Фоточувствительность барьеров Шоттки Ni-n-GaAs [Текст] / Д. Мелебаев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 1. - С. 34-37 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): метод химического осаждения -- слои никеля -- ультрафиолетовое излучение -- арсенид галлия -- оптоэлектроника -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры Аннотация: Методом химического осаждения получены структуры с барьером Шоттки Ni-n-GaAs. Толщина слоев никеля с зеркальной наружной поверхностью варьировалась в пределах 150-220 Angstrem. Впервые экспериментально обнаружено, что фоточувствительность полученных барьеров при их освещении со стороны полупрозрачных слоев Ni в фаулеровской области спектра hnu=0. 9-1. 5 эВ практически отсутствует. Эта закономерность связывается в основном с тем, что при освещении со стороны слоя Ni излучение с энергией фотонов hnu<1. 3 эВ сильно отражается от поверхности никеля. Установлено, что разработанные структуры Ni-n-GaAs могут использоваться в качестве высокоэффективных широкодиапазонных фотопреобразователей видимого и ультрафиолетового излучения. Доп.точки доступа: Мелебаев, Д.; Мелебаева, В. Ю.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В. |