539.2 К 903 Куликов, В. Д. Исследование механизма электрического пробоя ионных кристаллов в наносекундном диапазоне [Текст] / В. Д. Куликов // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N12. - Библиогр.: с.30 (15 назв.) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): электрический пробой -- ионные кристаллы -- щелочно-галлоидные кристаллы -- дефекты -- электрическая прочность Аннотация: Исследованы закономерности электрического пробоя ряда щелочно-галоидных кристаллов при длительности приложения поля ~10 ns. Отмечено существование двух различных каналов разряда с анода: первичного и основного. Показано, что при наличии первичного канала основной канал возникает при статических пробивных напряжениях. В отсутствие первичного основной канал формируется при пробивных напряжениях, превышающих в ~4 раза статические. Рассмотрено образование основного канала пробоя по механизму каскадных оже-переходов. Предполагается, что в образовании первичного канала разряда существенную роль играет генерация и миграция линейных дефектов. Эффект увеличения импульсной электрической прочности кристаллов связывается с условиями протекания тока через границу металл-диэлектрик. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2003/12/ |
621.38 К 903 Куликов, В. Д. Ток проводимости в структуре металл-диэлектрик-металл [Текст] / В. Д. Куликов // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 10. - Библиогр.: c. 127 (9 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): металл-диэлектрик металл (структура) -- поверхностный заряд -- ток проводимости Аннотация: Рассмотрен процесс протекания тока проводимости в структуре металл-диэлектрик-металл при рентгено- и фотовозбуждении. Исследовано накопление положительного заряда у отрицательного электрода в кристаллах KBr, CsI. Для оценки величины приповерхностного заряда предложена методика рентгено- и фоторазрядного тока. Показано, что значения заряда, переносимого током проводимости и измеренного по сигналу разрядного тока, удовлетворительно совпадают. Сделаны оценки времени жизни приповерхностных зарядов дырок и анионных вакансий, значения напряженности электрического поля на переходе металл-диэлектрик. Предполагается, что электронейтральность образца устанавливается за счет движения электронов с поверхности в объем по дислокациям. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/10/page-122.html.ru |
537.312.7 К 903 Куликов, В. Д. Кинетика радиационно-индуцированной проводимости кристаллов CsI в сильных электрических полях [Текст] / В. Д. Куликов // Известия вузов. Физика. - 2001. - Т.44,N7. - Библиогр.: с.65 (10 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): радиационно-индуцированная проводимость -- облучение -- ударная ионизация Аннотация: Проведены исследования кинетики радиационно-индуцированной проводимости (РИП) кристаллов CsI при рентгеновском возбуждении в зависимости о напряженности электрического поля и температуры. Показано, что увеличение проводимости в сильном электрическом поле обусловлено переводом электронов по механизму ударной ионизации с уровней захвата в зону проводимости диэлектрика |
539.2 К 903 Куликов, В. Д. Особенности заполнения центров захвата электронами в диэлектрических материалах при интенсивном электронном облучении [Текст] / В. Д. Куликов // Журнал технической физики. - 2007. - Т. 77, N 5. - С. 23-29. - Библиогр.: c. 29 (15 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): диэлектрики; захват зарядов; кварц; ловушки; полиметилметакрилат; термализованные электроны; ударная ионизация; центры захвата; щелочно-галоидные кристаллы; электронное облучение; электронные пучки Аннотация: Исследована эффективность процесса локализации неравновесных электронов центрами захвата в щелочно-галоидных кристаллах, кварце, полиметилметакрилате при импульсном электронном облучении с плотностью тока пучка до ~20 A/cm{2}. В основу оценки накопления захваченного заряда положены данные по электризации высокоомных материалов при электронном облучении. Показано, что в образцах диэлектриков происходит опустошение ловушек, захвативших термализованные электроны, за счет процесса ударной ионизации под действием первичных электронов пучка и вторичных электронов. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2007/05/p23-29.pdf |
53 Б 448 Беляков, М. Ю. Аномалия термодинамических свойств смесей в окрестности критической точки жидкость - пар [Текст] / М. Ю. Беляков, В. П. Воронов, Е. Е. Городецкий, В. Д. Куликов // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып. 1. - С. 22-25 . - ISSN 0370-274X
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): термодинамические свойства -- смесь метан-пропан-пентан -- критическая точка жидкость-пар Аннотация: Экспериментально изучено поведение изохорной теплоемкости и частной производной от P по T[ро, x] в окрестности критической точки жидкость - пар смеси метан - пропан - пентан. Доп.точки доступа: Воронов, В. П.; Городецкий, Е. Е.; Куликов, В. Д. |
Термодинамические свойства многокомпонентных смесей в окрестности критической точки жидкость - пар [Текст] / М. Ю. Беляков [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 88, вып: вып. 5. - С. 351-355 . - ISSN 0370-274Х
Рубрики: Физика Термодинамика и статистическая физика Кл.слова (ненормированные): многокомпонентные смеси -- критическая точка жидкость-пар -- термодинамические свойства смесей -- изохорная теплоемкость Аннотация: Предложен новый метод описания физических свойств многокомпонентных смесей в окрестности их критических точек, основанный на переходе от экспериментальных термодинамических переменных к масштабным полям. Метод не зависит от числа компонент смеси и, в этом смысле, является универсальным. На примере изученной нами ранее смеси метан - пропан - пентан показано, что в рамках предлагаемого подхода может быть получено количественное описание аномалий изохорной теплоемкости и производной в широкой окрестности критической точки, включая некритические изохоры. Доп.точки доступа: Беляков, М. Ю.; Воронов, В. П.; Городецкий, Е. Е.; Куликов, В. Д. |
Куликов, В. Д. Электрический пробой ионных кристаллов [Текст] / В. Д. Куликов // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 1. - С. 60-65. - Библиогр.: c. 65 (13 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): ионные кристаллы -- электрический пробой -- электрические разряды -- щелочно-галлоидные кристаллы -- Оже-переходы -- канал пробоя -- Оже-генерация электронов Аннотация: Представлена модель образования канала электрического разряда в щелочно-галоидных кристаллах. Генерация электронов в зону проводимости осуществляется посредством каскадных Оже-переходов в валентной зоне диэлектрика. Канал пробоя состоит из расплава и заряженных слоев. Модель объясняет кристаллографическую направленность и скорость движения канала разряда, а также генерацию предпробойного тока без привлечения механизма ударной ионизации валентной зоны кристалла электронами зоны проводимости. |
Емлин, Р. В. Анизотропия электрического пробоя в кристаллическом кварце [Текст] / Р. В. Емлин, С. В. Барахвостов, В. Д. Куликов // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 7. - С. 150-153. - Библиогр.: c. 153 (15 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): электрический пробой -- кварц -- диоксид кремния -- каналы пробоя -- оже-переходы Аннотация: Рассмотрен частичный пробой кристаллического диоксида кремния в импульсном неоднородном электрическом поле. Каналы электрического пробоя ориентированы в плоскостях расположения ионов кремния параллельных оси c кристалла (наблюдается до 6 эквивалентных направлений каналов). Процесс формирования каналов пробоя удовлетворительно описывается в рамках механизма каскадных оже-переходов с учетом кристаллохимической симметрии решетки кварца. Доп.точки доступа: Барахвостов, С. В.; Куликов, В. Д. |
533.9 К 903 Куликов, В. Д. Модель канала электрического пробоя в ионных кристаллах [Текст] / В. Д. Куликов // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 2. - С. 35-40. - Библиогр.: c. 39-40 (19 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): ионные кристаллы -- электрический пробой -- канал электрического пробоя -- хлорид натрия -- каскадные оже-переходы -- оже-переходы -- безызлучательная рекомбинация Аннотация: Предложена модель движения канала пробоя в монокристаллическом NaCl с учетом механизма генерации носителей заряда посредством каскадных оже-переходов. Рассмотрен процесс образования газовой фазы канала пробоя, основанный на выделении тепла при безызлучательной рекомбинации электронов и дырок. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/02/p35-40.pdf |
539.21:537 С 646 Сопротивление канала импульсного электрического пробоя в ионных кристаллах / И. Ф. Пунанов [и др.]. // Журнал технической физики. - 2014. - Т. 84, № 4. - С. 35-39. - Библиогр.: c. 39 (12 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): ионные кристаллы -- канал электрического пробоя -- импульсный электрический пробой -- сопротивление канала электрического пробоя -- скорость движения канала электрического пробоя -- хлорид калия -- бромид калия Аннотация: Предложена методика оценки сопротивления канала электрического пробоя в ионных кристаллах. Методика основана на измерении скорости движения канала в образце при подключении балластного резистора в цепь игольчатого анода и использовании теоретической зависимости скорости движения канала от его проводимости. Сопротивление канала в KCl и KBr при напряжении 140 kV составляет соответственно ~6. 5 kOmega и ~6. 1 kOmega. Показано, что данные сопротивления характеризуют газовую фазу. Обнаружена неоднородность сопротивления газовой фазы вдоль канала пробоя. Наибольшим сопротивлением обладает головная область длиной ~1 mm. Сделан вывод, что головная область содержит кластеры вещества диэлектрика с их дальнейшим распадом на ионы металла и галогена. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2014/04/p35-39.pdf Доп.точки доступа: Пунанов, И. Ф.; Емлин, Р. В.; Куликов, В. Д.; Чолах, С. О.; Институт электрофизики УрО РАН; Институт электрофизики УрО РАН; Томский сельскохозяйственный институт; Уральский федеральный университет им. первого президента России Б. Н. Ельцина |