621.382 Б 591 Бибилашвили, А. П. Исследование контактов сплава Ni-Ge на GaAs [Текст] / А. П. Бибилашвили, А. Б. Герасимов [и др.] // Физика и химия обработки материалов. - 2004. - N 4 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): сплавы -- гелий -- омические контакты -- подложки -- полупроводниковые приборы -- интегральные микросхемы -- микросхемы -- потенциальные барьеры -- исследования Аннотация: Исследованы процессы формирования контактов на основе барьера Шоттки и омических контактов при фотонной обработке сплавов Ni-Ge с различным содержанием Ge. Продемонстрирована возможность получения контакта барьера Шоттки и омического контакта в едином технологическом цикле на одной подложке. Доп.точки доступа: Герасимов, А. Б.; Самадашвили, З. Д.; Кванталиани, И. О.; Казаров, Р. Э. |
621.362 Г 37 Герасимов, А. Б. Влияние освещения на распределение дефектов и полей напряжений, образующихся при индентировании монокристаллического кремния [Текст] / А. Б. Герасимов, Г. Д. Чирадзе [и др.] // Физика и химия обработки материалов. - 2006. - N 2. - С. 15-18 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Энергетика--Электрический нагрев Кл.слова (ненормированные): кремний; монокристаллический кремний; индентирование; поля напряжений; индентирование монокристаллического кремния; релаксация полей напряжений; механические напряжения; фотоны; фотонная обработка; фотонные воздействия; малопластичные материалы; световая обработка Аннотация: Исследовано влияние фотонного воздействия на эволюцию дефектов и распределение механических напряжений, создаваемых в процессе индентирования в монокристаллическом кремнии. Показано, что большинство образующихся дефектов при комнатной температуре являются метастабильными и выходят на поверхность при фотонной обработке, что приводит к релаксации полей напряжений. Доп.точки доступа: Чирадзе, Г. Д.; Бибилашвили, А. П.; Буачидзе, Д. Г.; Казаров, Р. Е.; Ратиани, Т. К.; Чучулашвили, Г. Т. |