534 О 777 Островский, И. В. Добротность пьезоэлектрических преобразователей из ниобата лития при высоких уровнях возбуждения [Текст] / И. В. Островский, А. Б. Надточий, О. А. Коротченков, М. В. Никандрова // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N10. - Библиогр.: 8 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Акустика Кл.слова (ненормированные): акустическая эмиссия -- акустические деформации -- добротность -- ниобат лития -- пьезоэлектрические преобразователи Аннотация: Экспериментально исследовалось изменение электроакустических параметров пьезоэлектрических преобразователей из ниобата лития (добротности, коэффициента электромеханической связи, емкости) с повышением амплитуды возбуждающего преобразователь высокочастотного электрического напряжения. Максимальное значение относительной акустической деформации достигало порядка 10-4 в области частот от 2 до 3 MHz. Обнаружено значительное увеличение добротности некоторых пьезопреобразователей, которое в исследуемом интервале акустических деформаций достигает 100%. Указанное увеличение сопровождается возникновением акустической эмиссии преобразователя. Установлена связь данного эффекта с наличием блочной структуры кристалла LiNbO[3]. Доп.точки доступа: Надточий, А.Б.; Коротченков, О.А.; Никандрова, М.В. |
534 Н 178 Надточий, А. Б. Ультразвуковой двигатель на волнах в пластинах [Текст] / А. Б. Надточий, А. М. Горб, О. А. Коротченков // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 4. - Библиогр.: c. 76 (13 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Акустика Кл.слова (ненормированные): волны в пластинах -- перемещение микрообъектов -- пластины -- ультразвуковые двигатели -- фазовые соотношения Аннотация: Представлены рассчитанные кривые дисперсии скорости волн и фазовые соотношения между компонентами поверхностных смещений при возбуждении волн в пластинах LiNbO[3] XZ-, YZ- и ZY-срезов. Полученные дисперсионные кривые согласуются с экспериментально измеренными частотными зависимостями эффективности возбуждения различных мод волн в пластинах. Зарегистрированные смещения микрочастиц ZnS, помещенных на поверхность пластин указанных срезов, качественно согласуются с рассчитанными фазовыми соотношениями для компонент смещений. Представленные в работе данные могут служить основой для реализации ультразвукового двигателя на волнах в пластине с целью переноса микрочастиц в различного рода физических и технологических процессах. Перейти: http: //www. ioffe. ru/journals/jtf/2004/04/page-70. html. ru Доп.точки доступа: Горб, А. М.; Коротченков, О. А. |
539.2 П 444 Подолян, А. А. Восстановление времени жизни носителей заряда под воздействием ультразвуковой обработки в gamma-облученном кремнии [Текст] / А. А. Подолян, А. Б. Надточий, О. А. Коротченков // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 9. - С. 15-22 : ил. - Библиогр.: с. 21-22 (24 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Ультразвук и инфразвук Кл.слова (ненормированные): кремний -- облученный кремний -- ультразвуковая обработка -- носители заряда -- время жизни (физика) -- механизм восстановления -- дефектные стоки -- микродефекты Аннотация: Показано, что ультразвуковая обработка gamma-облученного кремния способна существенно восстановить время жизни неосновных носителей заряда, уменьшенное облучением. Достигнутая степень восстановления составляет порядка 70 %. Предложен механизм эффекта восстановления, связанный с освобождением вакансий из E-центров и их последующим захватом на дефектные стоки. Предполагается, что такими стоками могут быть микродефекты A-типа. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/09/p15-22.pdf Доп.точки доступа: Надточий, А. Б.; Коротченков, О. А. |
539.2 М 744 Модель переноса заряда в формировании свечения нанокристаллического люминофора ZnS:Mn / М. Б. Веретельник [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 16. - С. 72-79 : ил. - Библиогр.: с. 79 (13 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нанокристаллические материалы -- люминофоры -- модели переноса зарядов -- фотолюминесценция -- порошковые люминофоры -- наночастицы -- перенос электронов -- электроны -- заряды Аннотация: Экспериментально зарегистрированы временные зависимости затухания фотолюминесенции для порошкового люминофора, состоящего из наночастиц ZnS, легированных Mn, в микро- и миллисекундном диапазоне. Показано, что экспериментальные кривые затухания не могут быть корректно описаны в рамках существующих моделей. Предложена простая модель для описания кинетики затухания фотолюминесценции с участием Mn-центров, которая включает возможность переноса электронов между наночастицами ZnS. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/16/p72-79.pdf Доп.точки доступа: Веретельник, М. Б.; Коротченков, О. А.; Курилюк, В. В.; Надточий, А. Б. |
537.311.33 Н 178 Надточий, А. Б. Подповерхностная локализация носителей заряда в наноструктурах Si/SiO[2]/Si[x]Ge[1-x] / А. Б. Надточий, О. А. Коротченков, В. В. Курилюк // Журнал технической физики. - 2013. - Т. 83, № 3. - С. 84-90. - Библиогр.: c. 89-90 (25 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- вольт-фарадные характеристики -- подповерхностная локализация носителей заряда -- локализация носителей заряда -- кремний -- диоксид кремния -- кремний-германий -- кремниевые подкладки -- упругонапряженные области -- наноостровки -- электронная плотность -- границы раздела структур -- рекомбинация носителей заряда -- рассеяние носителей заряда -- фотоэдс Аннотация: Исследованиями вольт-фарадных (F-V) характеристик обнаружена повышенная концентрация носителей заряда под поверхностью кремниевой подкладки вследствие возникновения в ней упругонапряженных областей, индуцированных наноостровками Si[x]Ge[1-x], выращенных на предварительно окисленной поверхности Si. F-V-характеристики демонстрируют пики зарядовой плотности на глубине от 700 до 1000 nm для структур Si/SiO[2]/Si[x]Ge[1-x] с различной толщиной слоя SiO[2]. Результаты теоретических расчетов распределения электронной плотности в глубине кремниевой подкладки в целом соответствуют данным F-V-характеристик. Состояние границ раздела структуры с разной толщиной слоя окисла, влияющее на эффекты поверхностной и интерфейсной рекомбинации, рассеяния носителей заряда, исследовалось с помощью кинетики спада сигнала фотоэдс, а также ее распределения по поверхности структуры. Полученные результаты могут найти применение при разработке различных устройств на базе SiGe с включениями оксидных слоев. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2013/03/p84-90.pdf Доп.точки доступа: Коротченков, О. А.; Курилюк, В. В. |
539.2 И 373 Изменение зарядового и дефектно-примесного состояния кремния для солнечной энергетики под воздействием магнитного поля / В. А. Макара [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 6. - С. 742-746 : ил. - Библиогр.: с. 745-746 (17 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): солнечная энергетика -- магнитные поля -- кремний -- Si -- слабые поля -- зарядовое состояние -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- кристаллы -- легирование бромом -- физические характеристики -- химические связи Аннотация: Исследуется влияние слабого постоянного магнитного поля на структуру и зарядовое состояние кремния для солнечной энергетики. Выявлено, что магнитостимулированные изменения дефектно-примесного состояния и поверхностного потенциала носят обратимый характер. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/06/p742-746.pdf Доп.точки доступа: Макара, В. А.; Стебленко, Л. П.; Коротченков, О. А.; Надточий, А. Б.; Калиниченко, Д. В.; Курилюк, А. Н.; Кобзарь, Ю. Л.; Крит, А. Н.; Науменко, С. Н.; Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко; Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко; Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко; Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко; Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко; Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко; Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко; Учебно-научный центр "Физико-химическое материаловедение" Киевского национального университета им. Тараса Шевченко и Национальной академии наук Украины; Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко |