621.382 Г 577 Говорков, А. В. Идентификация дислокаций и их влияние на процессы рекомбинации носителей тока в нитриде галлия [Текст] / А. В. Говорков, А. Я. Поляков [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 7. - С. 18-24 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): твердые растворы -- рекомбинация носителей тока -- нитрид галлия -- плотность дислокаций Аннотация: Исследовалась связь между плотностью ямок травления, выявляемых в GaN селективным травлением в эвтектике KOH/NaOH, и плотностью дислокаций, выявленных методом ПЭМ, а также связь между плотностью дислокаций и плотностью областей в виде темных точек, которые наблюдаются в GaN в картинах распределения интенсивности сигналов микрокатодолюминесценции и наведенного тока. Показано, что селективное травление может служить надежным экспресс-методом определения типа и плотности дислокаций в GaN в диапазоне 10\{6\}-10\{8\} см\{-2\}, а методы МКЛ и НТ могут быть использованы для экспрессного неразрушающего контроля плотности дислокаций в диапазоне 10\{6\}-10\{8\} см\{-2\}. Установлена также связь с дислокациями ряда глубоких электронных и дырочных ловушек. Доп.точки доступа: Поляков, А. Я.; Югова, Т. Г.; Смирнов, Н. Б.; Петрова, Е. А.; Меженный, М. В.; Марков, А. В.; Ли, И.- Х.; Пиртон, С. Дж. |
Исследование в режиме наведенного тока пленок GaN, полученных методом латерального заращивания [Текст] / П. С. Вергелес [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 9. - С. 14-17
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): электронная микроскопия -- латеральное заращивание -- режим наведенного тока -- энергия пучка -- доноры -- пленки (физика) -- GaN Аннотация: Методом растровой электронной микроскопии в режиме наведенного тока исследованы пленки GaN, полученные латеральным заращиванием. Сравнение экспериментальной и рассчитанной зависимостей наведенного тока от энергии пучка позволило определить не только диффузионную длину, но и концентрацию доноров в разных областях пленки. Обнаружено, что распределение доноров неоднородно, и эта неоднородность увеличивается при облучении быстрыми нейтронами. Это свидетельствует о существенном влиянии структурных дефектов на скорость накопления радиационных дефектов. Обнаружен аномально медленный спад сигнала вне барьера Шоттки, который может определяться заряженными дефектами, формирующимися на границе сращивания. Доп.точки доступа: Вергелес, П. С.; Говорков, А. В.; Поляков, А. Я.; Смирнов, Н. Б.; Якимов, Е. Б. |
Замороженная фотопроводимость в твердых растворах MgZnO [Текст] / А. Я. Поляков [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 5. - С. 604-607
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): замороженная проводимость -- твердые растворы -- метод импульсного лазерного распыления -- замороженная фотоемкость -- электронные ловушки Аннотация: Проведены систематические исследования электрических характеристик и эффектов замороженной проводимости в твердых растворах MgZnO (P), выращенных методом импульсного лазерного распыления на нелегированных подложках n-ZnO. Показано, что в исходных неотложенных слоях наблюдается сильная замороженная проводимость и замороженная фотоемкость, связанные с присутствием электронных ловушек с высоким барьером для захвата электронов. Эти ловушки находятся в нижней половине запрещенной зоны, имеют оптический порог ионизации 2. 8 эВ и высоту барьера для захвата электронов ~0. 4 эВ. Наряду с такими центрами наблюдаются также дырочные ловушки с энергией ионизации 0. 14 эВ. Отжиг при 850 градусов C переводит материал в p-типа проводимости, в котором преобладают акцепторы с энергией активации ~0. 2 эВ, связанные с фосфором. Наблюдается также компенсация проводимости и образование дырочных ловушек с энергией активации 0. 14 и 0. 84 эВ в подложке n-ZnO, что объясняется диффузией акцепторных дефектов в подложку при отжиге. Доп.точки доступа: Поляков, А. Я.; Смирнов, Н. Б.; Говорков, А. В.; Кожухова, Е. А.; Kim, H. S.; Norton, D. P.; Pearton, S. J.; Белогорохов, А. И. |
621.315.592 Э 455 Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами n-GaN [Текст] / В. Н. Брудный [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 4. - С. 450-456 : ил. - Библиогр.: с. 455 (19 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): облучение электронами -- электронное облучение -- термообработка -- термическая обработка -- электронные свойства -- нитрид галлия -- GaN -- электрофизические свойства -- глубокие ловушки (физика) -- эпитаксиальные слои -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- спектры ловушек -- электроны -- отжиг -- радиационные дефекты Аннотация: Рассмотрено влияние облучения электронами (энергии E=7 и 10 МэВ, дозы D=10{16}-10{18} см{-2}) и последующих термообработок в интервале температур 100-1000 °C на электрофизические свойства и спектр глубоких ловушек нелегированных (концентрации электронов n=1 x 10{14}-1 x 10{16} см{-3}), промежуточно легированных (n= (1. 2-2) x 10{17} см{-3}) и сильно легированных кремнием (n= (2-3. 5) x 10{18} см{-3}) эпитаксиальных слоев n-GaN, выращенных на подложке Al[2]O[3] с использованием технологии MOCVD. Обнаружено увеличение удельного сопротивления n-GaN при электронном облучении, обусловленное смещением уровня Ферми в предельное положение вблизи E[c]-0. 91 эВ. Исследован спектр глубоких ловушек в исходном и облученном электронами n-GaN. Показано, что восстановление исходных свойств облученного материала имеет место в интервале температур 100-1000 °C с основной стадией отжига радиационных дефектов вблизи 400 °C. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/04/p450-456.pdf Доп.точки доступа: Брудный, В. Н.; Веревкин, С. С.; Говорков, А. В.; Ермаков, В. С.; Колин, Н. Г.; Корулин, А. В.; Поляков, А. Я.; Смирнов, Н. Б. |
621.38 Э 454 Электрические и люминесцентные свойства гетеропереходов и сверхрешеток AIGaN/GaN [Текст] / А. В. Говорков [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2005. - Т. 69, N 4. - С. 480-483. - Библиогр.: с. 483 (14 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника Кл.слова (ненормированные): электронная микроскопия -- ЭМ -- сверхрешетки -- СР -- электрические свойства -- люминесцентные свойства -- гетеропереходы -- ГП -- емкостная спектроскопия -- методы микрокатодолюминесценции -- МКЛ Аннотация: Представлены результаты исследования методами микрокатодолюминесценции и релаксационной спектроскопии глубоких уровней структур молекулярно легированных полевых транзисторов и модуляционно легированных и нелегированных сверхрешеток AIGaN/GaN. Доп.точки доступа: Говорков, А. В.; Поляков, А. Я.; Смирнов, Н. Б.; Усиков, А. С.; Пиртон, С. Дж. |
539.2 Ц 387 Центры рекомбинации и прилипания в чистых и легированных кристаллах TlBr / И. М. Газизов [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 9. - С. 1153-1163 : ил. - Библиогр.: с. 1163 (39 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): широкозонные полупроводники -- детекторы -- gamma-излучение -- рекомбинация -- собственные дефекты -- дефекты -- легированные монокристаллы -- монокристаллы -- кристаллы -- чистые монокристаллы -- электрофизические свойства -- температурные зависимости -- фотопроводимость -- релакционная спектроскопия -- глубокие уровни -- микрокатодолюминесценция -- носители зарядов -- транспортные характеристики -- энергетические уровни -- кулоновские ловушки -- катионные вакансии -- анионные вакансии Аннотация: TlBr является перспективным широкозонным полупроводником для создания детекторов gamma-излучения. Одним из сдерживающих факторов развития технологии изготовления детекторов является отсутствие экспериментально установленных центров прилипания и рекомбинации. В работе дана обобщенная модель возникновения и поведения собственных дефектов в чистых и легированных монокристаллах TlBr, установлена их связь с условиями роста и электрофизическими свойствами. В качестве объектов для анализа использовались ранее полученные температурные зависимости фотопроводимости, данные токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней и микрокатодолюминесценции, кинетические характеристики фотопроводимости. Показано значение компенсации заряженных центров, определяющих транспортные характеристики носителей заряда. В компенсированных легированных кристаллах TlBr произведение подвижности и времени жизни может достигать mutau=5 x 10{-4} см{2} x B{-1}. Предложена энергетическая диаграмма локальных уровней в чистых и легированных кристаллах TlBr. Определены энергии залегания основных структурных и примесных дефектов в TlBr: анионной вакансии V[a]{+} и катионной вакансии V[c]{-}, ионов Pb{2+}, O{2-}, S{2-}. Энергетическое положение одиночной анионной вакансии составляет E[c]-0. 22 эВ. Глубина залегания катионной вакансии составляет E[v]+0. 85 эВ для изолированной катионной вакансии и E[v]+0. 58 эВ в составе комплекса {Pb{2+} V[c]{-}}0. Энергетический уровень кулоновской ловушки Pb{2+} в легированных кристаллах TlBr имеет энергию E[c]-0. 08 эВ. TlBr is a promising wide-gap semiconductor to create-radiation detectors. One of the limiting factors for development of the technology of detectors is the lack of experimentally determined centers of trapping and recombination. In the paper a generalized model of the emergence and behavior of intrinsic defects in pure and doped TlBr single crystals is given. The relationship of intrinsic defects with growth conditions and electrophysical properties is examined. The previously obtained temperature dependences of photoconductivity, the curves of current deep level transient spectroscopy and microcathodoluminescence, kinetic characteristics of the photoconductivity are used as analyzed objects. It is shown that compensation of charged centers determines the transport properties of the charge carriers. The product of the mobility and the lifetime of electrons can reach mutau = 5 x 10{-4} cm{2} x V (-1} in compensated doped crystals TlBr. The energy level diagram in pure and doped crystals TlBr is given. The ionization energies of major structural and impurity defects in TlBr - anion vacancy V{+}[a], cation vacancy V[-]{c}, ions Pb{2+}, O{2-}, S{2-} - are obtained. The energy of the vacancy V{+}[a] level is Ev - 0. 22 eV. The energy level of the cation vacancy is E[v] + 0. 85 eV for the isolated cation vacancy and E[v] + 0. 58 eV for the vacancy in the complex {Pb{2+}V{-}[c] }{0}. The ionization energy of the Coulomb trap Pb{2+} ion is Ec - 0. 08 eV in doped crystals TlBr. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/09/p1153-1163.pdf Доп.точки доступа: Газизов, И. М.; Залетин, В. М.; Говорков, А. В.; Кузнецов, М. С.; Лисицкий, И. С.; Поляков, А. Я.; Смирнов, Н. Б.; ОАО "Институт физико-технических проблем" (Дубна); Университет "Дубна"; OAO "ГИРЕДМЕТ" (Москва); OAO "ГИРЕДМЕТ" (Москва); OAO "ГИРЕДМЕТ" (Москва); OAO "ГИРЕДМЕТ" (Москва); OAO "ГИРЕДМЕТ" (Москва) |