621.315.592 С 763 Стамов, И. Г. Особенности долговременной релаксации емкости в выпрямляющих структурах на основе моноклинного ZnP[2] n-типа проводимости [Текст] / И. Г. Стамов, авт. Д. В. Ткаченко // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 6. - С. 679-685 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): моноклинная модификация -- дифосфид цинка -- биэкситоны -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры Аннотация: Приводятся результаты исследования электрических свойств структур, включающих металл, проводящий окисел (ITO) и полупроводник бета-ZnP[2] n-типа проводимости. Установлено, что полное сопротивление исследуемых структур определяется глубокими уровнями собственных дефектов в запрещенной зоне полупроводника. Обнаружена долговременная релаксация емкости и проводимости после выключения обратного смещения при низких температурах, связанная с восстановлением неравновесного заряда в области пространственного заряда. Построены модели процессов, в которых удовлетворительно описываются экспериментальные результаты. Доп.точки доступа: Ткаченко, Д. В. |
Стамов, И. Г. Влияние электрического поля на фотоэффект в барьерах Шоттки на электронном дифосфиде кадмия [Текст] / И. Г. Стамов // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 9. - С. 1079-1085 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотоэффект -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- электронный дифосфид кадмия -- выпрямляющие структуры -- алмазоподобные полупроводники Аннотация: Представлены результаты исследования фотоэлектрических свойств барьеров Шоттки на CdP[2] n-типа проводимости. Изучено влияние электрического поля барьера на фототоки, связанные с фотоэлектронной эмиссией из металла и оптической генерацией неравновесных носителей заряда в полупроводнике. Установлено, что зависимость фототока от частоты модуляции интенсивности светового потока определяется временами перезарядки уровней на границах области пространственного заряда (ОПЗ) с областью квазинейтральности и полупроводника с металлом. Получено хорошее согласие между теоретическими и экспериментальными результатами. Доп.точки доступа: Ткаченко, Д. В. |