621.398 В 191 Васильева, Н. П. (д-р техн.наук). Магнитные запоминающие устройства с произвольной выборкой [Текст] / Н. П. Васильева // Автоматика и телемеханика. - 2003. - N9. - Библиогр.:c.22-23(26назв.) . - ISSN 0005-2310
Рубрики: Радиоэлектроника--Автоматика и телемеханика--Общие вопросы радиоэлектроники Кл.слова (ненормированные): микроэлектроника -- наноэлектроника -- магнитные устройства -- ЗУПВ -- запоминающие устройства -- магниторезистивные ЗУПВ -- микроэоектронные механические системы (MEMS) -- квантово-оптические ЗУПВ -- спинтроника -- спиновая электроника -- многослойные тонкопленочные магнитные наноструктуры с ГМР эффектом -- магнитные туннельные переходы -- туннельные переходы -- спин-туннельные устройства Аннотация: Настоящий обзор посвящен новым видам перспективных магнитных запоминающих устройств с произвольной выборкой. Рассмотрены принципы действия, конструкции, характеристики и состояние разработок магниторезистивных, микроэлектронных механических и квантово-оптических устройств. Перейти: www:http://www.apr.ru Доп.точки доступа: Касаткин, С.И. |
538.945 Ю 150 Югай, Клементий Николаевич. Динамический хаос и макроскопические квантовые явления в длинных джозефсоновских переходах [Текст] / К.Н Югай, Н. В. Блинов, И. В. Широков // Известия вузов. Прикладная нелинейная динамика. - 2001. - Т.9,N2. - Библиогр.: с.58-59 (10 назв.). - Материалы Второй международной конференции "Фундаментальные проблемы физики", 9-14 октября 2000, Саратов, Россия . - ISSN 0869-6632
Кл.слова (ненормированные): динамический хаос -- квантовые явления -- джосефсоновские переходы -- стационарные состояния -- сверхпроводники -- туннельные переходы -- квантование магнитного потока Аннотация: В статье показано, что в асимптотических стационарных состояниях квантовое число, характеризующее магнитный поток в длинном джозефсоновском переходе, является целым. В нестационарных состояниях квантовое число принимает как целое, так и получелое значение. В состояниях динамического хаоса переходы между состояниями и время пребывания в каком-либо состоянии носят нерегулярный характер. Перейти: http://cas.ssu.runnet.ru Доп.точки доступа: Блинов, Николай Валерьевич (1960-); Широков, Игорь Викторович (1963-) |
539.2 Т 572 Тонконогов, М. И. Нелинейная теория спектров термостимулированных токов в сложных кристаллах с водородными связями [Текст] / М. И. Тонконогов, Ж. Т. Исмаилов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N10. - Библиогр.: с.84 (10 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): кристаллы с водородными связями -- миграция протонов -- термостимулированные токи -- туннельные переходы Аннотация: Развивается нелинейная теория термостимулированных токов деполяризации, объясняющая процессы релаксации гетеро- и гомозаряда в сложных кристаллах с водородными связями и позволяющая рассчитывать параметры релаксаторов в квадратичном приближении по внешнему электрическому полю Доп.точки доступа: Исмаилов, Ж.Т.; Тимохин, В.М.; Фазылов, К.К.; Калитка, В.А.; Баймуханов, З.К. |
539.2 Б 825 Борисов, В. И. Туннельное магнитосопротивление в переходах типа металл-диэлектрик-металл с большой площадью контакта [Текст] / В. И. Борисов, А. И. Крикунов, А. И. Чмиль, П. Е. Зильберман // Радиотехника и электроника. - 2004. - Т. 49, N 1. - Библиогр.: с. 90 (16 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): туннельное магнитосопротивление -- туннельные магнитные переходы -- магнитосопротивление -- туннельные переходы Аннотация: Синтезированы туннельные магнитные переходы "пермаллой-кобальт" с ультратонким разделяющим слоем из Al[2]О[3], имеющие большую площадь туннельного контакта. Измерены зависимости гигантского магнитосопротивления переходов от поля и угла. Относительное магнитосопротивление переходов при комнатной температуре составляет примерно 5%. Перейти: http: //www. maik. ru Доп.точки доступа: Крикунов, А. И.; Чмиль, А. И.; Зильберман, П. Е. |
Эффекты переключения токовых каналов и новый механизм магнитосопротивления в туннельной структуре [Текст] / Н. В. Волков [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 21. - С. 33-41 : ил. - Библиогр.: с. 41 (7 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): транспортные свойства -- туннельные структуры -- La[0. 7]Sr[0. 3]MnO[3] -- токовые каналы -- эффекты переключения токовых каналов -- магнитосопротивление -- механизмы магнитосопротивления -- магниты -- проводящие слои -- обедненные слои -- потенциальные барьеры -- MnSi -- марганец -- ток -- интерфейсы структуры -- вольт-амперные характеристики -- положительное магнитосопротивление -- особенности транспортных свойств -- механизмы переключения -- сопротивление (физика) -- туннельные переходы -- магнитные поля Аннотация: Исследованы транспортные свойства туннельной структуры La[0. 7]Sr[0. 3]MnO[3]/обедненный слой манганита/MnSi. Роль потенциального барьера между проводящими слоями La[0. 7]Sr[0. 3]MnO[3] и MnSi играет обедненный марганцем слой манганита. Исследования проводились в геометрии, при которой ток параллелен плоскости интерфейсов структуры. Обнаружены нелинейность ВАХ структуры и положительное магнитосопротивление, величина которого зависит от тока через структуру. Предполагается, что особенности транспортных свойств связаны с эффектом переключения токового канала между проводящими слоями структуры. В основе механизма переключения - зависимость сопротивления туннельного перехода между проводящими слоями от смещения на нем и величины магнитного поля. Доп.точки доступа: Волков, Н. В.; Еремин, Е. В.; Цикалов, В. С.; Патрин, Г. С.; Ким, П. Д.; Yu, S. -C.; Kim, D. -H.; Chau, N. |
Хачатурова, Т. А. Эффект спиновой фильтрации в двойных туннельных переходах: двухзонная модель электронной структуры магнитных диэлектриков [Текст] / Т. А. Хачатурова, М. А. Белоголовский, А. И. Хачатуров // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91, вып: вып. 8. - С. 442-445
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): спиновая фильтрация -- спиновые фильтры -- туннельные переходы -- двойные туннельные переходы -- двухзонные модели -- магнитные диэлектрики -- края валентной зоны -- валентные зоны -- изоляторы -- уровень Ферми -- Ферми уровень Аннотация: Обсуждается влияние верхнего края валентной зоны изолятора на эффект спиновой фильтрации в туннельных структурах с наноразмерными слоями магнитного диэлектрика. Показано, что в том случае, когда уровень Ферми находится посередине запрещенной зоны диэлектрика, данный эффект полностью исчезает при нулевом напряжении смещения и существенно подавляется при конечных напряжениях. Указанное обстоятельство и является основной причиной наблюдавшегося недавно гигантского расхождения между теоретическими значениями магнетосопротивления двойных туннельных спиновых фильтров и соответствующими экспериментальными данными. Доп.точки доступа: Белоголовский, М. А.; Хачатуров, А. И. |
Вьюхин, В. Н. Спектрометр туннельных токов [Текст] / В. Н. Вьюхин, Ю. А. Попов // Приборы и техника эксперимента. - 2009. - N 4. - С. 98-101. - Библиогр.: с. 101 (3 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Технология металлов Металловедение в целом Кл.слова (ненормированные): туннельные токи -- спектрометры -- гелиевые температуры -- туннельные переходы -- металл-полупроводник-металл Аннотация: Описан прибор, предназначенный для измерения малых нелинейностей туннельных переходов металл-полупроводник-металл при гелиевых температурах. Доп.точки доступа: Попов, Ю. А. |
Матизен, Э. В. Статистика лавин в состоянии самоорганизованной критичности джозефсоновской решетки [Текст] / Э. В. Матизен, В. Г. Мартынец, П. П. Безверхий // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 138, вып: вып. 2. - С. 348-352. - Библиогр.: с. 352 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): статистика лавин -- лавины магнитного потока -- магнитные потоки -- джозефсоновские решетки -- решетки -- состояние самоорганизованной критичности -- туннельные переходы -- сверхпроводник-изолятор-сверхпроводник Аннотация: Исследуется статистика лавин магнитного потока, которые возникают при температурах жидкого гелия в больших регулярных джозефсоновских решетках с переходами сверхпроводник-изолятор-сверхпроводник в состоянии самоорганизованной критичности. Доп.точки доступа: Мартынец, В. Г.; Безверхий, П. П. |
539.21:537 М 193 Малишевский, А. С. Черенковское излучение вихря в анизотропный диэлектрик [Текст] / А. С. Малишевский, авт. С. А. Урюпин // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 8. - С. 59-63. - Библиогр.: c. 63 (10 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): анизотропные диэлектрики -- черенковское излучение -- джозефсоновские вихри -- вихри -- сандвичи -- вектор Пойнтинга -- Пойтинга вектор -- анизотропия диэлектрической проницаемости -- мощность радиационных потерь -- радиационные потери -- потери энергии вихря -- туннельные переходы -- транспортный ток Аннотация: Изучены поля, создаваемые джозефсоновским вихрем, движущимся в сандвиче, помещенном в анизотропный диэлектрик. Когда скорость вихря превосходит скорость света в направлении нормали к поверхности сандвича, возникает черенковское излучение электромагнитных волн, уходящих от сандвича в глубь диэлектрика. Найден вектор Пойнтинга уходящих волн. Показано, что направленность излучения существенно зависит от степени анизотропии диэлектрической проницаемости. Определена мощность радиационных потерь вихря и установлена связь транспортного тока со скоростью вихря. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/08/p59-63.pdf Доп.точки доступа: Урюпин, С. А. |
538.9 С 301 Семейство сверхпроводниковых устройств на основе графена [Текст] / М. Тарасов [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 94, вып. 4. - С. 353-356
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): сверхпроводниковые устройства -- графен -- туннельные переходы -- болометры на холодных электронах Аннотация: Разработано, изготовлено и исследовано семейство высокочувствительных устройств на основе наномостика из графена и сверхпроводниковых электродов, которые могут стать основой для создания интегрального приемника на базе графена. Исследован прототип болометра на холодных электронах с туннельными переходами сверхпроводник-изолятор-нормальный металл (СИН). Измерен его отклик на изменение температуры и внешнего СВЧ-излучения. Исследован сверхпроводниковый квантовый интерферометр с полоской графена в качестве слабой связи между сверхпроводящими электродами. Измерена соответствующая модуляция напряжения магнитным полем при заданном токе. Для этих образцов исследовано влияние напряжения затвора на сопротивление графена. Для подтверждения однослойности графена проведено измерение его толщины в атомно-силовом микроскопе, а также квантового эффекта. Доп.точки доступа: Тарасов, М.; Линдвалл, Н.; Кузьмин, Л.; Юргенс, А. |
539.2 О-432 Одновременная генерация мод TE[1] и TE[2] с разными длинами волн в полупроводниковом лазере с туннельным переходом [Текст] / В. Я. Алешкин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 5. - С. 652-656 : ил. - Библиогр.: с. 656 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): генерация мод -- моды (физика) -- двухчастотная генерация -- лазеры -- гетеролазеры -- p-n переходы -- активная область -- длина волн -- туннельные переходы -- квантовые ямы -- КЯ -- волноводы -- комнатная температура Аннотация: Получена и исследована двухчастотная генерация в новом классе инжекционных гетеролазеров - межзонном двухкаскадном лазере с туннельным p-n-переходом, разделяющим две активные области с квантовыми ямами, расположенными в одном и том же волноводе. Созданная конструкция лазера обеспечила одновременную генерацию TE моды 1-го порядка с длиной волны 1. 086 мкм и TE моды 2-го порядка с длиной волны 0. 96 мкм в непрерывном режиме при комнатной температуре. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/05/p652-656.pdf Доп.точки доступа: Алешкин, В. Я.; Бабушкина, Т. С.; Бирюков, А. А.; Дубинов, А. А.; Звонков, Б. Н.; Колесников, М. Н.; Некоркин, С. М. |
539.2 А 139 Абдулкадыров, Д. В. Гигантское изменение магнитоимпеданса магнитного туннельного перехода переменным напряжением смещения [Текст] / Д. В. Абдулкадыров, авт. Н. Н. Белецкий // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 5. - С. 936-943. - Библиогр.: с. 943 (17 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): туннельные переходы -- электроны -- переменное напряжение смещения -- переменные электрическоие поля -- магнитоимпеданс Аннотация: Исследовано туннелирование электронов через нестационарный магнитный туннельный переход в приближении малой амплитуды переменного электрического поля. Предсказан эффект гигантского изменения магнитоимпеданса магнитного туннельного перехода, возникающий при некоторых частотах переменного напряжения смещения. Исследована зависимость эффекта гигантского изменения магнитоимпеданса от высоты и толщины туннельного магнитного перехода, а также от величины постоянного напряжения смещения. Доп.точки доступа: Белецкий, Н. Н. |
539.2 А 659 Андрианов, В. А. О сигнале пассивного электрода в рентгеновских детекторах на базе сверхпроводящих туннельных переходов [Текст] / В. А. Андрианов, В. П. Кошелец, Л. В. Филиппенко // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 8. - С. 1466-1472. - Библиогр.: с. 1472 (20 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): туннельные переходы -- детекторы -- электроды -- рентгеновских детекторы Аннотация: Исследованы рентгеновские детекторы на базе сверхпроводящих туннельных переходов с многослойной структурой электродов, которая описывалась формулой Ti/Nb/Al, AlO[x]/Al/Nb/NbN. Основной сигнал возникал при поглощении квантов в верхнем электроде и имел энергетическое разрешение около 90 eV на линии 5. 9 keV. Нижний пассивный электрод Ti/Nb обеспечивал быстрое поглощение избыточных квазичастиц. Остаточный сигнал пассивного электрода составлял от 7 до 17% от амплитуды основного сигнала. Измерены зависимости амплитуды этого сигнала от напряжения и энергии поглощенного кванта для детекторов с различной толщиной верхнего и нижнего электродов. Оценена скорость захвата квазичастиц в энергетическую ловушку в бислое Ti/Nb. Рассмотрены основные механизмы образования сигнала пассивного электрода и предложены методы его подавления. Доп.точки доступа: Кошелец, В. П.; Филиппенко, Л. В. |
538.915 К 434 Кирпиченков, В. Я. Нижнее критическое поле длинного джозефсоновского S-I-S-туннельного контакта с квантовыми закоротками в I-слое [Текст] / В. Я. Кирпиченков, Н. В. Кирпиченкова, О. И. Лозин // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 7. - С. 1018-1020. - Библиогр.: c. 1020 (4 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): I-слои -- S-I-S-туннельный контакт -- внешнее магнитное поле -- длинные контакты -- квантовые закоротки -- квантовые резонансно-перколяционные траектории -- мезоскопические флуктуации -- нижнее критическое магнитное поле -- туннельные переходы -- энергии туннельных резонансов Аннотация: Приведен вывод формул, в которых при температуре T=0 в области энергий туннельных резонансов длинного S-I-S (сверхпроводник-изолятор-сверхпроводник) туннельного контакта со слабым (малые концентрации примеси) структурным беспорядком в I-слое нижнее критическое поле и величина его мезоскопических структурных флуктуаций представлены в виде сумм по квантовым резонансно-пекколяционным траекториям (квантовым закороткам), случайно образующимся в неупорядоченном I-слое. Доп.точки доступа: Кирпиченкова, Н. В.; Лозин, О. И. |
538.915 К 434 Кирпиченков, В. Я. Влияние туннельных резонансов на радиационные потери флуксона в длинном S-I-S-туннельном контакте со слабым структурным беспорядком в I-слое [Текст] / В. Я. Кирпиченков, Н. В. Кирпиченкова, О. И. Лозин // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 8. - С. 1135-1137. - Библиогр.: c. 1137 (3 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): I-слои -- S-I-S-туннельный контакт -- квантовые закоротки -- квантовые резонансно-перколяционные траектории -- радиационное трение -- туннельные переходы -- флуксоны -- энергии туннельных резонансов Аннотация: Получено выражение для плотности тока "смещения", компенсирующего радиационные потери флуксона, движущегося в туннельном S-I-S-контакте (сверхпроводник-изолятор-сверхпроводник) с туннельными резонансами - квантовыми резонансно-перколяционныеми траекториями (квантовыми закоротками), случайно образующимися в неупорядоченном I-слое. Доп.точки доступа: Кирпиченкова, Н. В.; Лозин, О. И. |
