53 А 987 Ашурбеков, Н. А. О роли высокоэнергетичных электронов в формировании структуры плазменно-пучкового разряда с щелевым катодом [Текст] / Н. А. Ашурбеков, К. О. Иминов, В. С. Кобзева, О. В. Кобзев // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 12. - С. 47-54 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): плазменно-пучковый разряд с щелевым катодом -- электрические разряды -- наносекундный электрический разряд -- щелевой катод -- плазма -- оптическое излучение плазмы -- пространственная структура оптического излучения -- высокоэнергетичные электроны Аннотация: Экспериментально исследована пространственная структура оптического излучения плазмы при поперечном наносекундном электрическом разряде с щелевым катодом. Установлена связь между режимами релаксации энергии быстрых электронов и формированием структуры плазменно-пучкового разряда с щелевым катодом. Показано, что высокие значения коэффициента электронной эмисии, полученные в работе, не могут быть объяснены эмиссией электронов с катода при его бомбардировке быстрыми тяжелыми частицами. Доп.точки доступа: Иминов, К. О.; Кобзева, В. С.; Кобзев, О. В. |
Наблюдение высокоэнергетичных электронов при облучении поверхности металлической мишени протонами со средней энергией 25 кэВ [Текст] / Г. В. Головин [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып: вып. 10. - С. 584-588
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): высокоэнергетичные электроны -- спектр электронов -- квазиэкспоненциальный спектр -- плазма фемтосекундного лазерного импульса Аннотация: При облучении поверхности мишени из железа ионами (H\{+\}, Fe\{+\}, Fe\{2+\}, Fe\{3+\}) с энергиями в диапазоне от 20 до 100 кэВ, источником которых служила плазма мощного фемтосекундного лазерного импульса с интенсивностью 10\{16\} Дж/ (с х см\{2\}), зарегистрированы электроны с аномально высокими энергиями до 16 кэВ, что свидетельствует о практически полной передаче энергии от налетающего иона к выбитому из мишени электрону. Полученный спектр электронов в диапазоне 6-16 кэВ, выбиваемых с K-оболочки атомов железа протонами с энергией 22+/-2 кэВ, имеет квазиэкспоненциальный характер с показателем экспоненты 4 кэВ. Для электронов с энергией 8 кэВ величина дважды дифференциального сечения ионизации такими протонами оценена в 10\{-7\} бн/ (эВ х стерад). Доп.точки доступа: Головин, Г. В.; Савельев, А. Б.; Урюпина, Д. С.; Волков, Р. В.; Марьин, Б. В. |
Влияние облучения на свойства нанокристаллических пленок карбида кремния [Текст] / А. В. Семенов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 10. - С. 1362-1367 : ил. - Библиогр.: с. 1367 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): карбид кремния -- пленки -- нанокристаллические пленки -- Sic -- подложки -- оптические свойства -- электрофизические свойства -- облучение -- облучение электронами -- электронное облучение -- электроны -- высокоэнергетичные электроны -- ромбоэдрические политипы -- 21R-SiC -- 27R-SiC -- оптическое поглощение -- флюэнсы -- энергия Урбаха -- Урбаха энергия -- радиационные дефекты -- фотоны Аннотация: Изучено влияние облучения электронами на оптические и электрофизические свойства нанокристаллических пленок карбида кремния ромбоэдрических политипов 21R-SiC и 27R-SiC. Проведены циклы облучения нанокристаллических пленок SiC на подложках из сапфира электронами с энергией 10 МэВ в диапазоне флюэнсов 5x10{14}-9x10{19} см{-2}. Установлено, что при дозах облучения менее 10{19} см{-2} оптическое поглощение пленок в области энергий фотонов E>E[g] становится меньше оптического поглощения необлученных пленок. Установлено, что зависимость энергии Урбаха от дозы облучения имеет минимум при дозе 10{17} см{-2} для пленок 27R-SiC и при 5x10{17} см{-2} для пленок 21R-SiC, что свидетельствует о радиационном упорядочении пленок. При увеличении дозы более 5x10{17} см{-2} и вплоть до 9x10{19} см{-2} в пленках наблюдаются рост энергии Урбаха и уменьшение оптической щели, что обусловлено повышением концентрации радиационных дефектов. Доп.точки доступа: Семенов, А. В.; Лопин, А. В.; Пузиков, В. М.; Борискин, В. Н. |
