621.383 Г 973 Гутцайт, Э. М. Анализ светодиодных модулей для местного освещения [Текст] / Э. М. Гутцайт // Радиотехника и электроника. - 2007. - Т. 52, N 12. - С. 1486-1504. - Библиогр.: с. 1504 (20 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): светодиодные модули -- местное освещение -- светодиоды -- оптические системы -- освещенность Аннотация: Проанализированы различные варианты светодиодных модулей для местного освещения. Рассмотрены возможности аппроксимации кривых сил света светодиодов и их расчетов в системе Trace Pro. Предложена методика расчета освещенности двумерной площадки при использовании результата одномерного распределения освещенности вдоль линии. Проведен сравнительный анализ обеспечения равномерности освещения и энергопотребления при использовании светодиодов с разными концентрациями световых потоков. Исследованы возможности использования поворотов светодиодов с различными оптическими системами для рассеяния и фокусировки световых потоков, а также возможности уменьшения размеров светодиодных модулей и изменений токов повернутых светодиодов для улучшения равномерности распределения освещенности. |
621.383 К 957 Кухта, А. В. Волоконно-оптические датчики магнитного поля и электрического тока на основе эффекта Фарадея в кристаллах Bi12GeO20 и Bi12SiO20 [Текст] / А. В. Кухта, А. М. Мамедов [и др.] // Радиотехника и электроника. - 2008. - Т. 53, N 3. - С. 368-376. - Библиогр.: с. 376 (24 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): волоконно-оптические датчики -- эффект Фарадея -- Фарадея эффект -- датчики магнитных полей -- магнитные поля -- оптические элементы -- датчики электрического тока Аннотация: Представлены результаты исследований и разработок по созданию волоконно-оптических датчиков (ВОД) магнитного поля и электрического тока на основе эффекта Фарадея в Bi12SiO20 и Bi12GeO20. Рассмотрены возможности повышения чувствительности таких ВОД за счет применения многопроходных чувствительных элементов. Определены пределы увеличения длины оптического пути в кристалле с многократным прохождением луча света. Приведены данные о величинах температурных дрейфов коэффициентов преобразования различных схем чувствительных элементов. Доп.точки доступа: Мамедов, А. М.; Потапов, В. Т.; Потапов, Т. В.; Удалов, М. Е. |
Cтруктура пленок Ba[0. 7]Sr[0. 3]TiO[3], полученных химическим осаждением из растворов на подложках из поликора [Текст] / О. М. Жигалина [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 9. - С. 3-8
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): просвечивающая электронная микроскопия -- рентгеноструктурный анализ -- микроскопия высокого разрешения -- титанат бария-стронция -- поликор -- тонкие пленки -- диэлектрические подложки Аннотация: Методами просвечивающей электронной микроскопии, микроскопии высокого разрешения и рентгеноструктурного анализа изучена структура пленок титаната бария-стронция (ТБС), нанесенных на подложки из поликора методом химического осаждения из растворов. Установлено, что после двухступенчатой кристаллизации при T = 700 и 950 градусов C формируется неоднородная по сечению зеренная структура: равноосные зерна (средний размер 44. 2 нм) в приграничной области ТБС-поликор и многоярусная столбчатая структура (высота зерен до 150 нм) с текстурой \{100\} в объеме пленки. Торможение роста зерен в процессе высокотемпературного отжига и образование подслоя в приграничной области связаны с изменением структуры подложки – переориентацией ее зерен и формированием текстуры \{112\}. Доп.точки доступа: Жигалина, О. М.; Воротилов, К. А.; Хмеленин, Д. Н.; Сигов, А. С. |
Улучшение параметров фотодиодных структур GaSb/GaInAsSb/AlGaAsSb с тонкой активной областью для спектрального диапазона 1. 0-2. 5 mum [Текст] / А. П. Астахова [и др. ] // Письма в Журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, вып: вып. 19. - С. 8-15 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): фотодиодные структуры -- гетероструктуры -- системы газового анализа -- фотовольтаические преобразователи Аннотация: Исследованы фотодиодные гетероструктуры с красной границей фоточувствительности 2. 5 mum на основе GaSb/GaInAsSb/AlGaAsSb с активной областью Ga[0. 76]In[0. 24]As[0. 22]Sb[0. 78] различной толщины и отражающим излучение контактом на тыльной стороне структуры. Показано, что уменьшение толщины активной области и отражение излучения на тыльной стороне позволяют улучшить параметры фотодиодов и термофотовольтаических преобразователей в спектральном диапазоне 1. 0-2. 5 mum. Получена обнаружительная способность D\{*\}[lambda]= (3-6) 10\{10\} cm Hz\{1/2\}/W и фотоэдс разомкнутой цепи V[oc]=0. 2 V. Доп.точки доступа: Астахова, А. П.; Журтанов, Б. Е.; Именков, А. Н.; Михайлова, М. П.; Сиповская, М. А.; Стоянов, Н. Д.; Яковлев, Ю. П. |
Мамичев, Д. Игра "Фантики" [Текст] / Д. Мамичев // Радио. - 2008. - N 3. - С. 44-45 . - ISSN 0033-765X
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): детские игры -- игры -- печатные платы -- платы печатные -- принципиальные схемы -- схемы принципиальные -- фантики -- фотодатчики -- электронные игры Аннотация: В 80-х годах прошлого века, когда еще не было фишек ("Читос", "Лейз" и им подобных, среди школьников была популярна игра в фантики. Фантик - это обертка от конфеты, свернутая в треугольник. Ладонью, с лежащим на ней фантиком, игроки по очереди ударяют снизу по краю подоконника или стола и вбрасывают свои фантики на игровое поле. Задача игрока - накрыть своим фантиком фантик соперника и забрать его себе. Предлагаемое устройство имитирует описанную игру, добавляя в нее, помимо ловкости, меткости, еще и тренировку устного счета. |
Виноградов, Ю. Экономичный ИК канал в устройствах охранной сигнализации [Текст] / Ю. Виноградов // Радио. - 2008. - N 8. - С. 36-37 : 4 рис. . - ISSN 0033-765X
Рубрики: Радиоэлектроника Импульсные устройства Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): ИК импульсы -- ИК каналы -- ИК приемники -- охранная сигнализация -- охранные устройства -- печатные платы -- платы печатные -- принципиальные схемы -- схемы принципиальные Аннотация: Способность охранных устройств работать автономно и так долго, как того могут потребовать обстоятельства, - естественное требование к технике такого назначения. Предлагаемый ИК канал имеет батарейное питание, отличается высокой экономичностью и может быть использован в охранных устройствах различного назначения. |
Гладун, А. Д. Изучение фотоэлектрических свойств солнечной батареи [Текст] / А. Д. Гладун, Ф. Ф. Игошин, Ю. М. Ципенюк // Физическое образование в вузах. - 2008. - Т. 14, N 4. - С. 43-49 : ил.: 5 рис. - Библиогр.: с. 49 (3 назв. ) . - ISSN 1609-3143
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Физика Общие вопросы физики Образование. Педагогика Методика преподавания учебных предметов Кл.слова (ненормированные): лабораторные работы -- работы -- солнечные батареи -- батареи -- вентильные фотоэлементы -- фотоэлементы -- фототок -- токи -- фотоэдс -- эдс -- электродвижущая сила -- сила -- p-n - переход -- полупроводники -- вентильный фотоэффект -- фотоэффект Аннотация: Приводится описание лабораторной работы по курсу общей физики, которая посвящена изучению фотоэлектрических свойств элемента солнечной батареи. Целью работы является исследование зависимостей фототока и фотоэдс вентильного фотоэлемента от длины волны падающего света. Доп.точки доступа: Игошин, Ф. Ф.; Ципенюк, Ю. М. |
