621.38 Ж 421 Ждан, А. Г. Повышение точности определения "емкости изолятора" в структурах металл-диэлектрик-полупроводник [Текст] / А. Г. Ждан, Н. Ф. Кухарская, Г. В. Чучева // Приборы и техника эксперимента. - 2004. - N 6. - Библиогр.: с. 84 (12 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): металл-диэлектрик-полупроводник -- спектроскопия -- пограничные слои -- вольт-фарадные характеристики -- емкость изолятора Аннотация: Результаты вольт-емкостной спектроскопии пограничных состояний в структурах металл-диэлектрик-полупроводник критически зависят от точности определения "емкости изолятора", обычно непревышающей десятых долей процента. Доп.точки доступа: Кухарская, Н. Ф.; Чучева, Г. В. |
621.38 Ч-96 Чучева, Г. В. Определение темпа поверхностной термогенерации неосновных носителей заряда в структурах металл-окисел-полупроводник [Текст] / Г. В. Чучева, А. Г. Ждан, Г. А. Ахмедов, Н. Ф. Кухарская // Приборы и техника эксперимента. - 2005. - N 4. - С. 84-88. - Библиогр.: с. 88 (17 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): термогенерация; электроды; генерация; заряды; металл-окисел-полупроводник Аннотация: Структура металл-окисел-полупроводник с единым полевым электродом, изолированным от полупроводника слоями окисла различной толщины h, позволяет находить по току I (t) релаксации состояния неравновесного обеднения темп поверхностной генерации неосновных носителей заряда. Доп.точки доступа: Ждан, А. Г.; Ахмедов, Г. А.; Кухарская, Н. Ф. |
621.382 Ч-965 Чучева, Г. В. Определение электрофизических характеристик структур металл-окисел-полупроводник по данным вольт-емкостного анализа области обеднения поверхности полупроводника [Текст] / Г. В. Чучева, Р. Д. Тихонов, А. Г. Ждан, В. Г. Нарышкина // Приборы и техника эксперимента. - 2008. - N 4. - С. 108-112. - Библиогр.: с. 112 (10 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): металл-окисел-полупроводник -- вольт-емкостный анализ -- вольт-емкостная спектроскопия -- полупроводники -- электрофизические характеристики -- сверхтонкие окислы -- тонкие окислы Аннотация: Итоги настоящей работы приводят к необходимости переоценки многих результатов вольт-емкостной спектроскопии пограничных состояний в м. о. п.-структурах, в особенности на основе тонких и сверхтонких окислов. Доп.точки доступа: Тихонов, Р. Д.; Ждан, А. Г.; Нарышкина, В. Г. |
53 Ч-965 Чучева, Г. В. Безмодельное определение зависимостей плотности заряда в слоях обогащения и инверсии полупроводника от его поверхностного потенциала по вольтфарадным характеристикам структур металл-диэлектрик-полупроводник [Текст] / Г. В. Чучева // Радиотехника и электроника. - 2008. - Т. 53, N 7. - С. 874-877. - Библиогр.: с. 877 (8 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): вольтфарадные характеристики -- полупроводники -- наномасштабирование приборов -- квазистатические характеристики Аннотация: Развит алгоритм анализа квазистатических вольтфарадных характеристик структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) в области обеднения поверхности полупроводника основными носителями заряда, обеспечивающий количественное определение концентрации легирующей примеси, напряжения "плоских зон" и эффективных значений емкости и толщины подзатворного изолятора. Получены зависимости поверхностного потенциала и поверхностного заряда полупроводника от потенциала полевого электрода без каких-либо априорных сведений о состязании электронного газа при сильном обогащении или глубокой инверсии. Показана возможность использования этих экспериментальных зависимостей в качестве критерия корректности теории области пространственного заряда полупроводника, учитывающей эффекты вырождения и размерного квантования электронного газа. |
621.3 Ж 421 Ждан, А. Г. Реконструкция зависимостей туннельного тока от напряжения на окисле по динамическим вольт-амперным характеристикам гетероструктур n\{+\}-Si-SiO[2]-n-Si [Текст] / А. Г. Ждан, Н. Ф. Кухарская, В. Г. Нарышкина, Г. В. Чучева // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 9. - С. 1135-1142 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- туннельный ток -- вольт-амперные характеристики -- напряжение на окисле Аннотация: Прецизионные измерения динамических вольт-амперных характеристик структуры Al-n\{+\}-Si-SiO[2]-n-Si с тонким (<50 ? ) окислом позволяют выделить из полного тока его активную (I[a]) и емкостную (I[c]) составляющие. Развит алгоритм анализа последней, обеспечивающий определение в едином эксперименте уровня легирования n-Si, "емкости окисла" C[i], а также плотности и знака фиксированного в нем заряда. На основании этих данных без привлечения каких-либо подгоночных параметров в поперечных полях рассчитаны зависимости поверхностного потенциала n-Si и падения напряжения на окисле V[i] от потенциала затвора V[g]. При максимальных |F| слоевая плотность электронов (дырок) в n-Si превышает 10\{13\} см\{-2\}, свидетельствуя о вырождении и размерном квантовании электронного газа. По зависимостям I[t] (V[g]) и V[i] (V[g]) реконструированы вольт-амперные характеристики туннельного тока I[t] (V[i]) ? I[a] (V[i]), представленные более чем на 10 порядках величины его изменения, как в режиме обогащения поверхности n-Si, так и в режиме инверсии. Наблюдавшиеся характеристики I[t] (V[i]) количественно не описываются в рамках существующих представлений о туннельном эффекте. Доп.точки доступа: Кухарская, Н. Ф.; Нарышкина, В. Г.; Чучева, Г. В. |
621.3 Г 944 Гуляев, Ю. В. Увеличение подвижности электронов в инверсионном канале Si-МОП-транзистора при ионной поляризации подзатворного окисла [Текст] / Ю. В. Гуляев, А. Г. Ждан, Г. В. Чучева // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 3. - С. 368-371 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): транзисторы -- полевые транзисторы -- МОП-транзисторы -- подвижность электронов -- электроны -- инверсионный канал -- ионная поляризация подзатворного окисла Аннотация: Эффективная подвижность электронов мю* в инверсионном n-канале полевого транзистора значительно возрастает после объемно-зарядовой ионной поляризации подзатворного окисла от типичных значений ? 820 до величин ? 2645 cм\{2\}B\{-1\}c\{-1\}, превышающих подвижность электронов в массивном Si. После поляризации слоевая плотность ионов Na\{+\} у гетерограницы SiO[2]/Si превышает 6 10\{13\} см\{-2\}. Ионы практически полностью нейтрализованы электронами канала инверсии. С уменьшением температуры T в диапазоне 293-203 K мю* увеличивается по закону мю* пропорционально T-0. 82. Наблюдаемая зависимость мю* (T), по-видимому, обусловлена комбинированным рассеянием электронов на шероховатостях поверхности раздела Si/SiO[2], на фононах и на пограничных состояниях. Деполяризация окисла возвращает мю* к исходной величине. Аномально высокие значения мю* считаются либо следствием возникновения в поверхностном слое Si из-за поляризации окисла сильных структурных напряжений, либо результатом фазовой перестройки области инверсионного канала вследствие гибридизации волновых функций электронов, локализованных на ионах Na\{+\}, с волновыми функциями электронов канала инверсии. Доп.точки доступа: Ждан, А. Г.; Чучева, Г. В. |
Прямое туннелирование электронов в структурах Al-n{+}-Si-SiO[2]-n-Si в режиме нестационарного обеднения поверхности полупроводника основными носителями заряда [Текст] / Е. И. Гольдман [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1050-1052 : ил. - Библиогр.: с. 1052 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): туннелирование электронов -- прямое туннелирование -- сверхтонкие окислы -- металл-окисел-полупроводник -- МОП -- электрические поля -- туннельные барьеры -- окислы -- полевые электроды -- ПЭ -- вольт-амперная характеристика -- ВАХ -- заряды -- туннельный ток -- напряжение -- границы раздела -- ГР Аннотация: Экспериментально исследованы особенности прямого туннелирования электронов сквозь сверхтонкий (~40 Angstrem) окисел в структурах металл-SiO[2]-Si в нестационарных условиях обеднения поверхности полупроводника, когда потенциальный рельеф в изоляторе слабо возмущен внешними электрическими полями. Прозрачность туннельного барьера существенно ограничивается классически запрещенной областью в n-Si, обусловленной встроенным в SiO[2] отрицательным зарядом. С увеличением падения напряжения на окисле локализованные в нем электроны переходят в полупроводник, что сопровождается резким ростом туннельного тока. Из эксперимента определены значения коэффициентов линейного нарастания логарифма туннельного тока при повышении напряжения на изоляторе. Они не согласуются с данными, рассчитанными на основе модели прямоугольного барьера с параметрами, типичными для "толстых" окислов. Показано, что реальные значения эффективной массы должны быть больше 0. 5m0, а высота барьера меньше 3. 1 эВ. Доп.точки доступа: Гольдман, Е. И.; Гуляев, Ю. В.; Ждан, А. Г.; Чучева, Г. В. |
537.311.33 П 849 Проявление избыточных центров рождения электронно-дырочных пар, возникших в результате полевого и термического стрессов и их последующей аннигиляции, в динамических вольт-амперных характеристиках Si-МОП структур со сверхтонким окислом [Текст] / Е. И. Гольдман [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 7. - С. 974-979 : ил. - Библиогр.: с. 978-979 (23 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): электронно-дырочные пары -- границы раздела -- ГР -- кремний-окисел -- полевое воздействие -- термическое воздействие -- МОП структуры -- металл-окисел-полупроводник -- сверхтонкий окисел -- послестрессовая аннигиляция (физика) -- неосновные носители заряда -- ННЗ -- дырки (физика) -- динамические вольт-амперные характеристики -- ДВАХ -- диоды -- диэлектрики -- полупроводники -- термический стресс -- полевой стресс -- комнатная температура Аннотация: Исследовано образование центров рождения электронно-дырочных пар у границы раздела кремний-окисел при полевом и термическом воздействиях на Si-МОП структуры со сверхтонким окислом, а также послестрессовая аннигиляция этих образований. Концентрации центров генерации неосновных носителей заряда (дырок) определялись из экспериментальных динамических вольт-амперных характеристик Si-МОП диодов путем фиксации продолжительности накопления равновесной плотности дырок у поверхности, разделяющей полупроводник и диэлектрик при переходе образца из состояния глубокого обеднения в состояние сильной инверсии. Показано, что МОП структуры со сверхтонким окислом гораздо более "податливы" полевому и термическому стрессам по сравнению с образцами с толстым изолирующим слоем: объекты со сверхтонким окислом легче повреждаются внешними воздействиями, но и быстрее восстанавливаются в исходное состояние при комнатной температуре. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/07/p974-979.pdf Доп.точки доступа: Гольдман, Е. И.; Кухарская, Н. Ф.; Нарышкина, В. Г.; Чучева, Г. В. |
535-31 Д 251 Двухспектральные алмазные гибридные фотоприемники / Ю. В. Гуляев [и др.] // Доклады Академии наук. - 2013. - Т. 450, № 4, июнь. - С. 401-405 : 3 рис. - Библиогр. : с. 405 (4 назв.) . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Физика Ультрафиолетовые лучи Кл.слова (ненормированные): оптоэлектронные системы -- автономные системы -- диапазоны волн -- спектральные диапазоны -- электроды -- виды излучения -- инфракрасные лучи -- ультрафиолетовые лучи Аннотация: Описана реализация разработки и создание многоспектральных интегрально-комплексированных фотоприемников на основе алмаза, работающих одновременно в УФ- и ИК- спектральных диапазонах. Доп.точки доступа: Гуляев, Ю. В.; Митягин, А. Ю.; Фещенко, В. С.; Чучева, Г. В. |