537.312.7 К 903 Куликов, В. Д. Кинетика радиационно-индуцированной проводимости кристаллов CsI в сильных электрических полях [Текст] / В. Д. Куликов // Известия вузов. Физика. - 2001. - Т.44,N7. - Библиогр.: с.65 (10 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): радиационно-индуцированная проводимость -- облучение -- ударная ионизация Аннотация: Проведены исследования кинетики радиационно-индуцированной проводимости (РИП) кристаллов CsI при рентгеновском возбуждении в зависимости о напряженности электрического поля и температуры. Показано, что увеличение проводимости в сильном электрическом поле обусловлено переводом электронов по механизму ударной ионизации с уровней захвата в зону проводимости диэлектрика |
539.196 В 145 Вайсбурд, Д. И. Две составляющие полного сечения ионизации атома и молекулы электронным ударом - резонансное возбуждение и распад электронно-дырочной ферми-системы и дипольный переход электрона из связанного в свободное состояние в результате бинарного столкновения [Текст] / Д. И. Вайсбурд, К. Е. Евдокимов // Известия вузов. Физика. - 2003. - Т. 46, N 11. - Библиогр.: 31 назв. . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Молекулярная физика Кл.слова (ненормированные): ионизация атома -- электронный удар -- резонансное возбуждение -- ферми-система -- бинарное столкновение -- сечение ионизации -- ударная ионизация Аннотация: Проанализирован большой объем экспериментальных данных о сечении атомов и молекул электронным ударом, полученных разными авторами и раличными методами. В работе обнаружено, что экспериментальная зависимость Q (E) в области максимума описывается резонансной кривой типа распределения Лоренца. Предполагается, что основной вклад в ионизацию атома медленным электроном вносят резонансное возбуждение и распад электронно-дырочной ферми-системы. Доп.точки доступа: Евдокимов, К. Е. |
539.1/.18 К 58 Кожевников, В. Ю. Дрейфовая модель прикатодных областей тлеющего разряда [Текст] / В. Ю. Кожевников, А. В. Козырев, Ю. Д. Королев // Физика плазмы. - 2006. - Т. 32, N 11. - С. 1027-1038. - Библиогр.: с. 1038 (19 назв. ). - ил.: 4 рис., 1 табл. . - ISSN 0367-2921
Рубрики: Физика--Ядерная физика Кл.слова (ненормированные): плазма -- низкотемпературная плазма -- дрейфовые модели -- тлеющие разряды -- электрические поля -- движения электронов -- ударная ионизация -- прикатодные области Аннотация: Представлена одномерная теория прикатодной области тлеющего разряда в дрейфовом приближении движения электронов и ионов с учетом процессов как ударной ионизации атомов электронами, так и гибели заряженных частиц. Найдено точное решение уравнений модели для случая одинаковых степенных зависимостей дрейфовых скоростей ионов и электронов от величины напряженности электрического поля. Доп.точки доступа: Козырев, А. В.; Королев, Ю. Д. |
538.9 К 995 Кюрегян, А. С. Влияние диффузии на скорость распространения стационарных волн ударной ионизации в полупроводниках [Текст] / А. С. Кюрегян // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып. 5. - С. 360-364 . - ISSN 0370-274X
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): стационарные волны ударной ионизации -- полупроводники -- диффузия -- скорость распространения стационарных волн -- ударная ионизация Аннотация: Предложено обобщение известной теории стационарных плоских волн ударной ионизации в газах на биполярный случай, характерный для полупроводников, где среду ионизуют горячие носители заряда обоих знаков. Вследствие этого скорость u биполярных волн (в отличие от монополярных) определяется процессами в лидирующей области фронта при любых отличных от нуля скоростях ударной ионизации вне зависимости от направления распространения. Это свойство позволило получить аналитические формулы для u как функции параметров материала, начального возмущения и напряженности внешнего поля путем анализа краевой задачи, линеаризованной вблизи неустойчивого состояния. В максимально достижимых полях (например, в стримерах) диффузия должна приводить к увеличению u примерно в три раза по сравнению со средней скоростью дрейфа при типичных значениях параметров полупроводников. |
621.3 Г 952 Гурин, Н. Т. Характеристики туннелирования и ударной ионизации в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS : Mn [Текст] / Н. Т. Гурин, О. Ю. Сабитов, А. М. Афанасьев // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 10. - С. 1168-1177 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): туннелирование -- ударная ионизация -- электролюминесцентные излучатели -- тонкопленочные структуры Аннотация: Предложена методика определения характеристик туннелирования и ударной ионизации в пленочных электролюминесцентных излучателях, позволяющая определить зависимости от времени толщины слоя объемного заряда в прианодной области и длины области ударной ионизации, уточнить зависимости от времени поля в области потенциального барьера на катодной границе раздела, максимальной глубины залегания поверхностных состояний, с которых осуществляется туннелирование электронов, минимальной толщины барьера, вероятности туннелирования электронов, а также коэффициента ударной ионизации глубоких центров, обусловленных собственными дефектами структуры слоя люминофора. Доп.точки доступа: Сабитов, О. Ю.; Афанасьев, А. М. |
Определение оптимального вакуума при полевой эмиссии из алмазоподобной пленки [Текст] / К. В. Рейх [и др. ] // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 2. - С. 119-122. - Библиогр.: c. 121-122 (11 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): полевая эмиссия -- алмазоподобные пленки -- эмиссия электронов -- вакуум -- ударная ионизация -- DLC-пленки Аннотация: Предложена модель, объясняющая эффект аномально высокой полевой эмиссии электронов из алмазоподобных пленок при низком вакууме. Показано, что эффект связан с образованием на пленке заряда положительных ионов, возникающих из-за ионизации остаточных газов в межэлектродном пространстве. Определена величина вакуума, соответствующая максимальному току эмиссии. Доп.точки доступа: Рейх, К. В.; Эйдельман, Е. Д.; Дидейкин, А. Т.; Вуль, А. Я. |
Электролюминесценция в изотипных гетероструктурах n-GaSb/n-AlGaAsSb/\tocont, обусловленная ударной ионизацией [Текст] / Н. Л. Баженов [и др. ] // Письма в Журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, вып: вып. 23. - С. 1-6 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): электролюминесценция -- изотипные гетероструктуры -- ударная ионизация -- электроны Аннотация: Сообщается об исследовании электролюминесценции в изотипных гетероструктурах n-GaSb/n-AlGaAsSb/n-GaInAsSb, которая характеризуется увеличением квантовой эффективности за счет генерации дополнительных электронно-дырочных пар благодаря процессам ударной ионизации носителей заряда вблизи гетерограницы, обусловленных наличием глубоких колодцев в исследуемой гетероструктуре. Доп.точки доступа: Баженов, Н. Л.; Журтанов, Б. Е.; Мынбаев, К. Д.; Астахова, А. П.; Именков, А. Н.; Михайлова, М. П.; Смирнов, В. А.; Стоянов, Н. Д.; Яковлев, Ю. П. |
Санкин, В. И. Гигантский всплеск ударной ионизации в p-n-переходе политипа 6H-SiC [Текст] / В. И. Санкин, П. П. Шкребий // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 12. - С. 1439-1443
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): p-n-переходы -- 6H-SiC -- ударная ионизация -- стримерные структуры Аннотация: Исследование электронного компонента ударной ионизации в p\{+\}-n\{-\}-n\{+\}-переходе политипа 6H-SiC привело к обнаружению гигантского всплеска ударной ионизации и возникновению сверхраннего лавинного пробоя. Электрическое поле такого пробоя на ~20%; меньше электрического поля пробоя, возникающего при монотонном развитии ударной ионизации. Интересно, что это происходит внезапно, без каких-либо видимых признаков, в частности без возрастания темнового тока, характерного для предпробойного состояния p-n-перехода. Условия возникновения необычного пробоя и его свойства позволили сделать предположение о нелинейных процессах, приводящих к образованию стримера. В плоскости p-n-перехода данный эффект выглядит как светящийся трек шириной ~10 мкм. Эффект происходит в режиме ванье-штарковских лестниц состояний. Последний может стимулировать локальное накопление заряда и образование стримерной структуры. Доп.точки доступа: Шкребий, П. П. |
