Курилюк, В. В. Управление процессами фотоэлектрического преобразования в гетероструктурах GaAs/AlGaAs с помощью пьезоэлектрических полей акустических колебаний [Текст] / В. В. Курилюк, О. А. Коротченков // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 8. - С. 146-149. - Библиогр.: c. 148-149 (13 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- фотоэлектрическое преобразование -- акустические колебания -- пьезоэлектрические поля -- квантовые ямы -- арсенид галлия -- фотоэдс Аннотация: Контроль и управление транспортными и рекомбинационными процессами с участием носителей заряда в низкоразмерных гетероструктурах является важной задачей прикладной физики, актуальность которой связана как с необходимостью повышения эффективности работы существующих приборов опто- и наноэлектроники на их основе, так и с возможностью создания новых устройств. Изучается возможность управления процессами фотоэлектрического преобразования в гетероструктурах с квантовыми ямами GaAs при помощи пьезоэлектрических полей, генерированных акустическими колебаниями. Исследования спектральных зависимостей конденсаторной фотоЭДС гетероструктур свидетельствуют, что при изменении пространственной конфигурации пьезоэлектрических полей, которая определяется частотой колебаний в структуре, возможна реализация управления процессами разделения носителей заряда как в плоскости квантовых ям, так и в перпендикулярном направлении. Доп.точки доступа: Коротченков, О. А. |
621.383 К 652 Концентраторные фотоэлектрические модули со спектральным расщеплением света с солнечными элементами на основе структур AlGaAs/GaAs/GaSb и GaInP/InGaAs(P) / А. С. Власов [и др.] // Журнал технической физики. - 2013. - Т. 83, № 7. - С. 106-110. - Библиогр.: c. 110 (5 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): концентраторные фотоэлектрические модули -- фотоэлектрические модули -- спектральное расщепление света -- линзы Френеля -- Френеля линзы -- дихроичные фильтры -- эффективность фотоэлектрического преобразования -- фотоэлектрическое преобразование -- солнечные элементы -- МОС-гидридная эпитаксия -- каскадные солнечные элементы Аннотация: Разработан концентраторный фотоэлектрический модуль со спектральным расщеплением солнечного света на основе линз Френеля и дихроичных фильтров. В соответствии с оценкой эффективность фотоэлектрического преобразования такого модуля может достигать 49. 4% при использовании трех однопереходных элементов, а при комбинации тандемного двухпереходного элемента и узкозонных элементов может быть достигнута 48. 5-50. 6%. Были получены однопереходные солнечные элементы на основе AlGaAs, GaAs, GaSb, InGa (P) As методом диффузии Zn из газовой фазы в эпитаксиальный слой с проводимостью n-типа. Каскадные солнечные элементы на основе структуры GaInP/GaAs были выращены методом МОС-гидридной эпитаксии. Общая эффективность трех однопереходных солнечных элементов, разработанных для модуля со спектральным расщеплением света, составила 38. 1% (AM1. 5D) при степени концентрирования K[c]=200x. Комбинация солнечных элементов с использованием каскадных структур показала эффективность 37. 9% при концентрациях от 400 до 800 солнц. Были проведены измерения параметров концентраторного фотоэлектрического модуля с системой спектрального расщепления. Достигнута эффективность 24. 7% фотоэлектрического преобразования модуля с тремя однопереходными элементами и 27. 9% модуля с двух- и однопереходным солнечными элементами. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2013/07/p106-110.pdf Доп.точки доступа: Власов, А. С.; Хвостиков, В. П.; Карлина, Л. Б.; Сорокина, С. В.; Потапович, Н. С.; Шварц, М. З.; Тимошина, Н. Х.; Лантратов, В. М.; Минтаиров, С. А.; Калюжный, Н. А.; Марухина, Е. П.; Андреев, В. М. |
621.315.592 Р 177 Разработка конструкции многопереходных солнечных элементов на основе гетероструктур GaPNAs/Si методом компьютерного моделирования / Д. А. Кудряшов [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 3. - С. 396-401 : ил. - Библиогр.: с. 401 (10 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): многопереходные солнечные элементы -- солнечные элементы -- гетроструктуры -- компьютерное моделирование -- метод компьютерного моделирования -- запрещенные зоны -- неоновые носители заряда -- время жизни заряда -- фотоактивные слои -- солнечная энергия -- фотоэлектрическое преобразование -- фотопреобразование Аннотация: Проведен расчет конструкции двух и трех переходных солнечных элементов на основе GaPNAs/Si решеточно-согласованных гетероструктур. Показано, что двухпереходные солнечные элементы, состоящие из перехода на основе твердого раствора GaPNAs с шириной запрещенной зоны 1. 78 эВ и перехода на основе Si, могут достигать кпд 30. 3% при AM1. 5D 100 мВт/см{2} и 35. 4 % при AM1. 5D 20 Вт/см{2}. Максимальные значения кпд трехпереходного солнечного элемента, состоящего из верхнего и среднего перехода на основе GaPNAs с E[g] 2 и 1. 5 эВ соответственно и нижнего перехода на основе Si, составляют 39. 2% при AM1. 5D 100 мВт/см{2} и 44. 5% при AM1. 5D 50 Вт/см{2}. Показано влияние толщины и времени жизни неосновных носителей заряда фотоактивных слоев на эффективность преобразования солнечной энергии разрабатываемых гетероструктур. A design calculation of 2- and 3-junction solar cells based on GaPNAs/Si lattice matched heterostructures was done. It was shown that 2-junction solar cells consisting of GaPNAs-based junction with a band gap of 1. 78 eV and Si-based junction can reach 30. 3% efficiency under AM1. 5D 100mW/cm{2} and 35. 4% under AM1. 5D 20W/cm{2}. The maximum efficiency values for 3-junction solar cells consisting of top and middle GaPNAs-based junctions with a band gap of 2 and 1. 5 eV respectively and bottom Si-based junction are equal 39. 2% under AM1. 5D 100mW/cm2 and 44. 5% under AM1. 5D 50W/cm2. The influence of the thickness and minority charge carriers lifetime in photoactive layers on efficiency of developed heterostructures solar cells was shown. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/03/p396-401.pdf Доп.точки доступа: Кудряшов, Д. А.; Гудовских, А. С.; Никитина, Е. В.; Егоров, А. Ю.; Санкт-Петербургский академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук; Санкт-Петербургский академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук; Санкт-Петербургский академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук; Санкт-Петербургский академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наукСанкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина); Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина) |
621.383 К 652 Концентраторные модули нового поколения на основе каскадных солнечных элементов: конструкция, оптические и температурные свойства / В. М. Андреев [и др.]. // Журнал технической физики. - 2014. - Т. 84, № 11. - С. 72-79. - Библиогр.: c. 79 (26 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): концентраторные модули -- каскадные солнечные элементы -- солнечные элементы -- солнечные элементы каскадного типа -- наногетероструктуры -- фотоэлектрическое преобразование -- оптическое концентрирование излучения -- сброс остаточного тепла Аннотация: В концентраторных модулях нового поколения используются солнечные элементы каскадного типа с наногетероструктурой на основе соединений А{3}В{5}, имеющие перспективу достижения КПД порядка 50% при количестве каскадов более трех. Для получения высокого результирующего КПД фотоэлектрического преобразования в энергоустановках и длительного ресурса их функционирования важно обеспечить оптимальное с точки зрения оптики и теплотехники конструирование модулей. В работе рассмотрены основные проблемные аспекты создания солнечных модулей, касающиеся условий оптического концентрирования излучения и условий сброса остаточного тепла. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2014/11/p72-79.pdf Доп.точки доступа: Андреев, В. М.; Давидюк, Н. Ю.; Малевски, Д. А.; Паньчак, А. Н.; Румянцев, В. Д.; Садчиков, Н. А.; Чекалин, А. В.; Luque, A.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН; Санкт-Петербургский академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий РАН; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН |