Кагадей, В. А. Вольт-амперные характеристики отражательного разряда с полым катодом и самокалящимся элементом [Текст] / В. А. Кагадей, А. В. Козырев, И. В. Осипов, Д. И. Проскуровский // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N3. - Библиогр.: с. 28 (11 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): отражательный разряд -- полый катод -- вольт-амперные характеристики -- самокалящийся элемент -- разрядная ячейка -- горение разряда Аннотация: Проведены экспериментальные исследования вольт-амперных характеристик отражательного разряда с полым катодом и самокалящимся элементом, используемого в источнике атомарного водорода. Выполнен теоретический анализ процессов в разрядной ячейке, определяющих основные особенности полученных характеристик. Предложено объяснение основных закономерностей горения разряда. Показано, что скачкообразное уменьшение напряжения горения разряда, происходящее при увеличении расхода водорода, связано с проникновением плазмы в полый катод и зажиганием разряда с полым катодом. Продемонстрировано, что по мере возрастания тока разряда происходит плавный переход от режима горения тлеющего разряда к режиму горения дугового разряда с накаленным катодом Доп.точки доступа: Козырев, А.В.; Осипов, И.В.; Проскуровский, Д.И. |
539.238;537.311.3;620.181;539.188 К 129 Кагадей, В. А. Кинетика гидрогенизации и изменение сопротивления тонких пленок ванадия при обработке в потоке атомарного водорода [Текст] / В. А. Кагадей, Е. В. Нефедцев [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2003. - Т. 46, N 11. - Библиогр.: 11 назв. . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Физика твердого тела--Электричество и магнетизм--Молекулярная физика Кл.слова (ненормированные): гидрогенизация -- кинетика гидрогенизации -- ванадий -- микроэлектроника -- наноэлектроника -- водород -- ядерная реакция -- ванадиевая пленка -- микроскопия -- физика полупроводников -- физика диэлектриков Аннотация: Методами ядерных реакций, рентгено-структурного анализа, просвечивающей электронной и атомной силовой микроскопии исследованы закономерности гидрогенизации тонких ванадиевых пленок при обработке в потоке, состоящем из смеси молекулярного и атомного водорода. Обсуждаются возможности использования тонких пленок ванадия для измерения абсолютных величин плотности потока атомарного водорода. Доп.точки доступа: Нефедцев, Е. В.; Проскуровский, Д. И.; Романенко, С. В.; Шевченко, Н. А.; Гретчел, Р.; Грамболь, Д.; Геррманн, Ф.; Иванов, Ю. Ф. |
537.52;533.9.072 З-98 Зюлькова, Л. А. Влияние геометрии самокалящегося катода на параметры разряда низкого давления в скрещенных Е+Н-полях [Текст] / Л. А. Зюлькова, А. В. Козырев, В. А. Кагадей, Д. И. Проскуровский // Известия вузов. Физика. - 2005. - Т. 48, N 1. - С. 73-80. - Библиогр.: с. 80 (12 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): самокалящиеся катоды; самокалящиеся электроды; скрещенные Е+Н-поля; плазмообразование; тлеющие разряды; разряды Пеннинга; Пеннинга разряды; Пеннинга ячейка; ячейка Пеннинга; плазменные источники ионов; плазменные источники электродов; физика плазмы Аннотация: Приводится сравнение параметров самостоятельного разряда низкого давления в скрещенных Е+Н-полях двух геометрий: разряда Пеннинга с дисковым самокалящимся катодом и комбинированного разряда с осевым стержневым самокалящимся электродом. На основе уравнения непрерывности для потока электронов и баланса энергии на горячем катоде рассчитаны параметры разряда в скрещенных Е+Н-полях с самокалящимся катодом в широком диапазоне геометрических размеров разрядной ячейки и работ выхода материала катода. Показано, что исследуемые системы существенно отличаются радиальным распределением концентрации быстрых электронов (однородное в ячейке Пеннинга и сильно неоднородное в ячейке комбинированного разряда) и токов, а вольтамперные характеристики рассматриваемых ячеек представляют собой падающие зависимости напряжения от тока. Доп.точки доступа: Козырев, А. В.; Кагадей, В. А.; Проскуровский, Д. И. |
53.07 К 129 Кагадей, В. А. Тонкопленочный резистивный датчик для измерения плотности потока атомарного водорода [Текст] / В. А. Кагадей, Е. В. Нефедцев [и др.] // Приборы и техника эксперимента. - 2008. - N 1. - С. 155-159. - Библиогр.: с. 159 (30 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Физика Физические приборы Кл.слова (ненормированные): датчики -- резистивные датчики -- тонкопленочные датчики -- атомарный водрод -- плотность потока -- измерительные приборы Аннотация: Описан восьмиканальный тонкопленочный резистивный датчик атомарного водорода, который в автоматизированном режиме позволяет измерять плотность потока атомов водорода в атомарно-молекулярной смеси в условиях пониженного давления газа. Доп.точки доступа: Нефедцев, Е. В.; Проскуровский, Д. И.; Романенко, С. В.; Чупин, В. В. |
Кагадей, В. А. Численное моделирование процесса гидрогенизации GaAs [Текст] / В. А. Кагадей, Е. В. Нефедцев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 1. - С. 128-135
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гидрогенизация арсенида галлия -- водородная плазма -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- водородные частицы -- гидрогенизация-охлаждение -- водород-примесь Аннотация: Проведено моделирование эволюции концентрационных профилей всех типов водородных частиц, носителей заряда и активной легирующей примеси в приповерхностной области GaAs p-типа в процессе гидрогенизации. Численный эксперимент выполнен на базе развернутой математической модели с минимальными упрощениями. Обсуждаются закономерности накопления и транспорта частиц водорода и роль в этих процессах электрического поля. Численными и аналитическими расчетами обосновывается малая эффективность образования комплексов водород- (легирующая примесь) при типичных температурах гидрогенизации GaAs (T больше 150 градусов C). Доп.точки доступа: Нефедцев, Е. В. |
Кагадей, В. А. Численное моделирование процесса гидрогенизации GaAs на стадии охлаждения [Текст] / В. А. Кагадей, Е. В. Нефедцев // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 4. - С. 433-439 : ил. - Библиогр.: с. 439 (26 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гидрогенизация -- GaAs -- охлаждение -- концентрационные профили -- численное моделирование -- водородные частицы -- частицы -- легирующие примеси -- водород -- электрические поля -- температурно-временной режим -- легирование -- гидрогенизированные слои -- полупроводники Аннотация: Проведено моделирование эволюции концентрационных профилей всех типов водородных частиц, носителей заряда, активной легирующей примеси и распределения электрического поля в приповерхностном слое гидрогенизированного p-GaAs в процессе охлаждения образца после окончания этапа введения водорода. Показано, что вид конечных концентрационных профилей водородсодержащих частиц и распределение внутреннего электрического поля в гидрогенизированном слое p-GaAs зависят от температурно-временного режима охлаждения образца. Степень влияния скорости охлаждения на конечное состояние гидрогенизированного слоя увеличивается по мере уменьшения уровня легирования полупроводника. Приводятся и обсуждаются закономерности формирования конечного состояния системы водород-кристалл в зависимости от скорости охлаждения образца. Доп.точки доступа: Нефедцев, Е. В. |
621.315.592 Е 780 Ерофеев, Е. В. Влияние термообработки на параметры контактов металл-полупроводник, сформированных на халькогенизированной поверхности n-GaAs [Текст] / Е. В. Ерофеев, авт. В. А. Кагадей // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 9. - С. 1191-1196 : ил. - Библиогр.: с. 1195-1196 (30 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): термообработка -- термическая обработка -- металл-проводник -- контакты -- халькогенизированные поверхности -- сравнительные исследования -- омические контакты -- барьерные контакты -- поверхности образцов -- растворы -- контактное сопротивление -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- границы раздела Аннотация: Выполнены сравнительные исследования влияния термообработки на параметры омических контактов на основе многослойных систем Ge/Au/Ni, Ge/Au/Ti/Au, Ge/Au/Ni/Ti/Au и барьерных контактов на основе Ti/Au, сформированных на поверхности образцов n-GaAs (100), подвергнутой или не подвергнутой обработке в водном растворе (NH[4]) [2]S. Найдены режимы термообработки омических контактов, в которых для халькогенизированных образцов приведенное контактное сопротивление уменьшается в 2. 5-15 раз по сравнению с нехалькогенизированными образцами. Определены оптимальные режимы термообработки халькогенизированных образцов GaAs с барьером Шоттки, которые позволяют уменьшить коэффициент идеальности, а также увеличить высоту барьера Шоттки и пробивное напряжение по отношению к нехалькогенизированным образцам. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/09/p1191-1196.pdf Доп.точки доступа: Кагадей, В. А. |
544.22 А 187 Авдеев, С. М. Исследование влияния сульфидной и ультрафиолетовой обработок поверхности n-i-GaAs на параметры омических контактов [Текст] / С. М. Авдеев, Е. В. Ерофеев, В. А. Кагадей // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 8. - С. 1056-1061 : ил. - Библиогр.: с. 1061 (24 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Химия Химия твердого тела Кл.слова (ненормированные): омические контакты -- ультрафиолетовое излучение -- УФ излучение -- окисление поверхности -- сульфидная обработка поверхности -- поверхностные состояния -- метод халькогенидной пассивации -- халькогенидная пассивация -- контактное сопротивление -- длина волн -- морфологические характеристики -- халькогенизация Аннотация: Исследована возможность улучшения параметров омических контактов на основе AuGe/Ni и Ge/Cu к n-i-GaAs с помощью модификации предварительно окисленной поверхности GaAs в сульфидсодержащем растворе, а также посредством воздействия ультрафиолетовым излучением, генерируемым эксимерной KrCl-лампой, на халькогенизированную поверхность. Показано, что предварительное окисление поверхности n-i-GaAs с последующей ее халькогенизацией позволяет уменьшить плотность поверхностных состояний, увеличить воспроизводимость процесса пассивации поверхности, а также в 1. 5 раза уменьшить приведенное контактное сопротивление омических контактов AuGe/Ni. Обработка халькогенизированной поверхности n-i-GaAs ультрафиолетовым излучением с длиной волны lambda=222 нм и плотностью мощности излучения W=12 мВт x см{-2}, выполняемая в вакууме перед осаждением металлических слоев омических контактов Ge/Cu, позволяет уменьшить приведенное контактное сопротивление на 25-50%, а также улучшить морфологические характеристики поверхности контактной площадки. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/08/p1056-1061.pdf Доп.точки доступа: Ерофеев, Е. В.; Кагадей, В. А. |
539.2 О-741 Осипов, К. Ю. Формирование омических контактов Ta/Ti/Al/Mo/Au к гетероструктуре AlGaN/AlN/GaN, выращенной на кремниевой подложке / К. Ю. Осипов, Л. Э. Великовский, В. А. Кагадей // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 3. - С. 402-406 : ил. - Библиогр.: с. 406 (12 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): омические контакты -- контакты -- гетероструктуры -- кремниевые подложки -- подложки -- контактное сопротивление -- сопротивление -- отжиг -- металлизация -- температура отжига -- метод длинной линии -- МДЛ -- морфология поверхности Аннотация: Исследованы закономерности формирования омических контактов Ta/Ti/Al/Mo/Au к гетероструктуре Al[0. 26]Ga[0. 74]N/AlN/GaN, выращенной на подложке из полуизолирующего Si (111). Установлены зависимости контактного сопротивления от толщины слоев Al (90, 120, 150, 180 нм) и Ti (15, 30 нм), а также оптимальные температурно-временные режимы отжига для каждого из изученных вариантов металлизации. Показано, что при увеличении толщины слоя Al от 90 до 180 нм и неизменных толщинах слоев Ta, Ti, Mo, Au минимально достижимое контактное сопротивление монотонно увеличивалось от 0. 43 до 0. 58 Ом x мм. Изменение толщины слоя Ti от 15 до 30 нм не оказало существенного влияния на минимальную величину приведенного контактного сопротивления. Наименьшее контактное сопротивление, равное 0. 4 Ом x мм, было достигнуто при использовании слоев Ta/Ti/Al/Mo/Au с толщинами 10/15/90/40/25 нм соответственно. Оптимальная температура отжига для данного варианта металлизации составила 825°C при длительности процесса 30 с. Полученные омические контакты имели ровный край контактных площадок и гладкую морфологию их поверхности. In present work main mechanisms of formation of Ta/Ti/Al/Mo/Au ohmic contacts were investigated. Dependencies of contact resistance on Al and Ti layer thicknesses were found, also optimal annealing regimes for every metallization scheme were obtained. It has been shown that increasing of Al layer thickness from 90 to 180 nm with fixed thicknesses of the other metal layers leads to rising of minimal contact resistance from 0. 43 to 0. 58Om x mm. Minimal contact resistance 0. 4Om x mm was achieved using Ta/Ti/Al/Mo/Au metallization scheme with thicknesses of metal layers 10/15/90/40/25 nm, respectively, and annealing process of the temperature 825°C for 30 s. Obtained ohmic contacts had well defined edge and smooth surface. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/03/p402-406.pdf Доп.точки доступа: Великовский, Л. Э.; Кагадей, В. А.; Научно-исследовательский институт систем электрической связи Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники; ЗАО "Научно-производственная фирма "Микран" (Томск)ЗАО "Научно-производственная фирма "Микран" (Томск) |