Дмитрук, Н. Л. Влияние гамма-облучения на характеристики фотопреобразования барьерных структур металл--арсенид галлия с текстурированной границей раздела [Текст] / Н. Л. Дмитрук, О. Ю. Борковская [и др.] // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N6. - Библиогр.: с. 48-49 (15 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): барьер Шоттки -- барьерные структуры -- гамма-облучение -- солнечные элементы -- фотопреобразование Аннотация: Проведено сравнительное исследование влияния gamma-облучения {60}Co в диапазоне доз 10{3}-2*10{5} Gy на характеристики фотопреобразования и темновые ВАХ солнечных элементов (СЭ) поверхностно-барьерного типа (Au/GaAs) в зависимости от морфологии микрорельефа границы раздела, создаваемого с целью увеличения эффективности фотопреобразования. Показано, что из двух типов морфологии микрорельефа (дендритный и квазирешеточный), полученных методом химического анизотропного травления (100) поверхности n-GaAs, более перспективным для использования в СЭ, особенно космического назначения, является микрорельеф квазирешеточного типа, поскольку он позволяет получить СЭ с большей эффективностью и радиационной стойкостью Доп.точки доступа: Борковская, О.Ю.; Конакова, Р.В.; Мамонтова, И.Б.; Мамыкин, С.В.; Войциховский, Д.И. |
539.2 Б 827 Борковская, О. Ю. Влияние gamma-облучения {60}Co на формирование омических контактов в структурах металл-GaAs (Al[x]Ga[1-x]As [Текст] / О. Ю. Борковская, Н. Л. Дмитрук [и др.] // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 3. - Библиогр.: c. 48-49 (24 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела--Электроника Кл.слова (ненормированные): гамма-облучение -- кобальт -- омические контакты -- арсенид галлия -- контактное сопротивление Аннотация: Исследовались особенности формирования невыпрямляющих контактов AuGe-GaAs (Al[0. 4]Ga[0. 6]As) , подвергнутых термобработкам, облучению gamma-квантами {60}Co и комбинированным воздействиям gamma-облучения при приложении к структурам электрического смещения. Установлены корреляционные зависимости между характером межфазовых взаимодействий в структурах и величиной их контактного сопротивления. Полученные результаты интерпретируются с позиций диффузионной модели при условии перемещения границы металллического слоя. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/03/page-44.html.ru Доп.точки доступа: Дмитрук, Н. Л.; Ермолович, И. Б.; Конакова, Р. В.; Миленин, В. В. |
Гончаренко, А. В. Диэлектрическая функция твердых растворов GaPAs в области колебательного поглощения [Текст] / А. В. Гончаренко, О. С. Горя [и др.] // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N8. - Библиогр.: с. 47 (44 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): твердые растворы -- диэлектрическая функция -- диэлектрическая проницаемость -- колебательное поглощение Аннотация: Основываясь на спектрах ИК пропускания, отражения, нарушенного полного внутреннего отражения и комбинационного рассеяния света, проведена апробация различных моделей диэлектрической функции твердых растворов GaPAs. Показано, что использование моделей, учитывающих различие времен поперечной и продольной колебательной релаксации, а также распределение ТО-фононов по частоте, позволяет с разумной точностью описать экспериментальные спектры Доп.точки доступа: Горя, О.С.; Дмитрук, Н.Л.; Михайлик, А.А.; Романюк, В.Р. |
539.2 Б 321 Бачериков, Ю. Ю Влияние быстрого термического отжига на свойства тонких диэлектрических пленок оксидов гадолиния, титана и эрбия на поверхности карбида кремния [Текст] / Ю. Ю Бачериков, Н. Л. Дмитрук [и др.] // Журнал технической физики. - 2007. - Т. 77, N 2. - С. 107-112. - Библиогр.: c. 111-112 (15 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): атомно-силовая микроскопия; диэлектрические пленки; карбид кремния; оксид гадолиния; оксид титана; оксид эрбия; термический отжиг; тонкие пленки; фотолюминесценция; эллипсометрия Аннотация: Методами атомно-силовой микроскопии, монохроматической эллипсометрии, оптического поглощения и фотолюминесценции исследовано влияние быстрого термического отжига (БТО) на свойства пленок оксидов Ti, Ga, Er на карбиде кремния. Проведен также анализ атомарного состава исследуемых пленок в зависимости от времени БТО. Показано, что в зависимости от времени БТО можно изменять фазовый состав пленок оксидов Ti, Ga, Er на карбиде кремния. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2007/02/p107-112.pdf Доп.точки доступа: Дмитрук, Н. Л.; Конакова, Р. В.; Кондратенко, О. С.; Литвин, О. С.; Миленин, В. В.; Охрименко, О. Б.; Капитанчук, Л. М.; Светличный, А. М.; Поляков, В. В.; Шелкунов, А. А. |
Формирование оксидных пленок титана на поверхности пористого карбида кремния [Текст] / Ю. Ю. Бачериков [и др. ] // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 9. - С. 130-133. - Библиогр.: c. 133 (11 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): оксидные пленки -- титан -- оксид титана -- карбид кремния -- пористый карбид кремния -- быстрая термическая обработка -- рутил Аннотация: Рассмотрено влияние быстрой термической обработки (БТО) на свойства пленки титана на поверхности пористого карбида кремния. Показано, что повышение температуры БТО до 900{o}C стабилизирует фазовый состав возникающего оксида титана по всей толщине пленки, при этом фазовый состав полученных окисленных слоев идентифицируется как рутил. Зарегистрировано появление дополнительной полосы фотолюминесценции в области 2. 5 eV, связанной с образованием при воздействии БТО нанокластеров оксида титана. На основании данных оже-спектрометрии предложена многослойная модель, с помощью которой проведен расчет оптических параметров пленок оксида титана на пористом карбиде кремния. Доп.точки доступа: Бачериков, Ю. Ю; Дмитрук, Н. Л.; Конакова, Р. В.; Кондратенко, О. С.; Миленин, В. В.; Охрименко, О. Б.; Капитанчук, Л. М.; Светличный, А. М.; Московченко, Н. Н. |
Фотопреобразователи на основе арсенидгаллиевых диффузионных p-n-переходов, изготовленных на микрорельефной поверхности GaAs [Текст] / А. А. Акопян [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 3. - С. 385-390
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотопреобразователи -- жидкофазная эпитаксия -- гетеропереходные структуры -- арсенид галлия -- селективная диффузия -- фотопоток Аннотация: С учетом анализа массопереноса легирующей примеси (Zn) через микрорельефную поверхность GaAs методом диффузии из газовой фазы изготовлены и исследованы p-n-переходы, перспективные для фотопреобразователей. В зависимости от условий диффузии (масса диффузанта, время диффузии) возможно образование как p-n-перехода в микрорельефе, так и плоского p-n-перехода в объеме GaAs с сильно легированным приповерхностным p\{+\}-слоем. Приведены фотоэлектрические характеристики приборных структур с текстурированным p-n-переходом и тонким широкозонным окном из Al[x]Ga[1-x]As, полученным жидкофазной эпитаксией. Доп.точки доступа: Акопян, А. А.; Бахронов, Х. Н.; Борковская, О. Ю.; Дмитрук, Н. Л.; Едгорова, Д. М.; Каримов, А. В.; Конакова, Р. В.; Мамонтова, И. Б. |
538.9 В 406 Взаимодействие поверхностных плазмонов и интерференционных мод в тонкопленочных наноструктурах / Н. Л. Дмитрук [и др.]. // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2014. - Т. 99, вып. 3. - С. 146-149
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- тонкопленочные наноструктуры -- поверхностные плазмоны -- интерференционные моды -- структуры металл-полупроводник -- полупроводниковые резонаторы -- резонаторы Фабри-Перо -- Фабри-Перо резонаторы Аннотация: В поверхностных композитных структурах металл-полупроводник (Au/As[2]S[3]) обнаружено аномальное поглощение света за краем фундаментального поглощения полупроводника, обусловленное взаимодействием ближнего поля поверхностного плазмона металлических наночастиц и интерференционных (виртуальных) мод полупроводникового резонатора типа Фабри-Перо. Доп.точки доступа: Дмитрук, Н. Л.; Романюк, В. Р.; Таборская, М. И.; Чарнович, С.; Кокиньеси, С.; Юркович, Н. В.; Институт физики полупроводников им. Лашкарева НАН Украины; Институт физики полупроводников им. Лашкарева НАН Украины; Институт физики полупроводников им. Лашкарева НАН Украины; Дебреценский университет (Венгрия); Дебреценский университет (Венгрия); Ужгородский национальный университет (Украина) |