621.38 К 440 Киселев, В. Мощные выпрямительно-ограничительные диоды серии КД2972 [Текст] / В. Киселев // Радио. - 2003. - N5 . - ISSN XXXX-XXXX
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): КД2972 (диоды) -- диоды кремниевые -- кремниевые диоды -- технические характеристики -- электроника Аннотация: Кремниевые выпрямительно-ограничительные диоды КД2972А2,КД2972Б2 и КД2972В2,изготовленные по эпитаксиально-планарной технологии,предназначены для защиты электронных узлов автомобилей и тракторов,а также аппаратуры широкого применения от импульсного превышения напряжения и кондуктивных помех.Кроме этого,диоды могут быть использованы в качестве мощных низковольтных выпрямителей. |
621.38 К 440 Киселев, В. Диоды Шотки серии КДШ2965 [Текст] / В. Киселев // Радио. - 2005. - N 2 . - ISSN XXXX-XXXX
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): диоды -- диоды Шотки -- кремниевые диоды -- источники питания -- импульсные источники Аннотация: Мощные кремниевые диоды с барьером Шотки КДШ2965А, КДШ2965Б изготовляют по эпитаксиально-планарной технологии. Диоды предназначены для работы в импульсных источниках питания аппаратуры широкого применения. |
621.38 Д 468 Диоды Шотки серии КД2970 [Текст] // Радио. - 2005. - N 4 . - ISSN 0033-765X
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): диоды Шотки -- Шотки диоды -- кремниевые диоды -- диоды кремниевые -- источники питания -- импульсные источники -- источники импульсные -- технические характеристики -- характеристики технические Аннотация: Мощные кремниевые диоды с барьером Шотки КД2970А, КД2970Б, КД2970В изготавливают по эпитаксиально-планарной технологии. Приборы предназначены для применения в импульсных источниках питания и других узлах аппаратуры широкого применения. Приводятся основные технические характеристики диодов, предельно допустимые значения, типовые зависимости параметров, цоколевка. |
621.38 Д 46 Диоды Шотки КДШ2966А [Текст] // Радио. - 2006. - N 1. - С. 54 . - ISSN 0033-765X
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): диоды Шотки -- Шотки диоды -- кремниевые диоды -- диоды кремниевые -- импульсные источники питания -- импульсные источники -- источники питания Аннотация: Основные технические характеристики, предельно допустимые значения, типовые зависимости постоянного прямого напряжения от тока через диод, обратного тока и емкости диода от обратного напряжения. |
621.38 М 19 Маломощные диоды Шотки КДШ2105В [Текст] // Радио. - 2006. - N 4. - С. 50. - Ил.: 4 рис. . - ISSN 0033-765X
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): кремниевые диоды -- маломощные диоды -- диоды Шотки -- Шотки диоды -- КДШ2105В Аннотация: Кремниевые маломощные диоды с барьером Шотки КДШ2105В изготавливают по эпитаксиально-планарной технологии. Приборы предназначены для работы в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения и других узлах аппаратуры широкого применения. |
621.3 К 891 Кузнецов, В. П. Электролюминесценция ионов эрбия в кремниевых диодных структурах p\{++\}/n\{+\}/n-Si : Er/n\{++\} [Текст] / В. П. Кузнецов, Д. Ю. Ремизов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 11. - С. 1329-1332 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): ионы эрбия -- кремниевые диоды -- элетролюминесценция Аннотация: Обсуждаются результаты экспериментов по исследованию электролюминесценции ионов эрбия в кремниевых диодных структурах типа p\{++\}/n\{+\}/n-Si : Er/n\{++\}, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. Отличительной особенностью структур является то, что области формирования потока электронов (n\{+\}-Si) и ударного возбуждения ионов эрбия (n-Si : Er) пространственно разнесены. Исследовано влияние толщины слоя n\{+\}-Si на электрические и электролюминесцентные свойства диодов. Доп.точки доступа: Ремизов, Д. Ю.; Шмагин, В. Б.; Кудрявцев, К. Е.; Шабанов, В. Н.; Оболенский, С. В.; Белова, О. В.; Кузнецов, М. В.; Корнаухов, А. В.; Андреев, Б. А.; Красильник, З. Ф. |
621.3 К 182 Камилов, И. К. Неустойчивость тока и N-образная вольт-амперная характеристика в кремниевом p-i-n-диоде в магнитном поле [Текст] / И. К. Камилов, К. М. Алиев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 8. - С. 984-988 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): p-i-n-структуры -- диоды -- кремниевые диоды -- магнитное поле -- вольт-амперные характеристики -- неустойчивость тока Аннотация: Приведены экспериментальные результаты исследования p-i-n-структур на основе электронного кремния с удельным сопротивлением ро=120 Ом см. Исследовались динамические S-образные вольт-амперные характеристики при различных значениях приложенного магнитного поля. Обнаружено возникновение колебаний тока и напряжения большой амплитуды при 2 кЭ. Дальнейший рост величины магнитного поля приводит к нарастанию амплитуды колебаний и появлению высокочастотной моды колебаний с частотой ~3 МГц, которая модулирует низкочастотную. Магнитное поле выше 5 кЭ уменьшает амплитуду обеих мод колебаний тока и полностью подавляет колебания в цепи, S-образность исчезает. В соответствии с теорией на экспериментальных вольт-амперных характеристиках впервые обнаружены участки отрицательной дифференциальной проводимости N-типа при выполнении условия сильного магнитного поля, выбранной геометрии образца и соответствующих значениях электрического поля. Доп.точки доступа: Алиев, К. М.; Алиев, Б. Г.; Ибрагимов, Х. О.; Абакарова, Н. С. |
621.315.592 М 730 Мнацаканов, Т. Т. Влияние оже-рекомбинации на тепловую стабильность мощных высоковольтных полупроводниковых диодов [Текст] / Т. Т. Мнацаканов, М. Е. Левинштейн, А. С. Фрейдлин // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 2. - С. 220-227 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): оже-рекомбинация -- полупроводниковые диоды -- точки инверсии -- кремниевые диоды Аннотация: Предложена аналитическая модель, позволяющая учесть влияние оже-рекомбинации на положение точек инверсии на вольт-амперной характеристике высоковольтных полупроводниковых диодов. Показано, что оже-рекомбинация не только изменяет положение точек инверсии на вольт-амперных характеристиках диодов, но также меняет число возможных точек инверсии в структурах. Поскольку существование и положение точек инверсии в значительной мере определяют тепловую стабильность диодов, особенно в режиме ударных токов, предсказания модели представляются важными с практической точки зрения. Для проверки выводов аналитической модели проведен численный эксперимент с помощью программы "Исследование". Результаты численных расчетов полностью согласуются с выводами аналитической модели. Доп.точки доступа: Левинштейн, М. Е.; Фрейдлин, А. С. |
Ионычев, В. К. Исследование глубоких центров в микроплазменных каналах кремниевых лавинных эпитаксиальных диодов [Текст] / В. К. Ионычев, А. Н. Ребров // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 980-984 : ил. - Библиогр.: с. 984 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): диоды -- кремниевые диоды -- лавинные диоды -- эпитаксиальные диоды -- глубокие центы -- ГК -- микроплазменные каналы -- микроплазмы -- микроплазменные пробои -- пробои микроплазмы -- p-n переходы -- область пространственного заряда -- ОПЗ Аннотация: Проведено исследование статистической задержки пробоя микроплазмы в кремниевых эпитаксиальных p-n-переходах. Показано, что при изменении зарядового состояния глубоких центров снижением напряжения на p-n-переходе статистическая задержка микроплазменного пробоя позволяет определять параметры глубоких центров. В температурном диапазоне 100-220 K обнаружено четыре глубоких уровня, и определены их параметры. Доп.точки доступа: Ребров, А. Н. |
Влияние радиационных дефектов на электрические потери в кремниевых диодах, облученных электронами [Текст] / Н. А. Поклонский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 3. - С. 397-401 : ил. - Библиогр.: с. 400-401 (37 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): дефекты -- радиационные дефекты -- диоды -- кремниевые диоды -- электрические потери -- облучение электронами -- электронное облучение -- флюенсы -- флюенсы облучения -- отжиг -- температура отжига Аннотация: Исследованы кремниевые диоды с p{+}-n-переходом, облученные электронами энергией 3. 5 МэВ, флюенсами от 10{15} до 4x10{16} см{-2}. Установлено, что зависимость тангенса угла электрических потерь tgdelta от частоты f переменного тока в интервале f=10{2}-10{6} Гц является немонотонной функцией с двумя экстремумами: минимумом и максимумом. Трансформация зависимостей tgdelta (f) при увеличении флюенса облучения и увеличении температуры отжига диодов обусловлена изменением сопротивления n-Si (базовой области диодов), вызванным накоплением (при увеличении флюенса) или исчезновением и перестройкой (при отжиге) радиационных дефектов. Роль инерционности процесса перезарядки дефектов в формировании tgdelta (f) невелика. Доп.точки доступа: Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Ластовский, С. Б.; Wieck, A. |
