Мироненко, И. Г. Многощелевые линии передачи сверхвысоких частот на основе структуры сегнетоэлектрическая пленка-диэлектрическая подложка [Текст] / И. Г. Мироненко, А. А. Иванов // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N2. - Библиогр.: с.73 (5 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Общая радиотехника Кл.слова (ненормированные): дисперсионные характеристики -- линии передачи -- многослойные структуры -- полноволновой отчет -- сегнетоэлектрические пленки Аннотация: Выполнен полноволновый расчет дисперсионных характеристик многощелевых линий передачи сверхвысоких частот на многослойной структуре, включающей в себя сегнетоэлектрическую пленку, и найдено затухание, вызванное конечной проводимостью в металлических электродах Доп.точки доступа: Иванов, А.А. |
Карманенко, С. Ф. Исследование влияния примесей марганца на диэлектрические характеристики пленок BSTO [Текст] / С. Ф. Карманенко, А. И. Дедык [и др.] // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N4. - Библиогр.: с. 140 (15 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): сегнетоэлектрические пленки -- BSTO -- дефекты -- вакансии -- вольт-амперные характеристики -- вольт-фарадные характеристики Аннотация: Проводилось сравнение вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик сегнетоэлектрических пленок BSTO, содержащих примесь диоксида марганца (~1.5-2mol%), и беспримесных образцов. Показано, что в образцах, легированных Mn, tgдельта уменьшался до 10{-3}, а также изменялся характер зависимости tgдельта от приложенного напряжения. ВАХ таких образцов были строго омическими и при больших напряжениях не имели участков нелинейного возрастания тока. Предложена модель влияния Mn в пленках BSTO на зарядовое состояние дефектов, обусловленных кислородными вакансиями Доп.точки доступа: Дедык, А.И.; Исаков, Н.Н.; Гордейчук, А.С.; Семенов, А.А.; Тер-Мартиросян, Л.Т.; Hagberg, J. |
53 В 29 Вендик, О. Г. Размерный эффект в наноструктурированных сегнетоэлектрических пленках [Текст] / О. Г. Вендик, Н. Ю. Медведева, С. П. Зубко // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 6. - С. 8-14 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): пленки -- наноструктурированные пленки -- сегнетоэлектрические пленки -- размерный эффект Аннотация: Определяется зависимость эффективной диэлектрической проницаемости наноструктурированной сегнетоэлектрической пленки от размера гранулы и толщины "мертвого" - несегнетоэлектрического - слоя. Доп.точки доступа: Медведева, Н. Ю.; Зубко, С. П. |
539.2 Г 612 Головко, Ю. И. Структурные фазовые переходы в наноразмерных сегнетоэлектрических пленках титаната бария-стронция [Текст] / Ю. И. Головко, В. М. Мухортов [и др.] // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 3. - С. 467-471. - Библиогр.: с. 470-471 (20 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фазовые переходы -- фазовые переходы второго рода -- наноразмерные сегнетоэлектрические пленки -- сегнетоэлектрические пленки -- пленки титаната бария-стронция -- метод дифракции рентгеновского излучения Аннотация: С использованием метода дифракции излучения исследованы температурные зависимости параметров решетки в нормальном и тангенциальном к подложке направлениях эпитаксиальных пленок титаната бария-стронция разной толщины (от 6 до 960 nm), выращенных по слоевому механизму высокочастотным катодным распылением при повышенном давлении кислорода. Выявлена критическая толщина пленок (около 50 nm), ниже которой в пленках существуют сжимающие, а выше растягивающие напряжения. Во всем интервале толщин при изменении температуры от 780 до 100 K в пленках наблюдаются два размытых фазовых перехода второго рода. При растягивающих напряжениях переходы могут соответствовать переходам из тетрагональной параэлектрической фазы в aa-фазу и далее в r-фазу, в то время как при сжимающихся напряжениях переходы происходят из тетрагональной параэлектрической фазы в сегнетоэлектрическую c-фазу, а при дальнейшем понижении температуры - в r-фазу. Доп.точки доступа: Мухортов, В. М.; Юзюк, Ю. И.; Janolin, P. E.; Dkhil, B. |
Исследование сегнетоэлектрических пленок сополимера P (VDF-TrFE) и композитов на его основе методом атомной силовой микроскопии [Текст] / А. В. Солнышкин [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 9. - С. 18-21
