621.375 Н 725 Новая революция: лампочка Швейкина [Текст] // Деловые люди. - 2003. - N6 . - ISSN 0868-9504
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): лазерные технологии -- лазеры -- оптические телекоммуникации -- полупроводниковые лазеры -- светодиодные излучатели -- светодиоды Аннотация: О новых российских научных открытиях и инновациях, способных внести революционный вклад в развитие мировой индустрии. |
621.375 М 801 Морозов, Ю. А. Анализ влияния спонтанных флуктуаций частоты на форму линии излучения полупроводникового лазера при псевдослучайной модуляции тока накачки [Текст] / Ю. А. Морозов // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 5. - Библиогр.: c. 88 (17 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): лазеры -- модуляция тока -- полупроводниковые лазеры -- спонтанное излучение -- ток накачки Аннотация: Численными методами проведено исследование влияния случайных флуктуаций частоты, обусловленных спонтанным излучением и генерационно-рекомбинационным шумом носителей заряда на форму спектральной линии полупроводникового лазера (ПЛ) в режиме псевдослучайной модуляции тока накачки. Выделена роль спонтанного излучения и внутриимпульсной частотной модуляции в формировании спектра ПЛ. Проведен анализ влияния параметров и способа модуляции на выходные спектральные характеристики лазера. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/05/page-83.html.ru |
621.375 М 712 Мишкин, В. П. Влияние селективного химического травления на диаграмму направленности излучения полупроводникового лазера [Текст] / В. П. Мишкин, Д. О. Филатов, С. М. Некоркин, Ю. В. Кутергина // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 7. - Библиогр.: c. 80 (10 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): диаграмма направленности излучения -- квантовые ямы -- полупроводниковые лазеры -- самоформирование -- селективное травление -- химическое травление Аннотация: Исследовано влияние селективного жидкостного химического травления излучающей поверхности полупроводниковых лазеров на основе InGaP/GaAs с квантовыми ямами InGaAs на диаграмму направленности их излучения в плоскости, перпендикулярной p-n-переходу. Методом атомно-силовой микроскопии установлено, что за счет разной скорости травления материалов широкозонных слоев (InGaP) и активной области лазеров (GaAs, InGaAs) на излучающей поверхности происходит самоформирование цилиндрической линзы (собирающей или рассеивающей в зависимости от вида травителя) . Показано, что, подбирая соответствующее время травления, возможно изменять ширину диаграммы направленности лазера в плоскости, перпендикулярной p-n-переходу, в пределах 57-82` при исходной ширине диаграммы направленности на уровне 1/2 максимума, равной 66`. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/07/page-78.html.ru Доп.точки доступа: Филатов, Д. О.; Некоркин, С. М.; Кутергина, Ю. В. |
535 А 497 Алешкин, В. Я. Нелинейная генерация излучения среднего инфракрасного диапазона в двухчастотных полупроводниковых лазерах с гофрированным волноводом [Текст] / В. Я. Алешкин, А. А. Афоненко, А. А. Дубинов // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 11. - Библиогр.: c. 96 (11 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Оптика Кл.слова (ненормированные): генерация излучения -- гетероструктуры -- гофрированные волноводы -- инфракрасное излучение -- квантовые ямы -- полупроводниковые лазеры Аннотация: Рассмотрена нелинейная генерация разностной моды в инжекционном полупроводниковом лазере с квантовыми ямами. Предложена конструкция лазера на основе гетероструктуры InGaAs/GaAs/InGaP, обеспечивающая генерацию двух лазерных мод в диапазоне 1 mum и разностной моды в гофрированном волноводе в диапазоне 10-20 mum. Показано, что в лазере с шириной волновода 100 mum при мощностях коротковолновых мод 10 W мощность разностной моды среднего ИК диапазона при комнатной температуре может быть несколько микроватт. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/11/page-92.html.ru Доп.точки доступа: Афоненко, А. А.; Дубинов, А. А. |
621.382 U 88 Usanov, Дмитрий Александрович. Nonlinear Dynamics of Microwave and Optical Semoconductor Oscillators [Text] / D. A. Usanov, A. Skripal [et al.] // Известия вузов. Прикладная нелинейная динамика. - 2002. - Т.10,N3. - Библиогр.: с.168-170 (35 назв.). - Содерж. и анн. на рус. яз. . - ISSN 0869-6632
