537.591.5 Г 454 Гецелев, И. В. Протоны солнечных космических лучей в периоды инверсии полярного магнитного поля солнца [Текст] / И. В. Гецелев, В. П. Охлопков, Е. А. Чучков // Вестник Московского университета. Сер. 3, Физика. Астрономия. - 2004. - N 3. - Библиогр.: с. 28 ( 6 назв. ) . - ISSN 0201-7385
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): солнечные космические лучи -- орбита Земля -- инверсии -- энергичные протоны -- флюенсы -- магнитное поле Солнца Аннотация: Анализируется поведение регистрируемых на орбите Земли энергичных протонов солнечных космических лучей до, в период и после инверсии полярного магнитного поля Солнца в 21, 22 и 23-м одиннадцатилетних циклах солнечной активности. Во всех циклах обнаружены длительные ( около года ) понижения флюенсов почти на порядок величины, совпадающие по времени с инверсией, и существенное уменьшение жесткости энергетического спектра протонов солнечных космических лучей, что может служить дополнительным индикатором инверсии полярного магнитного поля Солнца. Доп.точки доступа: Охлопков, В. П.; Чучков, Е. А. |
537.591.5 Г 454 Гецелев, И. В. Протоны солнечных космических лучей в периоды инверсии полярного магнитного поля солнца [Текст] / И. В. Гецелев, В. П. Охлопков, Е. А. Чучков // Вестник Московского университета. Сер. 3, Физика. Астрономия. - 2004. - N 3. - Библиогр.: с. 28 ( 6 назв. ) . - ISSN 0201-7385
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): солнечные космические лучи -- орбита Земля -- инверсии -- энергичные протоны -- флюенсы -- магнитное поле Солнца Аннотация: Анализируется поведение регистрируемых на орбите Земли энергичных протонов солнечных космических лучей до, в период и после инверсии полярного магнитного поля Солнца в 21, 22 и 23-м одиннадцатилетних циклах солнечной активности. Во всех циклах обнаружены длительные ( около года ) понижения флюенсов почти на порядок величины, совпадающие по времени с инверсией, и существенное уменьшение жесткости энергетического спектра протонов солнечных космических лучей, что может служить дополнительным индикатором инверсии полярного магнитного поля Солнца. Доп.точки доступа: Охлопков, В. П.; Чучков, Е. А. |
669.017 Л 887 Лысова, Г. В. Сегрегация вблизи поверхности ферритно-мартенситной стали после облучения ионами гелия [Текст] / Г. В. Лысова, Г. А. Биржевой, Н. П. Соловьев, Н. И. Храмушин // Физика и химия обработки материалов. - 2004. - N 4 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Машиностроение--Металловедение Кл.слова (ненормированные): сегрегация -- стали -- сплавы -- ферритно-мартенситные стали -- мартенситные стали -- облучение -- гелий -- ионы гелия -- флюенсы -- точечные дефекты -- исследования Аннотация: Исследована радиационно-индуцированная поверхностная сегрегация компонентов ферритно-мартенситной стали после облучения ионами He{+} с энергией 30 и 70 кэВ при температуре 450 градусов Цельсия флюенсами. Доп.точки доступа: Биржевой, Г. А.; Соловьев, Н. П.; Храмушин, Н. И. |
669.017 Ж 860 Жукова, С. И. Кинетика старения бериллиевой бронзы при пострадиационном отжиге [Текст] / С. И. Жукова, Н. И. Поляк [и др.] // Физика и химия обработки материалов. - 2004. - N 6 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Машиностроение--Металловедение Кл.слова (ненормированные): кинетика -- старение бронзы -- бронза -- бериллиевая бронза -- отжиг -- пострадиационный отжиг -- микротвердость -- изотермический отжиг -- флюенсы -- сплавы -- имплантации -- скорость старения бронзы Аннотация: Исследована кинетика старения при высокотемпературном изотермическом отжиге бериллиевой бронзы БрБ2. С увеличением дозы облучения скорость старения имплантированного сплава уменьшается. Доп.точки доступа: Поляк, Н. И.; Васильева, Л. А.; Анищик, В. М.; Скуратов, В. А.; Дидык, А. Ю. |
Экспериментальное исследование воздействия протонов на приборы с зарядовой связью [Текст] / К. Н. Ермаков [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 13. - С. 54-60 : ил. - Библиогр.: с. 60 (7 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физические приборы и методы физического эксперимента Кл.слова (ненормированные): экспериментальные исследования -- протоны -- воздействие протонов -- энергия (физика) -- приборы с зарядовой связью -- датчики изображения -- CCD-матрицы -- летательные аппараты -- космические аппараты -- космические летательные аппараты -- параметры CCD-матриц -- структурные повреждения -- локальные структурные повреждения -- кристаллические решетки -- ядерные частицы -- ток -- темновой ток -- флюенсы протонов Аннотация: Исследовано воздействие протонов с энергией 1000 MeV на датчики изображения на основе приборов с зарядовой связью (CCD-матриц), которые в составе различной аппаратуры широко используются на космических летательных аппаратах. Цель - изучить влияние на параметры CCD-матриц локальных структурных повреждений кристаллической решетки отдельными ядерными частицами. Представлены зависимости темнового тока CCD-матриц от флюенса протонов в диапазоне до 2· 10{11} cm{-2}. Доп.точки доступа: Ермаков, К. Н.; Иванов, Н. А.; Лобанов, О. В.; Пашук, В. В.; Тверской, М. Г.; Любинский, С. М. |
Влияние радиационных дефектов на электрические потери в кремниевых диодах, облученных электронами [Текст] / Н. А. Поклонский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 3. - С. 397-401 : ил. - Библиогр.: с. 400-401 (37 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): дефекты -- радиационные дефекты -- диоды -- кремниевые диоды -- электрические потери -- облучение электронами -- электронное облучение -- флюенсы -- флюенсы облучения -- отжиг -- температура отжига Аннотация: Исследованы кремниевые диоды с p{+}-n-переходом, облученные электронами энергией 3. 5 МэВ, флюенсами от 10{15} до 4x10{16} см{-2}. Установлено, что зависимость тангенса угла электрических потерь tgdelta от частоты f переменного тока в интервале f=10{2}-10{6} Гц является немонотонной функцией с двумя экстремумами: минимумом и максимумом. Трансформация зависимостей tgdelta (f) при увеличении флюенса облучения и увеличении температуры отжига диодов обусловлена изменением сопротивления n-Si (базовой области диодов), вызванным накоплением (при увеличении флюенса) или исчезновением и перестройкой (при отжиге) радиационных дефектов. Роль инерционности процесса перезарядки дефектов в формировании tgdelta (f) невелика. Доп.точки доступа: Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Ластовский, С. Б.; Wieck, A. |
Ионно-лучевое модифицирование трибологических свойств хромистой стали [Текст] / Д. А. Козлов [и др. ] // Физика и химия обработки материалов. - 2010. - N 1. - С. 50-53 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Машиностроение Теоретические основы машиностроения Кл.слова (ненормированные): ионно-лучевое модифицирование -- профиль распределения имплантированных ионов -- износостойкость сталей -- ионы меди -- флюенсы облучения Аннотация: Исследовано влияние имплантации ионов меди на износостойкость конструкционной легированной стали. Измерены профили распределения имплантированных ионов при различных флюенсах облучения. Доп.точки доступа: Козлов, Д. А.; Крит, Б. Л.; Столяров, В. В.; Овчинников, В. В. |
Эквивалентная схема замещения кремниевых диодов, облученных высокими флюенсами электронов [Текст] / Н. А. Поклонский [и др. ] // Журнал технической физики. - 2010. - Т. 80, N 10. - С. 74-82. - Библиогр.: c. ( назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): кремниевые диоды -- эквивалентные схемы замещения -- p-n-переходы -- эпитаксиальный кремний -- электронное облучение -- высокоэнергетичные электроны -- флюенсы электронов -- электрические потери -- схемы замещения -- радиационные дефекты -- дефекты с глубокими уровнями Аннотация: Исследованы кремниевые диоды с p{+}-n-переходом, изготовленные на слое легированного фосфором эпитаксиального кремния (толщина 48 mum, удельное сопротивление rho=30 Omega cm), выращенном на кремниевых пластинах, легированных сурьмой (плоскость (111), rho=0. 01Omega cm). Диоды были облучены высокоэнергетичными (3. 5 MeV) электронами флюенсами от 5*10{15} до 2*10{16} cm{-2}. Показано, что традиционная схема замещения диода, составленная из последовательно соединенного резистора и параллельной RC-цепи, не описывает зависимость электрических потерь tg delta от частоты переменного тока f в диапазоне 10{2}-3 10{7} Hz. Предложена эквивалентная схема замещения, учитывающая наряду с емкостью и активным сопротивлением базы n-типа, возросшим вследствие компенсации мелких доноров радиационными дефектами, зависимость емкости области пространственного заряда от частоты f, обусловленную запаздыванием перезарядки радиационных дефектов с глубокими уровнями. Доп.точки доступа: Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Wieck, A. |
539.2 В 586 Влияние нейтронного облучения и температуры отжига на электрофизические свойства и период решетки эпитаксиальных слоев нитрида галлия [Текст] / В. М. Бойко [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 1. - С. 136-142 : ил. - Библиогр.: с. 142 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нейтронное облучение -- облучение нейтронами -- температура отжига -- флюенсы нейтронов -- реакторные нейтроны -- термообработка -- термическая обработка -- электрофизические свойства -- решетки -- эпитаксиальные слои -- подложки -- удельное сопротивление -- радиационные дефекты -- нейтроны Аннотация: Рассмотрено влияние облучения большими флюенсами реакторных нейтронов (Phi=1. 5 x10{17}-8 x 10{19} см{-2}) и последующих термообработок в интервале температур 100-1000{o}C на электрофизические свойства и период решетки эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложке Al[2]O[3]. Показано, что с ростом флюенса нейтронов до (1-2) x 10{18} см{-2} удельное электрическое сопротивление материала увеличивается до значений около 10{10} Ом x см за счет образовавшихся радиационных дефектов, а при дальнейшем увеличении флюенса удельное сопротивление, проходя через максимум, уменьшается до значений 2 x 10{6} Ом x см при 300 K, что объясняется появлением прыжковой проводимости по перекрытым оболочкам областей разупорядочения. Период решетки c с ростом флюенса нейтронов до 8 x 10{19} см{-2} увеличивается на 0. 38% при практически неизменном параметре a. Термообработка облученных образцов до 1000{o}C не приводит к полному восстановлению периода решетки и электрофизических свойств материала. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/01/p136-142.pdf Доп.точки доступа: Бойко, В. М.; Веревкин, С. С.; Колин, Н. Г.; Корулин, А. В.; Меркурисов, Д. И.; Поляков, А. Я.; Чевычелов, В. А. |
523.165 П 644 Потоки ядер железа ГКЛ и СКЛ на орбите МКС [Текст] / Д. Г. Баранов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 3. - С. 345-347. - Библиогр.: c. 347 (10 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Астрономия Астрономия в целом Кл.слова (ненормированные): энергетические интервалы -- интенсивности ядер железа ГКЛ -- флюенсы железа -- галактические космические лучи -- солнечные космические лучи -- международная космическая станция -- диэлектрические трековые детекторы -- ПЛАТАН-М -- магнитосфера Земли -- солнечная активность -- эксперимент ПЛАТАН Аннотация: Проведена оценка ожидаемого потока ядер и ионов железа в энергетическом интервале 26-168 МэВ/нуклон на орбите международной космической станции (МКС) в течение экспозиции диэлектрического трекового детектора ПЛАТАН-М с 26. 01. 2002 г. по 3. 08. 2004 г. Доп.точки доступа: Баранов, Д. Г.; Гагарин, Ю. Ф.; Дергачев, В. А.; Коржов, Р. И.; Ныммик, Р. А.; Панасюк, М. И.; Петрухин, В. В. |
539.21:537 И 258 Ивченко, В. А. Анализ механизмов радиационно-индуцированного эффекта наноструктуризации приповерхностных объемов металлов / В. А. Ивченко // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 8. - С. 6-13 : ил. - Библиогр.: с. 12-13 (12 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): наноструктуризация -- металлы -- ионная микроскопия -- радиационно-индуцированный эффект -- заряженные пучки -- заряженные частицы -- флюенсы -- наноструктурированные состояния -- приповерхностные объемы -- каналирование Аннотация: На основании результатов, полученных методом полевой ионной микроскопии, проведен анализ механизмов радиационно-индуцированного эффекта наноструктуризации приповерхностных объемов металлов. Предполагается, что модификация приповерхностного объема металлов в нанометровом диапазоне при взаимодействии с пучками заряженных частиц Ar{+} происходит за счет нескольких механизмов. В частности, при флюенсе F=10{16} ion/cm{2} (E=30 keV) основной вклад вносит эффект каналирования. Увеличение флюенса на порядок приводит к превалированию деформационного механизма при образовании наноструктурированных состояний в приповерхностном объеме металла. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/08/p6-13.pdf Доп.точки доступа: Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина (Екатеринбург); Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург) |
537 Д 279 Действие тормозного гамма-нейтронного излучения на параметры индий-селеновых фотопреобразователей / О. Н. Сидор [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 2. - С. 253-258 : ил. - Библиогр.: с. 257-258 (20 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гамма-нейтронное излучение -- флюенсы -- фотопреобразователи -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- электрические параметры -- фотоэлектрические параметры -- короткое замыкание -- кремниевые солнечные элементы -- солнечные элементы -- фотодиоды -- фотодетекторы Аннотация: Впервые изучено влияние тормозного гамма-нейтронного облучения (эффективная энергия Eeff = 8 МэВ) флюенсами 10{12}-10{13} н/см{2} на электрические и фотоэлектрические параметры слоистых фотопреобразователей p-n-InSe. Даже при максимальном флюенсе облучения обнаружены улучшение их вольт-амперных характеристик, рост напряжения холостого хода при незначительном уменьшении тока короткого замыкания. Существенных изменений спектрального контура фотоответа в целом не установлено. В то же время даже начальная стадия облучения вызвала сильную деградацию параметров тестовых кремниевых солнечных элементов. Данный факт позволяет рекомендовать исследуемые фотодиоды для использования в качестве радиационно стойких фотодетекторов. For the first time the effect of bremsstrahlung gamma-neutron irradiation (E[eff] = 8MeV) by the fluences 10{12-}-10{13} n/cm{2} on the electrical and photoelectrical parameters of layered photo converters p-n-InSe is studied. Even at the highest fluence of irradiation it is found an improvement of their current-voltage characteristics, an increase of open-circuit voltage at a slight decrease in short-circuit current. Substantial changes of the spectral photo response curve are not established on the whole. At the same time, even the initial stage of irradiation caused strong degradation of parameters of test silicon solar cells. This fact allows to recommend the photodiodes studied for use as radiation-resistant photo detectors. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/02/p253-258.pdf Доп.точки доступа: Сидор, О. Н.; Сидор, О. А.; Ковалюк, З. Д.; Дубинко, В. И.; Институт проблем материаловедения им. И. Н. Францевича Национальной академии наук Украины; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук; НИК "Ускоритель" ННЦ "Харьковский физико-технический институт" Национальной академии наук Украины |
539.2 Р 274 Рахматов, А. З. Влияние нейтронного облучения на структуру кремниевых диффузионных p-n-переходов ограничителей напряжения / А. З. Рахматов // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 7. - С. 963-969 : ил. - Библиогр.: с. 969 (15 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): нейтронное облучение -- вольт-фарадные характеристики -- эмпирические формулы -- нескомпенсированный заряд -- флюенсы -- носители заряда -- уровень Ферми -- Ферми уровень Аннотация: Проанализировано изменение вольт-фарадных характеристик p-n-переходов с линейным или близким к нему распределением нескомпенсированного заряда под воздействием нейтронного облучения. Подтверждено, что в результате такого воздействия вблизи p-n-перехода образуется область с собственной проводимостью. Получены эмпирические формулы, описывающие зависимость размеров этой области, а также эффективного градиента концентрации нескомпенсированного заряда от флюенса нейтронов в широком диапазоне начальных значений (до воздействия нейтронов) градиента концентраций (от 3·10{18} до 2·10{20}см{-4}) и исходных значений удельного сопротивления кремния (от 0. 3 до 2 Ом·см). Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/07/p963-969.pdf Доп.точки доступа: OOO "FOTON" (Ташкент (Узбекистан) |