Формирование высокоэнергетичных электронов в поперечном наносекундном разряде с щелевым катодом при средних значениях давления рабочего газа [Текст] / Н. А. Ашурбеков [и др. ] // Журнал технической физики. - 2010. - Т. 80, N 8. - С. 63-70. - Библиогр.: c. 69-70 (14 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): высокоэнергетичные электроны -- быстрые электроны -- щелевые катоды -- полые катоды -- поперечные разряды -- наносекундные разряды -- катодная плазма -- эмиссия электронов -- плазма -- коэффициент эмиссии электронов -- плотность катодного тока -- катодное падение потенциала -- катодный ток Аннотация: Приведены результаты экспериментального исследования электрических и оптических характеристик поперечного наносекундного разряда с щелевым катодом в He при токе разряда 1-500 A и давлении рабочего газа в разрядной камере в диапазоне 10{2}-10{4} Pa. Установлено, что плотность катодного тока многократно (на порядки) превышает плотность полного тока эквивалентного аномального разряда. Обнаружены существенные отличия электрических характеристик открытого и ограниченного диэлектрическими стенками разряда. Показано, что в рассматриваемых условиях при прохождении области катодного падения потенциала формируются высокоэнергетичные электроны с энергией порядка 1 keV. Установлена связь между режимами релаксации энергии быстрых электронов и динамикой формирования и развития разряда. На основе анализа экспериментальных данных дана последовательная картина динамики развития разряда. Предложен способ оценки значений коэффициента эмиссии электронов из катодной плазмы. Доп.точки доступа: Ашурбеков, Н. А.; Иминов, К. О.; Кобзев, О. В.; Кобзева, В. С. |
Эквивалентная схема замещения кремниевых диодов, облученных высокими флюенсами электронов [Текст] / Н. А. Поклонский [и др. ] // Журнал технической физики. - 2010. - Т. 80, N 10. - С. 74-82. - Библиогр.: c. ( назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): кремниевые диоды -- эквивалентные схемы замещения -- p-n-переходы -- эпитаксиальный кремний -- электронное облучение -- высокоэнергетичные электроны -- флюенсы электронов -- электрические потери -- схемы замещения -- радиационные дефекты -- дефекты с глубокими уровнями Аннотация: Исследованы кремниевые диоды с p{+}-n-переходом, изготовленные на слое легированного фосфором эпитаксиального кремния (толщина 48 mum, удельное сопротивление rho=30 Omega cm), выращенном на кремниевых пластинах, легированных сурьмой (плоскость (111), rho=0. 01Omega cm). Диоды были облучены высокоэнергетичными (3. 5 MeV) электронами флюенсами от 5*10{15} до 2*10{16} cm{-2}. Показано, что традиционная схема замещения диода, составленная из последовательно соединенного резистора и параллельной RC-цепи, не описывает зависимость электрических потерь tg delta от частоты переменного тока f в диапазоне 10{2}-3 10{7} Hz. Предложена эквивалентная схема замещения, учитывающая наряду с емкостью и активным сопротивлением базы n-типа, возросшим вследствие компенсации мелких доноров радиационными дефектами, зависимость емкости области пространственного заряда от частоты f, обусловленную запаздыванием перезарядки радиационных дефектов с глубокими уровнями. Доп.точки доступа: Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Wieck, A. |
Струнин, В. И. Расчет химического состава гелий-силановой плазмы [Текст] / В. И. Струнин, Е. А. Китаева, Г. Ж. Худайбергенов // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 1. - С. 90-96. - Библиогр.: c. 96 (15 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): высокоэнергетичные электроны -- гелий-силановая плазма -- метастабильный атом -- пылевые частицы -- равновесная концентрация -- ФРЭЭ -- электронный удар Аннотация: Предложена модель, описывающая процесс разложения силана в разряде высокочастотной гелиевой плазмы. На основании численных расчетов получены концентрации продуктов диссоциации силана, проанализирована роль метастабильных атомов гелия в образовании пленкообразующих радикалов. Доп.точки доступа: Китаева, Е. А.; Худайбергенов, Г. Ж. |