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): нелинейная динамика -- полупроводниковые лазеры -- полупроводники -- полупроводниковые генераторы -- оптические генераторы -- СВЧ генераторы -- микроволновое излучение -- автодинный режим -- лазеры Аннотация: Приведены результаты экспериментальных и теоретических исследований нелинейных явлений в полупроводниковых СВЧ и оптических генераторах. Показано, что одной из причин появления разнообразного спектра нелинейных явлений в полупроводниковых устройствах СВЧ-диапазона является изменение вида их вольтамперных характеристик при воздействии мощного мокроволнового излучения на полупроводниковые структуры. Перейти: http://cas.ssu.runnet.ru Доп.точки доступа: Skripal, Скрипаль Александр; Skripal, Скрипаль Анатолий; Abramov, Абрамов Антон; Kletsov, Клецов Алексей |
621.315.592 Г 915 Грушко, Н. С. Влияние электрических полей на пропускание двойной гетероструктуры на основе GaN с квантовой ямой [Текст] / Н. С. Грушко, Л. Н. Потанахина // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 11. - Библиогр.: с. 9 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Использование электрической энергии Кл.слова (ненормированные): нитриды -- полупроводниковые лазеры -- светодиоды -- электронные приборы -- инжекционные лазеры -- нитридные гетероструктуры -- оптоэлектроника -- фотоприемники -- токоперенос Аннотация: В работе определены параметры потенциальных барьеров (высота) исследуемой структуры AlGaN/InGaN/GaN, рассмотрены их температурные зависимости. С помощью этих параметров рассчитан коэффициент пропускания структуры без учета электрического поля и с учетом внешнего и внутреннего полей. По коэффициенту пропускания определена энергия уровней в квантовой яме, объяснен сдвиг максимумов коэффициента пропускания под действием внешнего напряжения смещения. Доп.точки доступа: Потанахина, Л. Н. |
621.375 Г 682 Гордин, А. И. Система экспресс-диагностики капиллярного кровообращения на основе методов низкочастотной обработки спекл-структуры рассеянного лазерного пучка [Текст] / А. И. Гордин, С. В. Липатов, А. В. Маругин // Приборы и техника эксперимента. - 2004. - N 6. - Библиогр.: с. 114 (14 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): лазерные пучки -- рассеяние -- капиллярное кровообращение -- диагностика -- спекл-интерферометрия -- микроциркуляция -- полупроводниковые лазеры Аннотация: Рассмотрен метод анализа динамических параметров микроциркуляции крови на основе лазерной спекл-интерферометрии с применением полупроводникового лазера и спектрально-временных алгоритмов низкочастотной обработки (от 0 до 35 Гц) . Доп.точки доступа: Липатов, С. В.; Маругин, А. В. |
Меркулов, В. Лас-Вегас-2003 [Текст] / В. Меркулов // Радио. - 2003. - N7. - Окончание.Начало:N6,2003 . -
Рубрики: Радиоэлектроника--Общие вопросы радиоэлектроники Кл.слова (ненормированные): 2003 г. -- DVD (технология) -- бытовая техника -- выставки -- международные выставки -- полупроводниковые лазеры -- радиоаппаратура -- электронное оборудование -- электростатические колонки Аннотация: Рассказывается о международной выставке-шоу электронного оборудования CES (Consumer Electronic Show),на которой были представлены домашние театры,кинотеатры и медиацентры,беспроводные комплексы радиоаппаратуры,компьютерные сети,мобильная и автомобильная электроника,внедрение цифровых методов обработки информации. |
621.375 А 90 Асеев, А. Л. Нанотехнологии в полупроводниковой электронике [Текст] / А. Л. Асеев // Вестник Российской академии наук. - 2006. - Т. 76, N 7. - С. 603-611. - Библиогр.: с. 611 (3 назв. ) . - ISSN 0869-5873
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): нанотехнологии -- полупроводниковая электроника -- электроника полупроводниковая -- наноструктуры -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- эпитаксия молекулярно-лучевая -- лазеры полупроводниковые -- полупроводниковые лазеры -- полупроводниковые излучатели -- излучатели полупроводниковые -- гетероструктуры -- квантовые ямы -- ямы квантовые -- квантовые точки -- точки квантовые -- резонаторы -- лазерные структуры -- структуры лазерные -- эпитаксиальные структуры -- структуры эпитаксиальные -- электронный газ -- газ электронный -- полупроводниковые нанотрубки -- нанотрубки полупроводниковые -- транзисторы Аннотация: В современной полупроводниковой электронике все шире используются нанотехнологии, которые обладают атомной точностью при получении полупроводниковых наноструктур с необходимым химическим составом и конфигурацией, оснащены методами комплексной диагностики наноструктур, в том числе и в процессе изготовления, что позволяет управлять технологическими процессами. В статье рассмотрены возможности нанотехнологий в решении основных задач полупроводниковой электроники. |
621.3 С 59 Соколовский, Г. С. Аномальные динамические характеристики полупроводниковых лазеров на квантовых точках, генерирующих излучение двух квантовых состояний [Текст] / Г. С. Соколовский, М. А. Каталуна [и др.] // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 1. - С. 9-16 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые лазеры -- квантовые точки -- лазерная генерация -- лазерное излучение Аннотация: Проведены эксперименты по исследованию динамики спектров излучения полупроводниковых лазеров на квантовых точках, генерирующих излучение двух квантовых состояний. При электрической накачке 30 ns импульсами через 2-5 ns после включения лазера наблюдалось полное прекращение лазерной генерации на время до 10 ns и более в зависимости от амплитуды импульса накачки. После повторного включения в лазерном излучении наблюдались короткие импульсы излучения возбужденного состояния квантовых точек длительностью 200-300 ps, следующие за короткими провалами сходной длительности (т. н. "темными импульсами") в излучении основного состояния. В качестве объяснения наблюдаемых явлений предложено изменение добротности лазера за счет перераспределения концентрации носителей между квантовыми состояниями. Доп.точки доступа: Каталуна, М. А.; Дерягин, А. Г.; Кучинский, В. И.; Новиков, И. И.; Максимов, М. В.; Жуков, А. Е.; Устинов, В. М.; Сиббет, В.; Рафаилов, Э. У. |
539.2 С 45 Скрипаль, А. В. Восстановление негармонической функции движения объекта по сигналу полупроводникового лазера, работающего в автодинном режиме [Текст] / А. В. Скрипаль, О. И. Чанилов, Д. А. Усанов, А. С. Камышанский // Известия вузов. Прикладная нелинейная динамика. - 2005. - Т. 13, N 1/2. - С. 79-87. - Библиогр.: с. 86 (8 назв. ) . - ISSN 0869-6632
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): лазеры -- полупроводниковые лазеры -- автодинные режимы -- физический эксперимент Аннотация: Рассмотрена возможность восстановления сложной негармонической функции движения объекта с помощью автодинной интерференционной системы. Приведены результаты эксперимента по определению параметров сложного негармонического движения отражателя. Показано, что применение многоступенчатой цифровой фильтрации полученного в ходе эксперимента автодинного сигнала позволяет снизить влияние шумовых искажений на восстанавливаемый сигнал. Доп.точки доступа: Чанилов, О. И.; Усанов, Д. А.; Камышанский, А. С. |
621.3 С 596 Соколовский, Г. С. Аномальные динамические характеристики полупроводниковых лазеров на квантовых точках, генерирующих излучение двух квантовых состояний [Текст] / Г. С. Соколовский, М. А. Каталуна [и др.] // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 1. - С. 9-16 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые лазеры -- квантовые точки -- лазерная генерация -- лазерное излучение Аннотация: Проведены эксперименты по исследованию динамики спектров излучения полупроводниковых лазеров на квантовых точках, генерирующих излучение двух квантовых состояний. При электрической накачке 30 ns импульсами через 2-5 ns после включения лазера наблюдалось полное прекращение лазерной генерации на время до 10 ns и более в зависимости от амплитуды импульса накачки. После повторного включения в лазерном излучении наблюдались короткие импульсы излучения возбужденного состояния квантовых точек длительностью 200-300 ps, следующие за короткими провалами сходной длительности (т. н. "темными импульсами") в излучении основного состояния. В качестве объяснения наблюдаемых явлений предложено изменение добротности лазера за счет перераспределения концентрации носителей между квантовыми состояниями. Доп.точки доступа: Каталуна, М. А.; Дерягин, А. Г.; Кучинский, В. И.; Новиков, И. И.; Максимов, М. В.; Жуков, А. Е.; Устинов, В. М.; Сиббет, В.; Рафаилов, Э. У. |
621.3 Л 960 Лютецкий, А. В. 1. 8 мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных AlInGaAs/InP-гетероструктур [Текст] / А. В. Лютецкий, К. С. Борщев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 7. - С. 883-887 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): лазерные диоды -- диоды -- квантово-размерные гетероструктуры -- лазерные гетероструктуры -- гетероструктуры -- полупроводниковые лазеры Аннотация: В системе твердых растворов AlInGaAs/InP применена концепция мощных полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения. Методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений изготовлены лазерные гетероструктуры, излучающие на длине волны 1. 75-1. 8 мкм. На базе выращенных гетероструктур созданы мощные многомодовые лазерные диоды мезаполосковой конструкции с максимальной мощностью излучения при комнатной температуре в непрерывном режиме 2. 0 и 20 Вт в импульсном режиме генерации. Внутренние оптические потери в лазерах были снижены до 2. 2 см\{-1\}. Доп.точки доступа: Борщев, К. С.; Бондарев, А. Д.; Налет, Т. А.; Пихтин, Н. А.; Слипченко, С. О.; Фетисова, Н. В.; Хомылев, М. А.; Мармалюк, А. А.; Рябоштан, Ю. Л.; Симаков, В. А.; Тарасов, И. С. |
530.1 К 899 Кукушкин, В. А. Генерация среднего инфракрасного излучения в полупроводниковых лазерах ближней инфракрасной области на низкоразмерных гетероструктурах [Текст] / В. А. Кукушкин // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 133, вып. 3. - С. 522-531. - Библиогр.: с. 530-531 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): низкоразмерные гетероструктуры -- лазеры -- полупроводниковые лазеры -- излучения -- гетероструктуры -- инфракрасное излучение -- ближняя инфракрасная область -- генерация -- среднее инфракрасное излучение Аннотация: Предложен метод генерации среднего инфракрасного излучения в полупроводниковых лазерах ближней инфракрасной области на низкоразмерных гетероструктурах. |
621.3 В 496 Винокуров, Д. А. Двухполосная генерация в квантово-размерной активной области полупроводникового лазера при высоких уровнях накачки [Текст] / Д. А. Винокуров, С. А. Зорина [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 10. - С. 1247-1250 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые лазеры -- лазеры -- асимметричные гетероструктуры -- гетероструктуры -- квантово-размерная активная область -- квантование -- двухполосная генерация Аннотация: Экспериментально исследованы спектральные и мощностные характеристики полупроводниковых лазеров на основе квантово-размерных асимметричных гетероструктур раздельного ограничения в системе твердых растворов InGaAs/GaAs/AlGaAs, при высоких уровнях накачки в импульсом режиме генерации (200 А, 100 нс и 10 кГц). Доп.точки доступа: Зорина, С. А.; Капитонов, В. А.; Лешко, А. Ю.; Лютецкий, А. В.; Налет, Т. А.; Николаев, Д. Н.; Пихтин, Н. А.; Рудова, Н. А.; Слипченко, С. О.; Соколова, З. Н.; Станкевич, А. Л.; Фетисова, Н. В.; Хомылев, М. А.; Шамахов, В. В.; Борщев, К. С.; Арсентьев, И. Н.; Бондарев, А. Д.; Трукан, М. К.; Тарасов, И. С. |
621.3 А 195 Аверкиев, Н. С. Нелинейно-оптические эффекты в полупроводниковых лазерах на основе квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs/AlGaAs [Текст] / Н. С. Аверкиев, С. О. Слипченко [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 3. - С. 372-375 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): лазеры -- полупроводниковые лазеры -- нелинейно-оптические эффекты -- гетероструктуры -- квантово-размерные гетероструктуры -- лазерные гетероструктуры -- электромагнитные волны Аннотация: Теоретически исследована возможность преобразования двух распространяющихся в гетеролазере электромагнитных волн в волну разностной частоты. Расчеты проведены для лазерных квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs/AlGaAs, ранее оптимизированных для получения максимальной мощности в полупроводниковом лазере. Показано, что фазовый синхронизм между начальными волнами и волной разностной частоты может сохраняться на длине ~1 мм, сравнимой с длиной резонатора лазера (2-3 мм), а коэффициент преобразования может достигать нескольких процентов. Доп.точки доступа: Слипченко, С. О.; Соколова, З. Н.; Пихтин, Н. А.; Тарасов, И. С. |
621.3 В 496 Винокуров, Д. А. Насыщение ватт-амперных характеристик мощных лазеров (ламбда=1. 0-1. 8 мкм) в импульсном режиме генерации [Текст] / Д. А. Винокуров, В. А. Капитонов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 8. - С. 1003-1009 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): лазеры раздельного ограничения -- полупроводниковые лазеры -- твердые растворы -- импульсный режим генерации -- ватт-амперные характеристики -- спектральные характеристики Аннотация: Исследованы спектральные и ватт-амперные характеристики лазеров раздельного ограничения на основе твердых растворов InAlGaAs/InP и InGaAsP/InP, излучающие в диапазоне длин волн 1. 5-1. 8 мкм при высоких уровнях возбуждения (до 80 кА/см\{2\}) в импульсном режиме генерации (100 нс, 10 кГц). Показано, что интенсивность максимума спектра генерации с увеличением тока накачки насыщается и дальнейшее увеличение излучаемой оптической мощности достигается за счет расширения спектра генерации в коротковолновую область, аналогично лазерам на подложках GaAs с ламбда=1. 