Механизм переноса тока в гетероструктурах n-CdS/p-CdTe с толстым слоем твердого раствора CdTe[1-x]S[x] [Текст] / Х. Х. Исмоилов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 11. - С. 1953-1957. - Библиогр.: с. 1957 (16 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): перенос тока -- гетероструктуры -- твердые растворы -- высокоомные твердые растворы -- толщины твердых растворов -- амбиполярная диффузия -- амбиполярный дрейф Аннотация: Исследованы вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики гетеросистемы p-CdTe/n-CdS. Результаты показывают, что на гетерогранице p-CdTe/n-CdS формируется высокоомный i-слой (твердый раствор CdTe[1-x]S[x]), который неоднороден не только по проводимости, но и по составу. По данным вольт-фарадных характеристик оценены толщины твердых растворов и установлено, что в промежуточном слое имеются области различного типа проводимости. Показано, что амбиполярные диффузия и дрейф в высокоомных твердых растворах CdTe[1-x]S[x] направлены навстречу друг к другу, что приводит к появлению сублинейного участка вольт-амперной характеристики типа V = exp (Iaw). Наблюдение сублинейного участка вольт-амперной характеристики при прямом и обратном направлениях тока в широком диапазоне температур 77-323 K свидетельствует о том, что диффузионно-дрейфовый режим реализуется в различных частях i-слоя в зависимости от плотности тока и температуры окружающей среды. Изменение величин тока и емкости, а также формы вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик после ультразвукового облучения показывает, что в твердых растворах CdTe[1-x]S[x] имеются метастабильные состояния, которые в процессе ультразвукового облучения, вероятно, распадаются и затем вновь образуют твердые растворы с более стабильными состояниями. Доп.точки доступа: Исмоилов, Х. Х.; Абдугафуров, А. М.; Мирсагатов, Ш. А.; Лейдерман, А. Ю. |
Музафарова, С. А. Влияние гамма-облучения на механизм переноса тока в гетероструктурах n-CdS/p-CdTe [Текст] / С. А. Музафарова, Ш. А. Мирсагатов, Ф. Н. Джамалов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 2. - С. 187-192
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- n-CdS/p-CdTe -- гамма-облучение -- перенос тока -- вольт-амперные характеристики Аннотация: Рассматривается влияние облучения гамма-квантами на механизм переноса тока в гетероструктуре n-CdS/p-CdTe. Показано, что прямая вольт-амперная характеристика гетероструктуры n-CdS/p-CdTe до и после облучения описывается двумя экспоненциальными зависимостями: I=I[0]exp (qV/C[01]kT) и I=I[02]exp (qV/C[02]kT). Выявлено, что на первом участке вольт-амперной характеристики ток ограничивается термоэлектронной эмиссией, на втором участке - рекомбинацией неравновесных носителей заряда в электронейтральной части твердого раствора CdTe[1-x]S[x] на гетерогранице n-CdS/p-CdTe. Аномальные дозовые зависимости параметров гетеросистемы n-CdS/p-CdTe объяснены изменением степени компенсации локальных центров на границе раздела CdS-CdTe[1-x]S[x] и в слоях CdTe[1-x]S[x] в зависимости от дозы облучения гамма-квантами. Доп.точки доступа: Мирсагатов, Ш. А.; Джамалов, Ф. Н. |
Межфазные взаимодействия и механизм токопереноса в омических контактах Au-TiB[x]-AuGe-n-GaP [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 11. - С. 1468-1472 : ил. - Библиогр.: с. 1472 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): омические контакты -- Au-TiB[x]-AuGe-n-GaP -- токоперенос -- перенос тока -- термическая обработка -- термообработка -- контактные сопротивления -- проводимость -- шунты -- металлические шунты -- температура Аннотация: Исследованы омические контакты Au-TiB[x]-AuGe-n-GaP до и после быстрой термической обработки при T=723, 773 и 873 K в течение 60 с в H[2]. Показано, что удельное контактное сопротивление с ростом температуры уменьшается в интервале 77-232 K, что обусловлено термоэлектронным механизмом токопрохождения в неоднородном омическом контакте, а в интервале 232-386 K возрастает, что может быть связано с проводимостью по металлическим шунтам. Доп.точки доступа: Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Камалов, А. Б.; Капитанчук, Л. М.; Кладько, В. П.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Миленин, В. В.; Насыров, М. У.; Неволин, П. В. |