Роках, А. Г. Об усилении люминесценции в узкозонной фазе гетерогенного полупроводника PbS-CdS [Текст] / А. Г. Роках, Н. Б. Трофимова // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N7. - Библиогр.: с. 142 (9 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- гетерогенные полупроводники -- неравновесные носители Аннотация: Показано, что эффект значительного увеличения интенсивности фотолюминесценции PbS при добавлении к нему CdS[1] в условиях образования гетерофазного полупроводника PbS-CdS может быть объяснен отвлечением рекомбинационного потока из широкозонной фазы в узкозонную полем варизонного перехода. Предлагается модель гетерогенного полупроводника, объясняющая "разгорание" люминесценции в системе PbS-CdS. Численными методами исследуются профиль распределения концентрации неравновесных носителей и интегральная интенсивность люминесценции на границе с узкозонной фазой Доп.точки доступа: Трофимова, Н.Б. |
Иванов, А. М. Особенности использования широкозонных полуизолирующих материалов в задачах регистрации ядерного излучения [Текст] / А. М. Иванов, Н. Б. Строкан, А. А. Лебедев // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 9. - С. 1135-1139 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): поля радиации -- широкозонные полупроводники -- карбид кремния -- неравновесные носители -- спектрометрические измерения -- ядерное излучение Аннотация: Работа детекторов в сильных полях радиации или несовершенная технология приводит к возникновению в материалах значительного количества дефектов структуры. Для минимизации накопления объемного заряда (вследствие долговременного захвата носителей на глубокие уровни) рассматривается включение p\{+\}-ню-n\{+\}-структуры детектора в нетрадиционном пропускном направлении. На примере CVD-пленки 4H-SiC, содержащей до 2. 5 x 10\{17\} см\{-3\} первично смещенных атомов, прослежены эффективность транспорта носителей и спектр амплитуд сигналов в функции величины прилагаемого напряжения и времени формирования сигнала электроникой. Доп.точки доступа: Строкан, Н. Б.; Лебедев, А. А. |
Марченко, И. Г. Влияние электронного облучения, ослабленного алюминиевыми экранами, на электрические параметры кремниевых p-n-структур [Текст] / И. Г. Марченко, Н. Е. Жданович // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 10. - С. 45-51 : ил. - Библиогр.: с. 51 (12 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Кл.слова (ненормированные): электронное облучение -- влияние электронного облучения -- алюминиевые экраны -- электрические параметры -- p-n-структуры -- кремниевые p-n-структуры -- время жизни -- заряды -- неравновесные носители -- обратный ток -- ВАХ -- вольт-амперные характеристики -- электроны -- облучение электронами -- энергия (физика) -- плоские алюминиевые экраны -- процессы облучения Аннотация: Проведено исследование поведения времени жизни неравновесных носителей заряда tau, обратного тока I[R] и прямой ВАХ в кремниевых p{+}-n-n{+}-структурах при облучении электронами с энергией 6 MeV через плоские алюминиевые экраны толщиной \it d от 2 до 14 mm (массовой толщиной 0. 5-3. 8 g/cm{2}). В том случае, когда d=14 mm (3. 8 g/cm{2}), структуры обнаруживают существенно меньшее изменение I[R] и ВАХ по сравнению с экранами d=2-12 mm при одинаковом снижении в процессе облучения величины tau: от 20 до 1. 5 mus. Доп.точки доступа: Жданович, Н. Е. |
Болотов, В. В. Инфракрасная люминесценция в термообработанном кремнии [Текст] / В. В. Болотов, В. Е. Кан // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 1. - С. 31-33 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): лазерные диоды -- кремний -- фотолюминесценция -- термодоноры -- неравновесные носители -- околокраевое излучение Аннотация: При возбуждении излучением лазерного диода Nd-YAG в образцах кремния как n-, так и p-типа проводимости с различным содержанием межузельного кислорода исследована околокраевая инфракрасная фотолюминесценция с максимумом полосы при E=1. 084 эВ. Проведенные термические обработки показали практически полное исчезновение люминесценции при прогревах при T=1050 градусов C и ее частичное двухстадийное восстановеление при последующих прогревах в диапазоне температур 550-800 градусов C. Температурные интервалы гашения и возникновения фотолюминесценции коррелируют с температурными интервалами растворения мелких кислородных преципитатов и возникновения кислородсодержащих термодефектов, так называемых термодоноров I и II рода. На основе полученных данных сделан вывод, что электронные состояния, обусловленные термодонорами, являются ловушками для неравновесных носителей, опустошение которых вносит вклад в околокраевое излучение. Доп.точки доступа: Кан, В. Е. |