04 мкм. Экспериментально установлено, что расширение спектра генерации в коротковолновую область связано с увеличением порогового тока и с ростом концентрации носителей заряда в активной области. В импульсном режиме за порогом генерации концентрация носителей заряда в активной области возрастает в 6-7 раз и может достигать величины 10\{19\} см\{-3\}. Показано, что в лазерах InAlGaAs/InP и InGaAsP/InP с ростом тока накачки наступает насыщение ватт-амперных характеристик в импульсном режиме генерации. Экспериментально установлена корреляция насыщения ватт-амперной характеристики с ростом порогового тока в активной области при увеличении тока накачки. С ростом тока накачки обнаружены рост концентрации носителей заряда и последовательное заполнение инжектированными электронами активной области и волноводных слоев, а при больших токах накачки наблюдается стимулированное излучение из волновода. Доп.точки доступа: Капитонов, В. А.; Лютецкий, А. В.; Пихтин, Н. А.; Слипченко, С. О.; Соколова, З. Н.; Станкевич, А. Л.; Хомылев, М. А.; Шамахов, В. В.; Борщев, К. С.; Арсентьев, И. Н.; Тарасов, И. С. |
621.315.592 Л 960 Лютецкий, А. В. Вклад оже-рекомбинации в насыщение ватт-амперных характеристик мощных полупроводниковых лазеров (ламбда=1. 0-1. 9 мкм [Текст] / А. В. Лютецкий, К. С. Борщев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 1. - С. 106-112
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые лазеры -- лазеры -- оже-рекомбинация -- ватт-амперные характеристики Аннотация: В импульсном режиме генерации исследованы спектральные и ватт-амперные характеристики лазеров на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения InGaAs/InGaAsAl/InP и InGaAs/GaAs/AlGaAs/GaAs. Показано, что при высоких уровнях токовой накачки в полупроводниковых лазерах ближнего инфракрасного диапазона излучения концентрация носителей заряда в активной области возрастает за порогом генерации и наблюдается насыщение ватт-амперных характеристик. Теоретически исследованы процессы, происходящие в лазерах при возрастании концентрации носителей заряда за порогом генерации. Доп.точки доступа: Борщев, К. С.; Пихтин, Н. А.; Слипченко, С. О.; Соколова, З. Н.; Тарасов, И. С. |
621.315.592 М 801 Морозов, Ю. А. Нелинейно-оптическое преобразование частоты в двухцветном лазере с вертикальным внешним резонатором [Текст] / Ю. А. Морозов, И. С. Нефедов, T. Leinonen, М. Ю. Морозов // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 4. - С. 473-479 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые лазеры -- квантово-каскадные лазеры -- генерация разностной частоты -- нелинейные кристаллы -- резонатор Фабри-Перо -- Фабри-Перо резонатор Аннотация: Численными методами исследовано нелинейно-оптическое преобразование, сопровождающееся генерацией разностной частоты в длинноволновой области среднего инфракрасного диапазона (~17. 7 мкм) в двухчастотном лазере с вертикальным внешним резонатором. Нелинейный кристалл на основе GaAs встроен в состав выходного зеркала лазера и одновременно помещен в резонатор Фабри-Перо, настроенный на разностную частоту. Показано, что зависимость эффективности нелинейного преобразования от толщины кристалла имеет ярко выраженный резонансный характер, причем пиковые значения мощности оптического излучения в среднем инфракрасном диапазоне составляют порядка единиц милливатт при значениях параметров лазера и накачки, легко достижимых в эксперименте. Доп.точки доступа: Нефедов, И. С.; Leinonen, T.; Морозов, М. Ю. |
Глазков, Д. В. Качественный анализ сингулярно возмущенных моделей одного класса оптико-электронных систем [Текст] / Д. В. Глазков // Известия вузов. Прикладная нелинейная динамика. - 2008. - Т. 16, N 4. - С. 167-181 : 2 рис. - Библиогр.: с. 180-181 (30 назв. ). - В оглавлении рубрика озаглавлена: "Материалы VIII Международной школы "Хаотические автоколебания и образование структур", Саратов, Россия, октябрь 9-14, 2007". . - ISSN 0869-6632
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): нелинейная динамика -- оптико-электронные системы -- лазеры -- полупроводниковые лазеры Аннотация: Изучаются две модели полупроводникового лазера с запаздывающей обратной связью. Рассматривается случай большого параметра, наличие которого приводит к сингулярно возмущенным задачам. Строятся и исследуются квазинормальные формы моделей в случаях, близких к критическим. |