621.3.08 К 71 Косенко, С. Подбор отечественных аналогов импортных трансформаторов в обратноходовом преобразователе [Текст] / С. Косенко // Радио. - 2006. - N 5. - С. 31. - Библиогр.: с. 31 (4 назв. ). - Ил.: 1 табл. . - ISSN 0033-765X
Рубрики: Радиоэлектроника--Общая радиотехника Энергетика--Техника высоких измерений Кл.слова (ненормированные): трансформаторы -- импортные трансформаторы -- аналоги трансформаторов -- преобразователи -- обратноходовые преобразователи Аннотация: В настоящее время широко доступны программы расчета импульсных трансформаторов, распространяемые в сети Интернет фирмами-производителями компонентов импульсных источников питания. Программы содержат информацию только о зарубежных магнитопроводах. Предлагаемая статья содержит таблицу параметров магнитопроводов, с помощью которой можно подобрать замену импортного магнитопровода отечественным. |
621.3.08 С 46 Скупов, А. В. Особенности моделирования методом Монте-Карло профилей пространственного распределения внедряемых ионов и радиационных дефектов в гетерокомпозициях "кремний на сапфире" [Текст] / А. В. Скупов, В. Д. Скупов, С. В. Оболенский // Физика и химия обработки материалов. - 2006. - N 4. - С. 5-11 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Физика--Физические приборы Энергетика--Техника высоких измерений Кл.слова (ненормированные): гетерокомпозиции; метод Монте-Карло; Монте-Карло метод; радиационные дефекты; внедряемые ионы; имплантируемые ионы; ионы фосфора; ионы бора; точечные радиационные дефекты; эпитаксиальные гетерокомпозиции; профили пространственного распределения Аннотация: Методом Монте-Карло рассчитаны профили пространственного распределения имплантируемых в гетерокомпозиции "диоксид кремния-кремний-сапфир" ионов бора и фосфора и возникающих при этом точечных радиационных дефектов. Доп.точки доступа: Скупов, В. Д.; Оболенский, С. В. |
621.315.592 К 90 Кулькова, С. Е. Атомная и электронная структура поверхности GaAs (001 [Текст] / С. Е. Кулькова, С. В. Еремеев [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2006. - Т. 49, N 10. - С. 44-52. - Библиогр.: с. 52 (40 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Техника высоких измерений Кл.слова (ненормированные): зонные спектры; полные плотности электронных состояний; поверхностные плотности электронных состояний; локальные плотности электронных состояний; атомная структура поверхности GaAs (001); электронная структура поверхности GaAs (001); относительные поверхностные энергии (энегетика); поверхностные энергии Аннотация: В рамках псевдопотенциального подхода изучена атомная и электронная структура четырех структурных реконструкций поверхности GaAs (001) - (4*2) , оканчивающейся галлием. Рассчитаны полные, поверхностные и локальные плотности электронных состояний, зонные спектры, относительные поверхностные энергии рассматриваемых структур. Доп.точки доступа: Еремеев, С. В.; Постников, А. В.; Бажанов, Д. И.; Потапкин, Б. В. |
621.315 В 65 Войцеховский, А. В. Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe (х=0, 21-0, 23 [Текст] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2006. - Т. 49, N 10. - С. 70-80. - Библиогр.: с. 80 (21 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Техника высоких измерений Кл.слова (ненормированные): МПД-структуры; дифференциальное сопротивлнение; молекулярно-лучевая эпитаксия; приповерхностные варизонные слои; фотоэлектрические характеристики МПД-структур; варизонные пленки; фотоэдс Аннотация: Экспериментально исследованы зависимости фотоэдс от напряжения, частоты и температуры для МДП-структур HgCdTe/SiO[2]/Si[3]N[4] и HgCdTi/АОП. МПД-структуры формировались на основе гетероэпитаксиальных варизонных пленок Hg[1-x]Cd[x]Te, выращенных на подложках из GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено влияние приповерхностных варизонных слоев на фотоэлектрические характеристики МПД-структур. Выявлены механизмы, ограничивающие дифференциальное сопротивление области пространственного заряда при разных температурах. Доп.точки доступа: Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Варавин, В. С.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Ю. Г.; Васильев, В. В.; Захарьяш, Т. И.; Машуков, Ю. П. |