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): сегнетоэлектрические пленки -- сополимеры -- атомная силовая микроскопия -- полярные материалы -- поливинилиденфторид Аннотация: Методами атомной и пьезоэлектрической силовой микроскопии исследованы структура поверхности и локальный пьезоэлектрический отклик пленочных образцов сополимера P (VDF-TrFE) и композитов на его основе. В номинально чистых образцах P (VDF-TrFE) выявлено существование ламеллярных кристаллов размером 2. 0 х 0. 6 мкм. При введении кристаллических сегнетоэлектриков наблюдаются увеличение доли кристаллической фазы в полимерной матрице и изменение формы и размеров ламеллярных кристаллитов. Получены петли гистерезиса локального пьезоэлектрического отклика для областей композита, соответствующих полимерной матрице и включениям кристаллических сегнетоэлектриков. Доп.точки доступа: Солнышкин, А. В.; Киселев, Д. А.; Богомолов, А. А.; Холкин, А. Л.; Kunstler, W.; Gerhard, R. |
Усталость тонких пленок титаната свинца и цирконата-титаната свинца [Текст] / А. С. Сидоркин [и др. ] // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 11. - С. 2066-2072. - Библиогр.: с. 2072 (22 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- усталость тонких пленок -- тонкие пленки титаната свинца -- титанат свинца -- тонкие пленки цирконата-титаната свинца -- цирконат-титанат свинца -- сегнетоэлектрические пленки Аннотация: Экспериментально исследовано явление усталости тонких сегнетоэлектрических пленок титаната свинца и цирконата-титана свинца - изменение поляризации в зависимости от количества циклов переключения во внешнем поле. Определены пороговые значения циклов переключения для исследуемых пленок: 10{10} - 10{11} для титаната свинца и 10{9} - 10{10} для цирконата-титаната свинца. Показано, что изменение температуры не оказывает существенного влияния на пороговое значение числа циклов переключения, при котором наблюдается резкое уменьшение переключаемой поляризации. В то же время увеличение напряженности внешнего поля приводит к заметному уменьшению порогового значения циклов переключения. В процессе усталости наблюдается увеличение значений коэрцитивного поля и внутреннего поля смещения. Установлено, что изменение внутреннего поля с ростом количества циклов переключения происходит более интенсивно по сравнению с коэрцитивным полем. Отсутствие изменения фазового состава в многократно переключаемых образцах указывает на нехимическую природу процессов усталости. Исчезновение после многократного переключения аномалии в частной зависимости диэлектрической проницаемости в области частот 10{6}-10{7} Hz, имеющей доменное происхождение, указывает на доменную природу наблюдаемого явления усталости. Доп.точки доступа: Сидоркин, А. С.; Нестеренко, Л. П.; Смирнов, А. Л.; Смирнов, Г. Л.; Рябцев, С. В.; Сидоркин, А. А. |
Есипов, Ю. В. Интегральные датчики динамической деформации на основе тонких сегнетоэлектрических пленок для мониторинга сложных механических систем [Текст] / Ю. В. Есипов, В. М. Мухортов // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 1. - С. 82-85. - Библиогр.: c. 85 (7 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Механические и акустические свойства монокристаллов Кл.слова (ненормированные): интегральные датчики -- датчики динамической деформации -- динамическая деформация -- тонкие пленки -- сегнетоэлектрические пленки -- мониторинг механических систем -- мониторинг сложных систем Аннотация: На основе тонких пленок Pb (Zr[0. 53]Ti[0. 47]) O[3] толщиной ~1. 0 mum созданы сверхширокополосные 10{-3}-10{8} Hz датчики динамической деформации с контактной площадкой 0. 8 mm{2}. С помощью данных датчиков, закрепленных на элементах семиярусной сварной стержневой этажерки, после ее ударного возбуждения получены фурье-образы откликов конструкции. Установлено, что деформация прямоугольных стержней конструкции в области частот от 10{-3} до 10{2} Hz имеет три вида колебательных процессов - собственные колебания стержней и различные моды конструкции с линейной зависимостью от степени возбуждения, колебания с аномально высокой диссипацией энергии и стохастические колебания. Проведенные исследования позволяют сделать выводы о возможности установления спектральных критериев для мониторинга сложных конструкций по виду деформации ее составляющих элементов. Доп.точки доступа: Мухортов, В. М. |