Козлов, Б. А. Численное моделирование стационарной отрицательной короны в воздухе [Текст] / Б. А. Козлов, В. И. Соловьев // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 5. - С. 18-28. - Библиогр.: c. 27-28 (17 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): коронные разряды -- искровые разряды -- электрические разряды -- отрицательная корона -- численное моделирование -- ион-ионная рекомбинация -- ударная ионизация -- прилипание электронов -- отлипание электронов -- фотоионизация Аннотация: Проведено численное моделирование отрицательной короны в воздухе для коаксиально-цилиндрической геометрии электродов с целью выяснения роли различных физических процессов и условий в промежутке, предшествующих переходу коронного разряда в искровой разряд. Для сопоставления результатов расчета с ходом реальных характеристик проведен соответствующий эксперимент. Доп.точки доступа: Соловьев, В. И. |
Статистические особенности зарождения процесса лавинного умножения в полупроводниках с различающимися коэффициентами ударной ионизации [Текст] / А. В. Верховцева [и др. ] // Радиотехника и электроника. - 2009. - Т. 54, N 11. - С. 1403-1408. - Библиогр.: с. 1408 ( 6 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): ударная ионизация -- полупроводники -- статистические флуктуации -- лавинные фотодиоды -- коэффициент регенерации -- коэффициент ударной ионизации -- лавинный процесс Аннотация: Исследованы статистические флуктуации эффективности лавинного умножения применительно к реализации гейгеровского режима работы лавинных фотодиодов. Получена функция распределения парциальных коэффициентов умножения, которую отличает аномально широкая (порядка среднего) дисперсия. Получены также выражения для парциальных коэффициентов обратной связи через величину среднего коэффициента усиления и рассчитаны соответствующие зависимости от перенапряжения на диоде. Представлен алгоритм моделирования развития лавинного процесса методом Монте-Карло и результаты соответствующих статистических испытаний в сравнении с полученной теоретической зависимостью. Доп.точки доступа: Верховцева, А. В.; Ванюшин, И. В.; Гергель, В. А.; Зеленый, А. П.; Зимогляд, В. А.; Тишин, Ю. И. |
Транспорт заряда в структурах 4H-SiC-детекторов в условиях сильного электрического поля [Текст] / А. М. Иванов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 8. - С. 1090-1092 : ил. - Библиогр.: с. 1092 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): детекторы -- детекторы ядерного излучения -- 4H-SiC -- заряды -- неравновесные заряды -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- электрические поля -- сильные электрические поля -- спектрометрия -- ядерная спектрометрия -- ионизация -- ударная ионизация -- амплитудный спектр -- альфа-частицы -- диоды Шоттки -- ДШ -- Шоттки диоды -- ядерное излучение Аннотация: Исследован перенос пакетов неравновесного заряда в структуре с барьером Шоттки, выполненным на CVD-пленке 4H-SiC n-типа проводимости. Максимальная напряженность электрического поля составляла 1. 1 МВ/см. Заряд вносился одиночными alpha-частицами и регистрировался с помощью техники ядерной спектрометрии. Наблюдено появление сверхлинейного роста регистрируемого заряда в зависимости от приложенного к структуре обратного смещения. Одновременно также сверхлинейно возрастает разброс значений заряда в амплитудном спектре. Отмеченный эффект связывается с начальной стадией ударной ионизации. Проявление процесса при нетрадиционно малых полях (~1 МВ/см) объясняется спецификой генерации заряда. Порождаемые в ходе торможения alpha-частиц носители заряда оказываются первоначально "разогретыми". Доп.точки доступа: Иванов, А. М.; Мынбаева, М. Г.; Садохин, А. В.; Строкан, Н. Б.; Лебедев, А. А. |
Калыгина, В. М. Влияние глубокой примеси на электрические характеристики эпитаксиальных структур на основе GaAs [Текст] / В. М. Калыгина, Е. С. Слюнько // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 10. - С. 1333-1338 : ил. - Библиогр.: с. 1338 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): эпитаксиальные структуры -- эпитаксиальные слои -- GaAs -- электрические характеристики -- рекомбинация -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- эффект Пула-Френкеля -- Пула-Френкеля эффект -- туннелирование электронов -- p{+}-i-n{+} -- электрон-фононные взаимодействия -- инжекция -- монополярная инжекция -- двойная инжекция -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- напряжения -- примеси -- глубокие примеси -- ионизация -- ударная ионизация -- ионизирующее излучение -- диоды -- хром -- нелегированные слои Аннотация: Проведен анализ электрических характеристик