539.21:537 Ф 796 Формирование диэлектрических барьеров в ферромолибдате стронция и туннельный магниторезистивный эффект / С. Е. Демьянов [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 12. - С. 25-34 : ил. - Библиогр.: с. 33-34 (8 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): ферромолибдат стронция -- диэлектрические барьеры -- магниторезистивные эффекты -- металлооксидные соединения -- изотермические процессы -- рентгеновская дифракция -- методы рассеяния нейтронов -- малоугловое рассеяние -- диэлектрические свойства -- температурные зависимости -- туннельные переходы -- перенос излучения -- магнитосопротивление Аннотация: Сравнительные исследования однофазного металлооксидного соединения ферромолибдата стронция и Sr[2]FeMoO[6-delta], подвергнутого дополнительному изотермическому воздействию, показали, что по данным рентгеновской дифракции после термообработки образуется фаза SrMoO[4]. Методом малоуглового рассеяния нейтронов установлено, что SrMoO[4] образует диэлектрическую оболочку вокруг зерен Sr[2]FeMoO[6-delta] с характерной толщиной порядка 2-4 nm и протяженностью свыше 120 nm. Изменение температурных зависимостей электросопротивления от металлического типа проводимости в однофазном Sr[2]FeMoO[6-delta] к полупроводниковому в материале с диэлектрической оболочкой свидетельствует о возникновении туннельного механизма переноса заряда. Это подтверждается увеличением отрицательного магниторезистивного эффекта однофазного соединения за счет появления туннельного магнитосопротивления того же знака. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/12/p25-34.pdf Доп.точки доступа: Демьянов, С. Е.; Каланда, Н. А.; Авдеев, Л. В.; Желудкевич, М. Л.; Haramus, V. M.; Willumeit, R. |
535.2/.3 П 535 Получение и исследование p-n-структур с кристаллическими включениями в области пространственного заряда / В. С. Калиновский [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 12. - С. 1677-1680 : ил. - Библиогр.: с. 1680 (7 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физическая оптика Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): соединительные элементы -- солнечные фотопреобразователи -- фотопреобразователи -- ФП -- p-n переходы -- туннельные переходы -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- омическое сопротивление -- многопереходные солнечные элементы -- солнечные элементы -- оптическое излучение Аннотация: Предложена новая модель соединительных элементов для монолитных многопереходных солнечных фотопреобразователей на основе соединений A{III}B{V}, где вместо туннельных p{++}-n{++}-переходов используются p-n-переходы с кристаллическими включениями инородного полупроводникового материала в области пространственного заряда. Исследования показали, что введение кристаллических включений в область пространственного заряда p-n-перехода в структуре на основе GaSb позволяет обеспечить прохождение тока ~50 А/см{2} при значениях омического сопротивления на уровне ~0. 01 Ом x см{2}. Полученные характеристики соединительных элементов с кристаллическими включениями демонстрируют возможность их использования в многопереходных солнечных элементах при преобразовании концентрированного оптического излучения. In the work, a new model of connecting elements for multi-junction solar cells based on III–V compounds has been proposed, according to which, instead of tunneling p{++} -n{++}- junctions, connecting elements with crystalline inclusions of an foreign semiconductor material in the space charge region are used. The investigations carried out have shown that introduction of crystalline inclusions into space charge region of the p-njunctions allows flowing the high current densities ~ 50A/cm{2} at ohmic losses corresponding to about 0. 01Ohm x cm{2}. The measured characteristics of the connecting elements with crystalline inclusions in the space charge region demonstrate the prospects and the feasibility of their use in multi-junction solar cells for conversion of the concentrated light. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/12/p1677-1680.pdf Доп.точки доступа: Калиновский, В. С.; Левин, Р. В.; Пушный, Б. В.; Мизеров, М. Н.; Румянцев, В. Д.; Андреев, В. М.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук (Санкт-Петербург); Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург) |
539.21:537 И 208 Иванов, О. Н. Электропроводность объемного композита на основе наночастиц Bi[2] Te[3]@ SiO[2] / О. Н. Иванов, О. Н. Марадудина, Р. А. Любушкин // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 2. - С. 37-44 : ил. - Библиогр.: с. 44 (5 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): композиты -- электропроводность -- наночастицы -- синтезированные наночастицы -- термоэлектрические свойства -- объемные композиты -- теплопроводность -- носители заряда -- туннелирование -- полупроводниковые зерна -- диэлектрические слои -- электрическое сопротивление -- температурные зависимости -- туннельные переходы Аннотация: Впервые синтезированы наночастицы "ядро Bi[2]Te[3]" - "оболочка SiO[2]". Такие наночастицы предназначены для создания объемных композитов с высокой термоэлектрической добротностью. Предполагается, что в объемных композитах на основе наночастиц Bi[2]SiO[2] можно обеспечить сочетание низкой решеточной теплопроводности за счет наличия диэлектрика SiO[2] и достаточно высокой электропроводности за счет туннелирования носителей заряда из одного полупроводникового зерна Bi[2]Te[3] в соседнее полупроводниковое зерно через тонкий диэлектрический слой между зернами. Установлено, что удельное электрическое сопротивление композита возрастает с уменьшением температуры и в интервале 130-300 K температурная зависимость сопротивления может быть описана в рамках туннельной проводимости. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/02/p37-44.pdf Доп.точки доступа: Марадудина, О. Н.; Любушкин, Р. А.; Белгородский государственный национальный исследовательский университет (Белгород); Белгородский государственный национальный исследовательский университет (Белгород)Белгородский государственный национальный исследовательский университет (Белгород) |
539.21:537 С 721 Спиновая инжекция электронов в светоизлучающих диодах на основе структур GaMnAs/GaAs/InGaAs с туннельным переходом / М. В. Дорохин [и др.]. // Журнал технической физики. - 2014. - Т. 84, № 12. - С. 102-106. - Библиогр.: c. 106 (18 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): спиновая инжекция электронов -- светоизлучающие диоды -- туннельные переходы -- циркулярно-поляризованная электролюминесценция -- электролюминесценция -- гетероструктуры -- циркулярная поляризация -- гистерезис -- инжекция спин-поляризованных электронов -- ферромагнитные полупроводники Аннотация: Исследована циркулярно-поляризованная электролюминесценция светоизлучающих диодов на основе гетероструктур GaMnAs/n{++}GaAs/n-GaAs/InGaAs/p-GaAs. Зависимость степени циркулярной поляризации от магнитного поля может быть описана петлей гистерезиса, что связывается с инжекцией спин-поляризованных электронов из намагниченного GaMnAs. Эффект наблюдается в диапазоне температур 10-90 K. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2014/12/p102-106.pdf Доп.точки доступа: Дорохин, М. В.; Малышева, Е. И.; Звонков, Б. Н.; Здоровейщев, А. В.; Данилов, Ю. А.; Николичев, Д. Е.; Боряков, А. В.; Зубков, С. Ю.; Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского; Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского; Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского; Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского; Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского; Научно-образовательный центр "Физика твердотельных наноструктур" Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского; Научно-образовательный центр "Физика твердотельных наноструктур" Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского; Научно-образовательный центр "Физика твердотельных наноструктур" Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского |