+ Г 952 Гурин, Н. Т. Кинетика электролюминесценции тонкопленочных излучателей на основе сульфида цинка на ультранизких частотах [Текст] / Н. Т. Гурин, А. В. Шляпин, О. Ю. Сабитов // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N2. - Библиогр.: с.82-83 (10 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): сульфид цинка -- тонкопленочные излучатели -- электролюминесценция -- яркость свечения Аннотация: Представлены результаты исследования кинетики мгновенной яркости свечения тонкопленочных электролюминесцентных структур, возбуждаемых знакопеременным напряжением треугольной формы частотой 0.1-2 Hz. Обнаружены два участка нарастания во времени мгновенной яркости и тока, "быстрый" и "медленный", которым соответствуют разные области на полевых, зарядовых зависимостях мгновенной яркости и на других электрофизических характеристиках. На основании решения кинетического уравнения получены зависимости мгновенной яркости и внутреннего квантового выхода от времени. Результаты объясняются образованием объемных зарядов в слое люминофора, сопровождающем уменьшением эффективной толщины этого слоя, и изменением механизма возбуждения центров свечения Доп.точки доступа: Шляпин, А.В.; Сабитов, О.Ю. |
535 Г 952 Гурин, Н. Т. Влияние фотовозбуждения на электрические характеристики тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе ZnS : Mn [Текст] / Н. Т. Гурин, А. В. Шляпин, О. Ю. Сабитов, Д. В. Рябов // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N4. - Библиогр.: 15 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Оптика Кл.слова (ненормированные): глубокие центры -- сульфид цинка -- тонкопленочные структуры -- фотовозбуждение -- электролюминесцентные структуры -- электролюминесценция Аннотация: Обнаружены существенные отличия кинетики тока и заряда, протекающих через тонкопленочный электролюминесцентный излучатель, и вида вольт-амперных характеристик излучателей при импульсной засветке в синей, красной и инфракрасной областях спектра с энергиями фотонов ~ 2.6, ~ 1.9 и ~ 1.3 eV и плотностью потока фотонов (4ъ*10{14}-3*10{15}) mm{-2}*s{-1}. Полученные результаты свидетельствуют о перезарядке в процессе работы излучателей глубоких центров, обусловленных, по-видимому, вакансиями цинка V{2-}[Zn] и серы V{+}[S], V{2+}[S], расположенных выше валентной зоны соответственно на ~ 1.1, =
|
535 Г 952 Гурин, Н. Т. Квантовый выход и светоотдача тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка [Текст] / Н. Т. Гурин, А. В. Шляпин, О. Ю. Сабитов // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N4. - Библиогр.: 9 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Оптика Кл.слова (ненормированные): квантовый выход -- светоотдача -- сульфид цинка -- тонкопленочные структуры -- электролюминесцентные структуры Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования процессов формирования зависимостей мгновенных значений внутреннего квантового выхода и светоотдачи тонкопленочных электролюминесцентных излучателей от времени, среднего поля в слое люминофора и заряда, протекающего через этот слой, а также формировния зависимостей внутреннего квантового выхода и светоотдачи от амплитуды напряжения возбуждения. Показано, что при увеличении частоты этого напряжения выше 10 Hz на участке роста яркости и тока через слой люминофора на зависимостях мгновенных значений квантового выхода и светоотдачи от времени появляется провал, а на участке спада яркости и тока - пик, обусловленные различием скоростей нарастания и спада яркости и тока Доп.точки доступа: Шляпин, А.В.; Сабитов, О.Ю. |
621.38 Б 194 Бакланов, С. Б. Формирование полярно-чувствительных входных вольт-амперных характеристик симисторной структуры [Текст] / С. Б. Бакланов, Н. Т. Гурин [и др.] // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N9. - Библиогр.: 4 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): вольт-амперные характеристики -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- симисторные структуры -- симисторы Аннотация: Получено семейство входных вольт-амперных характеристик структуры планарно-диффузионного симистора. Предложено объяснение механизма формирования на входной характеристике N-образного участка. Показано, что входная N-образная характеристика в зависимости от полярности напряжения на силовых электродах формируется в разных входных цепях симисторной структуры. Доп.точки доступа: Гурин, Н.Т.; Лычагин, Е.В.; Новиков, С.Г.; Картавенко, А.В.; Костылов, М.А. |
Гурин, Н. Т. Отрицательное дифференциальное сопротивление в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях на основе сульфида цинка [Текст] / Н. Т. Гурин, А. В. Шляпин, О. Ю. Сабитов // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N3. - Библиогр.: с. 75 (8 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): оптоэлектроника -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- электролюминесцентные излучатели -- сульфид цинка -- МДПДМ Аннотация: Обнаружена возможность существования и определены условия возникновения отрицательного дифференциального сопротивления (ОДС) S- и N-типов в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях на основе сульфида цинка, легированного марганцем. Показано, что при приложении отрицательной полуволны напряжения возбуждения к верхнему непрозрачному электроду наблюдается ОДС S-типа с участком падения тока, а при приложении к нижнему прозрачному электроду - ОДС N-типа. Появление ОДС обусловлено образованием объемных зарядов в прикатодной и прианодной областях слоя люминофора Доп.точки доступа: Шляпин, А.В.; Сабитов, О.Ю. |
+ Г 952 Гурин, Н. Т. Влияние объемного заряда на характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка [Текст] / Н. Т. Гурин, О. Ю. Сабитов, А. В. Шляпин // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N8. - Библиогр.: с. 58 (14 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Радиоэлектроника--Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): тонкопленочные излучатели -- электролюминесценция -- сульфид цинка -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- глубокие центры Аннотация: Используя экспериментальные зависимости от времени мгновенной яркости и полного тока, протекающего через тонкопленочный электролюминесцентный излучатель (ТП ЭЛИ) МДПДМ структуры на основе ZnS:Mn, рассчитаны вольт-фарадные, вольт-зарядовые и вольт-амперные характеристики ТП ЭЛИ и определены условия возникновения отрицательного дифференциального сопротивления S- и N-типов. Предложен механизм образования отрицательного сопротивления, основанный на ионизации и перезарядке глубоких донорных и акцепторных центров, обусловленных вакансиями цинка и серы, с образованием объемных зарядов вблизи катодной и анодной границ слоя люминофора Доп.точки доступа: Сабитов, О.Ю.; Шляпин, А.В. |
539.2 Г 95 Гурин, Н. Т. Инфракрасное тушение электролюминесценции тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе ZnS: Mn [] / Н. Т. Гурин, Д. В. Рябов // Журнал технической физики. - 2005. - Т. 75, N 1. - С. 45-54. - Библиогр.: c. 54 (25 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): инфракрасное тушение люминесценции; сульфид цинка; тонкопленочные структуры; тушение электролюминесценции; электролюминесценция Аннотация: Обнаружено инфракрасное (ИК) тушение электролюминесценции тонкопленочных электролюминесцентных излучателей после ИК подсветки излучателей в паузе между импульсами напряжения возбуждения, а также уменьшение интенсивности излучения в области ~ 530-540 nm и увеличения интенсивности излучения в полосе 640-690 nm, что объясняется перезарядкой глубоких центров, образованных вакансиями серы V{2+}[S] и V{+}[S], с увеличением концентрации центров V{+}[S] и перераспределением каналов ударного возбуждения центров Mn{2+} и V{+}[S] после ИК подсветки в пользу центров V+S. Оценены значения сечения и скорости ударного возбуждения центров V{+}[S], сечения фотовозбуждения центров V{2+}[S], коэффициента поглощения ИК излучения, внутреннего квантового выхода электролюминесценции, вероятности излучательной релаксации центров Mn{2+} и коэффициента умножения электронов в слое люминофора. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2005/01/page-45.html.ru Доп.точки доступа: Рябов, Д. В. |
539.2 Г 95 Гурин, Н. Т. Определение параметров и характеристик электролюминесценции в тонкопленочных излучателях на основе ZnS: Mn [Текст] / Н. Т. Гурин, авт. О. Ю. Сабитов // Журнал технической физики. - 2006. - Т. 76, N 8. - С. 50-62. - Библиогр.: c. 62 (16 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): сульфид цинка; тонкопленочные излучатели; ударная ионизация; электролюминесцентные излучатели; электролюминесценция Аннотация: Предложен новый метод определения вероятности излучательной релаксации центров свечения Mn{2+} при их ударном возбуждении, а также зависимостей от времени коэффициента умножения электронов, числа ионизаций, приходящихся на один электрон, вышедший из области ионизации, длины области ударной ионизации и коэффициента ударной ионизации из зависимостей от времени мгновенного внутреннего квантового выхода. Указанные зависимости получены на основе экспериментальных зависимостей от времени яркости свечения, тока и заряда, протекающих через слой люминофора, при возбуждении излучателей линейно нарастающим напряжением низкой частоты. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2006/08/p50-62.pdf Доп.точки доступа: Сабитов, О. Ю. |
621.38 К 712 Косихин, А. В. Влияние ионизирующих излучений на магниточувствительные свойства планарных симисторов [Текст] / А. В. Косихин, С. Б. Бакланов, С. Г. Новиков, Н. Т. Гурин // Журнал технической физики. - 2007. - Т. 77, N 1. - С. 121-123. - Библиогр.: c. 123 (3 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): гальваномагнитные эффекты; ионизирующее излучение; магниточувствительность; планарно-диффузионные симисторы; планарные симисторы; радиационное облучение; симисторы Аннотация: Рассматриваются изменения магниточувствительных свойств многослойных полупроводниковых приборов, таких как планарно-диффузионные симисторы (ПДС), обусловленные дефектами смещения и ионизации посредством радиационного облучения структур. Выявлено, что в результате облучения возможно существенное повышение магниточувствительности ПДС. Исследованы процессы и механизмы, влияющие на повышение магниточувствительности в условиях действия ряда гальваномагнитных эффектов. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2007/01/p121-123.pdf Доп.точки доступа: Бакланов, С. Б.; Новиков, С. Г.; Гурин, Н. Т. |
530.1 Г 952 Гурин, Н. Т. Релаксация параметров тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе ZnS : Mn при выключении [Текст] / Н. Т. Гурин, авт. О. Ю. Сабитов // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып. 7. - С. 14-22
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): тонкопленочные электролюминесцентные излучатели -- электроны -- диэлектрики Аннотация: В результате экспериментального исследования формы спада тока, протекающего через слой люминофора тонкопленочных электролюминесцентных излучателей, показано, что этот спад обусловлен бимолекулярным процессом захвата электронов на поверхностные состояния анодной границы раздела люминофор-диэлектрик. Определены скорость поверхностного захвата, сечение захвата и мгновенное время жизни электронов в момент времени, соответствующий началу спада, а также зависимости указанных параметров от полярности амплитуды и частоты напряжения треугольной формы. Доп.точки доступа: Сабитов, О. Ю. |
621.3 Г 952 Гурин, Н. Т. Характеристики туннелирования и ударной ионизации в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS : Mn [Текст] / Н. Т. Гурин, О. Ю. Сабитов, А. М. Афанасьев // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 10. - С. 1168-1177 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): туннелирование -- ударная ионизация -- электролюминесцентные излучатели -- тонкопленочные структуры Аннотация: Предложена методика определения характеристик туннелирования и ударной ионизации в пленочных электролюминесцентных излучателях, позволяющая определить зависимости от времени толщины слоя объемного заряда в прианодной области и длины области ударной ионизации, уточнить зависимости от времени поля в области потенциального барьера на катодной границе раздела, максимальной глубины залегания поверхностных состояний, с которых осуществляется туннелирование электронов, минимальной толщины барьера, вероятности туннелирования электронов, а также коэффициента ударной ионизации глубоких центров, обусловленных собственными дефектами структуры слоя люминофора. Доп.точки доступа: Сабитов, О. Ю.; Афанасьев, А. М. |
621.315.592 Г 952 Гурин, Н. Т. Релаксация параметров тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе ZnS : Mn при выключении [Текст] / Н. Т. Гурин, авт. О. Ю. Сабитов // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 6. - С. 692-705 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электролюминесцентные структуры -- двухстадийная модель процесса -- оже-захват горячих электронов Аннотация: Результаты экспериментального исследования процесса спада тока, протекающего через тонкопленочную электролюминесцентную МДПДМ структуру, свидетельствуют о бимолекулярном процессе захвата электронов на поверхностные состояния анодной границы раздела. Предложена двухстадийная модель процесса, на первой стадии которой происходит ударный оже-захват горячих электронов. На второй стадии при смене направления поля дырки валентной зоны, генерированные за счет туннельной эмиссии с глубоких центров, дрейфуют к этой границе, где рекомбинируют с электронами наиболее глубоких заполненных поверхностных состояний. Определены время жизни электронов, скорость поверхностного захвата и сечение захвата электронов, их зависимости от параметров напряжения возбуждения, а также объяснено поведение зависимости мгновенного внутреннего квантового выхода от времени на участке спада. Доп.точки доступа: Сабитов, О. Ю. |
Гурин, Н. Т. Релаксация параметров тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе ZnS : Mn при выключении [Текст] / Н. Т. Гурин, О. Ю. Сабитов // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 7. - С. 14-22
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): тонкопленочные электролюминесцентные излучатели -- электроны -- диэлектрики Аннотация: В результате экспериментального исследования формы спада тока, протекающего через слой люминофора тонкопленочных электролюминесцентных излучателей, показано, что этот спад обусловлен бимолекулярным процессом захвата электронов на поверхностные состояния анодной границы раздела люминофор-диэлектрик. Определены скорость поверхностного захвата, сечение захвата и мгновенное время жизни электронов в момент времени, соответствующий началу спада, а также зависимости указанных параметров от полярности амплитуды и частоты напряжения треугольной формы. Доп.точки доступа: Сабитов, О. Ю. |
Интенсивная синяя и фиолетовая люминесценция в системе (B[2]O[3]-Al[2]O[3]-SiO[2]) : Eu\{2+\} [Текст] / Н. Т. Гурин [и др. ] // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 21. - С. 1-6 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): интенсивная синяя люминесценция -- интенсивная фиолетовая люминесценция -- люминофоры Аннотация: Показано, что для стеклокристаллических образцов составов в системе (B[2]O[3]-Al[2]O[3]-SiO[2]) : Eu\{2+\} (3% at. ), полученных спеканием порошкообразных компонентов на воздухе при температуре 1300 градусов C, при возбуждении излучением лазера с длиной волны 325 nm наблюдается интенсивная синяя фотолюминесценция с максимумом спектра 434-448 nm, а для состава (B[2]O[3]-2SiO[2]) : Eu\{2+\} (3% at. ) - фиолетовая люминесценция с максимумом спектра 409 nm. Доп.точки доступа: Гурин, Н. Т.; Паксютов, К. В.; Терентьев, М. А.; Широков, А. В. |
Оптимизация состава и условий синтеза синих люминофоров [ ( B[2]O[3]) [0. 5] ( Al[2]O[3]) [0. 5]]*2 SiO[2]: Eu{2+} [Текст] / Н. Т. Гурин [и др. ] // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 9. - С. 152-154. - Библиогр.: c. 154 (9 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): люминофоры -- синие люминофоры -- фотолюминесценция -- синяя фотолюминесценция -- европий -- отжиг -- легирование Аннотация: Показано, что в системе [ ( B[2]O[3]) [0. 5] ( Al[2]O[3]) [0. 5]]*2 SiO[2]: Eu{2+} с различным содержанием европия наблюдается интенсивная синяя и сине-фиолетовая фотолюминесценция, причем при возбуждении гелий-кадмиевым лазером с длиной волны 325 nm максимумы спектров синих люминофоров лежат в области 419-439 nm, а при возбуждении импульсным азотным лазером с длиной волны 337 nm - в области 429-461 nm. Оптимальными для получения основного синего цвета телевизионных стандартов EBU и NTSC являются люминофор [ ( B[2]O[3]) [0. 5] ( Al[2]O[3]) [0. 5]]*2 SiO[2]: Eu (3 mol%) (x=0. 151, y=0. 062), возбуждаемый излучением гелий-кадмиевого лазера, и люминофор того же состава, прошедший дополнительный вакуумный отжиг и возбуждаемый излучением азотного лазера (x=0. 145, y=0. 084) соответственно. Максимальную интенсивность свечения до и после отжига в вакууме показали люминофоры состава [ ( B[2]O[3]) [0. 5] ( Al[2]O[3]) [0. 5]]*2 SiO[2]: Eu (7 mol%). Доп.точки доступа: Гурин, Н. Т.; Паксютов, К. В.; Терентьев, М. А.; Широков, А. В. |
Широкополосная фотолюминесценция в системе (CaO· Al[2]O[3]· SiO[2]) : Eu [Текст] / Н. Т. Гурин [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 15. - С. 41-49 : ил. - Библиогр.: с. 48-49 (14 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Люминесценция Оптические свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- широкополосная фотолюминесценция -- метод прямого твердофазного синтеза -- люминофоры -- составы (физика) -- азотные лазеры -- отжиг -- люминесценция -- свечение -- телевизионные стандарты -- спектры излучения -- области спектров Аннотация: Показано, что полученные методом прямого твердофазного синтеза при температуре 1300{o}C на воздухе люминофоры в системе (CaO· Al[2]O[3]· SiO[2]) : Eu при возбуждении азотным лазером дают широкополосную фотолюминесценцию, перекрывающую видимую область спектра. После отжига в вакууме люминофоров (CaO· Al[2]O[3]· SiO[2]) : Eu и (CaO· Al[2]O[3]· 2SiO[2]) : Eu интенсивность люминесценции возрастает в несколько раз, причем (CaO· Al[2]O[3]· 2SiO[2]) : Eu дает свечение, соответствующее синему цвету по МКО. Отжиг состава (CaO· Al[2]O[3]) : Eu приводит к изменению цвета свечения с красного, близкого к цветовому стандарту EBU, на синий, соответствующий этому же стандарту. Состав (CaO· 2Al[2]O[3]) : Eu дает излучение красного цвета, близкого к цветовому стандарту NTSC, а состав (2CaO· Al[2]O[3]) : Eu дает интенсивное пурпурное свечение. Доп.точки доступа: Гурин, Н. Т.; Паксютов, К. В.; Терентьев, М. А.; Широков, А. В. |
Гурин, Н. Т. Характеристики поверхностных состояний на границе раздела диэлектрик-полупроводник в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях на основе ZnS : Mn [Текст] / Н. Т. Гурин, О. Ю. Сабитов, А. М. Афанасьев // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 1. - С. 59-68 : ил. - Библиогр.: с. 67-68 (11 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): поверхностные состояния -- ПС -- диэлектрик-полупроводник -- электролюминесцентные излучатели -- моделирование распределения плотности -- тонкопленочные электролюминесцентные излучатели -- ТП ЭЛИ -- релаксация электронов -- фазовые переходы -- экспериментальные данные Аннотация: Выполнено моделирование распределения плотности заполненных поверхностных состояний (ПС) на катодной границе раздела диэлектрик-люминофор тонкопленочных электролюминесцентных излучателей (ТП ЭЛИ) по энергии на основе экспериментальных данных. Получены зависимости указанных распределений от режима возбуждения ТП ЭЛИ. Показано, что данные распределения сдвигаются в сторону более глубоких уровней ПС при уменьшении частоты напряжения возбуждения и увеличения паузы между двумя соседними включенными состояниями ТП ЭЛИ, что соответствует каскадному механизму релаксации электронов, захваченных на ПС. Определены максимальные значения плотности заполненных ПС на катодной границе, с которой осуществляется туннелирование электронов. Доп.точки доступа: Сабитов, О. Ю.; Афанасьев, А. М. |
539.21:535 Б 430 Белая, зеленая и желтая фотолюминесценция в системе ( CaO*Al[2]O[3]*SiO[2]) : Eu [Текст] / Н. Т. Гурин [и др.] // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 1. - С. 77-80. - Библиогр.: c. 80 (12 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- широкополосная фотолюминесценция -- твердотельный синтез -- фотолюминофоры -- системы цветовой сигнализации -- белое свечение -- зеленое свечение -- желтое свечение -- цвета свечения телевизионных стандартов Аннотация: Показано, что полученные методом прямого твердотельного синтеза при температуре 1350{o}C на воздухе фотолюминофоры в системе (2CaO* m (Al[2]O[3]) *SiO[2]) : Eu при возбуждении азотным лазером дают излучение белого, зеленого и желтого цветов при уменьшении содержания Al[2]O[3] в составе от m=0. 4 до 0. 05. При этом координаты цветности данных цветов свечения соответствуют координатам систем цветовой сигнализации и близки к координатам цветности основных цветов телевизионных систем. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/01/p77-80.pdf Доп.точки доступа: Гурин, Н. Т.; Паксютов, К. В.; Терентьев, М. А.; Широков, А. В. |
621.383 Ф 815 Фотолюминофоры на основе ( CaO*Al[2]O[3]*SiO[2]) : Eu для преобразования фиолетового/ультрафиолетового излучения в излучение белого цвета [Текст] / Н. Т. Гурин [и др.] // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 2. - С. 153-155. - Библиогр.: c. 155 (9 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): фотолюминофоры -- фотолюминесценция -- люминофоры -- белое излучение -- фиолетовое излучение -- ультрафиолетовое излучение -- преобразование излучения -- твердофазный синтез -- цветность телевизионных систем -- цвета свечения телевизионных стандартов -- системы цветовой индикации -- фотолюминесцентные преобразователи цвета -- светоизлучающие диоды -- светодиоды -- светодиодные излучатели Аннотация: Показано, что полученные методом прямого твердофазного синтеза при температуре 1350{o} в вакууме фотолюминофоры (2CaO*0. 5Al[2]O[3]*5SiO[2]) : Eu и (CaO*0. 2Al[2]O[3]*SiO[2]) : Eu с добавкой 3 wt. % B[2]O[3] при возбуждении излучением светодиода с максимумом спектра излучения 380 nm дают излучение белого цвета с координатами цветности, близкими к координатам цветности основных телевизионных систем, и находятся в поле белого цвета систем цветовой сигнализации. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/02/p153-155.pdf Доп.точки доступа: Гурин, Н. Т.; Паксютов, К. В.; Терентьев, М. А.; Широков, А. В. |
621.375 П 473 Позиционно-чувствительный фотоприемник для фотоэлектрических преобразователей углов поворота [Текст] / Н. Т. Гурин [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 6. - С. 57-62 : ил. - Библиогр.: с. 62 (4 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): фотоприемники -- позиционно-чувствительные фотоприемники -- фотоэлектрические преобразователи -- углы поворота -- полупроводниковые структуры -- трехслойные структуры -- полупроводниковые трехслойные структуры -- выходное напряжение -- излучающие диоды Аннотация: Рассмотрен позиционно-чувствительный фотоприемник для фотоэлектрических преобразователей углов поворота. Позиционно-чувствительный фотоприемник представляет собой полупроводниковую трехслойную структуру, выполненную в форме сектора кольца. Выходное напряжение позиционно-чувствительного фотоприемника линейно зависит от угла поворота излучающего диода относительно контактов фотоприемника. Рассмотренный фотоприемник имеет точность определения угла 7', высокую надежность, а также совместимость с любой измерительной, согласующей и обрабатывающей аппаратурой в конструкции преобразователей углов поворота. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/06/p57-62.pdf Доп.точки доступа: Гурин, Н. Т.; Новиков, С. Г.; Корнеев, И. В.; Штанько, А. А.; Родионов, В. А. |