621.3.08 Г 610 Головацкий, В. А. Энергетический спектр электрона в эллиптической квантовой проволоке и эллиптической нанотрубке [Текст] / В. А. Головацкий, авт. В. И. Гуцул // Известия вузов. Физика. - 2006. - Т. 49, N 12. - С. 55-62. - Библиогр.: с. 62 (12 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Техника высоких измерений Кл.слова (ненормированные): квазичастицы; полупроводниковые нанотрубки; уравнение Шредингера; цилиндрические наносистемы; Шредингера уравнение; эллиптическая квантовая проволока; эллиптические полупроводниковые нанотрубки; энергетический спектр электрона Аннотация: В приближении эффективной массы исследован спектр электрона в эллиптической квантовой проволоке (ЭКП) и эллиптической полупроводниковой нанотрубке (ЭПН). Получен точный энергетический спектр электрона в ЭКП и ЭПН GaAs с непроницаемыми стенками и приближенное решение уравнения Шредингера при конечной высоте потенциального барьера в ЭКП GaAs/ A [x]Ga[1-x]As. Показано, что эллиптичность квантовой проволоки и нанотрубки приводит к снятию вырождения энергетического спектра квазичастиц. Зависимости энергий четных и нечетных состояний от соотношения полуосей эллипса имеют немонотонный характер. В предельном случае вырождения эллиптических квантовых проволок и нанотрубок в круговые энергетический спектр квазичастиц совпадает с соответствующим спектром в цилиндрических наносистемах. Доп.точки доступа: Гуцул, В. И. |
621.3.08 Л 135 Лаврентьева, Л. Г. Дефекты в слоях GaAs и InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах [Текст] / Л. Г. Лаврентьева, М. Д. Вилисова [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2006. - Т. 49, N 12. - С. 63-72. - Библиогр.: с. 71-72 (34 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Техника высоких измерений Кл.слова (ненормированные): дефекты в слоях GaAs и InGaAs; метод молекулярно-лучевой эпитаксии; морфология ростовой поверхности; отжиг (физика); электронная микроскопия Аннотация: В статье обсуждается проблема дефектообразования в слоях GaAs и InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах. Анализируется влияние условий роста (температура, соотношение потоков элементов групп) на морфологию ростовой поверхности, внутреннюю структуру, тип и концентрацию электрически и оптически активных точечных дефектов. Проведено сопоставление процессов дефектообразования в GaAs и InGaAs при росте и последующем отжиге. Доп.точки доступа: Вилисова, М. Д.; Бобровникова, И. А.; Ивонин, И. В.; Преображенский, В. В.; Чалдышев, В. В. |
621.3.08 К 231 Каримов, М. А. Спектры тока короткого замыкания фотовольтаических пленок CdTe, CdTe: In [Текст] / М. А. Каримов, авт. Н. Х. Юлдашев // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 1. - С. 71-74. - Библиогр.: с. 73-74 (6 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Техника высоких измерений Кл.слова (ненормированные): фотовольтаические пленки CdTe, CdTe: In; спектральная область; короткое замыкание; спектры тока; примесное поглощение Аннотация: Обнаружено, что генерация АФН в легированных косонапыленных тонких пленках CdTe: In вызывается светом из спектральной области как собственного, так и примесного поглощения. Проанализирован спектр фототока короткого замыкания в зависимости от температуры. Доп.точки доступа: Юлдашев, Н. Х. |
621.3.08 З-175 Зайнабидинов, С. Диффузия, растворимость и электрические свойства скандия и празеодима в кремнии [Текст] / С. Зайнабидинов, авт. Д. Э. Надыров // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 1. - С. 75-77. - Библиогр.: с. 77 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Техника высоких измерений Кл.слова (ненормированные): акцепторная природа примесей; празеодим; скандий; Холла эффект; эффект Холла Аннотация: Впервые проведены комплексные исследования диффузии, растворимости и электрических свойств скандия и празеодима в кремнии при различных средах отжига и для широкого интервала температур (1100-1280 С). Установлены диффузионные параметры, растворимость и выявлена акцепторная природа исследованных примесей в кремнии. Доп.точки доступа: Надыров, Д. Э. |
621.3.08 М 307 Марьянчук, П. Д. Зонная структура и доминирующие механизмы рассеяния электронов в Hg[1-x-y] Mn[x]Fe[y]Se [Текст] / П. Д. Марьянчук, авт. Л. М. Яблоновская // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 3. - С. 35-39. - Библиогр.: с. 39 (7 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Техника высоких измерений Кл.слова (ненормированные): зонные параметры; межзонные переходы; механизмы рассеяния электронов; оптические фононы; рассеяние электронов Аннотация: В интервале температур T = 77-300 К при H примерно равной 0, 5-6 кЭ исследованы магнитные и кинетические свойства, а также спектры пропускания и поглощения кристаллов Hg[1-х-y]Mn[x]Fe[y]Se[0, 09 Доп.точки доступа: Яблоновская, Л. М. |
621.3.08 Х 122 Хабибуллин, И. Х. Взаимосвязь электрических и магнитных свойств образцов полупроводникового минерала CuFeS[2] [Текст] / И. Х. Хабибуллин, Е. В Шмидт, Д. Е. Шульгин, В. Л. Матухин // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 4. - С. 93-94. - Библиогр.: с. 94 (5 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Техника высоких измерений Кл.слова (ненормированные): антиферромагнитное упорядочение; магнитные полупроводники; спектры ЯМР Cu; халькопирит CuFeS[2] Аннотация: Интерес к исследованию магнитных полупроводников со структурой типа халькопирита (CuFeS[2]) связан с их практическим применением в фотоэлектронной энергетике. Присутствие атомов железа в кристаллической структуре халькопирита определяет его принадлежность к магнитным полупроводникам с антиферромагнитным упорядочением. В данной работе проводится исследование спектров ЯМР Cu в локальном поле в образцах природного полупроводникового минерала халькопирита. Доп.точки доступа: Шмидт, Е. В; Шульгин, Д. Е.; Матухин, В. Л. |
621.3.08 Н 845 Носов, В. И. Модулятор спектрорадиометра миллиметрового диапазона волн [Текст] / В. И. Носов // Приборы и техника эксперимента. - 2007. - N 3. - С. 158-159 . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Энергетика--Техника высоких измерений Кл.слова (ненормированные): диапазон волн; спектрорадиометры; модуляторы; озон; переменный ток Аннотация: Модулятор предназначен для применения в качестве антенного переключателя на три положения в составе спектрорадиометра для наблюдения интенсивности излучения озона в линии с резонансной частотой 110836 МГц. |
621.3.08 М 748 Моисеев, А. Г. Рассеяние носителей заряда на неупорядоченной сетке атомов в изотропном поликристалле кремния p-типа [Текст] / А. Г. Моисеев // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 5. - С. 3-12. - Библиогр.: с. 12 (24 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Техника высоких измерений Кл.слова (ненормированные): кристаллиты; неупорядоченная сетка атомов; носители заряда; поликристаллы кремния; рассеяние носителей заряда Аннотация: В работе рассматривается новый механизм рассеяния носителей в поликристаллах. Поликристалл представляется как совокупность кристаллитов, ориентированных относительно друг друга произвольным образом, что определяет случайную сетку атомов в пространстве и обуславливает дополнительный механизм рассеяния носителей в поликристалле. Дается расчет подвижности носителей в поликристалле кремния p-типа и приводятся сравнения с результатами эксперимента. |
621.3.08 К 231 Каримов, М. А. Стимулирование фотовольтаических свойств косонапыленных пленок CdTe методом легирования индием [Текст] / М. А. Каримов // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 7. - С. 88-89. - Библиогр.: с. 89 (6 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Техника высоких измерений Кл.слова (ненормированные): аномально фотовольтаический эффект; косонапыленные пленки CdTe; легирование индием; метод легирования индием; пленки CdTe; фотовольтаические свойства Аннотация: В данной работе исследован аномально фотовольтаический эффект в легированных примесями In, Cl тонких поликристаллических слоях CdTe с целью повышения рабочей мощности пленок как источника фотоЭДС и выяснения роли фоточувствительных центров в генерации АФН. |