Бородовский, П. А. Аномальная релаксация фотопроводимости в кремнии при высоких уровнях инжекции [Текст] / П. А. Бородовский, А. Ф. Булдыгин, С. В. Голод // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 3. - С. 329-311
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): неравновесные носители -- кремний -- лазерные диоды -- импульсный свет -- инжекция -- релаксация фотопроводимости -- экситоны Аннотация: Исследуется аномальный эффект релаксации неравновесных носителей заряда в образцах кремния при их возбуждении импульсным светом лазерного диода (1060 нм / 500 мВт). Эксперименты проводились при высоких уровнях инжекции как с использованием СВЧ-измерений проводимости, так и обычной методики измерения релаксации фотопроводимости. Необычное явление наблюдалось в начальной области релаксации фотопроводимости после окончания импульса света. Предлагается упрощенная модель для объяснения аномального эффекта, включающая экситоны при высоких уровнях возбуждения. Доп.точки доступа: Булдыгин, А. Ф.; Голод, С. В. |
537.311.33 Р 248 Расчет контраста протяженных дефектов в методе индуцированного рентгеновским пучком тока [Текст] / Я. Л. Шабельникова [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 20. - С. 1-7 : ил. - Библиогр.: с. 7 (10 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Рентгеновские лучи. Гамма-лучи Кл.слова (ненормированные): протяженные дефекты -- контраст дефектов -- расчет контраста -- метод XBIC -- индуцированные токи -- рентгеновские пучки -- дислокации -- границы зерен -- носители заряда -- неравновесные носители -- рентгеновские зонды -- наведенные токи -- профили контраста Аннотация: Для метода наведенного рентгеновского пучком тока (XBIC) рассчитан контраст протяженных дефектов - дислокаций и границ зерен. Показано, что максимальный контраст растет при увеличении диффузионной длины неравновесных носителей заряда и уменьшается при увеличении ширины рентгеновского зонда. Приведено сравнение модельных и экспериментально измеренных профилей контраста наведенного тока от границ зерен. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/20/p1-7.pdf Доп.точки доступа: Шабельникова, Я. Л.; Якимов, Е. Б.; Григорьев, М. В.; Фахртдинов, Р. Р.; Бушуев, В. А. |
621.315.592 И 201 Иванов, П. А. Диодные размыкатели тока с субнаносекундным быстродействием на основе 4H-SiC [Текст] / П. А. Иванов, авт. И. В. Грехов // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 4. - С. 544-547 : ил. - Библиогр.: с. 547 (10 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): диодные размыкатели тока -- меза-эпитаксиальные диоды -- диоды -- дрейфовые диоды -- SOS-диоды -- неравновесные носители -- субнаносекудное быстродействие Аннотация: Изготовлены меза-эпитаксиальные p{+}-p-n[0]-n{+}-диоды на основе 4H-SiC и измерены характеристики их переключения из прямого направления в обратное в режимах, характерных для быстродействующих полупроводниковых размыкателей тока - дрейфовых диодов с резким восстановлением и SOS-диодов. Обнаружено, что после короткой (~ 10 нс) импульсной накачки неравновесных носителей прямым током (плотностью 200-400 А/см{2}) и последующего наброса импульса обратного напряжения (с фронтом нарастания 2 нс) диоды способны обрывать обратный ток плотностью 5-40 кА/см{2} за время порядка или менее 0. 3 нс. Обсуждается возможный механизм обнаруженного сверхбыстрого обрыва тока. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/04/p544-547.pdf Доп.точки доступа: Грехов, И. В. |
537 Г 340 Генерация когерентного терагерцового излучения поляризованными электронно-дырочными парами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs / А. В. Андрианов [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 11. - С. 1441-1445 : ил. - Библиогр.: с. 1445 (14 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): результаты исследований -- генерация излучения -- когерентное терагерцовое излучение -- терагерцовое излучение -- ТГЦ излучение -- комнатная температура -- фемтосекудное лазерное фотовозбуждение -- лазерное фотовозбуждение -- фотовозбуждение -- структуры -- квантовые точки -- GaAs/AlGaAs -- поперечные электрические поля -- электрические поля -- поляризация -- неравновесные электронно-дырочные пары -- электронно-дырочные пары -- теоретические модели -- неравновесные носители Аннотация: Сообщается о результатах исследования генерации когерентного терагерцового излучения при комнатной температуре в условиях межзонного фемтосекундного лазерного фотовозбуждения структур с многочисленными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs в поперечном электрическом поле. Свойства наблюдаемого терагерцового излучения позволяют связать его с возбуждением переменного во времени дипольного момента, вызванного поляризацией электрическим полем неравновесных электронно-дырочных пар в квантовых ямах. Построена теоретическая модель, учитывающая эффект динамического экранирования электрического поля в квантовой яме неравновесными носителями, которая позволяет описать свойства наблюдаемого терагерцового сигнала. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/11/p1441-1445.pdf Доп.точки доступа: Андрианов, А. В.; Алексеев, П. С.; Климко, Г. В.; Иванов, С. В.; Щеглов, В. Л.; Седова, М. А.; Захарьин, А. О.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург)Нанофизика и Наноэлектроника, симпозиум (2013 ; Нижний Новгород) |
539.2 О-754 Особенности спектров и кинетики релаксации длинноволновой фотопроводимости в узкозонных эпитаксиальных пленках и гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe / В. В. Румянцев [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 11. - С. 1446-1450 : ил. - Библиогр.: с. 1449 (8 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): спектры релаксации -- кинетика релаксации -- релаксация фотопроводимости -- межзонная фотопроводимость -- фотопроводимость -- узкозонные эпитаксиальные пленки -- эпитаксиальные пленки -- структуры -- квантовые ямы -- HgCdTe -- кадмий-ртуть-теллур -- КРТ -- межзонные переходы -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- подложки -- примеси -- дефекты -- оптические переходы -- неравновесные носители -- ампер-ваттная чувствительность -- эквивалентная мощность -- длина волны -- излучательная рекомбинация -- рекомбинация носителей Аннотация: Проведены исследования спектров и кинетики релаксации межзонной фотопроводимости в узкозонных эпитаксиальных пленках Hg[1-x]Cd[x]Te с x=0. 19-0. 23 и структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe с энергией межзонных переходов в диапазоне 30-90 мэВ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs (013). В спектрах структур с квантовыми ямами помимо межзонной фотопроводимости обнаружена длинноволновая полоса чувствительности, обусловленная примесями/дефектами. Показано, что при той же самой энергии оптического перехода времена жизни неравновесных носителей в структурах с КЯ меньше, чем в объемных образцах. По измеренным временам жизни носителей оценены ампер-ваттная чувствительность и эквивалентная мощность шума для пленки с x=0. 19 для длины волны 19 мкм. При исследованиях кинетики релаксации фотопроводимости при 4. 2 K в условиях сильного возбуждения обнаружено преобладание излучательной рекомбинации над остальными механизмами рекомбинации неравновесных носителей. Here we present the investigation of the spectra and relaxation kinetics of interband photoconductivity in narrow gap Hg[1-x]Cd[x]Te epitaxial films with x = 0. 19-0. 23 and Hg[1-x]Cd[x]Te based quantum well structures with interband transitions energy in the range of 30-90meV, grown by molecular-beam epitaxy on GaAs (013) substrates. In the spectra of quantum well structures in addition to the interband photoconductivity a long wavelength band of sensitivity is observed which results from impurities/defects related transitions. It is shown that for the same optical transition energy the nonequilibrium carriers lifetime in the quantum well structures is lower as compared with the bulk samples. Basing on the measured lifetimes, ampere-watt sensitivity and NEP for the film with x = 0. 19 are estimated for the wavelength of 19 mum. It is found that the photoconductivity relaxation kinetics under high excitation at 4. 2K is predominated by the radiative recombination. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/11/p1446-1450.pdf Доп.точки доступа: Румянцев, В. В.; Иконников, А. В.; Антонов, А. В.; Морозов, С. В.; Жолудев, М. С.; Спирин, К. Е.; Гавриленко, В. И.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск); Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск)Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нанофизика и Наноэлектроника, симпозиум (2013 ; Нижний Новгород) |
539.21:537 Г 657 Гончаров, Ю. И. Нестационарная локальная переориентация нематика в ячейке с кремниевым p-n-переходом / Ю. И. Гончаров, Д. А. Колесников, С. И. Кучеев // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 17. - С. 69-77 : ил. - Библиогр.: с. 76-77 (8 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): нематики -- переориентация -- кремний -- облучение ионами -- неравновесные носители -- носители заряда -- жидкие кристаллы Аннотация: Впервые сообщается о наблюдении эффекта локальной нестационарной переориентации нематика, который инициируется обратно смещенным p-n-переходом в ячейке с подложкой Si. Скорость перемещения, дистанция, на которую перемещается полоса переориентированного нематика, на порядок превышающая толщину ячейки, определяются напряжением смещения p-n-перехода, а ее профиль зависит от распределения поверхностной проводимости, которая в работе задается облучением ионами Ga (30 keV) или генерацией неравновесных носителей заряда в кремнии светом. Локальная переориентация нематика и обеднение поверхности кремния объясняются влиянием поля объемного заряда в жидком кристалле. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/17/p69-77.pdf Доп.точки доступа: Колесников, Д. А.; Кучеев, С. И.; Белгородский государственный университет; Белгородский государственный университетБелгородский государственный университет |
539.2 И 889 Исследование квантово-каскадных структур GaAs/AlGaAs оптическими методами на основе горячей люминесценции в ближнем ИК диапазоне / К. В. Маремьянин [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 11. - С. 1499-1502 : ил. - Библиогр.: с. 1502 (16 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантово-каскадные структуры -- GaAs/AlGaAs -- оптические методы -- горячая люминесценция -- импульсное возбуждение -- фотолюминесценция -- спектры фотолюминесценции -- электронный газ -- неравновесные носители -- арсенидгаллиевые структуры Аннотация: Выполнено исследование фотолюминесценции с временным разрешением квантово-каскадных структур GaAs/AlGaAs в условиях мощного импульсного возбуждения, которое дало возможность в начальные моменты времени после возбуждения наблюдать особенности на спектре фотолюминесценции, соответствующиe как переходам между основными, так и между возбуждeнными состояниями двух туннельно-связанных ям, которые не видны при интегральных измерениях спектров фотолюминесценции. Показано, что высокий уровень накачки приводит к сильному разогреву электронного газа в начальный момент времени, что и позволяет наблюдать межзонные переходы не только между основными, но и между возбужденными состояниями. Характерное время остывания неравновесных носителей составляло ~125 пс. In this work the time-resolved photoluminescence study in GaAs/AlGaAs quantum-cascade structures under high pulse excitation has been performed. In general the measurements was shown that at the initial moments after the excitation observed the features on the photoluminescence spectrum corresponding to transitions between the ground states as well as between the two excited states of the tunnel coupled wells, which are not observed at cw measurements of photoluminescence spectra. Shown, that high levels of pumping leads to strong heating of the electron gas at the initial time, and that allows us to observe not only the interband transitions between the ground states, but also between the excited states. Tipical relaxation time of nonequilibrium carriers was ~ 125 ps. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/11/p1499-1502.pdf Доп.точки доступа: Маремьянин, К. В.; Крыжков, Д. И.; Морозов, С. В.; Сергеев, С. М.; Курицын, Д. И.; Гапонова, Д. М.; Алешкин, В. Я.; Садофьев, Ю. Г.; Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук (Москва)Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского |