539.2 А 920 Атабаев, Б. Г. Исследование образования точечных дефектов и их кластеров на поверхности растущей пленки LiF/Si (111) при облучении электронами [Текст] / Б. Г. Атабаев, С. Гаипов, У. Б. Шаропов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 10. - С. 52-55 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): тонкопленочная система LiF/Si (111) -- точечные дефекты -- облучение электронами Аннотация: Методом спектроскопии полного тока исследованы дозовая и энергетическая зависимости генерации элементарных F-центров и их последующей агрегации в тонкопленочной системе LiF/Si (111) при облучении медленными электронами с энергией до 80 эВ. Облучение проводилось в двух режимах: во время роста пленки LiF и после его окончания. Показано, что с увеличением энергии электронов в пленке создаются нанокластеры Li[4] и ионизованные центры F[3]\{+\}, F[2]\{+\}. Предложен механизм образования центров на поверхности пленки LiF. Доп.точки доступа: Гаипов, С.; Шаропов, У. Б. |
Атабаев, Б. Г. Поверхностно-экситонный механизм потенциального распыления ионных и ковалентных кристаллов многозарядными ионами [Текст] / Б. Г. Атабаев // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 4. - С. 100-103
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): ионная эмиссия -- щелочногалоидные кристаллы -- широкозонные полупроводники -- ионы кремния -- ионы углерода -- потенциальное распыление Аннотация: Приводятся экспериментальные результаты по исследованию атомарной и ионной эмиссии с поверхности щелочногалоидных кристаллов (ЩГК) и широкозонного полупроводника SiC в зависимости от кинетической и потенциальной энергии бомбардирующих многозарядных ионов (МЗИ) аргона. Показано, что эмиссия катионов и двукратно ионизованных анионов ЩГК и положительных ионов кремния и углерода пропорциональна энергии нейтрализации бомбардирующих ионов. Электронно-микроскопические исследования поверхности ЩГК после обработки МЗИ выявили послойное распыление кристалла с нормальной эмиссией атомов и ионов катионной и анионной подрешеток. Предложен механизм распыления ЩГК. |
539.107 Ф 505 Физическое и химически-стимулированное распыление 3C-SiC при бомбардировке ионами Ar+ и полиатомными ионами SF[5]+ [Текст] / Б. Г. Атабаев [и др.] // Физика и химия обработки материалов. - 2011. - N 4. - С. 10-13 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура ядерной физики Кл.слова (ненормированные): ионная бомбардировка -- распыления -- полупроводниковые мишени -- химически-стимулированные распыления -- физические распыления -- вторичные частицы Аннотация: Методами МСВИ исследованы процессы физического и химически-стимулированного распыления поверхности полупроводниковой мишени 3C-SiC. Определены зависимости выхода вторичных частиц от температуры мишени и энергии бомбардирующих ионов. Доп.точки доступа: Атабаев, Б. Г.; Раджабов, Ш. С.; Курбанов, М. К.; Джаббарганов, Р. |