Эквивалентная схема замещения кремниевых диодов, облученных высокими флюенсами электронов [Текст] / Н. А. Поклонский [и др. ] // Журнал технической физики. - 2010. - Т. 80, N 10. - С. 74-82. - Библиогр.: c. ( назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): кремниевые диоды -- эквивалентные схемы замещения -- p-n-переходы -- эпитаксиальный кремний -- электронное облучение -- высокоэнергетичные электроны -- флюенсы электронов -- электрические потери -- схемы замещения -- радиационные дефекты -- дефекты с глубокими уровнями Аннотация: Исследованы кремниевые диоды с p{+}-n-переходом, изготовленные на слое легированного фосфором эпитаксиального кремния (толщина 48 mum, удельное сопротивление rho=30 Omega cm), выращенном на кремниевых пластинах, легированных сурьмой (плоскость (111), rho=0. 01Omega cm). Диоды были облучены высокоэнергетичными (3. 5 MeV) электронами флюенсами от 5*10{15} до 2*10{16} cm{-2}. Показано, что традиционная схема замещения диода, составленная из последовательно соединенного резистора и параллельной RC-цепи, не описывает зависимость электрических потерь tg delta от частоты переменного тока f в диапазоне 10{2}-3 10{7} Hz. Предложена эквивалентная схема замещения, учитывающая наряду с емкостью и активным сопротивлением базы n-типа, возросшим вследствие компенсации мелких доноров радиационными дефектами, зависимость емкости области пространственного заряда от частоты f, обусловленную запаздыванием перезарядки радиационных дефектов с глубокими уровнями. Доп.точки доступа: Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Wieck, A. |
621.382 В 932 Высоковольтный быстрый диод с "мягким" восстановлением [Текст] / И. В. Грехов [и др.] // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 10. - С. 50-54. - Библиогр.: c. 54 (12 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): высоковольтные диоды -- кремниевые диоды -- p+Nn+-диоды -- быстродействующие диоды -- электронное облучение -- облучение электронами -- остаточное напряжение -- коммутационные потери Аннотация: Высоковольтные быстродействующие кремниевые p+Nn+-диоды, используемые практически во всех современных преобразователях электроэнергии, должны иметь малое остаточное напряжение в проводящем состоянии и в то же время быстро переключаться с малыми коммутационными потерями в запертое состояние, не создавая при этом всплесков перенапряжения. Такое сочетание параметров обеспечивается обычно путем создания профильного распределения концентрации рекомбинационных центров в N-базе с максимумом у p+N-перехода. Подобное распределение создается с помощью облучения в вакууме p+Nn+-диода со стороны p+N-перехода протонами либо alpha-частицами. Приведены результаты исследования диодов, в которых профильное распределение центров получено более простым и производительным методом облучения электронами в определенном диапазоне энергий на воздухе. На примере приборов разработанной авторами конструкции с блокируемым напряжением до 5 kV показано, что все динамические характеристики диодов соответствуют мировому уровню, а остаточное напряжение в проводящем состоянии при рабочей плотности тока примерно на 30% меньше. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/10/p50-54.pdf Доп.точки доступа: Грехов, И. В.; Рожков, А. В.; Костина, Л. С.; Коновалов, А. В.; Фоменко, Ю. Л. |
537.533/.534 С 585 Создание профильного распределения концентрации рекомбинационных центров при электронном облучении кремния [Текст] / И. В. Грехов [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 9. - С. 105-110 : ил. - Библиогр.: с. 110 (7 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): кремний -- электронное облучение -- рекомбинационные центры -- концентрация рекомбинационных центров -- распределение концентрации -- профильное распределение -- создание профильного распределения -- диоды -- кремниевые диоды -- высоковольтные кремниевые диоды -- энергия (физика) -- исследования -- результаты исследований -- статические характеристики -- динамические характеристики Аннотация: Показана возможность создания профильного распределения концентрации рекомбинационных центров в высоковольтных кремниевых p{+}Nn{+}-диодах путем обычного электронного облучения в определенном диапазоне энергий. Приводятся результаты исследования основных статических и динамических характеристик. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/09/p105-110.pdf Доп.точки доступа: Грехов, И. В.; Костина, Л. С.; Козловский, В. В.; Ломасов, В. Н.; Рожков, А. В. |
621.382 М 300 Марченко, И. Г. Особенности технологического облучения электронами кремниевых p-n-структур большой площади [Текст] / И. Г. Марченко, авт. Н. Е. Жданович // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 17. - С. 26-34 : ил. - Библиогр.: с. 33-34 (10 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): электроны -- ускоренные электроны -- технологическое облучение -- особенности облучения -- p-n-структуры -- кремниевые p-n-структуры -- защитные маски -- повышенная рекомбинация -- зоны рекомбинации -- базовые области -- диоды -- кремниевые диоды -- электрофизические характеристики -- токи -- локальное облучение -- диодные структуры -- структуры большой площади -- обратное восстановление -- энергии -- температуры -- локально облученные структуры -- эксперименты Аннотация: Исследовано влияние облучения ускоренными электронами (4 MeV) через защитные маски, формирующие зоны повышенной рекомбинации (ERZ) в базовой области p{+}-n-n{+}-структур, на основные электрофизические характеристики кремниевых диодов, рассчитанных на токи до 600 A. Показано, что локальное облучение диодной структуры большой площади по сравнению с облучением всей структуры улучшает соотношение между временем обратного восстановления (t[rr]) и потерями энергии в проводящем состоянии (U[F]) при снижении чувствительности обратного тока (I[R]) диода к температуре. Установлена зависимость соотношения t[rr], U[F] и I[R] в локально облученных структурах от условий эксперимента (размера ERZ). Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/17/p26-34.pdf Доп.точки доступа: Жданович, Н. Е. |
537.311.33 Р 604 Родин, П. Б. Численное моделирование пространственно неоднородного переключения кремниевых диодных обострителей [Текст] / П. Б. Родин, А. М. Минарский, И. В. Грехов // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 11. - С. 78-87 : ил. - Библиогр.: с. 87 (15 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): диоды -- кремниевые диоды -- высоковольтные кремниевые диоды -- диодные обострители -- кремниевые диодные обострители -- пространственно неоднородное переключение -- численное моделирование -- лавинные пробои -- переходные процессы -- результаты экспериментов -- время переключения -- переходные характеристики -- напряжение -- ионизация -- фронт ионизации -- свободные носители базы Аннотация: Проведено численное моделирование пространственно неоднородного субнаносекундного переключения высоковольтных кремниевых диодов при задержанном лавинном пробое. Исследована зависимость переходного процесса от соотношения между полной площадью структуры и площадью той части, на которой происходит переключение. Достигнуто согласие с экспериментом по времени переключения (60-70 ps) и качественному виду переходной характеристики. Показано что быстрый спад напряжения на диоде начинается уже после того, как фронт ионизации пробежал большую часть базы, и затем продолжается за счет вторичного лавинного пробоя заполненной свободными носителями базы. Время переключения структуры в проводящее состояние не имеет прямой связи со скоростью движения фронта. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/11/p78-87.pdf Доп.точки доступа: Минарский, А. М.; Грехов, И. В. |
539.2 С 750 Сравнительный анализ радиационного воздействия на электролюминесценцию кремния и SiGe/Si (001) -гетероструктур с самоформирующимися наноостровками [Текст] / З. Ф. Красильник [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 2. - С. 230-234 : ил. - Библиогр.: с. 234 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): радиационное воздействие -- нейтроны -- электролюминесценция кремния -- ЭЛ -- кремний -- гетероструктуры -- Ge/Si -- подложки -- Si (001) -- самоформирующиеся наноостровки -- наноостровки -- диоды -- кремниевые диоды -- носители заряда -- пространственная локализация -- наноструктуры -- диффузия -- радиационные дефекты -- безызлучательная рекомбинация -- рекомбинация -- оптоэлектронные устройства -- сравнительный анализ Аннотация: Выполнены исследования влияния радиационного воздействия нейтронами на электролюминесценцию кремниевого p-i-n-диода, содержащего многослойную гетероструктуру Ge/Si с самоформирующимися наноостровками. Диоды с наноостровками Ge (Si) продемонстрировали более высокую радиационную стойкость сигнала электролюминесценции от них по сравнению с объемным кремнием, что связывается с пространственной локализацией носителей заряда в наноструктурах Ge/Si. Пространственная локализация носителей заряда препятствует их диффузии к радиационным дефектам и последующей безызлучательной рекомбинации на них. Полученные результаты указывают на возможность использования гетероструктур Ge/Si с самоформирующимися наноостровками для разработки радиационно стойких оптоэлектронных устройств. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/02/p230-234.pdf Доп.точки доступа: Красильник, З. Ф.; Кудрявцев, К. Е.; Качемцев, А. Н.; Лобанов, Д. Н.; Новиков, А. В.; Оболенский, С. В.; Шенгуров, Д. В. |
539.2 В 586 Влияние перегрева p-n-перехода на деградацию мощных импульсных кремниевых лавинно-пролетных диодов [Текст] / А. Е. Беляев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 2. - С. 256-262 : ил. - Библиогр.: с. 262 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): p-n переходы -- импульсные диоды -- кремниевые диоды -- лавинно-пролетные диоды -- ЛПД -- деградация диодов -- диоды -- длина волны -- генерация -- рентгенофазовый анализ -- омические контакты -- температура p-n перехода -- удельное тепловое сопротивление Аннотация: Приведена оценка тепловых ограничений в импульсном режиме работы двухдрейфового лавинно-пролетного диода 8-миллиметрового диапазона длин волн с мощностью генерации до 30-35 Вт. Показано, что при длительности рабочего импульса 300 нс и амплитуде тока питания 11. 3-15 A перегрев p-n-перехода относительно окружающей среды составляет 270-430{o}C. Определена граничная температура перегрева перехода, равная 350{o}C, выше которой лавинно-пролетные диоды интенсивно деградируют. Приведены результаты рентгенофазового анализа и профили распределения компонентов в омических контактах Au-Pt-Ti-Pd-Si, подтверждающие тепловые ограничения в импульсном режиме работы лавинно-пролетного диода. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/02/p256-262.pdf Доп.точки доступа: Беляев, А. Е.; Басанец, В. В.; Болтовец, Н. С.; Зоренко, А. В.; Капитанчук, Л. М.; Кладько, В. П.; Конакова, Р. В.; Колесник, Н. В.; Коростинская, Т. В.; Крицкая, Т. В.; Кудрик, Я. Я.; Кучук, А. В.; Миленин, В. В.; Атаубаева, А. Б. |
621.315.592 Р 131 Работа полупроводникового прерывателя при сверхвысоких плотностях тока [Текст] / С. К. Любутин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 4. - С. 535-543 : ил. - Библиогр.: с. 542-543 (13 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые прерыватели тока -- плотность тока -- сверхвысокая плотность тока -- экспериментальные данные -- SOS-диоды -- кремниевые диоды -- p-n переходы -- метод численного моделирования -- численное моделирование -- электронно-дырочное рассеяние -- ЭДР -- область сильного поля -- ОСП Аннотация: Исследован механизм работы полупроводникового прерывателя тока (SOS-диода) при плотности обрываемого тока в десятки кА/см{2}. В эксперименте максимальная плотность обратного тока достигала 43 кА/см{2} за время ~40 нс. Приведены экспериментальные данные для SOS-диодов со структурой p{+}-p-n-n{+} с глубиной залегания p-n-перехода от 145 до 180 мкм. Методами численного моделирования исследованы процессы динамики электронно-дырочной плазмы в диоде на стадиях накачки и обрыва тока. Показано, что обрыв тока связан с образованием области сильного электрического поля в тонком (~ 45 мкм) слое высоколегированной p-области структуры, в котором концентрация акцепторов превышает 10{16} см{-3}, а процесс обрыва тока слабо зависит от глубины залегания p-n-перехода. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/04/p535-543.pdf Доп.точки доступа: Любутин, С. К.; Рукин, С. Н.; Словиковский, Б. Г.; Цыранов, С. Н. |
621.315.592 Б 820 Борблик, В. Л. Проявление эффектов разупорядочения в избыточном туннельном токе сильно легированных кремниевых диодов [Текст] / В. Л. Борблик, Ю. М. Шварц, М. М. Шварц // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 8. - С. 1108-1110. - Библиогр.: c. 1110 (11 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): барьеры случайные -- диоды -- кремниевые диоды -- легированные диоды -- низкие температуры -- прыжковая проводимость -- температурная зависимость -- термотуннелирование -- туннельный ток -- эффекты неупорядоченности Аннотация: Измерена температурная зависимость прямого тока в сильно легированных кремниевых p-n-диодах при низких температурах, когда проводимость осуществляется туннелированием. В области самых низких температур наблюдалась прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка, а в области более высоких температур - "сверхэкспоненциальная" зависимость диодного тока от температуры, которую можно объяснить термотуннелированием сквозь некие случайные потенциальные барьеры. Доп.точки доступа: Шварц, Ю. М.; Шварц, М. М. |
539.21:537 Г 340 Генерация мощных СВЧ колебаний напряжения в диффузионном кремниевом диоде / С. К. Любутин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 5. - С. 658-666 : ил. - Библиогр.: с. 665-666 (9 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): кремниевые диоды -- диоды -- диффузионные свойства -- СВЧ-колебания -- генерирование -- обратный ток -- напряжение -- длительность -- частоты колебания -- пробой -- плазма -- плотность тока -- примеси -- примесная проводимость Аннотация: Исследован механизм генерации мощных СВЧ колебаний напряжения в диффузионном кремниевом диоде. Через диод с толщиной структуры 320 мкм, глубиной залегания p-n-перехода 220 мкм и площадью 0. 5 см{2} пропускался обратный ток амплитудой 2 кА. При среднем напряжении на диоде около 300 B и длительности СВЧ импульса приблизительно 200 нс максимальный размах наблюдаемых колебаний достигает 480 В. Частота колебаний находится в диапазоне от 5 до 7 ГГц, а мощность СВЧ компоненты импульса составляет приблизительно 300 кВт. Теоретическое рассмотрение показало, что колебания напряжения обусловлены периодически повторяющимися процессами пробоя и заполнения структуры плазмой с последующим ее удалением обратным током. Частота и размах колебаний определяются плотностью тока и градиентом концентрации легирующих примесей в окрестности p-n-перехода. Abstract Generation of powerful microwave voltage oscillations in diffused silicon diode has been studied. The reverse current of 2 kA in amplitude passed through the diode having the width of 320 ? m, p-n junction depth of 220 ? m, and surface area of 0. 5 cm{2}. At an average voltage level across the structure being around 300V and microwave voltage pulse duration of 200 ns the maximum voltage swing of the observed oscillations reaches 480V. The frequency of the oscillations is 5 to 7GHz, and the microwave power of the oscillations attains 300 kW. It is shown theoretically, that the voltage oscillations are caused by periodically repeated processes of breakdown and filling the structure with plasma, and its subsequent removing by the reverse current. The frequency and the voltage swing of the oscillations depend on the current density, and the gradient of the doping impurity concentration in the vicinity of the p-n junction. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/05/p658-666.pdf Доп.точки доступа: Любутин, С. К.; Рукин, С. Н.; Словиковский, Б. Г.; Цыранов, С. Н. |