Исследование пьезоактивности тонких пленок цирконата-титаната свинца [Текст] / С. В. Бирюков [и др. ] // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 8. - С. 90-92. - Библиогр.: c. 92 (16 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Механические и акустические свойства монокристаллов Кл.слова (ненормированные): пьезоактивность -- тонкие пленки -- цирконат-титанат свинца -- сегнетоэлектрические пленки -- катодное распыление -- пьезоэлектрический гистерезис Аннотация: Изучены особенности проявления пьезоактивности тонких сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца, полученных высокочастотным катодным распылением мишеней стехиометрического состава. Установлено, что пленки обладают естественной униполярностью. Обсуждаются возможные причины этого явления. Экспериментально построено семейство петель пьезоэлектрического гистерезиса при различных значениях частоты и напряженности внешнего смещающего поля. Полученные зависимости сравниваются с классическими петлями диэлектрического гистерезиса. Доп.точки доступа: Бирюков, С. В.; Головко, Ю. И.; Масычев, С. И.; Мухортов, В. М.; Шелепо, А. П. |
Особенности диэлектрических свойств тонких сегнетоэлектрических пленок Sn[2]P[2]S[6], полученных методом термического испарения [Текст] / Д. Н. Санджиев [и др. ] // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 11. - С. 61-64. - Библиогр.: c. 64 (13 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- сегнетоэлектрические пленки -- термическое испарение -- сегнетоэлектрики -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры Аннотация: Исследованы структура, микроструктура, температурные и полевые зависимости диэлектрических свойств тонких (0. 5-8 mum) пленок сегнетоэлектрика Sn[2]P[2]S[6], полученных методом вакуумного термического испарения в квазизамкнутом объеме на подложках из стекла и алюминиевой фольги. Зависимость диэлектрических свойств от толщины и частоты, а также униполярность вольт-фарадных характеристик, объясняются наличием приповерхностных барьерных слоев типа Шоттки. Доп.точки доступа: Санджиев, Д. Н.; Абдулвахидов, К. Г.; Шонов, В. Ю.; Раевский, И. П. |
Малето, М. И. Учебно-научный практикум по автоматизации экспериментов кафедры физики конденсированного состояния [Текст] / М. И. Малето, Е. Ф. Певцов, А. С. Сигов // Открытое образование. - 2009. - N 5. - С. 58-66 : рис., табл. - Библиогр.: с. 66 (18 назв. ) . - ISSN 1818-4243
Рубрики: Образование. Педагогика Применение вычислительной техники в педагогике Высшее профессиональное образование Кл.слова (ненормированные): физика -- физические эксперименты -- системы сбора -- обработка данных -- виртуальные приборы -- виртуальность -- исследования -- сегнетоэлектрические пленки -- физические кафедры -- учебные практикумы -- конденсированное состояние -- научные практикумы -- практикумы -- автоматизация экспериментов -- вузы -- высшее образование -- инновации -- информационные технологии Аннотация: В статье обобщен опыт работы кафедры Физики конденсированного состояния Московского государственного института радиотехники, электроники и автоматики (МИРЭА) по внедрению концепции виртуальных приборов в системах сбора и обработки данных в практикуме по автоматизации физического эксперимента. Особенность методики обучения заключается в том, что знания, приобретенные при изучении этой базовой дисциплины, применяются затем для закрепления умений и навыков при выполнении реальных научно-исследовательских проектов. Приведены примеры таких разработок в исследованиях физики сегнетоэлектриков, в выходном контроле ССD и в медико-физиологических исследованиях. Работа выполнена при поддержке Федерального агентства по образованию (проект № 2. 2. 1. 1 / 2411). Доп.точки доступа: Певцов, Е. Ф.; Сигов, А. С.; Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики |
Влияние контактов металл-сегнетоэлектрик на формирование объемного заряда в сегнетоэлектрических тонкопленочных конденсаторах [Текст] / А. Б. Козырев [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 13. - С. 1-7 : ил. - Библиогр.: с. 7 (12 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электростатика Энергетика Конденсаторы Кл.слова (ненормированные): сегнетоэлектрики -- металл-сегнетоэлектрики -- конденсаторные структуры -- конденсаторы -- тонкопленочные конденсаторы -- сегнетоэлектрические тонкопленочные конденсаторы -- объемные заряды -- формирование зарядов -- пленки -- Ba[0. 3]Sr[0. 7]TiO[3] (BSTO) -- пороговые напряжения -- технологические особенности -- формирование контактов -- экспериментальные данные -- инжекция носителей заряда -- сегнетоэлектрические пленки -- Pt-BSTO -- кислородная атмосфера Аннотация: Проведены исследования быстродействия конденсаторных структур на основе пленки Ba[0. 3]Sr[0. 7]TiO[3] (BSTO) с различными условиями изготовления контакта металл-сегнетоэлектрик. Обнаружены пороговые напряжения возникновения остаточного объемного заряда. На основе сопоставления технологических особенностей формирования контактов и экспериментальных данных сделан вывод о возможности подавления инжекции носителей заряда в сегнетоэлектрическую пленку путем формирования контактов конденсатора Pt-BSTO в кислородной атмосфере. Доп.точки доступа: Козырев, А. Б.; Гайдуков, М. М.; Гагарин, А. Г.; Алтынников, А. Г.; Разумов, С. В.; Тумаркин, А. В. |
Поле гиперзвуковых смещений в многослойном конденсаторе с сегнетоэлектрической пленкой на частотах дисперсии импеданса [Текст] / А. Б. Козырев [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 19. - С. 75-83 : ил. - Библиогр.: с. 83 (12 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электростатика Энергетика Конденсаторы Кл.слова (ненормированные): многослойные конденсаторы -- гиперзвуковые смещения -- поле гиперзвуковых смещений -- сегнетоэлектрические пленки -- импеданс -- частотная дисперсия импеданса -- механические смещения -- амплитуда механических смещений -- распределение амплитуды -- плоскопараллельные конденсаторы -- электрические поля -- СВЧ-диапазоны -- акустический резонанс -- акустические моды -- многослойные резонаторы -- электрический импеданс -- сегнетоэлектрические конденсаторы -- частотное поведение -- СВЧ-ток -- действительная компонента СВЧ-тока -- мнимая компонента СВЧ-тока -- пьезоэффекты -- индуцированные пьезоэффекты -- пьезоэлектрические эффекты Аннотация: Приведены данные о распределении амплитуды механических смещений в плоскопараллельном конденсаторе Pt/ (Ba, Sr) TiO[3]/Pt/Si, генерируемых электрическим полем СВЧ-диапазона на частотах акустического резонанса. Определены собственные акустические моды многослойного резонатора, возбуждение которых приводит к частотной дисперсии электрического импеданса сегнетоэлектрического конденсатора. Анализируется частотное поведение действительной и мнимой компонент СВЧ-тока в конденсаторе за счет индуцированного пьезоэффекта. Доп.точки доступа: Козырев, А. Б.; Михайлов, А. К.; Прудан, А. М.; Пташник, С. В. |
Старков, А. С. Влияние динамической поляризации сегнетоэлектрика на величину изменения температуры при электрокалорическом эффекте [Текст] / А. С. Старков, О. В. Пахомов // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 1. - С. 3-9 : ил. - Библиогр.: с. 9 (12 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): поляризация -- сегнетоэлектрика -- электрокалорические эффекты -- сегнетоэлектрические пленки -- модели Ландау-Халатникова -- Ландау-Халатникова модели -- ЭК-эффекты Аннотация: Исследования электрокалорического (ЭК) эффекта в сегнетоэлектриках представляют интерес не только для технических приложений, но также важны и для адекватного описания электрофизических свойств сегнетоэлектрических пленок, и для анализа динамики их переключения. В данной работе разработан теоретический подход, основанный на модели Ландау-Халатникова, который позволяет описать не только наличие динамической спонтанной поляризации, но и влияние динамической поляризации на характер температурной зависимости ЭК-эффекта. Доп.точки доступа: Пахомов, О. В. |
Иванов, М. С. Особенности формирования тонких сегнетоэлектрических пленок Ba[x]Sr[1-x]TiO[3] на различных подложках методом высокочастотного распыления [Текст] / М. С. Иванов, М. С. Афанасьев // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 7. - С. 1259-1262. - Библиогр.: с. 1262 (4 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): сегнетоэлектрические пленки -- метод высокочастотного распыления -- тонкие пленки -- твердые растворы -- монокристаллические подложки Аннотация: Методом высокочастотного катодного распыления керамической мишени стехиометрического состава на установке магнетронного распыления получены эпитаксиальные тонкие пленки твердых растворов Ba[x]Sr[1-x]TiO[3] на монокристаллических подложках MgO (001) и NdGaO[3] (011). Определены основные качественные различия оптических, структурных и электрических свойств полученных сегнетоэлектрических пленок, выявлена их существенная зависимость от выбора подложки. Доп.точки доступа: Афанасьев, М. С. |
Слоистый феррит-сегнетоэлектрический резонатор с электрическим и магнитным управлением [Текст] / П. Ю. Белявский [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 7. - С. 1446-1447. - Библиогр.: с. 1447 (4 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): резонаторы -- магнитостатические волны -- гибридизации -- радиоэлектронные системы -- спин-волновые приборы -- ферритовые материалы -- электронно-перестраиваемые приборы -- волновые структуры -- щелевые линии -- сегнетоэлектрические пленки -- магнитостатические волны Аннотация: Рассмотрен принцип построения устройств с двойным электрическим и магнитным управлением на основе связанных ферромагнитной резонаторной структуры и щелевой линии, содержащей сегнетоэлектрическую пленку. Показана эффективная гибридизация поверхностной магнитостатической волны и щелевой моды. Доп.точки доступа: Белявский, П. Ю.; Никитин А. А.; Карманенко С. Ф.; Семенов А. А. |
Нормальный и аномальный гистерезис проводимости в канале прозрачного сегнетоэлектрического транзистора [Текст] / И. Е. Титков [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 7. - С. 1448-1450. - Библиогр.: с. 1450 (15 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): гистерезисы проводимости каналов -- транзисторы -- сегнетоэлектрические транзисторы -- каналы транзисторов -- лазерные напыления -- пленки -- сегнетоэлектрические пленки -- заряды ловушки -- поляризационные заряды Аннотация: Созданы и исследованы структуры прозрачного сегнетоэлектрического полевого транзистора PZT/SnO[2]/Al[2]O[3] с "нормальным" и "аномальным" гистерезисом проводимости канала. Впервые получена "нормальная" петля модуляции в данной структуре. В качестве канала полевого транзистора использовались легированные сурьмой эпитаксиальные пленки SnO[2/]Al[2]O[3], напыленные YAG-лазером из металлической мишени. Сегнетоэлектрические пленки PZT осаждались магнетронным распылением. Распределение глубоких уровней на границе PZT/SnO[2] измерялось модифицированным методом релаксационных токов. Установлено, что соотношение поляризационного заряда и заряда ловушек на границе PZT/SnO[2] критически влияет на направление гистерезиса проводимости канала. Доп.точки доступа: Титков, И. Е.; Пронин И. П.; Каптелов Е. Ю.; Делимова Л. А.; Линийчук И. А.; Грехов И. В. |
Жандун, В. С. Расчет динамики решетки и спонтанной поляризации тонких сегнетоэлектрических пленок неупорядоченных твердых растворов PbB'[1/2]B''[1/2]O[3] (B'=Sc, Ga, In, Lu; B''=Nb, Ta) [Текст] / В. С. Жандун, В. И. Зиненко // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 9. - С. 1783-1789. - Библиогр.: с. 1789 (13 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): сегнетоэлектрические пленки -- сегнетоэлектрические твердые растворы -- свинецсодержащие твердые растворы -- фазовые переходы -- динамика кристаллических решеток -- поляризации тонких пленок -- спонтанная поляризация -- заряды Борна -- Борна заряды Аннотация: В рамках обобщенной модели Гордона-Кима рассчитаны динамика решетки и спонтанная поляризация для тонких пленок неупорядоченных твердых растворов PbB'[1/2]B''[1/2]O[3] (B'=Sc, Ga, In, Lu; B''=Nb, Ta). Получено, что во всех соединениях присутствует нестабильная полярная мода, причем частоты этой моды для всех соединений близки по величине и для разных типов поверхности (PbO и < B>O[2], где < B> --- средний ион в приближении виртуального кристалла) собственный вектор "мягкой" полярной моды имеет разный характер. Рассчитаны зависимости от толщины пленки частоты "мягкой" полярной моды, динамических зарядов Борна, высокочастотной диэлектрической проницаемости. Показано, что все перечисленные величины при увеличении толщины пленки стремятся к соответствующему значению для объемного соединения. В искаженной по собственному вектору "мягкой" моды моноклинной фазе рассчитаны зависимость спонтанной поляризации от толщины пленки и ее значение в отдельных слоях пленки с разным типом поверхности. Доп.точки доступа: Зиненко, В. И. |
Балашова, Е. В. Диэлектрическая проницаемость и проводимость пленок триглицинсульфата на подложках Al/SiO[2] и альфа-Al[2]O[3] [Текст] / Е. В. Балашова, Б. Б. Криченцов, В. В. Леманов // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 1. - С. 119-123. - Библиогр.: с. 123 (23 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): диэлектрическая проницаемость -- проводимость пленок -- триглицинсульфат -- пленки триглицинсульфата -- сегнетоэлектрические пленки Аннотация: Пленки триглицинсульфата (TGS) получены методом испарения из водного раствора на подложках из плавленого кварца, покрытых слоем термически напыленного алюминия (Al/SiO[2]), и подложках лейкосапфира (альфа-Al[2]O[3]), на поверхность которых методом фотолитографии были нанесены электроды в виде встречно-штыревой структуры. Пленки TGS имеют поликристаллическую структуру, состоящую из блоков с размерами 0. 1-0. 3 mm (Al/SiO[2]) и 0. 1x1 mm (альфа-Al[2]O[3]). Полярная ось в блоках ориентирована в основном в плоскости подложки. Температурные зависимости емкости и диэлектрических потерь в направлении, перпендикулярном плоскости пленки, и в плоскости пленки имеют максимумы при температуре, совпадающей с температурой Tc сегнетоэлектрического фазового перехода в объемном кристалле. Низкочастотная проводимость G в структурах TGS/Al/SiO[2] обладает частотной дисперсией, которая описывается зависимостью G около омега{s} (s около 0. 82). Возможным механизмом проводимости является прыжковая проводимость, обусловленная локализованными носителями с энергией основного состояния 0. 8-0. 9 eV. В пленках TGS/альфа-Al[2]O[3] при температурах выше и ниже Tc низкочастотная проводимость обусловлена термоактивационным механизмом с энергией активации 0. 9-1 eV. В области фазового перехода в структурах TGS/альфа-Al[2]O[3] появляется дополнительный вклад в проводимость, характеризующийся частотной дисперсией G около омега {0. 5}, который можно связать с релаксацией доменных стенок. Доп.точки доступа: Кричевцов, Б. Б.; Леманов, В. В. |
Тумаркин, А. В. Исследование начальных стадий роста сегнетоэлектрических пленок титаната бария-стронция методом рассеяния ионов средних энергий [Текст] / А. В. Тумаркин, И. Т. Серенков, В. И. Сахаров // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 12. - С. 2397-2400. - Библиогр.: с. 2400 (14 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): сегнетоэлектрические пленки -- титанат бария-стронция -- метод рассеяния ионов Аннотация: Исследованы начальные стадии роста сегнетоэлектрических пленок титаната бария-стронция BaSrTiO[3], осажденных на монокристаллические подложки сапфира, методом рассеяния ионов средних энергий. Обнаружено, что в зависимости от температуры осаждения происходит изменение механизмов формирования сегнетоэлектрической пленки, что обусловлено сменой механизма массопереноса осаждаемых атомов. Показано, что минимальная толщина сплошной пленки сегнетоэлектрика на сапфире составляет порядка 6 nm. Доп.точки доступа: Серенков, И. Т.; Сахаров, В. И. |
539.21:537 С 242 Сверхвысокочастотные свойства сегнетоэлектрических варикондов на основе пленок Ba[x]Sr[1-x]TiO[3] с Mg-содержащей добавкой [Текст] / А. В. Тумаркин [и др.] // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 6. - С. 53-57. - Библиогр.: c. 57 (21 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): сегнетоэлектрические вариконды -- керамика -- твердые растворы -- сегнетоэлектрики -- сегнетоэлектрические пленки -- планарные вариконды -- вариконды -- ионно-плазменное распыление -- тангенс диэлектрических потерь -- магний Аннотация: Представлены результаты исследований электрофизических характеристик объемных керамических образцов на основе сегнетоэлектрических твердых растворов Ba[x]Sr[1-x]TiO[3] с Mg-содержащей добавкой и планарных варикондов, изготовленных на основе сегнетоэлектрических пленок, полученных ионно-плазменным распылением мишеней различного компонентного состава. Исследованы зависимости управляемости n (U) =C (0) /C (U) и тангенса диэлектрических потерь (tgdelta) сегнетоэлектрических варикондов от компонентного состава сегнетоэлектрика. Оценен фактор качества исследуемых варикондов и определен состав пленки, отвечающий наилучшим электрофизическим параметрам. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/06/p53-57.pdf Доп.точки доступа: Тумаркин, А. В.; Тепина, Е. Р.; Ненашева, Е. А.; Картенко, Н. Ф.; Козырев, А. Б. |