621.38 К 440 Киселев, В. Диоды Шотки серии КДШ2964 [Текст] / В. Киселев // Радио. - 2003. - N11 . - ISSN XXXX-XXXX
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): диоды -- диоды Шотки -- радиодетали -- электрические параметры -- электронные компоненты Аннотация: Описан внешний вид, даны основные электрические параметры и предельно допустимые значения мощных кремниевых выпрямительных диодов с барьером Шоттки КДШ2964А, КДШ2964Б, предназначенных для применения в импульсных источниках питания и другой аппаратуре широкого применения. |
533.9 А 655 Андреев, М. Г. Экспериментальное исследование зависимости скорости положительного лидера от тока в начальной и сквозной фазах лидерного процесса [Текст] / М. Г. Андреев, Э. М. Базелян [и др.] // Физика плазмы. - 2008. - Т. 34, N 7. - С. 663-669. - Библиогр.: с. 669 (9 назв. ) . - ISSN 0367-2921
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): лидерные процессы -- демпферное сопротивление -- искровые разряды -- сквозные фазы -- электрические параметры -- электрический ток Аннотация: Синхронная регистрация оптической картины разряда и его электрических параметров позволила проследить зависимость скорости лидера от тока, меняющегося в пределах 0, 2-8 А. Особое внимание уделено сквозной фазе процесса, когда стримерная зона лидера полностью пересекает промежуток. Доп.точки доступа: Базелян, Э. М.; Кужекин, И. П.; Макальский, Л. М.; Сухаревский, Д. И.; Сысоев, В. С. |
Пахолкин, Е. В. Прибор для трибомониторинга по электрическим параметрам [Текст] / Е. В. Пахолкин, К. В. Подмастерьев // Контроль. Диагностика. - 2008. - N 3. - С. 28-31. - Библиогр.: с. 31 (3 назв. ) . - ISSN 0201-7032
Рубрики: Энергетика Электрические и магнитные измерения Кл.слова (ненормированные): приборы для трибомониторинга -- трибомониторинг -- электрические параметры -- трибодиагностика -- электрические методы -- зоны трения -- электрическое сопротивление -- электродвижущая сила -- трибологические исследования -- трибосопряжения -- измерители электрических параметров Аннотация: Представлен прибор, предназначенный для трибодиагностики электрическими методами. Доп.точки доступа: Подмастерьев, К. В. |
Марченко, И. Г. Влияние электронного облучения, ослабленного алюминиевыми экранами, на электрические параметры кремниевых p-n-структур [Текст] / И. Г. Марченко, Н. Е. Жданович // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 10. - С. 45-51 : ил. - Библиогр.: с. 51 (12 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Кл.слова (ненормированные): электронное облучение -- влияние электронного облучения -- алюминиевые экраны -- электрические параметры -- p-n-структуры -- кремниевые p-n-структуры -- время жизни -- заряды -- неравновесные носители -- обратный ток -- ВАХ -- вольт-амперные характеристики -- электроны -- облучение электронами -- энергия (физика) -- плоские алюминиевые экраны -- процессы облучения Аннотация: Проведено исследование поведения времени жизни неравновесных носителей заряда tau, обратного тока I[R] и прямой ВАХ в кремниевых p{+}-n-n{+}-структурах при облучении электронами с энергией 6 MeV через плоские алюминиевые экраны толщиной \it d от 2 до 14 mm (массовой толщиной 0. 5-3. 8 g/cm{2}). В том случае, когда d=14 mm (3. 8 g/cm{2}), структуры обнаруживают существенно меньшее изменение I[R] и ВАХ по сравнению с экранами d=2-12 mm при одинаковом снижении в процессе облучения величины tau: от 20 до 1. 5 mus. Доп.точки доступа: Жданович, Н. Е. |
Современные универсальные вольтметры: функциональность, новации и техническая реализация [Текст] // Радио. - 2009. - N 4. - С. 64 : ил.
Рубрики: Радиоэлектроника Импульсные устройства Кл.слова (ненормированные): вольтметры -- измерения -- математическая обработка -- напряжение -- ток -- электрические параметры Аннотация: Вольтметры для контроля и измерения электрических параметров при производстве и ремонте радиотехнической аппаратуры. |
Данилина, Т. И. Электрофизические свойства диэлектрических пленок в МДМ-структурах [Текст] / Т. И. Данилина, П. Е. Троян // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 4. - С. 8-11. - Библиогр.: c. 11 (5 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): диэлектрические пленки -- пеннинговский разряд -- пленки алюминия -- скорость осаждения -- скорость травления -- электрические параметры Аннотация: Методами реактивного катодного распыления в устройстве на основе низковольтного пеннинговского разряда получены диэлектрические пленки окиси и нитрида кремния, нитрида алюминия и другие. Изучены параметры пленок в МДМ-структурах, оптические свойства, пористость в зависимости от скорости осаждения, температуры подложки и давления реактивного газа. Наибольшую электрическую прочность имели пленки нитрида кремния, а наименьшие потери - пленки двуокиси кремния. Доп.точки доступа: Троян, П. Е. |
Федорченко, В. П. Установка для измерения электропроводности и термо-ЭДС в области температур 80-290 К [Текст] / В. П. Федорченко, Е. А. Матвеенко, Е. И. Малкин // Физическое образование в вузах. - 2010. - Т. 16, N 2. - С. 48-52 : ил. - Библиогр.: с. 52 (1 назв. ) . - ISSN 1609-3143
Рубрики: Физика Физические приборы и методы физического эксперимента Кл.слова (ненормированные): электроводность -- термо-ЭДС -- измерения электрических параметров -- низкотемпературные измерения -- электрические параметры -- измерения -- физика полупроводников -- полупроводники Аннотация: Создана автоматизированная установка для измерения электропроводности и термо-ЭДС материалов в интервале температур от 80 до 290 К. Доп.точки доступа: Матвеенко, Е. А.; Малкин, Е. И. |
539.21:537 М 916 Мусаев, А. М. Особенности изменения электрических параметров кремниевых p-n-структур, облученных электронами при высоких температурах [Текст] / А. М. Мусаев // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 19. - С. 75-82 : ил. - Библиогр.: с. 82 (7 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): кремниевые структуры -- диффузионные структуры -- электрофизические характеристики -- основные характеристики -- электрические параметры -- изменение параметров -- особенности -- электроны -- электронное облучение -- высокие температуры -- температурные режимы -- кристаллы -- интегральная интенсивность -- радиационные дефекты -- образование дефектов -- параметры образования Аннотация: Исследовано влияние температурного режима электронного облучения с энергией 4 MeV на изменение основных электрофизических характеристик диффузионных кремниевых p{+}-n-n{+}-структур. Показано, что температура кристалла и интегральная интенсивность при облучении существенно влияют на параметры образования радиационных дефектов и на характер их распределения в различных областях кремниевых p{+}-n-n{+}-структур. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/19/p75-82.pdf |
539.21:537 Р 368 Релаксация радиационно-нарушенного слоя, формирующегося при ионно-плазменном травлении твердых растворов CdHgTe [Текст] / И. И. Ижнин [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 24. - С. 10-17 : ил. - Библиогр.: с. 17 (17 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): твердые растворы -- ионно-плазменное травление -- радиационно-нарушенные слои -- электрические параметры -- релаксация параметров -- исследования -- донорные центры -- радиационные нарушения -- динамика разрушения -- носители -- подвижность носителей -- составы растворов Аннотация: Исследована релаксация электрических параметров радиационно-нарушенных слоев, образующихся при ионно-плазменном травлении образцов твердых растворов CdHgTe. Показано, что начальная концентрация донорных центров, формирующихся из-за радиационных нарушений, а также динамика их распада в ходе старения образцов (релаксации) определяются составом твердого раствора. Значение подвижности носителей в слоях после релаксации также зависит от состава твердого раствора. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/24/p10-17.pdf Доп.точки доступа: Ижнин, И. И.; Савицкий, Г. В.; Фицыч, Е. И.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Варавин, В. С.; Мынбаев, К. Д. |
539.2 Э 454 Электрические свойства монокристаллов Pb[1-x]Mn[x]Te с избытком теллура / Г. З. Багиева [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 3. - С. 289-292 : ил. - Библиогр.: с. 292 (15 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): электрические свойства -- монокристаллы -- избыточные атомы -- термическая обработка -- термообработка -- электропроводность -- коэффициенты термоэдс -- коэффициенты Холла -- Холла коэффициенты -- теллур -- Te -- свинец -- Pb -- акцепторные примесные центры -- примесные центры -- антиструктурные дефекты -- подрешетки свинца -- дырки -- отжиг -- структурные дефекты -- дефекты -- деформационные дефекты -- температурные зависимости -- электрические параметры -- твердые растворы Аннотация: Исследовано влияние избыточных атомов Te (до 0. 5 ат%) и термической обработки при 473 K в течение 120 ч на электропроводность sigma, коэффициенты термоэдс alpha и Холла R монокристаллов Pb[0. 96]Mn[0. 04]Te в интервале температур ~ 77-300 K. Показано, что избыточные атомы теллура при малых концентрациях в неотожженных образцах в основном действуют как акцепторные примесные центры, а при относительно больших концентрациях (при 0. 05 ат% и выше), преимущественно располагаясь в вакансиях подрешетки свинца, образуют антиструктурные дефекты и уменьшают концентрацию дырок. В результате отжига происходит залечивание некоторых структурных дефектов (например, деформационных) и усиливается процесс размещения атомов Te в вакансиях подрешетки свинца. Эти процессы существенно влияют на значения и характер температурных зависимостей электрических параметров, а также на знак коэффициентов термоэдс и Холла образцов. Influence of excess Te atoms (up to 0. 5 at%) andt hermal treatment at 473K during 120 hours on electrical conductivity delta, thermo-e. m. f. alfa and Hall R factors of Pb[0. 96]Mn[0. 04]Te single crystals in the temperature range ~ 77? 300K have been investigated. It is shown that excess tellurium atoms at small concentrations in non-annealed samples basically act as acceptor impurity centers while at rather greater concentrations (at and above 0. 05 at. %) mainly locating in vacancies of lead sub-lattice form antistructural defects and reduce hole concentration. As a result of annealing a curing of some structural defects (for example, deformation defects) occurs and process accommodation of Te atoms in vacancies of lead sub-lattice intensifies. These processes essentially influence on values and character of temperature dependences of electric parameters, as well as on a sign of thermoe. m. f. and Hall factors of the samples. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/03/p289-292.pdf Доп.точки доступа: Багиева, Г. З.; Абдинова, Г. Д.; Мустафаев, Н. Б.; Абдинов, Д. Ш. |
537 П 491 Полевой транзистор на основе наностержней ZnO с изменяемым пороговым напряжением отсечки / А. Н. Грузинцев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 4. - С. 516-520 : ил. - Библиогр.: с. 520 (9 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Кл.слова (ненормированные): полевые транзисторы -- наностержни -- оксид цинка -- ZnO -- метод газофазного синтетического синтеза -- газофазный синтетический синтез -- CVD -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- монокристаллические наностержни -- электрические параметры -- пороговое напряжение -- отсечки Аннотация: Посвящена изготовлению и электрическим параметрам полевых транзисторов (FETs) с коротким каналом (2 мкм) на основе наностержней ZnO. Для изготовления полевых транзисторов использовались наностержни ZnO, полученные методом CVD-синтеза без катализатора. Хотя полевые транзисторы из коротких монокристаллических наностержней ZnO имеют хорошие электрические параметры: крутизну 100 нС, подвижность носителей 6 см{2}/ (B·с) и большой коэффициент запирания 10{4}, их характеристики зависят от длины наностержней. Исследовано влияние величины напряжения сток-исток на значение порогового напряжения отсечки на затворе. We report on fabrication and electrical characteristics of short channel (2 mum) field-effect transistors (FETs) based on ZnO nanorods. For FET fabrications, single-crystal ZnO nanorods were grown using catalyst-free CVD method. Although short channel ZnO nanorod FETs exhibited good electrical characteristics, with a transconductance of 100 nS, an electron mobility of 6 cm{2}/ (V x s) and a large turn-ON/OFF ratio of 10{4}, the device characteristics were significantly depend on the nanorod length. The influence of the transistor drain voltage on the threshold gate voltage is investigated. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/04/p516-520.pdf Доп.точки доступа: Грузинцев, А. Н.; Редькин, А. Н.; Opoku, C.; Шкунов, М. Н. |
616-07 Л 458 Ленков, Михаил Владимирович (кандидат технических наук; доцент). Измерительные преобразователи в диагностике аккомодации глаза / М. В. Ленков // Биомедицинская радиоэлектроника. - 2014. - № 7. - С. 61-66 : 1 рис. - Библиогр.: с. 65-66 (10 назв.). - Реф. на англ. яз.
Рубрики: Здравоохранение. Медицинские науки Общая диагностика Офтальмология Кл.слова (ненормированные): Комберга-Балтина протезы -- аккомодация глаз -- биопотенциалы -- биоэлектрические свойства -- глаза -- диагностика аккомодации -- зрительно-глазодвигательная система -- измерительные преобразователи -- контактные линзы -- протезы Комберга-Балтина -- цилиарные мышцы -- электрические параметры -- электродные системы Аннотация: Представлены особенности существующих измерительных преобразователей для исследования электрических параметров органов зрительной системы человека, отмечены их достоинства и недостатки. Рассмотрены основные подходы к разработке современной электродной системы для диагностики биоэлектрических свойств элементов аккомодационного аппарата глаз. Доп.точки доступа: Рязанский государственный радиотехнический университет |
537 Д 279 Действие тормозного гамма-нейтронного излучения на параметры индий-селеновых фотопреобразователей / О. Н. Сидор [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 2. - С. 253-258 : ил. - Библиогр.: с. 257-258 (20 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гамма-нейтронное излучение -- флюенсы -- фотопреобразователи -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- электрические параметры -- фотоэлектрические параметры -- короткое замыкание -- кремниевые солнечные элементы -- солнечные элементы -- фотодиоды -- фотодетекторы Аннотация: Впервые изучено влияние тормозного гамма-нейтронного облучения (эффективная энергия Eeff = 8 МэВ) флюенсами 10{12}-10{13} н/см{2} на электрические и фотоэлектрические параметры слоистых фотопреобразователей p-n-InSe. Даже при максимальном флюенсе облучения обнаружены улучшение их вольт-амперных характеристик, рост напряжения холостого хода при незначительном уменьшении тока короткого замыкания. Существенных изменений спектрального контура фотоответа в целом не установлено. В то же время даже начальная стадия облучения вызвала сильную деградацию параметров тестовых кремниевых солнечных элементов. Данный факт позволяет рекомендовать исследуемые фотодиоды для использования в качестве радиационно стойких фотодетекторов. For the first time the effect of bremsstrahlung gamma-neutron irradiation (E[eff] = 8MeV) by the fluences 10{12-}-10{13} n/cm{2} on the electrical and photoelectrical parameters of layered photo converters p-n-InSe is studied. Even at the highest fluence of irradiation it is found an improvement of their current-voltage characteristics, an increase of open-circuit voltage at a slight decrease in short-circuit current. Substantial changes of the spectral photo response curve are not established on the whole. At the same time, even the initial stage of irradiation caused strong degradation of parameters of test silicon solar cells. This fact allows to recommend the photodiodes studied for use as radiation-resistant photo detectors. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/02/p253-258.pdf Доп.точки доступа: Сидор, О. Н.; Сидор, О. А.; Ковалюк, З. Д.; Дубинко, В. И.; Институт проблем материаловедения им. И. Н. Францевича Национальной академии наук Украины; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук; НИК "Ускоритель" ННЦ "Харьковский физико-технический институт" Национальной академии наук Украины |
539.2 С 387 Синтез многокомпонентных металлооксидных пленок различного состава (SnO[2])[x](ZnO)[1-x] (x=1-0.5) / С. И. Рембеза [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 8. - С. 1147-1151 : ил. - Библиогр.: с. 1151 (13 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): металлооксидные пленки -- высокочистые порошки -- растворы солей -- низкотемпературный синтез -- оптические параметры -- электрические параметры -- прозрачные пленки -- электрическое сопротивление Аннотация: Использованы высокочистые порошки SnO[2] и ZnO, полученные из растворов солей соответствующих металлов методом низкотемпературного гидротермального синтеза. Методом сухого прессования изготовлены фрагменты керамических мишеней SnO2 и ZnO в виде брусков размером 1 x8 см, которые использованы в качестве составных мишеней для ионно-лучевого распыления и изготовления пленок переменного состава (SnO[2]) [x] (ZnO) [1-x], x = 1-0. 5, пригодных для создания устройств газовой сенсорики или прозрачной электроники. Исследованы оптические и электрические параметры прозрачных пленок переменного состава. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/08/p1147-1151.pdf Доп.точки доступа: Рембеза, С. И.; Кошелева, Н. Н.; Рембеза, Е. С.; Свистова, Т. В.; Плотникова, Е. Ю.; Suvaci, Е.; Ozel, Е.; Tuncolu, G.; Aciksari, C.; Воронежский государственный технический университет; Воронежский государственный технический университет; Воронежский государственный технический университет; Воронежский государственный технический университет; Воронежский государственный технический университет; Anadolu University (Turkey); Anadolu University (Turkey); Anadolu University (Turkey); Anadolu University (Turkey) |