками германия предельной плотности / В. В. Курилюк, авт. О. А. Коротченков // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 8. - С. 1027-1032 : ил. - Библиогр.: с. 1032 (20 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кремний-германиевые гетероструктуры -- гетероструктуры -- SiGe-структуры -- метод конечных элементов -- конечные элементы -- германий -- Ge -- кремний -- Si -- квантовые точки -- КТ -- пространственное распределение -- упругие деформации -- теоретические расчеты -- наноостровки -- напряженно-деформированное состояние Аннотация: В рамках модели упругого континуума с использованием метода конечных элементов выполнены расчеты напряженно-деформированного состояния кремний-германиевых гетероструктур с полусферическими островками германия, выращенными на окисленной поверхности кремния. Показано, что при увеличении плотности островков до предельных значений в SiGe-структуре с открытыми квантовыми точками существенно изменяются величина и пространственное распределение полей упругих деформаций. Результаты теоретических расчетов позволяют выявить участки гетероструктуры с максимальным изменением напряженно-деформированного состояния, местоположение которых можно варьировать изменением плотности островков. Calculations of the stress-strain state of silicon-germanium heterostructures with hemispherical germanium islands grown on an oxidized silicon surface are performed in the framework of the elastic continuum using the finite element method. In is shown that increasing the island density up to limit values in the open-quantum-dot SiGe structure significantly changes the magnitude and spatial distribution of the elastic strain fields. The results of the theoretical calculations allow to identify the areas of the heterostructure with a maximum change of the stress-strain state, the location of which can be varied by changing the density of the islands. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/08/p1027-1032.pdf Доп.точки доступа: Коротченков, О. А.; Киевский национальный университет им. Тараса ШевченкоКиевский национальный университет им. Тараса Шевченко |
537.311.33 Н 178 Надточий, А. Б. Подповерхностная локализация носителей заряда в наноструктурах Si/SiO[2]/Si[x]Ge[1-x] / А. Б. Надточий, О. А. Коротченков, В. В. Курилюк // Журнал технической физики. - 2013. - Т. 83, № 3. - С. 84-90. - Библиогр.: c. 89-90 (25 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- вольт-фарадные характеристики -- подповерхностная локализация носителей заряда -- локализация носителей заряда -- кремний -- диоксид кремния -- кремний-германий -- кремниевые подкладки -- упругонапряженные области -- наноостровки -- электронная плотность -- границы раздела структур -- рекомбинация носителей заряда -- рассеяние носителей заряда -- фотоэдс Аннотация: Исследованиями вольт-фарадных (F-V) характеристик обнаружена повышенная концентрация носителей заряда под поверхностью кремниевой подкладки вследствие возникновения в ней упругонапряженных областей, индуцированных наноостровками Si[x]Ge[1-x], выращенных на предварительно окисленной поверхности Si. F-V-характеристики демонстрируют пики зарядовой плотности на глубине от 700 до 1000 nm для структур Si/SiO[2]/Si[x]Ge[1-x] с различной толщиной слоя SiO[2]. Результаты теоретических расчетов распределения электронной плотности в глубине кремниевой подкладки в целом соответствуют данным F-V-характеристик. Состояние границ раздела структуры с разной толщиной слоя окисла, влияющее на эффекты поверхностной и интерфейсной рекомбинации, рассеяния носителей заряда, исследовалось с помощью кинетики спада сигнала фотоэдс, а также ее распределения по поверхности структуры. Полученные результаты могут найти применение при разработке различных устройств на базе SiGe с включениями оксидных слоев. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2013/03/p84-90.pdf Доп.точки доступа: Коротченков, О. А.; Курилюк, В. В. |