539.2 А 920 Атабаев, Б. Г. Исследование образования точечных дефектов и их кластеров на поверхности растущей пленки LiF/Si (111) при облучении электронами [Текст] / Б. Г. Атабаев, С. Гаипов, У. Б. Шаропов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 10. - С. 52-55 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): тонкопленочная система LiF/Si (111) -- точечные дефекты -- облучение электронами Аннотация: Методом спектроскопии полного тока исследованы дозовая и энергетическая зависимости генерации элементарных F-центров и их последующей агрегации в тонкопленочной системе LiF/Si (111) при облучении медленными электронами с энергией до 80 эВ. Облучение проводилось в двух режимах: во время роста пленки LiF и после его окончания. Показано, что с увеличением энергии электронов в пленке создаются нанокластеры Li[4] и ионизованные центры F[3]\{+\}, F[2]\{+\}. Предложен механизм образования центров на поверхности пленки LiF. Доп.точки доступа: Гаипов, С.; Шаропов, У. Б. |
537.533/.534 С 370 Симаков, С. В. Изменение магнитных свойств YBaCuO керамики при допировании BaCeO[3] и облучении электронами с энергией 2, 2 МэВ [Текст] / С. В. Симаков, Джао Юлей [и др.] // Физика и химия обработки материалов. - 2007. - N 6. - С. 11-14 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): магнитные свойства керамики -- высокотемпературная сверхпроводящая керамика -- намагниченность керамики -- облучение электронами -- допирование -- легирование -- гистерезис Аннотация: Исследовано влияние допирования BaCeO[3] и облучение электронами с энергией 2, 2 МэВ на свойства высокотемпературной сверхпроводящей керамики системы YBaCuO. Доп.точки доступа: Джао Юлей; Сяо Линь; Джен Минху; Виноградова, Н. А.; Садыхов, С. И. О. |
539.1 Д 445 Дидык, А. Ю. Расчет параметров, характеризующих дефектообразование в материалах при облучении релятивистскими электронами [Текст] / А. Ю. Дидык, О. С. Козлов, А. Хофман // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 1. - С. 5-8 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Физика Ядерная физика в целом Кл.слова (ненормированные): релятивистские электроны -- дефектообразование в материалах -- облучение электронами -- метод Монте-Карло -- Монте-Карло метод -- дефектообразования релятивистских электронов -- энергия электронов -- твердые тела -- каскады смещений Аннотация: Показано, что расчеты методом Монте-Карло сечения дефектообразования релятивистских электронов в области энергий электронов E<2, 0 МэВ дают завышенные, а при E>2, 0 МэВ - заниженные по сравнению с аналитическими расчетами значения, тогда как среднее число вакансий при E<3-4 МэВ, наоборот, занижается, а при более высоких энергиях - завышается при расчетах методом Монте- Карло. Доп.точки доступа: Козлов, О. С.; Хофман, А. |
536.45 А 860 Артамонов, А. В. Электронно-стимулированный массоперенос в системе бор-кремний [Текст] / А. В. Артамонов, Г. Г. Бондаренко, М. М. Якункин // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 1. - С. 20-23 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Физика Физика высоких и низких температур Кл.слова (ненормированные): массоперенос -- электронно-стимулированный массоперенос -- высокоэнергетические электроны -- облучение электронами -- многослойные системы -- облучение многослойных систем -- материалы с заданными свойствами Аннотация: Исследовано влияние облучения системы B-Si электронами с энергией 8 МэВ на образование диффузной зоны и тепловую проводимость границы раздела. Доп.точки доступа: Бондаренко, Г. Г.; Якункин, М. М. |
Матчанов, Н. А. Зависимость концентрации дивакансий при облучении электронами от содержания Ge в сплаве p-Si[1-x]Ge[x] (0 меньше x меньше 0. 1) [Текст] / Н. А. Матчанов // Письма в Журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, вып: вып. 23. - С. 27-35 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура ядерной физики Кл.слова (ненормированные): радиационные эффекты -- концентрации дивакансий в сплавах -- облучение электронами -- кремний -- германий Аннотация: Исследованы зависимости концентрации дивакансий. Показано, что в исследованном интервале составов вероятности образования первичных радиационных дефектов при облучении электронами слабо зависят от содержания германия. |
Электрические и фотоэлектрические характеристики структур на основе слоистых полупроводников InSe и GaSe при облучении электронами с энергией 12. 5 МэВ [Текст] / З. Д. Ковалюк [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 11. - С. 1321-1326
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): слоистые полупроводники -- InSe -- GaSe -- облучение электронами -- фотопреобразователи Аннотация: Исследовано влияние высокоэнергетических электронов (E=12. 5 МэВ) на электрические и фотоэлектрические параметры слоистых фотопреобразователей p-n-InSe и p-GaSe-n-InSe. Обнаруженные изменения вольт-амперных характеристик, спектров фотоотклика, напряжения холостого хода и тока короткого замыкания структур обусловлены образованием точечных дефектов. Отсутствие особых изменений характеристик исследуемых гомо- и гетеропереходов даже при максимальной дозе облучения позволяет рекомендовать их для создания радиационно стойких фотодетекторов. Доп.точки доступа: Ковалюк, З. Д.; Политанская, О. А.; Сидор, О. Н.; Маслюк, В. Т. |
Параметры гомогенного зарождения дислокационных междоузельных петель в электролитическом ванадии, облученном электронами с энергией 1МэВ [Текст] / Ю. М. Платов [и др. ] // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 4. - С. 5-9 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Технология металлов Металловедение в целом Физика Ядерная физика в целом Кл.слова (ненормированные): междоузельные петли -- междоузельные атомы -- дислокационные междоузельные петли -- электролитический ванадий -- облучение электронами -- гомогенные зарождения -- просвечивающая электронная микроскопия Аннотация: Методами просвечивающей электронной микроскопии определены кинетические зависимости изменения плотности междоузельных дислокационных петель и концентрации междоузельных атомов в этих петлях при облучении. Доп.точки доступа: Платов, Ю. М.; Лазоренко, В. М.; Товтин, В. И.; Хасанов, Ф. А. |
Влияние облучения электронами и ионами высоких энергий на изменения критических параметров YBCO (123) лент второго поколения [Текст] / В. П. Аксенов [и др. ] // Доклады Академии наук. - 2009. - Т. 428, N 5, октябрь. - С. 608-610 : 2 рис., 1 табл. - Библиогр.: с. 610 (9 назв. ) . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Физика Электрический ток Кл.слова (ненормированные): электроны -- ионы -- сверхпроводящие материалы -- облучение электронами -- сверхпроводящие ленты Аннотация: Исследования показали высокую радиационную стойкость сверхпроводящей ленты при электронном облучении и позволили обнаружить изменения температуры перехода и деградацию сверхпроводящих свойств под действием облучения тяжелыми ионами. Доп.точки доступа: Аксенов, В. П.; Антонова, Л. Х.; Белов, А. Г.; Воронов, В. В.; Демихов, Е. И.; Дидык, А. Ю.; Иванов, Л. И.; Мальгинов, В. А.; Михайлова, Г. Н.; Троицкий, А. В. |
Марченко, И. Г. Влияние электронного облучения, ослабленного алюминиевыми экранами, на электрические параметры кремниевых p-n-структур [Текст] / И. Г. Марченко, Н. Е. Жданович // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 10. - С. 45-51 : ил. - Библиогр.: с. 51 (12 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Кл.слова (ненормированные): электронное облучение -- влияние электронного облучения -- алюминиевые экраны -- электрические параметры -- p-n-структуры -- кремниевые p-n-структуры -- время жизни -- заряды -- неравновесные носители -- обратный ток -- ВАХ -- вольт-амперные характеристики -- электроны -- облучение электронами -- энергия (физика) -- плоские алюминиевые экраны -- процессы облучения Аннотация: Проведено исследование поведения времени жизни неравновесных носителей заряда tau, обратного тока I[R] и прямой ВАХ в кремниевых p{+}-n-n{+}-структурах при облучении электронами с энергией 6 MeV через плоские алюминиевые экраны толщиной \it d от 2 до 14 mm (массовой толщиной 0. 5-3. 8 g/cm{2}). В том случае, когда d=14 mm (3. 8 g/cm{2}), структуры обнаруживают существенно меньшее изменение I[R] и ВАХ по сравнению с экранами d=2-12 mm при одинаковом снижении в процессе облучения величины tau: от 20 до 1. 5 mus. Доп.точки доступа: Жданович, Н. Е. |
Влияние облучения на свойства нанокристаллических пленок карбида кремния [Текст] / А. В. Семенов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 10. - С. 1362-1367 : ил. - Библиогр.: с. 1367 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): карбид кремния -- пленки -- нанокристаллические пленки -- Sic -- подложки -- оптические свойства -- электрофизические свойства -- облучение -- облучение электронами -- электронное облучение -- электроны -- высокоэнергетичные электроны -- ромбоэдрические политипы -- 21R-SiC -- 27R-SiC -- оптическое поглощение -- флюэнсы -- энергия Урбаха -- Урбаха энергия -- радиационные дефекты -- фотоны Аннотация: Изучено влияние облучения электронами на оптические и электрофизические свойства нанокристаллических пленок карбида кремния ромбоэдрических политипов 21R-SiC и 27R-SiC. Проведены циклы облучения нанокристаллических пленок SiC на подложках из сапфира электронами с энергией 10 МэВ в диапазоне флюэнсов 5x10{14}-9x10{19} см{-2}. Установлено, что при дозах облучения менее 10{19} см{-2} оптическое поглощение пленок в области энергий фотонов E>E[g] становится меньше оптического поглощения необлученных пленок. Установлено, что зависимость энергии Урбаха от дозы облучения имеет минимум при дозе 10{17} см{-2} для пленок 27R-SiC и при 5x10{17} см{-2} для пленок 21R-SiC, что свидетельствует о радиационном упорядочении пленок. При увеличении дозы более 5x10{17} см{-2} и вплоть до 9x10{19} см{-2} в пленках наблюдаются рост энергии Урбаха и уменьшение оптической щели, что обусловлено повышением концентрации радиационных дефектов. Доп.точки доступа: Семенов, А. В.; Лопин, А. В.; Пузиков, В. М.; Борискин, В. Н. |
Влияние радиационных дефектов на электрические потери в кремниевых диодах, облученных электронами [Текст] / Н. А. Поклонский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 3. - С. 397-401 : ил. - Библиогр.: с. 400-401 (37 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): дефекты -- радиационные дефекты -- диоды -- кремниевые диоды -- электрические потери -- облучение электронами -- электронное облучение -- флюенсы -- флюенсы облучения -- отжиг -- температура отжига Аннотация: Исследованы кремниевые диоды с p{+}-n-переходом, облученные электронами энергией 3. 5 МэВ, флюенсами от 10{15} до 4x10{16} см{-2}. Установлено, что зависимость тангенса угла электрических потерь tgdelta от частоты f переменного тока в интервале f=10{2}-10{6} Гц является немонотонной функцией с двумя экстремумами: минимумом и максимумом. Трансформация зависимостей tgdelta (f) при увеличении флюенса облучения и увеличении температуры отжига диодов обусловлена изменением сопротивления n-Si (базовой области диодов), вызванным накоплением (при увеличении флюенса) или исчезновением и перестройкой (при отжиге) радиационных дефектов. Роль инерционности процесса перезарядки дефектов в формировании tgdelta (f) невелика. Доп.точки доступа: Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Ластовский, С. Б.; Wieck, A. |
К вопросу однородности свойств CVD-пленок 4H-SiC [Текст] / А. М. Иванов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 7. - С. 1002-1006 : ил. - Библиогр.: с. 1006 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): CVD-пленки -- электрофизические свойства -- радиационные дефекты -- РД -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- первично выбитые атомы -- ПВА -- глубокие центры -- ГЦ -- облучение электронами -- электронное облучение -- протоны -- ядерная спектрометрия -- проводимость -- компенсация проводимости -- 4H-SiC Аннотация: Для выявления неоднородности электрофизических свойств CVD-пленок 4H-SiC использованы физико-химические реакции, возникающие при введении радиационных дефектов структуры. Первично выбитые из узлов решетки атомы и вакансии активно взаимодействуют с примесями и дефектами исходного материала, формируя конечную систему радиационных центров. Облучение велось электронами с энергией 900 кэВ, протонами с энергией 8 МэВ в области доз, не приводящих к компенсации проводимости (менее 7. 5x10{12} см{-2}), а также дозой 6x10{14} см{-2}, вызывающей глубокую компенсацию. Использование емкостных методов, несмотря на усреднение характеристик по площади, выявило неидентичность характеристик образцов размерами ~3 мм. С применением техники ядерной спектрометрии, позволяющей осуществить микрозондирование образца, обнаружено индивидуальное поведение отдельных участков пленки масштабом до десятков мкм{2}. Доп.точки доступа: Иванов, А. М.; Строкан, Н. Б.; Щербов, Н. А.; Лебедев, А. А. |
Многопереходные солнечные элементы с брэгговскими отражателями на основе структур GaInP/GaInAs/Ge [Текст] / В. М. Емельянов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 12. - С. 1649-1654 : ил. - Библиогр.: с. 1654 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): многопереходные элементы -- солнечные элементы -- брэгговские отражатели -- GaInP/GaInAs/Ge -- субэлементы -- облучение электронами -- GaInAs -- Ge -- фотопреобразователи -- дозы электронов -- геосинхронные орбиты -- оптимизация структур -- гетероструктуры -- радиационное облучение -- неоптимизированные элементы -- фототоки Аннотация: Теоретически исследовано влияние параметров субэлементов на величину кпд в каскадных солнечных элементах на основе GaInP/Ga (In) As/Ge при облучении электронами с энергией 1 МэВ с дозами до 3·10{15} см{-2}. Определены оптимальные толщины субэлементов GaInP и GaInAs, обеспечивающие наилучшее согласование фототоков при различных дозах облучения как в солнечных элементах со встроенными брэгговскими отражателями, так и без них. Рассчитаны зависимости кпд фотопреобразователей от дозы электронов с энергией 1 МэВ и времени нахождения на геосинхронной орбите при оптимизации структур элементов на начало и конец срока эксплуатации. Показано, что оптимизация гетероструктур субэлементов под расчетную дозу радиационного облучения и встраивание в структуру брэгговских отражателей позволяют обеспечить суммарное увеличение кпд при эксплуатации солнечных элементов на орбите на 5% по сравнению с неоптимизированными элементами без брэгговского отражателя. Доп.точки доступа: Емельянов, В. М.; Калюжный, Н. А.; Минтаиров, С. А.; Шварц, М. З.; Лантратов, В. М. |
541.6 И 373 Изменение электрических и оптических свойств пленок полиимида под воздействием ускоренных электронов [Текст] / С. В. Мякин [и др.] // Журнал прикладной химии. - 2011. - Т. 84, вып. 7. - С. 1206-1210. - Библиогр.: c. 1210 (9 назв. ) . - ISSN 0044-4618
Рубрики: Химия Химия высокомолекулярных соединений Кл.слова (ненормированные): диэлектрическая проницаемость -- люминофоры -- механическая прочность -- облучение электронами -- пленки полиимида -- полиимид -- радиационная стойкость -- термостойкость Аннотация: Рассмотрена взаимосвязь электрических, оптических и механических свойств пленок полиимида под воздействием ускоренных электронов. Доп.точки доступа: Мякин, С. В.; Заграничек, А. Л.; Сычев, М. М.; Васильева, И. В.; Соснов, Е. А.; Бочкарева, Н. Н.; Дорофеев, А. А.; Зайцева, Т. А.; Ломасов, В. Н. |
539.19 О-754 Особенности возбуждения системы водород (дейтерий) -металл электронным пучком [Текст] / Ю. И. Тюрин [и др.] // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 1. - С. 35-41. - Библиогр.: c. 41 (11 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Молекулярная физика в целом Кл.слова (ненормированные): масс-спектрометрические исследования -- выход водорода из металлов -- водород -- дейтерий -- электронные пучки -- скорость десорбции -- десорбция водорода -- пленки окислов -- оксидные пленки -- неравновесная миграция водорода -- электронное облучение -- облучение электронами -- удаление водорода из металлов -- субмикрокристаллические материалы -- диффузия водорода -- поглощение энергии Аннотация: Представлены результаты масс-спектрометрического исследования выхода водорода из металлов, насыщенных водородом, под действием ускоренных электронов (энергия до 100 keV, плотность тока от 3 до 30 muA). Установлено, что скорость десорбции определяется не только параметрами пучка электронов, но и зависит от структуры пленки окисла. Обнаружено, что электронная подсистема обогащенных водородом металлов увеличивает способность поглощать энергию внешнего электромагнитного воздействия и сохранять ее в течение более длительного времени, чем в чистом металле. Это способствует процессам неравновесной миграции и выхода водорода под действием излучения в допороговой области. Предложена теоретическая модель и получены аналитические зависимости интенсивности выхода водорода из металлов при их облучении электронами. Результаты исследования могут быть использованы в технологии удаления водорода из металлов и получения субмикрокристаллических материалов (например, титана). Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/01/p35-41.pdf Доп.точки доступа: Тюрин, Ю. И.; Ларионов, В. В.; Чернов, И. П.; Склярова, Е. А. |
621.382 В 932 Высоковольтный быстрый диод с "мягким" восстановлением [Текст] / И. В. Грехов [и др.] // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 10. - С. 50-54. - Библиогр.: c. 54 (12 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): высоковольтные диоды -- кремниевые диоды -- p+Nn+-диоды -- быстродействующие диоды -- электронное облучение -- облучение электронами -- остаточное напряжение -- коммутационные потери Аннотация: Высоковольтные быстродействующие кремниевые p+Nn+-диоды, используемые практически во всех современных преобразователях электроэнергии, должны иметь малое остаточное напряжение в проводящем состоянии и в то же время быстро переключаться с малыми коммутационными потерями в запертое состояние, не создавая при этом всплесков перенапряжения. Такое сочетание параметров обеспечивается обычно путем создания профильного распределения концентрации рекомбинационных центров в N-базе с максимумом у p+N-перехода. Подобное распределение создается с помощью облучения в вакууме p+Nn+-диода со стороны p+N-перехода протонами либо alpha-частицами. Приведены результаты исследования диодов, в которых профильное распределение центров получено более простым и производительным методом облучения электронами в определенном диапазоне энергий на воздухе. На примере приборов разработанной авторами конструкции с блокируемым напряжением до 5 kV показано, что все динамические характеристики диодов соответствуют мировому уровню, а остаточное напряжение в проводящем состоянии при рабочей плотности тока примерно на 30% меньше. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/10/p50-54.pdf Доп.точки доступа: Грехов, И. В.; Рожков, А. В.; Костина, Л. С.; Коновалов, А. В.; Фоменко, Ю. Л. |
621.315.592 Э 455 Электрофизические свойства облученных электронами эпитаксиальных пленок n-GaN [Текст] / В. Н. Брудный [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 1. - С. 47-51. - Библиогр.: c. 51 (9 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): Ферми уровень -- заглубление уровня Ферми -- нитрид галлия -- облучение электронами -- радиационные дефекты -- радиация -- уровень Ферми -- электронное облучение -- электронные свойства -- эпитаксиальные пленки n-GaN Аннотация: Рассмотрено влияние облучения электронами (E=7, D= 10{16}-10{18} см{-2}) и последующей термообработки в интервале температур 100-1000 °С на электрофизические свойства нелегированных, n = 1 10{14}-1 10{16} см{-3}, промежуточно-легированных, (1, 2-2) -10{17} см{-3}, и сильно легированных кремнием, n = (2-3, 5) 10{18} см{-3}, эпитаксиальных пленок n-GaN, выращенных на подложке АI[2]О[3] (001) с использованием МОСГФЭ-технологии. Обнаружено увеличение удельного электросопротивления n-GaN и закрепление уровня Ферми в предельном положении вблизи Е[с] - 0, 9 эВ при электронном облучении. В интервале температур 100-1000 °С исследовано восстановление исходных свойств облученного материала. Выявлена стадия "обратного" отжига в интервале температур 300-400 °С. Доп.точки доступа: Брудный, В. Н.; Веревкин, С. С.; Колин, Н. Г.; Корулин, А. В. |
621.315.592 В 586 Влияние облучения электронами на электрофизические параметры Hg[3]In[2]Te[6] [Текст] / О. Г. Грушка [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 3. - С. 327-329 : ил. - Библиогр.: с. 328-329 (13 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): облучение электронами -- электронное облучение -- электрофизические свойства -- кристаллы -- носители заряда -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- радиационная стойкость Аннотация: Представлены результаты исследования электрофизических свойств кристаллов Hg[3]In[2]Te[6], облученных электронами с энергией Ee=18 МэВ и дозой D=4 x 10{16} см{-2}. Показано, что независимо от концентрации носителей заряда исходного материала образцы Hg[3]In[2]Te[6] после облучения приобретают концентрацию носителей (1. 6-1. 8) x 10{13} см{-3}. Обсуждается явление стабилизации уровня Ферми в облученном материале. Исходная концентрация носителей заряда, которая практически остается неизменной после облучения и обеспечивает высокую радиационную стойкость кристаллов Hg[3]In[2]Te[6], соответствует компенсированному материалу, подобному собственному полупроводнику при T больше 260 K. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/03/p327-329.pdf Доп.точки доступа: Грушка, О. Г.; Маслюк, В. Т.; Чупыра, С. М.; Маслюк, О. М.; Биличук, С. В.; Заболоцкий, И. И. |
621.315.592 Э 455 Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами n-GaN [Текст] / В. Н. Брудный [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 4. - С. 450-456 : ил. - Библиогр.: с. 455 (19 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): облучение электронами -- электронное облучение -- термообработка -- термическая обработка -- электронные свойства -- нитрид галлия -- GaN -- электрофизические свойства -- глубокие ловушки (физика) -- эпитаксиальные слои -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- спектры ловушек -- электроны -- отжиг -- радиационные дефекты Аннотация: Рассмотрено влияние облучения электронами (энергии E=7 и 10 МэВ, дозы D=10{16}-10{18} см{-2}) и последующих термообработок в интервале температур 100-1000 °C на электрофизические свойства и спектр глубоких ловушек нелегированных (концентрации электронов n=1 x 10{14}-1 x 10{16} см{-3}), промежуточно легированных (n= (1. 2-2) x 10{17} см{-3}) и сильно легированных кремнием (n= (2-3. 5) x 10{18} см{-3}) эпитаксиальных слоев n-GaN, выращенных на подложке Al[2]O[3] с использованием технологии MOCVD. Обнаружено увеличение удельного сопротивления n-GaN при электронном облучении, обусловленное смещением уровня Ферми в предельное положение вблизи E[c]-0. 91 эВ. Исследован спектр глубоких ловушек в исходном и облученном электронами n-GaN. Показано, что восстановление исходных свойств облученного материала имеет место в интервале температур 100-1000 °C с основной стадией отжига радиационных дефектов вблизи 400 °C. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/04/p450-456.pdf Доп.точки доступа: Брудный, В. Н.; Веревкин, С. С.; Говорков, А. В.; Ермаков, В. С.; Колин, Н. Г.; Корулин, А. В.; Поляков, А. Я.; Смирнов, Н. Б. |
621.315.592 Ф 796 Формирование и отжиг радиационных дефектов в легированных оловом кристаллах германия p-типа [Текст] / В. В. Литвинов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 5. - С. 629-632 : ил. - Библиогр.: с. 631 (9 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): радиационные дефекты -- отжиг дефектов -- дефекты -- легирование оловом -- олово -- кристаллы германия -- облучение электронами -- электронное облучение -- температура нагрева -- акцепторные примеси -- ионизация дырок -- электрические свойства Аннотация: Исследовалось влияние олова на формирование и отжиг радиационных дефектов в кристаллах германия p-типа, облученных электронами с энергией 6 МэВ при температуре 80 K. Показано, что в облученных кристаллах Ge: Sn, Ga после нагрева до температуры 300 K доминируют акцепторные комплексы SnV с энтальпией ионизации дырок при 0. 16 эВ. Эти комплексы исчезали при отжиге облученных кристаллов в интервале температур 30-75 °C. Отжиг облученных кристаллов в области температур 110-150 °C приводил к формированию глубоких центров с донорным уровнем при E[v]+0. 29 эВ, который предположительно приписывается комплексу олово-межузельный атом галлия. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/05/p629-632.pdf Доп.точки доступа: Литвинов, В. В.; Петух, А. Н.; Покотило, Ю. М.; Маркевич, В. П.; Ластовский, С. Б. |