621.398 В 191 Васильева, Н. П. (д-р техн.наук). Магнитные запоминающие устройства с произвольной выборкой [Текст] / Н. П. Васильева // Автоматика и телемеханика. - 2003. - N9. - Библиогр.:c.22-23(26назв.) . - ISSN 0005-2310
Рубрики: Радиоэлектроника--Автоматика и телемеханика--Общие вопросы радиоэлектроники Кл.слова (ненормированные): микроэлектроника -- наноэлектроника -- магнитные устройства -- ЗУПВ -- запоминающие устройства -- магниторезистивные ЗУПВ -- микроэоектронные механические системы (MEMS) -- квантово-оптические ЗУПВ -- спинтроника -- спиновая электроника -- многослойные тонкопленочные магнитные наноструктуры с ГМР эффектом -- магнитные туннельные переходы -- туннельные переходы -- спин-туннельные устройства Аннотация: Настоящий обзор посвящен новым видам перспективных магнитных запоминающих устройств с произвольной выборкой. Рассмотрены принципы действия, конструкции, характеристики и состояние разработок магниторезистивных, микроэлектронных механических и квантово-оптических устройств. Перейти: www:http://www.apr.ru Доп.точки доступа: Касаткин, С.И. |
539.19 Ч 494 Черноплеков, Н. А. Сверхпроводниковые технологии [Текст] : современное состояние и перспективы практического применения / Н. А. Черноплеков // Вестник Российской академии наук. - 2001. - Т.71,N4 . - ISSN 0869-5873
Рубрики: Физика--Молекулярная физика Энергетика--Электротехника Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые материалы -- сверхпроводники -- сверхпроводимость -- низкотемпературная -- сверхпроводящие материалы -- наукоемкие технологии -- провода -- ленточные провода -- изоляция -- электротехника -- силовая сверхпроводимость -- сильноточные технологии -- электроника сверхпроводниковая -- электронные приборы Аннотация: В развитии техники большие надежды связаны с созданием электротехнического оборудования в сверхпроводниковом исполнении.Автор,чл.-кор.РАН,рассказывает о новом поколении сверхпроводниковых технологий.Публикуется его научное сообщение и материалы дискуссии,состоявшейся в Президиуме РАН. Доп.точки доступа: Осипьян, Ю.А.; Гапонов, С.В.; Фортов, В.Е.; Андреев, А.Ф. |
001(09) К 238 Карлов, Н. В. "Одной лишь думы власть..." [Текст] / Н. В. Карлов // Вестник Российской академии наук. - 2003. - Т.73,N1. - Библиогр.:7 назв. . - ISSN 0869-5873
Рубрики: Наука. Науковедение--История науки--Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): Нобелевская премия -- академики -- биографии -- лауреаты Нобелевской премии -- наука -- ученые -- юбилеи Аннотация: Минул год со дня кончины выдающегося русского ученого Александра Михайловича Прохорова - академика,одного из создателей квантовой электроники.Статья посвящена памяти А.М.Прохорова,становлению и развитию его научных идей. Доп.точки доступа: Прохоров, А.М. |
001(09) К 658 Копаев, Ю. В. Полвека в твердотельной электронике [Текст] : К 100-летию со дня рождения академика Б.М.Вула / Ю. В. Копаев, Н. Н. Лойко // Вестник Российской академии наук. - 2003. - Т.73,N4. - Библиогр.:4 назв. . - ISSN 0869-5873
Рубрики: Наука. Науковедение--История науки Кл.слова (ненормированные): академики -- наука -- ученые -- физика -- электроника -- юбилеи Аннотация: Рассказывается о жизни и научной деятельности выдающегося российского физика Бенциона Моисеевича Вула. Доп.точки доступа: Лойко, Н.Н.; Вул, Б.М. |
621.396 Г 944 Гуляев, Ю. В. Углеродные нанотрубные структуры - новый материал для эмиссионной электроники [Текст] / Ю. В. Гуляев // Вестник Российской академии наук. - 2003. - Т.73,N5. - Библиогр.:6 назв. . - ISSN 0869-5873
Рубрики: Радиоэлектроника--Общая радиотехника Кл.слова (ненормированные): вакуумная микроэлектроника -- микроэлектроника -- нанотрубные структуры -- наука -- углеродные структуры -- электроника эмиссионная -- эмиссионная электроника Аннотация: В докладе представляется новый материал для эмиссионной электроники,который изучается уже 9 лет, - углеродные нанотрубные и нанокластерные пленки. |
537 В 275 Велихов, Е. П. Наноэлектронные приборы и технологические процессы [Текст] / Е. П. Велихов // Вестник Российской академии наук. - 2003. - Т.73,N5. - Библиогр.:14 назв. . - ISSN 0869-5873
