621.315 В 659 Войцеховский, А. В. Барьеры Шоттки кремний-силицид платины с высоколегированным поверхностным слоем [Текст] / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2001. - Т.44,N8. - Библиогр.: с.20 (22 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): барьеры Шоттки -- кремний -- силицид платины -- имплантация -- фотоприемники Аннотация: Для смещения в длинноволновую область спектральной характеристики ИК-фотоприемников на основе барьеров Шоттки кремний-силицид платины предложено создание легированного поверхностного слоя кремния при помощи имплантации бора методом ядер отдачи. Экспериментально исследованы зависимости параметров полученных высоколегированных слоев от режимов высокоэнергетичной имплантации ионов бора. Рассчитаны энергетические диаграммы и понижение высоты барьера для структур p-Si-PtSi с поверхностными высоколегированными слоями, созданными молекулярно-лучевой эпитаксией и имплантацией методом ядер отдачи Доп.точки доступа: Коханенко, А.П.; Несмелов, С.Н.; Ляпунов, С.И.; Комаров, Н.В. |