p{+}-i-n{+}-структур на основе двух типов эпитаксиальных слоев GaAs: структуры с i-слоем на основе нелегированного GaAs и i-слоем на основе GaAs : Cr. Прямые токи диодов первого типа обусловлены рекомбинацией в области пространственного заряда. Обратные вольт-амперные характеристики при напряжениях до 10-15 В определяются генерационной составляющей тока. При |U|>20 В рост тока обусловлен эффектом Пула-Френкеля, который с увеличением напряжения сменяется туннелированием электронов через вершину потенциального барьера, облегченным электрон-фононным взаимодействием. Прямые ветви вольт-амперных характеристик p{+}-i-n{+}-диодов с i-слоем на основе GaAs : Cr объясняются монополярной инжекцией в полупроводник, которая с увеличением напряжения сменяется двойной инжекцией. Обратные вольт-амперные характеристики линейны в интервале 1-15 В; при |U|>20 В рост тока вызван ударной ионизацией. Доп.точки доступа: Слюнько, Е. С. |
Кюрегян, А. С. Экспоненциально-автомодельные волны ударной ионизации [Текст] / А. С. Кюрегян // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 137, вып: вып. 4. - С. 721-739. - Библиогр.: с. 738-739 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): экспоненциально-автомодельные волны -- волны -- волны ударной ионизации -- ударная ионизация -- ионизация Аннотация: Рассматриваются экспоненциально-автомодельные волны ударной ионизации. |
Давидович, Михаил Владимирович (доктор физико-математических наук, профессор). Нелинейное прохождение электромагнитной волны через слой с квадратичной и дробно-полиномиальной зависимостями диэлектрической проницаемости [Текст] / М. В. Давидович, Ю. В. Стефюк // Известия вузов. Прикладная нелинейная динамика. - 2010. - Т. 18, N 3. - С. 160-177. - Библиогр.: с. 175-176 (25 назв. ) . - ISSN 0869-6632
Рубрики: Физика Электрический ток Математика Дифференциальные и интегральные уравнения Кл.слова (ненормированные): дифракция -- сильные электромагнитные волны -- электромагнитные волны -- плазма -- полупроводниковая плазма -- ударная ионизация Аннотация: Рассмотрены и решены интегральные уравнения для дифракции сильной плоской электромагнитной волны на слое с дробно-полиномиальной и кубической нелинейностями. Решения получены несколькими численными методами: последовательных приближений, минимальных невязок, разложением в степенной ряд, Рунге-Кутты, типа Штермера, а также в ряде случаев аналитически. Показана возможность сверхэкспоненциального затухания, ограничения мощности и ряд других эффектов, характерных для полупроводниковой плазмы в режиме ударной ионизации. Доп.точки доступа: Стефюк, Юлия Валентиновна (аспирант) |
537.311.33 И 889 Исследование фотодиодов на основе Mn[4]Si[7]-SiMn-Mn[4]Si[7] и Mn[4]Si[7]-SiMn-Mn [Текст] / Д. М. Шукурова [и др.] // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 10. - С. 44-49. - Библиогр.: c. 48-49 (18 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): фотодиоды -- высший силицид марганца -- кремний -- марганец -- диффузионное легирование -- фото-вольт-амперные характеристики -- границы раздела фаз -- структура энергетических зон -- фоточувствительность -- модуляция проводимости -- ударная ионизация -- инжекционное усиление дырок Аннотация: Проведен анализ экспериментальных фото-вольт-амперных характеристик диодов Mn[4]Si[7]-Si Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/10/p44-49.pdf Доп.точки доступа: Шукурова, Д. М.; Орехов, А. С.; Шарипов, Б. З.; Клечковская, В. В.; Камилов, Т. С. |
530.1 К 995 Кюрегян, А. С. Поперечная неустойчивость плоского фронта быстрых волн ударной ионизации [Текст] / А. С. Кюрегян // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 141, вып. 5. - С. 983-993 : рис. - Библиогр.: с. 993 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): ударная ионизация -- плоский фронт быстрых волн -- быстрые волны -- поперечная неустойчивость -- ВУИ -- волны ударной ионизации -- полупроводниковые структуры -- n-слой -- конечная концентрация -- p{+}-n-n{+} -- доноры Аннотация: Проведен теоретический анализ поперечной неустойчивости плоского фронта быстрых волн ударной ионизации (ВУИ) в полупроводниковых структурах p{+}-n-n{+} с конечной концентрацией N доноров в n-слое. |
621.382 Г 808 Грехов, И. В. Запуск сверхбыстрых фронтов ионизации в кремниевых диодных структурах термополевой эмиссией электронов с глубоких центров [Текст] / И. В. Грехов, авт. П. Б. Родин // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 18. - С. 17-25 : ил. - Библиогр.: с. 24-25 (17 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): диодные структуры -- кремниевые диодные структуры -- ударная ионизация -- фронты ионизации -- сверхбыстрые фронты -- распространение фронтов -- электроны -- эмиссия электронов -- термополевая эмиссия -- численное моделирование -- кремниевые структуры -- высоковольтные кремниевые структуры -- термополевая ионизация -- электрические поля -- сильные поля -- сильные электрические поля Аннотация: Проведено численное моделирование запуска и распространения сверхбыстрых фронтов ударной ионизации в высоковольтных кремниевых p{+}-n-n{+}-структурах. Моделирование подтверждает гипотезу о том, что термополевая ионизация глубоких центров в сильном электрическом поле может служить механизмом, ответственным за запуск сверхбыстрого фронта. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/18/p17-25.pdf Доп.точки доступа: Родин, П. Б. |
621.315.592 И 205 Иванов, П. А. Низкотемпературные (77-300 K) вольт-амперные характеристики p{+}-p-n{+}-диодов на основе 4H-SiC: влияние примесного пробоя в p-базе [Текст] / П. А. Иванов, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 4. - С. 548-550 : ил. - Библиогр.: с. 550 (6 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- диоды -- эпитаксиальные структуры -- экспериментальные образцы -- ударная ионизация -- ионизация -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- дифференциальное сопротивление -- возбужденное состояние (физика) -- атомы алюминия Аннотация: Исследовано влияние примесного пробоя на вольт-амперные характеристики 4H-SiC диодов с p-базой в диапазоне температур 77-300 K. Для изготовления экспериментальных образцов использовались коммерческие эпитаксиальные 4H-SiC p{+}-p-n{+}-структуры, выращенные CVD эпитаксией. Сильное электрическое поле в p-базе создавалось при смещении диодов в прямом направлении. Обнаружено, что при температурах 136, 89 и 81 K вслед за обычным "диодным" участком на вольт-амперной характеристике проявляется участок, где ток растет быстрее за счет ударной ионизации вымороженных акцепторных атомов Al, находящихся в основном (невозбужденном) состоянии. При температурах 81 и 77 K вслед за этим участком наблюдается участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением - регенеративное переключение диода за счет ударной ионизации атомов алюминия, находящихся в возбужденном состоянии. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/04/p548-550.pdf Доп.точки доступа: Потапов, А. С.; Самсонова, Т. П. |
530.145 П 429 Повышение квантовой чувствительности фотодиодов на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP / А. Н. Именков [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 5. - С. 690-695 : ил. - Библиогр.: с. 694-695 (10 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Квантовая теория поля Кл.слова (ненормированные): квантовая эффективность -- фотодиоды -- гетероструктуры -- спектральные диапазоны -- криволинейные поверхности -- полусферы -- облучение -- длина волны -- облученные поверхности -- дифференциальное сопротивление -- кристаллы -- фотодиодные чипы -- ударная ионизация Аннотация: Созданы фотодиоды на основе гетероструктуры InAs/InAs[0. 88]Sb[0. 12]/InAs[0. 50]Sb[0. 20]P[0. 30] для спектрального диапазона 1-4. 8 мкм, работающие при комнатной температуре. Показано, что при формировании на тыльной стороне фотодиодного чипа криволинейной отражающей поверхности, образованной множеством полусфер, наблюдается повышение квантовой чувствительности фотодиодов в 1. 5-1. 7 раза в интервале длин волн 2. 2-4. 8 мкм. При площади облучаемой поверхности фотодиода 0. 9 мм{2} и площади p-n-перехода 0. 15 мм{2} достигнуто дифференциальное сопротивление в нуле напряжения 30 Ом и квантовая чувствительность 0. 24 электрон/фотон на длине волны 3 мкм. Проведено теоретическое рассмотрение работы фотодиода с переотражением потока фотонов в кристалле, возникающем в результате отражения от криволинейной поверхности тыльной стороны фотодиодного чипа. Показана возможность эффективного преобразования переотраженного потока фотонов в фототок при одновременном уменьшении площади p-n-перехода. Обнаружено увеличение квантовой чувствительности в коротковолновом интервале длин волн 1-2. 2 мкм на 35% по сравнению с расчетными данными, обусловленное, вероятно, ударной ионизацией в узкозонной активной области. Room temperature operated photodiodes based on InAs/InAsSb/InAsSbP heterostructures were created for the spectral range 1-4. 8 mum. It is shown that the formation of a curvilinear reflecting surface (instead of flat surface) consisting of multitude of hemispheres on the photodiode chip backside leads to an increase in the quantum sensitivity of photodiodes by a factor of 1. 5-1. 7 in the entire wavelength interval 2. 2-4. 8 mum. For the obtained photodiodes with a p-n boundary area of 0. 15 mm{2}, and illuminated area of 0. 9 mm{2}, a differential resistance at zero bias reached 30 Ом, and quantum sensitivity 0. 24 electron/photon at wavelength 3 mum. A theoretical examination of the photodiode with over-reflection of the photons flow in crystal due to reflecting from the curvilinear surface on the photodiode chip backside is realized. A possibility of effective transformation of the over reflection flow to photocurrent simultaneously with decrease p-n boundary area is shown. An increase of quantum sensitivity as high as 35% in the short-wavelength range 1-2. 2 mum in compare with calculated data is fond out. This fact is determined probably by impact ionization in the narrow-band gap region. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/05/p690-695.pdf Доп.точки доступа: Именков, А. Н.; Гребенщикова, Е. А.; Старостенко, Д. А.; Шерстнев, В. В.; Коновалов, Г. Г.; Андреев, И. А.; Яковлев, Ю. П. |
537.533/.534 К 995 Кюрегян, А. С. Теория стационарных плоских волн туннельно-ударной ионизации / А. С. Кюрегян // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 7. - С. 970-978 : ил. - Библиогр.: с. 977-978 (22 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): ударная ионизация -- плоские волны -- теоретический анализ -- туннелирование -- лавинный пробой -- затравочные электроны -- скорость -- волны -- туннельная ионизация -- напряженность -- теория волн Аннотация: Проведен теоретический анализ влияния межзонного и примесного туннелирования на свойства стационарных плоских волн ионизации в p[+]-n-n[+]-структурах. Показано, что в качественном отношении такие волны туннельно-ударной ионизации не отличаются от обычных волн ударной ионизации, распространяющихся за счет лавинного размножения однородно распределенных затравочных электронов и дырок. Количественные отличия волн туннельно-ударной ионизации от волн ударной ионизации сводятся к несколько иному соотношению между скоростью волны u и максимальной напряженностью поля E[M] на фронте. Показано, что пренебрежение ударной ионизацией не исключает возможность существования волн туннельной ионизации, однако их структура радикально изменяется, а скорость сильно уменьшается при том же значении E[M]. Сравнение зависимостей u (E[M]) для различных типов волн ионизации позволило определить условия, при которых один из них является преобладающим. В заключение обсуждены еще нерешенные вопросы теории волн туннельно-ударной ионизации и намечены направления дальнейших исследований. The effect of band-to-band and trap-assisted tunneling on the properties of stationary plane ionization waves in p[+]-n-n[+]-structures has been theoretically analyzed. It is shown that in qualitative terms, such tunnel-impact ionization waves (TIIW) do not differ from the usual impact ionization waves (IIW), spreading due to the avalanche multiplication of uniformly distributed seed electrons and holes. Quantitative differences of TIIW from IIW are reduced to a somewhat different relationship between the wave velocity u and maximum field strength E[M] at the front. It is shown that neglecting the impact ionization does not exclude the possibility of existence of tunneling ionization waves, but their structure is radically changed, and the speed is greatly reduced at the same value E[M]. Comparison of the dependences u (E[M]) for various types of ionization waves makes it possible to determine conditions under which one of them is predominant. In conclusion, the still unresolved problems in the theory of TIIW are discussed and lines of further investigations are outlined. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/07/p970-978.pdf |