Рубрики: Радиоэлектроника--Электричество и магнетизм--Электроника Кл.слова (ненормированные): ИМПРИНТ -- кристаллы -- литография -- нанообъекты -- наноэлектронные приборы -- технологические процессы Аннотация: Важнейший процесс в микро- и наноэлектронных процессах - литография.Наряду с оптической литографией получили развитие методы,с помощью которых уже теперь формируются отдельные наноструктуры и прототипы устройств на наноэлектронных приборах - ИМПРИНТ и электронная литография. |
539.1/18 В 155 Валиев, К. А. Исследования в области квантовых технологий в информатике и метрологии [Текст] / К. А. Валиев // Вестник Российской академии наук. - 2003. - Т.73,N5. - Библиогр.:10 назв. . - ISSN 0869-5873
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника--Ядерная физика Кл.слова (ненормированные): информатика -- квантово-когерентные состояния -- квантовые компьютеры -- квантовые технологии -- компьютеры -- метрология -- физика Аннотация: В XXI веке ожидается вторая квантовая техническая революция,основанная на приборах,функционирующих по квантовым законам.Квантовые приборы изготавливаются нанотехнологическими методами,то есть являются продуктом нанотехнологий. |
537 О 257 Обсуждение [Текст] // Вестник Российской академии наук. - 2003. - Т.73,N5 . - ISSN 0869-5873
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника--Материаловедение--Общая радиотехника Кл.слова (ненормированные): акдемики -- алмазные материалы -- выступления -- доклады -- кластеры -- магнитострикция -- миниатюризация -- нанокомпозиты -- наноматериалы -- наноразмерные вещества -- наностол -- нанотехнологии -- нанотрубки -- наноэлементы -- наука -- обсуждения -- субмикрокристаллические материалы Аннотация: Представлены выступления академиков, чл.-корреспондентов РАН и докторов наук, принявших участие в обсуждении докладов, посвященных фундаментальным проблемам науки о веществах, материалах и функциональных устройствах в наноразмерном состоянии. Доп.точки доступа: Моисеев, И.И.; Климов, Д.М.; Спицын, Б.В.; Котов, Ю.А.; Русанов, А.И.; Микаэлян, А.Л.; Алфимов, В.В.; Раховский, В.И.; Лопота, В.А. |
001(09) К 350 Кеменов, В. П. [Рецензия] [Текст] / В. П. Кеменов // Вестник Российской академии наук. - 2004. - Т. 74, N 3. - Владимир Козьмич Зворыкин Зворыкин. - Рец. на кн.: Борисов В. П. Владимир Козьмич Зворыкин.- М.: Наука, 2002.- 150 с. . - ISSN 0869-5873
Рубрики: Наука. Науковедение--История науки--Электроника Кл.слова (ненормированные): рецензии -- биографии -- эмигранты -- электронное телевидение -- фотоэлектронные умножители -- электронно-оптические преобразователи -- преобразователи -- изобретатели -- русские ученые -- ученые Аннотация: Книга - по существу первое достаточно полное описание жизни и деятельности Владимира Козьмича Зворыкина (1889-1982) . Русскому эмигранту принадлежат фундаментальные изобретения в области электронного телевидения, пионерские разработки в области фотоэлектронных умножителей и электронно-оптических преобразователей, он стал лидером в области применеия электроники в биологии и медицине. Доп.точки доступа: Борисов, В. П. |
001(09) Г 808 Грехов, И. В. Создатель силовой полупроводниковой электроники [Текст] : к 100-летию со дня рождения академика В. М. Тучкевича / И. В. Грехов // Вестник Российской академии наук. - 2004. - Т. 74, N 12 . - ISSN 0869-5873
Рубрики: Наука. Науковедение--История науки Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): исследования -- ученые -- юбилеи -- полупроводники -- полупрводниковая электроника -- диэлектрики -- диэлектрическая электроника -- рентгеновское излучение -- германиевые диоды -- диоды -- реакторы -- тиристоры Аннотация: Академику Владимиру Максимовичу Тучкевичу - ученый, создатель силовой полупроводниковой электроники. Основными направлениями его работы были исследования электрических свойств диэлектриков и воздействия на них рентгеновского излучения; под его руководством были сделаны первые в стране мощные германиевые диоды, первые полупроводниковые устройства для бесперебойного питания реакторов атомных подводных лодок; проводились работы по созданию мощных тиристоров. Доп.точки доступа: Тучкевич, В. М. |
378 О 144 Обзор тематики диссертаций, рассмотренных ВАК Минобразования России [Текст] // Бюллетень Высшей аттестационной комиссии Министерства образования Российской Федерации. - 2004. - N 5 . - ISSN 0135-888X
Рубрики: Образование. Педагогика--Высшее профессиональное образование Кл.слова (ненормированные): диссертации -- защита диссертаций -- электроника -- приборостроение -- радиотехника Аннотация: Представлены диссертации по электронике, приборостроению и радиотехнике. |
621.384.6 Г 859 Гришин, В. К. Поляризационное тормозное излучение как средство диагностики структуры фуллеренов [Текст] / В. К. Гришин // Вестник Московского университета. Сер. 3, Физика. Астрономия. - 2004. - N 2. - Библиогр.: с. 71 (5 назв. ) . - ISSN 0201-7385
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): поляризационное тормозное излучение -- структура фуллеренов -- быстрые заряды -- атомные электроны Аннотация: Рассматриваются свойства поляризационного тормозного излучения ( ПТИ ) , возникающего в результате взаимодействия быстрых зарядов с атомными электронами, на фуллеренах. Показывается, что в этом случае ПТИ имеет ряд характерных особенностей ( осцилляции интенсивности при высоких частотах излучения, резкий всплеск интенсивности при малых чистотах ) , позволяющих идентифицировать фуллерены. |
338.45 А 910 Аствацатурьян, Е. Инструментарий управления экономической эффективностью интегрированных структур [Текст] / Е. Аствацатурьян, С. Лакина // Журнал для акционеров. - 2004. - N 5 . - ISSN 0136-0124
Рубрики: Экономика--Экономика промышленности Кл.слова (ненормированные): 21 в. -- 2004 г. -- предприятия -- компании -- холдинги -- электронная промышленность -- промышленность -- управление -- принципы управления -- стратегические планы -- планы -- бизнес-планы Аннотация: История и современное развитие холдинга "Российская электроника". Основные принципы управления холдингом: структура управления, инструменты управления, нормативное управление, финансовое управление, стратегическое управление, система контроля и влияния на решения, управление персоналом и система мотивации. Доп.точки доступа: Лакина, С.; "Российская электроника" (холдинг) |
621.375 Н 725 Новая революция: лампочка Швейкина [Текст] // Деловые люди. - 2003. - N6 . - ISSN 0868-9504
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): лазерные технологии -- лазеры -- оптические телекоммуникации -- полупроводниковые лазеры -- светодиодные излучатели -- светодиоды Аннотация: О новых российских научных открытиях и инновациях, способных внести революционный вклад в развитие мировой индустрии. |
Бабичев, Г. Г. Кремниевый однопереходный тензотранзистор [Текст] / Г. Г. Бабичев, С. И. Козловский, В. А. Романов, Н. Н. Шаран // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N4. - Библиогр.: с.71 (15 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): S-приборы -- двухбазовые диоды -- кремний -- однопереходные транзисторы -- тензотранзисторы -- тензочувствителные приборы Аннотация: Приведены результаты исследования однопереходного тензотранзистора на основе кремния. Тензотранзистор относится к тензочувствительным биполярным полупроводниковым приборам с горизонтальной структурой и входной (эмиттерной) вольт-амперной характеристикой S-типа. Определена оптимальная топология прибора, а также рассчитаны его основные характеристики. На основе однопереходного тензотранзистора могут быть созданы релаксационные генераторы с физически интегрированным преобразованием механического напряжения в изменение частоты выходного сигнала Доп.точки доступа: Козловский, С.И.; Романов, В.А.; Шаран, Н.Н. |
+ Б 903 Будзуляк, И. М. Получение, свойства и возможности применения в наноэлектронике лазерных интеркалатов [Текст] / И. М. Будзуляк, И. И. Григорчак, Б. К. Остафийчук, Л. С. Яблонь // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N6. - Библиогр.: с. 43 (8 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Физика твердого тела--Электроника Кл.слова (ненормированные): интеркаляция -- лазерные интеркалаты -- селенид галлия -- селенид цинка Аннотация: Обсуждаются результаты экспериментальных исследований структуры и электрических свойств селенида галлия и селенида индия, имеющих слоистую кристаллическую структуру, интеркалированных медью и галлием с помощью лазера Доп.точки доступа: Григорчак, И.И.; Остафийчук, Б.К.; Яблонь, Л.С. |
Дмитрук, Н. Л. Влияние гамма-облучения на характеристики фотопреобразования барьерных структур металл--арсенид галлия с текстурированной границей раздела [Текст] / Н. Л. Дмитрук, О. Ю. Борковская [и др.] // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N6. - Библиогр.: с. 48-49 (15 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): барьер Шоттки -- барьерные структуры -- гамма-облучение -- солнечные элементы -- фотопреобразование Аннотация: Проведено сравнительное исследование влияния gamma-облучения {60}Co в диапазоне доз 10{3}-2*10{5} Gy на характеристики фотопреобразования и темновые ВАХ солнечных элементов (СЭ) поверхностно-барьерного типа (Au/GaAs) в зависимости от морфологии микрорельефа границы раздела, создаваемого с целью увеличения эффективности фотопреобразования. Показано, что из двух типов морфологии микрорельефа (дендритный и квазирешеточный), полученных методом химического анизотропного травления (100) поверхности n-GaAs, более перспективным для использования в СЭ, особенно космического назначения, является микрорельеф квазирешеточного типа, поскольку он позволяет получить СЭ с большей эффективностью и радиационной стойкостью Доп.точки доступа: Борковская, О.Ю.; Конакова, Р.В.; Мамонтова, И.Б.; Мамыкин, С.В.; Войциховский, Д.И. |
+ И 608 Индутный, И. З. Градиентные светопоглощающие покрытия SiO{x}-Me для дисплейных экранов [Текст] / И. З. Индутный, П. Е. Шепелявый [и др.] // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N6. - Библиогр.: с. 72 (10 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника--Оптика Кл.слова (ненормированные): градиентные слои -- дисплеи -- светопоглощающие покрытия Аннотация: Показана возможность получения с помощью термического испарения в вакууме тонких градиентных покрытий SiO[x]-Ti (толщина <0.5 мкм), характеризующихся низким коэффициентом зеркального отражения (=<1%) в видимой области спектра. Проведены исследования оптических параметров, распределения компонент состава по толщине покрытия. Выполнено моделирование оптических характеристик градиентных слоев, результаты сопоставлены с экспериментальными данными. Показана возможность формирования на основе таких покрытий черных (светопоглощающих) матриц кинескопов и плоских дисплеев Доп.точки доступа: Шепелявый, П.Е.; Михайловская, Е.В.; Парк, Ч.В.; Ли Д, ж.Б.; До, Я.Р. |
+ П 442 Подласкин, Б. Г. Построение двойной синтезированной апертуры на фотоприемниках Мультискан для определения положения фронта перепада яркости слабоконтрастных оптических сигналов [Текст] / Б. Г. Подласкин, Е. Г. Гук, Е. В. Носенко // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N6. - Библиогр.: с. 78 (10 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника--Оптика Кл.слова (ненормированные): Мультискан-фотоприемник -- оптическая граница сред -- синтезированная апертура -- фотоприемники -- яркость Аннотация: Предложена модель двойной синтезированной апертуры на основе фотоприемников Мультискан, позволяющая определять и отслеживать в реальном времени положение фронта перепада яркости слабоконтрастных сигналов. Показано, что с помощью такой апертуры определение координаты фронта сводится к интегральной операции измерения медианы распределения фототоков модифицированных сигналов Доп.точки доступа: Гук, Е.Г.; Носенко, Е.В. |
Морозов, Ю. А. Анализ анизотропии усиления и потерь в волноведущей структуре длинноволнового лазера с междолинным переносом электронов [Текст] / Ю. А. Морозов, И. С. Нефедов, В. Н. Гусятников, В. Я. Алешкин // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N6. - Библиогр.: с. 140 (6 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): волноведущие структуры -- длинноволновые лазеры -- междолинный перенос электронов Аннотация: Анализ анизотропии усиления и потерь в волноведущей структуре длинноволнового лазера с междолинным переносом электронов Доп.точки доступа: Нефедов, И.С.; Гусятников, В.Н.; Алешкин, В.Я. |