Оптимизация параметров солнечных модулей на основе линзовых концентраторов излучения и каскадных фотоэлектрических преобразователей [Текст] / В. М. Андреев [и др. ] // Журнал технической физики. - 2010. - Т. 80, N 2. - С. 118-125. - Библиогр.: c. 125 (11 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Физика Геометрическая оптика. Оптические приборы Кл.слова (ненормированные): солнечные модули -- линзовые концентраторы излучения -- фотоэлектрические преобразователи -- концентрирование излучения -- линзы Френеля -- Френеля линзы -- фокусировка излучения Аннотация: Рассмотрены два основных аспекта, определяющих конструктивный облик солнечного концентраторного модуля с трехкаскадными наногетероструктурными фотоэлектрическими преобразователями (ФЭП) - это условие эффективного концентрирования излучения линзами Френеля и условие эффективного отвода тепла от ФЭП. С использованием методов теоретического и экспериментального моделирования этих процессов определены конструктивные параметры соответствующих элементов модуля. Изготовлены тестовая партия полноразмерных модулей. Каждый модуль состоит из фронтальной панели малоразмерных линз Френеля (144 линзы при расположении 12x 12) и соответствующего количества ФЭП с многослойной структурой на основе материалов InGaP/GaAs/Ge. Смонтированные на теплоразводящие пластины, ФЭП также объединены в панель. Измеренное в натурных условиях значение КПД концентраторного модуля с входной апертурой 0. 5x0. 5 m составило 24. 3%, что в два с лишним раза превосходит значение КПД обычных (без концентратора) модулей на основе кремния. В тестовых модулях меньшего размера при введении коррекции на стандартную (25{o}C) температуру ФЭП значение КПД достигало 26. 5%. Доп.точки доступа: Андреев, В. М.; Давидюк, Н. Ю.; Ионова, Е. А.; Покровский, П. В.; Румянцев, В. Д.; Садчиков, Н. А. |
Нудельман, Р. Led, Oled, Toled и все такое прочее [Текст] / Р. Нудельман // Знание-сила. - 2008. - N 2. - С. 71-73 . - ISSN 0130-1640
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): светоизлучающие диоды -- СИД -- LED -- OLED -- TOLED -- Light Emmiting Divice -- ПСИД -- полимерные СИДы -- светящиеся покрытия Аннотация: О светоизлучающих диодах. |
Светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSb для спектроскопии CO[2] (lambda=4. 3 mum) [Текст] / А. С. Головин [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 1. - С. 105-110 : ил. - Библиогр.: с. 110 (9 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): светодиоды -- гетероструктуры -- спектроскопия -- CO -- углекислый газ -- флип-чип конструкции -- InAs/InAsSb Аннотация: Созданы светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSb, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений, работающие в спектральном диапазоне 4. 1-4. 3 mum. Для увеличения вышедшего из кристалла излучения выбрана флип-чип конструкция светодиодов. Созданы два типа светодиодов - с гладкой и развитой световыводящей поверхностью. Исследованы электролюминесцентные свойства. Показано, что светодиоды с развитой световыводящей поверхностью более эффективны за счет увеличения выхода излучения из кристалла из-за переотражения от криволинейной поверхности. Мощность светодиодов в квазинепрерывном режиме (QCW) составила 30 muW при токе 200 mA, в импульсном режиме - 0. 6 mW при токе 2 A. Доп.точки доступа: Головин, А. С.; Астахова, А. П.; Кижаев, С. С.; Ильинская, Н. Д.; Серебренникова, О. Ю.; Яковлев, Ю. П. |
Большанин, А. А. Многоэлементная система регистрации пространственного распределения оптического импульса [Текст] / А. А. Большанин, С. М. Слободян, А. Р. Яковлев // Приборы и техника эксперимента. - 2010. - N 1. - С. 176-177. - Библиогр.: с. 177 (8 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): световое излучение -- импульсное излучение -- лазерные сигналы -- многоэлементные системы -- оптические спектры Аннотация: Система предназначена для регистрации, запоминания и последующего анализа пространственно распределенного импульсного излучения лазерного сигнала в широком диапазоне оптического спектра. Доп.точки доступа: Слободян, С. М.; Яковлев, А. Р. |
Автоматизированный стенд для измерения параметров фоточувствительных структур ультрафиолетового диапазона [Текст] / А. А. Алтухов [и др. ] // Приборы и техника эксперимента. - 2010. - N 3. - С. 159-160. - Библиогр.: с. 160 (2 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): автоматизированные стенды -- фоточувствительные структуры -- спектры -- ультрафиолетовый диапазон Аннотация: Данный стенд предназначен для измерения фотоэлектрических параметров многоэлементных фоточувствительных структур на алмазе в ультрафиолетовом диапазоне спектра. Доп.точки доступа: Алтухов, А. А.; Клочкова, А. М.; Митягина, А. Б.; Орлова, Г. А.; Фещенко, В. С. |
Слободян, С. М. Установка для создания и автоматической регистрации очагов оптического пробоя воздуха [Текст] / С. М. Слободян, С. А. Шишигин // Приборы и техника эксперимента. - 2010. - N 3. - С. 163-164. - Библиогр.: С. 164 (7 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): воздух -- оптический пробой -- автоматическая регистрация -- технические характеристики -- лазерное инициирование -- лазерное излучение -- автоматизированные установки Аннотация: Представлены основные технические характеристики данной установки. Доп.точки доступа: Шишигин, С. А. |
Ознобихин, А. Простое фотореле [Текст] / А. Ознобихин // Радио. - 2009. - N 4. - С. 48 : ил.
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): фотореле -- фоторезисторы -- освещенность -- фототранзисторы -- инверторы Аннотация: Фотореле для включения нагрузки при включении освещения в помещении. |
Лечкин, А. Смышленая "мигалка" [Текст] / А. Лечкин // Радио. - 2009. - N 4. - С. 49-50 : ил.
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): фототранзисторы -- блоки питания -- микроконтроллеры -- освещенность -- светодиодное табло -- световые эффекты Аннотация: Светодиодная "мигалка" с большим количеством различных световых эффектов. |
Суров, В. Фотореле-таймер [Текст] / В. Суров // Радио. - 2009. - N 2. - С. 48-49 : ил.
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): фотоэлементы -- освещение -- микроконтроллеры -- таймеры -- светодиодные индикаторы Аннотация: Устройство управления освещением. |
621.383 Э 454 Электрические и электролюминесцентные свойства светодиодов lambda =3. 85-3. 95 mu m на основе InAsSb в интервале температур 20-200{o}C [Текст] / А. А. Петухов [и др.] // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 1. - С. 73-76. - Библиогр.: c. 76 (12 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): светодиоды -- инфракрасные светодиоды -- гетероструктуры -- электролюминесценция -- оже-рекомбинация -- излучательная рекомбинация -- термическая эмиссия -- диффузионные токи Аннотация: Приведены результаты исследования зависимости электрических и электролюминесцентных свойств светодиодов на основе гетероструктуры InAsSbP/InAsSb/InAsSbP (lambda~ 3. 8-4 mum) от температуры (20-200{o}C). Показано, что уменьшение мощности излучения с увеличением температуры носит сверхэкспоненциальный характер и обусловлено, главным образом, ростом скорости оже-рекомбинации. Изменение положения максимума спектра излучения с температурой носит немонотонный характер, поскольку наблюдается излучательная рекомбинация как в активной области, так и в широкозонном слое. При комнатной температуре протекание тока через гетероструктуру определяется туннельным механизмом независимо от полярности приложенного напряжения. С увеличением температуры при прямом смещении проявляется термическая эмиссия носителей заряда, а при обратном - растет роль диффузионного тока. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/01/p73-76.pdf Доп.точки доступа: Петухов, А. А.; Кижаев, С. С.; Молчанов, С. С.; Стоянов, Н. Д.; Яковлев, Ю. П. |
621.383 Ф 815 Фотолюминофоры на основе ( CaO*Al[2]O[3]*SiO[2]) : Eu для преобразования фиолетового/ультрафиолетового излучения в излучение белого цвета [Текст] / Н. Т. Гурин [и др.] // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 2. - С. 153-155. - Библиогр.: c. 155 (9 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): фотолюминофоры -- фотолюминесценция -- люминофоры -- белое излучение -- фиолетовое излучение -- ультрафиолетовое излучение -- преобразование излучения -- твердофазный синтез -- цветность телевизионных систем -- цвета свечения телевизионных стандартов -- системы цветовой индикации -- фотолюминесцентные преобразователи цвета -- светоизлучающие диоды -- светодиоды -- светодиодные излучатели Аннотация: Показано, что полученные методом прямого твердофазного синтеза при температуре 1350{o} в вакууме фотолюминофоры (2CaO*0. 5Al[2]O[3]*5SiO[2]) : Eu и (CaO*0. 2Al[2]O[3]*SiO[2]) : Eu с добавкой 3 wt. % B[2]O[3] при возбуждении излучением светодиода с максимумом спектра излучения 380 nm дают излучение белого цвета с координатами цветности, близкими к координатам цветности основных телевизионных систем, и находятся в поле белого цвета систем цветовой сигнализации. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/02/p153-155.pdf Доп.точки доступа: Гурин, Н. Т.; Паксютов, К. В.; Терентьев, М. А.; Широков, А. В. |
621.383 Г 441 Гетероструктуры AlN/AlGaN для селективно-чувствительных MSM-детекторов ультрафиолетовой части спектра [Текст] / С. В. Аверин [и др.] // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 2. - С. 138-140. - Библиогр.: c. 140 (12 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- твердые растворы -- MSM-фотодетекторы -- солнечно-слепое детектирование -- детекторы ультрафиолетового излучения -- фотодетекторы Аннотация: MSM-фотодетекторы на основе AlN/AlGaN-гетероструктур обладают низкими значениями темновых токов, а спектральные характеристики демонстрируют возможность использования для селективно-чувствительного солнечно-слепого детектирования с максимумом чувствительности на длине волны 240 nm. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/02/p138-140.pdf Доп.точки доступа: Аверин, С. В.; Кузнецов, П. И.; Житов, В. А.; Алкеев, Н. В.; Котов, В. М.; Дорофеев, А. А.; Гладышева, Н. Б. |
621.383 Л 847 Лунин, Л. С. Моделирование и исследование характеристик фотоэлектрических преобразователей на основе GaAs и GaSb [Текст] / Л. С. Лунин, авт. А. С. Пащенко // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 9. - С. 71-76. - Библиогр.: c. 76 (9 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): фотоэлектрические преобразователи -- коэффициент полезного действия -- КПД -- арсенид галлия -- антимонид галлия -- каскадные солнечные элементы -- вольт-амперные характеристики -- ватт-вольтные характеристики -- спектральная чувствительность Аннотация: Представлены результаты моделирования световых вольт-амперных и ватт-вольтовых характеристик для варьируемых условий (последовательного сопротивления, температуры, диодного параметра A) и исследования абсолютной спектральной чувствительности фотоэлектрических преобразователей GaAs, GaSb. Показано, что на величину напряжения холостого хода наибольшее влияние оказывают величина диодного параметра A и температура T, а на КПД фотоэлектрического преобразователя - последовательное сопротивление и диодный параметр. Показана перспективность использования фотоэлектрических преобразователей на основе GaSb и GaAs в каскадных солнечных элементах для преобразования концентрированного солнечного излучения. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/09/p71-76.pdf Доп.точки доступа: Пащенко, А. С. |